JPH02159018A - 減圧式気相成長装置 - Google Patents
減圧式気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02159018A JPH02159018A JP31410688A JP31410688A JPH02159018A JP H02159018 A JPH02159018 A JP H02159018A JP 31410688 A JP31410688 A JP 31410688A JP 31410688 A JP31410688 A JP 31410688A JP H02159018 A JPH02159018 A JP H02159018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor phase
- phase growth
- exhaust gas
- reduced pressure
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減圧式気相成長装置に関し、特に排ガスを安全
に、しかも経済的に処理する機構に関する。
に、しかも経済的に処理する機構に関する。
従来、減圧式気相成長装置の排ガス処理方法としては、
大量の窒素ガスにより排ガスを希釈する方法がある。
大量の窒素ガスにより排ガスを希釈する方法がある。
上述した従来の排ガス処理方法では、成膜を行う半導体
基板径の大型化に伴い、排ガスの流量も増加するため必
然的に排ガス希釈用窒素ガスの流量も増加させなげれば
ならない、排ガス希釈用窒素ガスの流量増加は減圧式気
相成長装置からの排ガス処理用費用の増加となり好まし
くない事態である。
基板径の大型化に伴い、排ガスの流量も増加するため必
然的に排ガス希釈用窒素ガスの流量も増加させなげれば
ならない、排ガス希釈用窒素ガスの流量増加は減圧式気
相成長装置からの排ガス処理用費用の増加となり好まし
くない事態である。
上述した従来の排ガス処理方法に対し、本発明は成膜を
行う半導体基板径が大型化しても減圧式気相成長装置か
らの排ガス処理用費用は増加しないという相違点を有す
る。
行う半導体基板径が大型化しても減圧式気相成長装置か
らの排ガス処理用費用は増加しないという相違点を有す
る。
本発明の減圧式気相成長装置からの排ガス処理機構は、
装置の反応室と真空ポンプとの間のガス配管中に高周波
電圧印加用電極を有している。装置の反応室と真空ポン
プとの間のガス配管中の電極に高周波電圧を印加するこ
とによりプラズマ状態を生成させ、排ガス中の未反応物
を電極部に成長させることが可能となる。これにより排
ガス中の未反応物が取り除かれる。
装置の反応室と真空ポンプとの間のガス配管中に高周波
電圧印加用電極を有している。装置の反応室と真空ポン
プとの間のガス配管中の電極に高周波電圧を印加するこ
とによりプラズマ状態を生成させ、排ガス中の未反応物
を電極部に成長させることが可能となる。これにより排
ガス中の未反応物が取り除かれる。
次に、本発明の実施例について説明する。第１図は本発
明の一実施例を示す概略図である。
明の一実施例を示す概略図である。
反応室３から排出されてくるガスは、高周波電圧印加用
電極４を通過する時にプラズマ状態となり、排ガス中の
未反応物が電極部に成長する。電極形状は直径２００ｍ
ｍの円形で電極間距離は３５皿である。
電極４を通過する時にプラズマ状態となり、排ガス中の
未反応物が電極部に成長する。電極形状は直径２００ｍ
ｍの円形で電極間距離は３５皿である。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に気相成長
膜を成長させる反応室と真空ポンプとのガス配管中に、
高周波電圧印加用電極を設置することにより、成膜を行
う半導体基板径が大型化しても減圧式気相成長装置から
の排ガス処理用費用は増加しないという効果がある。
膜を成長させる反応室と真空ポンプとのガス配管中に、
高周波電圧印加用電極を設置することにより、成膜を行
う半導体基板径が大型化しても減圧式気相成長装置から
の排ガス処理用費用は増加しないという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図である。
１・・・・・・ガス供給部、２・・・・・・反応室加熱
用ヒーター ３・・・・・・反応室、４・・・・・・高
周波電圧印加用電極。
用ヒーター ３・・・・・・反応室、４・・・・・・高
周波電圧印加用電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に減圧状態で気相成長膜を成長させる装置
（以下減圧式気相成長装置と記す）において、半導体基
板上に気相成長膜を成長させる反応室と、真空ポンプと
の間の配管中に、高周波電圧印加用電極を含むことを特
徴とする減圧式気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31410688A JPH02159018A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 減圧式気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31410688A JPH02159018A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 減圧式気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159018A true JPH02159018A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18049312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31410688A Pending JPH02159018A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 減圧式気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271527A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置及び化学気相成長方法 |
| US6517913B1 (en) | 1995-09-25 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31410688A patent/JPH02159018A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271527A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置及び化学気相成長方法 |
| US6517913B1 (en) | 1995-09-25 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4408313B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH04264715A (ja) | 縦型バッチ処理装置 | |
| JPH05190506A (ja) | ドライエッチング方法およびその装置 | |
| JPH02159018A (ja) | 減圧式気相成長装置 | |
| JP3394263B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JPH03102820A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH01297818A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS60123033A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6298728A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS63209129A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH07230987A (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
| JP4373685B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2766280B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH0586654B2 (ja) | ||
| JPS64470B2 (ja) | ||
| JPH04329626A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPH0730355A (ja) | 圧電素子の周波数調整方法および装置 | |
| JPS61227184A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH03245526A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001118831A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS62183530A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH02253618A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63297566A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63107025A (ja) | 処理装置 | |
| JPH01100914A (ja) | プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 |