JPH10150022A - エッチング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチング処理においてエッチングレートの
変化を減少させる。 【解決手段】 外部１１と遮断された雰囲気を形成可能
な真空処理容器４と、真空処理容器４の内部４ａの排気
を行う真空排気手段７と、真空処理容器４の内部４ａに
処理ガス１３を供給するガス供給手段５と、真空処理容
器４の内部４ａで半導体ウェハ１を支持する下部電極で
ある支持台２と、支持台２と対向して設けられるととも
に支持台２に対向する対向面６ｂを備えた第１電極６ａ
と対向面６ｂに露出する止めねじ９によって第１電極６
ａが結合される第２電極６ｃとからなりかつ支持台２と
ともにプラズマ１２を生成する対向電極６と、止めねじ
９の対向面６ｂに露出した露出部９ａを覆うシールドリ
ング１０とからなり、シールドリング１０に第１電極６
ａの対向面６ｂの露出面積を増加させる切り欠き部が形
成されていることにより、プラズマ１２の放電領域１２
ａを拡大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おけるエッチング技術に関し、特に、プラズマを用いる
エッチング方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
開発するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】プラズマを用いて半導体ウェハに処理を行
うエッチング装置としては、互いに対向する一対の電極
を備えたエッチング装置（ドライエッチング装置ともい
う）が知られている。

【０００４】ここで、前記エッチング装置は、一方の電
極（支持台）上に半導体ウェハを搭載し、これに対向す
る他方の電極側から処理ガスを噴流させるとともに、こ
の２つの電極間に高周波電圧を印加して処理ガスをプラ
ズマ化し、半導体ウェハを加工するものである。

【０００５】なお、プラズマを生成する際には、２つの
電極間で放電を行うが、この際、プラズマからの発熱に
よって上部電極（前記他方の電極）が加熱され、これに
より、上部電極の温度が上昇する。

【０００６】その結果、エッチング処理の時間が長くな
る（例えば、２分程度）と、半導体ウェハのロット内に
おいてエッチングレートに変化（ばらつき）を生じる。
特に、半導体ウェハの中央付近と外周部とでは、温度上
昇度に差があるためエッチングレートの変化が大きい。

【０００７】また、エッチングレートの変化は、上部電
極の温度上昇が飽和するまで起こることが判っている。

【０００８】したがって、エッチング時には、エッチン
グレートの変化がなくなる（上部電極の温度上昇が終わ
る）までダミーウェハを使用し、ダミーのエッチングを
行っている。

【０００９】ここで、エッチングの処理時間が比較的短
い場合（例えば、１０秒程度）は、プラズマによる上部
電極の温度上昇が少ないため、エッチングレートの変化
に至ることは少ない。

【００１０】なお、プラズマを用いたエッチング技術に
ついては、例えば、特開平８−１０７１３９号公報に開
示されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、エッチング開始の際に、ダミーウェハを
使用しているため、半導体ウェハの処理枚数が減少する
ことが問題とされる。

【００１２】さらに、半導体ウェハの処理枚数が減少す
ることにより、エッチング処理の作業性を低下させると
いう問題も起こる。

【００１３】本発明の目的は、エッチングレートの変化
を減少させるエッチング方法および装置を提供すること
にある。

【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１６】すなわち、本発明によるエッチング方法
は、半導体ウェハを支持する支持台に対向する対向面を
備えた第１電極と前記第１電極が結合される第２電極と
からなる対向電極を有するエッチング装置を準備する工
程と、前記エッチング装置の処理容器内に設けられた支
持台に前記半導体ウェハを搭載する工程と、前記第１お
よび第２電極を結合する結合部材の前記第１電極の対向
面に露出する露出部をリング状部材によって覆うととも
に、前記リング状部材に形成された切り欠き部により前
記第１電極の対向面の露出面積を増加させて前記支持台
または前記対向電極に高周波を印加する工程と、前記高
周波の印加によって前記プラズマを生成する工程とを有
し、前記リング状部材の切り欠き部によって前記第１電
極の対向面の露出面積を増加させることにより、前記プ
ラズマの放電領域を拡大してエッチングするものであ
る。

【００１７】これにより、第１電極を含む対向電極の温
度上昇を速やかに行うことができる。

【００１８】したがって、対向電極の温度上昇が速やか
に飽和状態になるため、エッチングレートの変化を減少
させることができる。すなわち、エッチングレートの経
時変化を低減することができ、半導体ウェハのロット内
におけるエッチングレートの変化を低減できる。

【００１９】また、本発明によるエッチング装置は、プ
ラズマを用いて半導体ウェハにエッチング処理を行うも
のであり、外部と遮断された雰囲気を形成可能な処理容
器と、前記処理容器の内部の排気を行う排気手段と、前
記処理容器の内部に処理ガスを供給するガス供給手段
と、前記処理容器の内部で前記半導体ウェハを支持する
支持台と、前記支持台と対向して設けられかつ前記支持
台に対向する対向面を備えた第１電極と前記対向面に露
出する結合部材によって前記第１電極が結合される第２
電極とからなり、前記支持台とともに前記プラズマを生
成する対向電極と、前記結合部材の前記対向面に露出し
た露出部を覆うリング状部材とを有し、前記リング状部
材に前記第１電極の対向面の露出面積を増加させる切り
欠き部が形成されていることにより、前記プラズマの放
電領域を拡大し得るものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２１】図１は本発明によるエッチング装置の構造
の実施の形態の一例を一部断面にして示す構成概念図、
図２は本発明のエッチング装置に設けられたリング状部
材および第１電極の構造の実施の形態の一例を示す底面
図、図３は本発明のエッチング装置に設けられた第１電
極の対向面における露出面積の増加率の実施の形態の一
例を示す増加率算出原理図、図４は本発明のエッチング
装置によってエッチングを行った際のエッチングレート
の変化の実施の形態の一例を示すレートデータ図、図５
は本発明のエッチング装置によってエッチングを行った
際の半導体ウェハのエッチングレートと処理枚数の関係
の実施の形態の一例を示すレート経時変化図である。

【００２２】なお、本実施の形態によるエッチング装置
は、互いに対向する一対の電極を備える（平行平板形）
とともに、プラズマ１２を用いて半導体ウェハ１にエッ
チング処理を行うものであり、その一例として狭電極タ
イプのエッチング装置（ドライエッチング装置ともい
う）の場合を説明する。

【００２３】前記エッチング装置の構成は、外部１１と
遮断された雰囲気を形成可能な処理容器である真空処理
容器４と、真空処理容器４の内部４ａの排気を行う排気
手段である真空排気手段７と、真空処理容器４の内部４
ａに処理ガス１３を供給するガス供給手段５と、真空処
理容器４の内部４ａで半導体ウェハ１を支持する下部電
極である支持台２と、支持台２と対向して設けられると
ともに支持台２に対向する対向面６ｂを備えた第１電極
６ａと対向面６ｂに露出する止めねじ９（結合部材）に
よって第１電極６ａが結合される第２電極６ｃとからな
りかつ支持台２とともにプラズマ１２を生成する対向電
極６と、止めねじ９の対向面６ｂに露出した露出部９ａ
を覆うリング状部材であるシールドリング１０とからな
り、シールドリング１０に第１電極６ａの対向面６ｂの
露出面積を増加させる切り欠き部１０ａが形成されてい
る。

【００２４】これにより、本実施の形態のエッチング装
置は、プラズマ１２の放電領域１２ａを拡大し得るもの
である。

【００２５】ここで、第１電極６ａと第２電極６ｃとか
らなる対向電極６は、上部電極であり、さらに、下部電
極である支持台２と一対を成すものである。

【００２６】本実施の形態のエッチング装置では、対向
電極６に高周波電源８が電気的に接続され、かつ、支持
台２はアース（接地）に接続されている。

【００２７】ただし、支持台２に高周波電源８が電気的
に接続されていてもよい。

【００２８】また、エッチング時に、半導体ウェハ１は
支持台２上でクランプリング３によって支持（固定）さ
れている。

【００２９】なお、対向電極６には、図２に示すよう
に、その対向面６ｂに開口した複数の貫通小孔であるガ
ス吹き出し孔６ｄが設けられており（ガス吹き出し孔６
ｄは図１に示す第１電極６ａと第２電極６ｃの両者に設
けられている）、このガス吹き出し孔６ｄを介して図１
に示す処理ガス１３が真空処理容器４の内部４ａに供給
される。

【００３０】つまり、真空処理容器４の内部４ａには、
ガス供給手段５によって処理ガス１３（例えば、Ａｒ、
ＣＦ₄ 、ＣＨＦ₃ など）が、対向電極６に設けられた複
数のガス吹き出し孔６ｄを介して供給され、それと共
に、真空ポンプなどの真空排気手段７によって真空排気
が行われることにより、真空処理容器４の内部４ａはエ
ッチング時に数Torr以下の圧力に制御される。

【００３１】さらに、高周波電源８によって対向電極６
と支持台２との間に、例えば、数百ＫＨｚ、千〜千数百
Ｗの高周波電圧を印加してプラズマ１２を発生させ、半
導体ウェハ１のエッチングを行う。

【００３２】ここで、上部電極である対向電極６を構成
する本実施の形態の第１電極６ａは、例えば、カーボン
によって形成され、さらに、第１電極６ａとともに対向
電極６を構成する本実施の形態の第２電極６ｃは、例え
ば、アルミニウムによって形成されている。

【００３３】したがって、対向電極６は第１電極６ａと
第２電極６ｃとによって構成されるため、第１電極６ａ
が止めねじ９によって第２電極６ｃに固定されている。

【００３４】すなわち、対向電極６は、第１電極６ａと
第２電極６ｃとからなるユニット電極でもある。

【００３５】なお、本実施の形態によるエッチング装置
では、第１電極６ａが８本の止めねじ９によって第２電
極６ｃに固定されており、止めねじ９は、例えば、ステ
ンレス鋼（ＳＵＳ）によって形成されている。

【００３６】ここで、対向電極６（第１電極６ａ）の対
向面６ｂには止めねじ９の露出部９ａが露出しているた
め、プラズマ生成時のこの露出部９ａによる異常放電を
防ぐためのシールドリング１０が対向電極６に取り付け
られている。

【００３７】すなわち、本実施の形態におけるリング状
部材であるシールドリング１０は、対向電極６の対向面
６ｂに露出した露出部９ａを覆う絶縁性のものであり、
円板状の対向電極６の外周部を覆うとともに、その中央
付近は、ガス吹き出し孔６ｄからの処理ガス１３の噴流
を妨げないように、ほぼ円形に大きく開口しており、例
えば、セラミックによって形成されている。

【００３８】なお、シールドリング１０は、半導体ウェ
ハ１に悪影響を及ぼさずかつ高い絶縁性を有するもので
あれば、セラミック以外の石英などによって形成されて
いてもよいが、加工性を考慮した場合、セラミックによ
って形成されることが好ましい。

【００３９】また、本実施の形態のシールドリング１０
は、対向電極６の対向面６ｂにおいて８本の止めねじ９
の露出部９ａを覆うカバー部１０ｃを有しているが、大
きく開口した内周開口端部１０ｂからさらに円周外方に
向かってかつ円周方向の４箇所（ほぼ９０°置き）に切
り欠き部１０ａも有している。

【００４０】すなわち、シールドリング１０における対
向電極６の対向面６ｂに沿う箇所には、２本の止めねじ
９の露出部９ａをそれぞれに覆うほぼ９０°置き設けら
れた４つのカバー部１０ｃと、これとほぼ同じ面積の４
つの切り欠き部１０ａとが設けられている。

【００４１】したがって、４つの切り欠き部１０ａによ
り、対向電極６の対向面６ｂの露出面積を拡大すること
ができ、その結果、プラズマ生成時のプラズマ１２の放
電領域１２ａを拡大することができる。

【００４２】ここで、本実施の形態においては、シール
ドリング１０の切り欠き部１０ａが形成されていない場
合と比較し、４箇所に設けられた切り欠き部１０ａによ
って対向電極６の対向面６ｂの露出面積が約２５％増加
した場合を説明する。

【００４３】これは、図３の増加率算出原理図に示すよ
うに、シールドリング１０のカバー部１０ｃの開口径を
Ｐとし、さらに、切り欠き部１０ａの開口径をＬとする
と、直径Ｌの円の面積Ｓ１は、Ｓ１＝π（Ｌ／２)²とな
り、直径Ｐの円の面積Ｓ２は、Ｓ２＝π（Ｐ／２)²とな
る。

【００４４】さらに、１つのカバー部１０ｃと１つの切
り欠き部１０ａの面積は、ほぼ同じであり、かつこれら
が各々４つ形成されているため、切り欠き部１０ａによ
る対向電極６の対向面６ｂの露出した増加面積（４つの
切り欠き部１０ａの合計面積）は、（Ｓ１−Ｓ２）／２
によって算出される。

【００４５】ここで、本実施の形態によるシールドリン
グ１０において、Ｌ＝１9.６ｍｍ、Ｐ＝１5.８ｍｍとし
て、Ｓ１およびＳ２、さらに、前記増加面積を計算する
と、増加面積＝５3.８ｍｍ² となる。

【００４６】これにより、切り欠き部１０ａが形成され
ていない場合と比較すると、対向電極６の対向面６ｂの
露出面積を約２５％増加させたことになる。

【００４７】すなわち、本実施の形態は、その一例とし
て、シールドリング１０に形成された４つの切り欠き部
１０ａによって対向電極６（第１電極６ａ）の対向面６
ｂの露出面積を約２５％増加した場合である。

【００４８】また、本実施の形態による支持台２は、第
２電極６ｃと同様に、例えば、アルミニウムによって形
成されている。

【００４９】さらに、支持台２上で半導体ウェハ１を支
持するクランプリング３は、シールドリング１０と同様
に絶縁性のものであり、例えば、石英、セラミックもし
くはフッ素樹脂などの材料によって形成されている。

【００５０】本実施の形態によるエッチング方法につい
て説明する。

【００５１】なお、前記エッチング方法は、前記エッチ
ング装置を用いるものであり、半導体製造工程におい
て、例えば、半導体ウェハ１に配線を形成する際のコン
タクトホールの形成時に用いるものである。

【００５２】予め、前記エッチング装置、すなわち、半
導体ウェハ１を支持する支持台２に対向する対向面６ｂ
を備えた第１電極６ａと第１電極６ａが結合される第２
電極６ｃとからなる対向電極６を有する前記エッチング
装置を準備する。

【００５３】その後、真空ポンプなどの真空排気手段７
によって、真空処理容器４の内部４ａを所定の真空度に
排気しながら、ガス供給手段５によって所定の処理ガス
１３を供給する。

【００５４】この時、対向電極６に設けられたガス吹き
出し孔６ｄを介して処理ガス１３を真空処理容器４の内
部４ａに供給する。

【００５５】続いて、絶縁膜およびその上にレジスト膜
が形成され、かつ前記レジスト膜に対して前記コンタク
トホール形成用の露光が行われた半導体ウェハ１を前記
エッチング装置の真空処理容器４の内部４ａに搬送す
る。

【００５６】さらに、前記エッチング装置の真空処理容
器４の内部４ａに設けられた支持台２に半導体ウェハ１
を搭載し、クランプリング３によって半導体ウェハ１を
支持台２上で固定する。

【００５７】その後、第１電極６ａおよび第２電極６ｃ
を結合する止めねじ９（結合部材）の対向面６ｂに露出
する露出部９ａをシールドリング１０（リング状部材）
によって覆うとともに、シールドリング１０に形成され
た切り欠き部１０ａにより第１電極６ａの対向面６ｂの
露出面積を増加させて、高周波電源８によって対向電極
６に千〜千数百Ｗ程度の高周波を印加する。

【００５８】これにより、対向電極６と支持台２との間
にプラズマ１２を生成する。

【００５９】つまり、対向電極６の対向面６ｂに露出す
る止めねじ９の露出部９ａをシールドリング１０により
覆って放電を行い、支持台２と対向電極６との間にプラ
ズマ１２を形成する。

【００６０】この際、本実施の形態のエッチング装置で
は、シールドリング１０に形成された切り欠き部１０ａ
によって、第１電極６ａ（対向電極６）の対向面６ｂの
露出面積を２５％程度増加させているため、プラズマ１
２の放電領域１２ａも拡大することができる。

【００６１】なお、高周波電源８が支持台２に電気的に
接続されている場合は、高周波を支持台２に印加しても
よい。

【００６２】その結果、シールドリング１０の切り欠き
部１０ａによって第１電極６ａの対向面６ｂの露出面積
を２５％程度増加させ、これにより、プラズマ１２の放
電領域１２ａを拡大して半導体ウェハ１をエッチングす
ることができる。

【００６３】すなわち、半導体ウェハ１上に形成された
前記絶縁膜の所定箇所を前記レジスト膜をマスクとして
エッチングすることにより、前記コンタクトホールを形
成することができる。

【００６４】その後、不要となった前記レジスト膜を除
去する。

【００６５】本実施の形態によるエッチング方法および
装置によれば、以下のような作用効果が得られる。

【００６６】すなわち、シールドリング１０に形成され
た切り欠き部１０ａによって第１電極６ａ（対向電極
６）の対向面６ｂの露出面積を増加させる（本実施の形
態においては２５％程度増加させている）ことにより、
プラズマ１２の放電領域１２ａを拡大してエッチングす
ることができる。

【００６７】これにより、半導体ウェハ１の全面に渡っ
てプラズマ１２からの発熱量を増加させることができる
とともに、第１電極６ａを含む対向電極６の温度上昇を
速やかに行える。

【００６８】したがって、対向電極６の温度上昇が速や
かに飽和状態になるため、エッチングレートの変化（ば
らつき）を減少させることができる。

【００６９】すなわち、エッチングレートの経時変化を
低減することができ、半導体ウェハ１のロット内におけ
るエッチングレートの変化を低減できる。

【００７０】ここで、図４は、図１に示す本実施の形態
のエッチング装置によってエッチング処理を行った際の
半導体ウェハ１のロット内におけるエッチングレートの
変化（ばらつき）を示すものであり、改善前と改善後と
のそれぞれにおいて、半導体ウェハ１の所定の処理枚数
（ここでは、１枚〜２５枚）ごとにエッチングレートを
測定したものである。

【００７１】図４において、改善前はシールドリング１
０に切り欠き部１０ａを設けていない場合のエッチング
レートの値であり、改善後は切り欠き部１０ａを設けた
場合のエッチングレートの値である。

【００７２】これにより、切り欠き部１０ａを設けてい
ない場合（改善前）は、エッチングレートの変化（ばら
つき）が8.８％であるのに対し、切り欠き部１０ａを設
けた場合（改善後）は、エッチングレートの変化（ばら
つき）が1.４％である。

【００７３】また、図５は図４に示したエッチングレー
トの値をグラフ化したものであり、改善前と改善後とに
おけるエッチングレートのレート経時変化を読み取るこ
とができる。図５から判るように、改善後の方がエッチ
ングレートの値の変化（ばらつき）は明らかに少ない。

【００７４】その結果、シールドリング１０に切り欠き
部１０ａを設けたことにより、ロット内におけるエッチ
ングレートの変化を大幅に低減でき、これにより、エッ
チング開始時にダミーウェハを使用（エッチングレート
変化時に行っていたダミーウェハによるダミー処理）す
る必要がなくなり、半導体ウェハ１の処理枚数を増加さ
せることができる。

【００７５】さらに、半導体ウェハ１の処理枚数を増加
させることができるため、エッチング処理の作業性を向
上させることができる。

【００７６】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００７７】例えば、前記実施の形態においては、シー
ルドリング１０の対向電極６の対向面６ｂを覆う箇所
に、２本の止めねじ９の露出部９ａをそれぞれに覆う４
つのカバー部１０ｃと、これとほぼ同じ面積の４つの切
り欠き部１０ａとが設けられている場合を説明したが、
シールドリング１０は、図６に示す他の実施の形態のよ
うに、シールドリング１０における対向電極６（図１参
照）の対向面６ｂを覆う箇所に、１本の止めねじ９の露
出部９ａ（図１参照）だけをそれぞれに覆う８つのカバ
ー部１０ｃと、大小４つずつ合計８つの切り欠き部１０
ａとが設けられているものであってもよい。

【００７８】この場合、シールドリング１０におけるカ
バー部１０ｃの強度が多少弱まるものの、大小合わせて
８つの切り欠き部１０ａにより、対向電極６の対向面６
ｂの露出面積を約３０％拡大することができる。

【００７９】これにより、図１に示したエッチング装置
と比べて、さらに、プラズマ生成時のプラズマ１２の放
電領域１２ａを拡大することができ、その結果、エッチ
ングレートの変化（ばらつき）をさらに減少させること
ができる。

【００８０】また、前記実施の形態においては、エッチ
ング装置が狭電極タイプの場合について説明したが、前
記エッチング装置は、対向する２つの電極（平行平板
形）の一方にシールドリング１０を有しかつ２つの電極
間にプラズマ１２を生成してエッチングを行う装置であ
れば、狭電極タイプ以外のエッチング装置であってもよ
い。

【００８１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８２】（１）．リング状部材に形成された切り欠
き部によって第１電極の対向面の露出面積を増加させる
ことにより、プラズマの放電領域を拡大してエッチング
することができる。これにより、第１電極を含む対向電
極の温度上昇を速やかに行うことができ、その結果、エ
ッチングレートの変化（ばらつき）を減少させることが
できる。

【００８３】（２）．（１）により、エッチングレート
の経時変化を低減することができ、半導体ウェハのロッ
ト内におけるエッチングレートの変化を低減できる。こ
れにより、エッチング開始時にダミーウェハを使用する
必要がなくなり、その結果、半導体ウェハの処理枚数を
増加させることができる。

【００８４】（３）．半導体ウェハの処理枚数を増加さ
せることができるため、エッチング処理の作業性を向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるエッチング装置の構造の実施の形
態の一例を一部断面にして示す構成概念図である。

【図２】本発明のエッチング装置に設けられたリング状
部材および第１電極の構造の実施の形態の一例を示す底
面図である。

【図３】本発明のエッチング装置に設けられた第１電極
の対向面における露出面積の増加率の実施の形態の一例
を示す増加率算出原理図である。

【図４】本発明のエッチング装置によってエッチングを
行った際のエッチングレートの変化の実施の形態の一例
を示すレートデータ図である。

【図５】本発明のエッチング装置によってエッチングを
行った際の半導体ウェハのエッチングレートと処理枚数
の関係の実施の形態の一例を示すレート経時変化図であ
る。

【図６】本発明の他の実施の形態であるエッチング装置
に設けられたリング状部材の構造を示す底面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ ２ 支持台 ３ クランプリング ４ 真空処理容器（処理容器） ４ａ 内部 ５ ガス供給手段 ６ 対向電極 ６ａ 第１電極 ６ｂ 対向面 ６ｃ 第２電極 ６ｄ ガス吹き出し孔 ７ 真空排気手段（排気手段） ８ 高周波電源 ９ 止めねじ（結合部材） ９ａ 露出部 １０ シールドリング（リング状部材） １０ａ 切り欠き部 １０ｂ 内周開口端部 １０ｃ カバー部 １１ 外部 １２ プラズマ １２ａ 放電領域 １３ 処理ガス

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマを用いるエッチング方法であっ
   て、 半導体ウェハを支持する支持台に対向する対向面を備え
   た第１電極と前記第１電極が結合される第２電極とから
   なる対向電極を有するエッチング装置を準備する工程
   と、 前記エッチング装置の処理容器内に設けられた前記支持
   台に前記半導体ウェハを搭載する工程と、 前記第１および第２電極を結合する結合部材の前記第１
   電極の対向面に露出する露出部をリング状部材によって
   覆うとともに、前記リング状部材に形成された切り欠き
   部により前記第１電極の対向面の露出面積を増加させて
   前記支持台または前記対向電極に高周波を印加する工程
   と、 前記高周波の印加によって前記プラズマを生成する工程
   とを有し、 前記リング状部材の切り欠き部によって前記第１電極の
   対向面の露出面積を増加させることにより、前記プラズ
   マの放電領域を拡大してエッチングすることを特徴とす
   るエッチング方法。
2. 【請求項２】 プラズマを用いて半導体ウェハにエッチ
   ング処理を行うエッチング装置であって、 外部と遮断された雰囲気を形成可能な処理容器と、 前記処理容器の内部の排気を行う排気手段と、 前記処理容器の内部に処理ガスを供給するガス供給手段
   と、 前記処理容器の内部で前記半導体ウェハを支持する支持
   台と、 前記支持台と対向して設けられ、かつ前記支持台に対向
   する対向面を備えた第１電極と前記対向面に露出する結
   合部材によって前記第１電極が結合される第２電極とか
   らなり、前記支持台とともに前記プラズマを生成する対
   向電極と、 前記結合部材の前記対向面に露出した露出部を覆うリン
   グ状部材とを有し、 前記リング状部材に前記第１電極の対向面の露出面積を
   増加させる切り欠き部が形成されていることにより、前
   記プラズマの放電領域を拡大し得ることを特徴とするエ
   ッチング装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載のエッチング装置であっ
   て、前記リング状部材に形成された切り欠き部によって
   前記第１電極の対向面の露出面積が約２５％増加される
   ことを特徴とするエッチング装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載のエッチング装置
   であって、前記リング状部材がセラミックによって形成
   されていることを特徴とするエッチング装置。