JPS64470B2 - - Google Patents
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- JPS64470B2 JPS64470B2 JP7438085A JP7438085A JPS64470B2 JP S64470 B2 JPS64470 B2 JP S64470B2 JP 7438085 A JP7438085 A JP 7438085A JP 7438085 A JP7438085 A JP 7438085A JP S64470 B2 JPS64470 B2 JP S64470B2
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- etching
- gas
- etching gas
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- 238000005530 etching Methods 0.000 description 33
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はドライエツチング装置に係り、特に被
処理物のSiに対するSiO2の選択比を高めること
を可能としたドライエツチング装置に関する。
処理物のSiに対するSiO2の選択比を高めること
を可能としたドライエツチング装置に関する。
従来のRIE装置（反応性イオンエツチング装
置）においては、真空容器の内部に一対の平行平
板電極を配置し、上記真空容器には、エツチング
ガスのガス導入管および真空排気装置に接続され
るガス排出管が接続されており、上記一方の電極
に被処理物を固定する。そして、真空排気装置に
より真空容器内の排気を行なつた後、上記ガス導
入管により真空容器内にエツチングガスを導入
し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、エツチングガスをイオン化ある
いはラジカル化することにより被処理物のエツチ
ングを行なうものである。
置）においては、真空容器の内部に一対の平行平
板電極を配置し、上記真空容器には、エツチング
ガスのガス導入管および真空排気装置に接続され
るガス排出管が接続されており、上記一方の電極
に被処理物を固定する。そして、真空排気装置に
より真空容器内の排気を行なつた後、上記ガス導
入管により真空容器内にエツチングガスを導入
し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラ
ズマを発生させ、エツチングガスをイオン化ある
いはラジカル化することにより被処理物のエツチ
ングを行なうものである。
しかし、上記手段において、エツチングガスを
CF4のみとした場合、被処理物のSi基板とこのSi
基板上のSiO2膜とのエツチングの選択比
（SiO2／Si）が１程度となつてしまい、エツチン
グを行なつた際、被処理物のSi基板まで削られて
しまうという欠点を有しており、エツチングの信
頼性を著しく低下させていた。
CF4のみとした場合、被処理物のSi基板とこのSi
基板上のSiO2膜とのエツチングの選択比
（SiO2／Si）が１程度となつてしまい、エツチン
グを行なつた際、被処理物のSi基板まで削られて
しまうという欠点を有しており、エツチングの信
頼性を著しく低下させていた。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
Siに対するSiO2の選択比を高めることのできる
ドライエツチング装置を提供することを目的とす
るものである。
Siに対するSiO2の選択比を高めることのできる
ドライエツチング装置を提供することを目的とす
るものである。
上記目的を達成するため本発明に係るドライエ
ツチング装置は、真空容器内に一対の平行平板電
極を配設し、この平行平板電極の一方に被処理物
を固定し、上記真空容器内にエツチングガスを導
入しつつ上記電極に高周波電力を印加することに
より上記被処理物のエツチングを行なうドライエ
ツチング装置において、上記エツチングガスとし
てCF4を使用するとともに、このエツチングガス
を導入する導入管の中途部に、上記真空容器内の
エツチングガスの圧力およびエツチングガスの流
量を制御する制御装置を介設し、この制御装置に
より上記真空容器内のエツチングガス圧力を
400Pa、エツチングガスの滞在時間を４秒以上に
制御するようにしたことを特徴とするものであ
る。
ツチング装置は、真空容器内に一対の平行平板電
極を配設し、この平行平板電極の一方に被処理物
を固定し、上記真空容器内にエツチングガスを導
入しつつ上記電極に高周波電力を印加することに
より上記被処理物のエツチングを行なうドライエ
ツチング装置において、上記エツチングガスとし
てCF4を使用するとともに、このエツチングガス
を導入する導入管の中途部に、上記真空容器内の
エツチングガスの圧力およびエツチングガスの流
量を制御する制御装置を介設し、この制御装置に
より上記真空容器内のエツチングガス圧力を
400Pa、エツチングガスの滞在時間を４秒以上に
制御するようにしたことを特徴とするものであ
る。
以下、本発明の実施例を第１図および第２図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図は、本発明をRIE装置に適用した場合の
一実施例を示したもので、真空容器１の内部上面
には、上部電極２が配設されるとともに、内部下
面には、絶縁部材３を介して下部電極４が配設さ
れており、上記真空容器１の上記上部電極２部分
は下方にくぼまされ、上記各電極２，４間距離が
10mm以下となるようになされている。また、上記
各電極２，４の内部には、冷却水管５，５が導通
されており、上記下部電極４には、マツチング回
路６を介して、RF電源７が接続されている。さ
らに、真空容器１には、図示しないガス導入装置
からエツチングガスを送るガス導入管８および真
空排気装置９に接続されるガス排出管１０がそれ
ぞれ接続されており、上記ガス導入管８の途中部
には、真空容器１の内部のエツチングガス圧力お
よびエツチングガスの流量を制御する制御装置１
１が介設されている。
一実施例を示したもので、真空容器１の内部上面
には、上部電極２が配設されるとともに、内部下
面には、絶縁部材３を介して下部電極４が配設さ
れており、上記真空容器１の上記上部電極２部分
は下方にくぼまされ、上記各電極２，４間距離が
10mm以下となるようになされている。また、上記
各電極２，４の内部には、冷却水管５，５が導通
されており、上記下部電極４には、マツチング回
路６を介して、RF電源７が接続されている。さ
らに、真空容器１には、図示しないガス導入装置
からエツチングガスを送るガス導入管８および真
空排気装置９に接続されるガス排出管１０がそれ
ぞれ接続されており、上記ガス導入管８の途中部
には、真空容器１の内部のエツチングガス圧力お
よびエツチングガスの流量を制御する制御装置１
１が介設されている。
本実施例においては、下部電極４の上面にSi基
板上にSiO2膜を形成してなる被処理物Ａを載置
し、真空排気装置９により真空容器１内を真空に
した後、真空容器１内にガス導入管８によりエツ
チングガスとしてのCF4を導入する。そして、上
記制御装置１１により真空容器１内のエツチング
ガス圧力を約400Paの高圧に維持し、RF電源７
をONにして下部電極４に高周波電力を印加する
ことによりプラズマ１１を発生させ、被処理物Ａ
のエツチングを行なうものである。このとき、冷
却水管５，５に冷却水を循環させ、各電極２，４
および被処理物Ａを冷却するようになされる。
板上にSiO2膜を形成してなる被処理物Ａを載置
し、真空排気装置９により真空容器１内を真空に
した後、真空容器１内にガス導入管８によりエツ
チングガスとしてのCF4を導入する。そして、上
記制御装置１１により真空容器１内のエツチング
ガス圧力を約400Paの高圧に維持し、RF電源７
をONにして下部電極４に高周波電力を印加する
ことによりプラズマ１１を発生させ、被処理物Ａ
のエツチングを行なうものである。このとき、冷
却水管５，５に冷却水を循環させ、各電極２，４
および被処理物Ａを冷却するようになされる。
また、本実施例においては、上記制御装置１１
によりエツチングガス流量を制御して真空容器１
内のエツチングガスの単位当りの滞在時間を４秒
以上にしており、このように滞在時間を長くする
ことにより、第２図に示すように、Siのエツチン
グ速度が低下するため、SiO2に対する選択比が
著しく向上することがわかる。また、滞在時間が
４秒以下であると、Siのエツチング速度が高く選
択比の向上は期待できない。
によりエツチングガス流量を制御して真空容器１
内のエツチングガスの単位当りの滞在時間を４秒
以上にしており、このように滞在時間を長くする
ことにより、第２図に示すように、Siのエツチン
グ速度が低下するため、SiO2に対する選択比が
著しく向上することがわかる。また、滞在時間が
４秒以下であると、Siのエツチング速度が高く選
択比の向上は期待できない。
本願発明は、上記のようにエツチングガスとし
てCF4を使用し、制御装置により真空容器内のこ
のエツチングガスの圧力を400Pa、停滞時間を４
秒以上に制御するようにしたので、このエツチン
グガスの停滞時間を長くして、Siのエツチング速
度を低下させ、SiO2のSiに対する選択比を著し
く高めるとともに、エツチングの均一性を高める
ことができるといつた効果がある。
てCF4を使用し、制御装置により真空容器内のこ
のエツチングガスの圧力を400Pa、停滞時間を４
秒以上に制御するようにしたので、このエツチン
グガスの停滞時間を長くして、Siのエツチング速
度を低下させ、SiO2のSiに対する選択比を著し
く高めるとともに、エツチングの均一性を高める
ことができるといつた効果がある。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施
例を示したもので、第１図はRIE装置の概略構成
図、第２図はガス滞在時間とエツチング速度との
関係を示す線図である。 １……真空容器、２……上部電極、３……絶縁
部材、４……下部電極、５……冷却水管、６……
マツチング回路、７……RF電源、８……ガス導
入管、９……真空排気装置、１０……ガス排出
管、１１……制御装置、１２……プラズマ。
例を示したもので、第１図はRIE装置の概略構成
図、第２図はガス滞在時間とエツチング速度との
関係を示す線図である。 １……真空容器、２……上部電極、３……絶縁
部材、４……下部電極、５……冷却水管、６……
マツチング回路、７……RF電源、８……ガス導
入管、９……真空排気装置、１０……ガス排出
管、１１……制御装置、１２……プラズマ。
１ 真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、
この平行平板電極の一方に被処理物を固定し、上
記真空容器内にエツチングガスを導入しつつ上記
電極に高周波電力を印加することにより上記被処
理物のエツチングを行なうドライエツチング装置
において、上記エツチングガスとしてCF4を使用
するとともに、このエツチングガスを導入する導
入管の中途部にガス圧力制御装置を介設し、この
ガス圧力制御装置により上記真空容器内の圧力を
350〜450Paに制御するようにしたことを特徴と
するドライエツチング装置。
この平行平板電極の一方に被処理物を固定し、上
記真空容器内にエツチングガスを導入しつつ上記
電極に高周波電力を印加することにより上記被処
理物のエツチングを行なうドライエツチング装置
において、上記エツチングガスとしてCF4を使用
するとともに、このエツチングガスを導入する導
入管の中途部にガス圧力制御装置を介設し、この
ガス圧力制御装置により上記真空容器内の圧力を
350〜450Paに制御するようにしたことを特徴と
するドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7438085A JPS61235575A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7438085A JPS61235575A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61235575A JPS61235575A (ja) | 1986-10-20 |
| JPS64470B2 true JPS64470B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=13545500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7438085A Granted JPS61235575A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61235575A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697676B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-11-30 | 忠弘 大見 | ウエハサセプタ装置 |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP7438085A patent/JPS61235575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61235575A (ja) | 1986-10-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |