JPH033574Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はガラス基板等の表面に金属或いは絶縁
物の薄膜を形成する高周波スパツタ装置に関す
る。

（従来の技術） 陽極側に基板を、陰極側にターゲツトを配設
し、両電極間に高周波電圧を印加することで基板
表面にターゲツトを構成する材料からなる薄膜を
形成するようにした高周波スパツタ装置が従来か
ら使用されている。

この高周波スパツタ装置の構造は第３図に示す
ように、アースされたチヤンバー１００内に同じ
くアースされた基板ホルダー１０１を配置し、こ
の基板ホルダー１０１に基板１０２を保持し、ま
た高周波電源１０３に接続されたバツキングプレ
ート１０４を絶縁材を介してチヤンバー１００内
に臨ませ、このバツキングプレート１０４にター
ゲツト押え１０５によつてターゲツト１０６を固
定している。

そして、前記バツキングプレート１０４、ター
ゲツト押え１０５及びターゲツト１０６にてカソ
ードが構成され、このカソードに高周波が印加さ
れるのであるが、バツキングプレート１０４及び
ターゲツト押え１０５における放電を防ぐため、
カソードシールド１０７にてバツキングプレート
１０４の周縁及びターゲツト押え１０５を覆つて
いる。

（考案が解決しようとする問題点） 上述した高周波スパツタ装置にあつてはチヤン
バー内の浮遊容量が大きく、電極表面の僅かな変
化により本来的に同電位であるべき基板ホルダー
１０１とカソードシールド１０７との電位が変化
し、異常放電が発生しやすい。

特にターゲツト１０６を絶縁物とした場合や基
板ホルダー１０１を移動可能とした場合には上記
の不利が顕著となる。即ち、絶縁物をターゲツト
とした場合には、基板１０２以外つまり基板ホル
ダー１０１やカソードシールド１０７に絶縁壁が
形成され、電極面積が変化して基板ホルダー１０
１とカソードシールド１０７との電位が変化し、
また基板ホルダー１０１を移動可能とした場合に
は、通常基板ホルダー１０１はチヤンバー１００
に接触することで間接的にアースされているが、
移動時にこのアースが不安定となり、カソードシ
ールドとの間に電位差が生じ異常放電が発生す
る。

（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決すべく本考案は高周波スパツ
タ装置の基板ホルダーとカソードシールドとを導
電部材を介して直接接続するようにした。

（作用） 基板ホルダーとカソードシールドとを常に同電
位となるようにしたため、チヤンバー内の浮遊容
量が減少し、異常放電がなくなる。

（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基いて説明
する。

第１図は本考案に係る高周波スパツタ装置の基
本概念を説明した構成図であり、金属製チヤンバ
ー１はアースされ、その一部にはスパツタガス導
入口２及び排気口３が形成されている。そしてチ
ヤンバー１内には金属製の基板ホルダー４が設け
られており、この基板ホルダー４にはガラス板、
半導体ウエハー等の基板５が保持されている。
尚、基板ホルダー４は図示しない支持機構によつ
てチヤンバー１に支持されている。

一方チヤンバー１底部には開口６が形成され、
この開口６には絶縁体７を介して高周波電源８と
容量性結合をしたバツキングプレート９が臨み、
このバツキングプレート９上にはターゲツト１０
がターゲツト押え１１にて保持されている。ここ
でターゲツト１０としては例えばITO（インジウ
ム・スズ・オキサイド）或いはSiO2等の絶縁物
とする。

また前記開口６のチヤンバー１内側部分にはカ
ソードシールド１２を取付け、このカソードシー
ルド１２にてバツキングプレート９の周縁部及び
ターゲツト押え１１を覆うことでパツキングプレ
ート９及びターゲツト押え１１における異常放電
を阻止し、材料放射をターゲツト１０に限定して
いる。尚、カソードシールド１２とバツキングプ
レート９又はターゲツト押え１１との間隔は陰極
降下部よりも小さく設定されている。更にカソー
ドシールド１２と前記基板ホルダー４とは導電部
材１３にて電気的に直接接続されている。

以上において、チヤンバー内を減圧してスパツ
タガスを導入し、高周波電圧を印加すると、チヤ
ンバー１内で放電が生じ、スパツタガスの正イオ
ンがターゲツト１０に衝突し、この衝突によつて
ターゲツト１０の構成分子を叩き出し、叩き出さ
れた分子が基板５表面に薄膜状に付着する。

第２図は基板ホルダー４を移動可能とした具体
例の要部拡大図であり、前記導電部材１３をカソ
ードシールド１２に固着されたブラケツト１４と
このブラケツト１４に固着された板ばね１５にて
構成し、基板ホルダー４は図中矢印方向に移動す
るものとし、この基板ホルダー４には所定位置つ
まり基板５がターゲツト１０上に対向する位置ま
で移動した際に前記板ばね１５に接触する導電バ
ー１６を取付けている。そして、導電バー１６及
び板バネ１５の先端は互いに反対方向に湾曲し、
導電バー１６と板バネ１５とがひつかかることな
く確実に接触するようにしている。

また、バツキングプレート９下方にはプラズマ
収束用磁界発生コイル１７を配置し、基板５とタ
ーゲツト１０との間の空間におけるプラズマ密度
（放電密度）を大とし、効率よくスパツタリング
を施すようにしている。

尚、図示例にあつては基板５を水平状態で搬送
する装置について説明したが、本考案に係るスパ
ツタ装置は基板５を垂直状態で搬送する場合にも
同様に適用できる。

（考案の効果） 以上に説明した如く本考案によれば、高周波ス
パツタ装置の陽極となる基板ホルダー及びカソー
ドシールドを導電部材にて電気的に直接接続した
ため、電極間に高周波電圧を印加した際、常に基
板ホルダーとカソードシールドとが同電位とな
り、その結果、チヤンバー内の浮遊容量が減少
し、異常放電が抑制され、安定したスパツタリン
グが行える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る高周波スパツタ装置の概
略構成図、第２図は基板ホルダーを移動可能とし
た高周波スパツタ装置の要部拡大図、第３図は従
来の高周波スパツタ装置の概略図である。 尚、図面中１はチヤンバー、４は基板ホルダ
ー、５は基板、８は高周波電源、９はバツキング
プレート、１０はターゲツト、１１はターゲツト
押え、１２はカソードシールド、１３は導電部材
である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板ホルダーに保持された基板とバツキングプ
   レートにターゲツト押えによつて保持されたター
   ゲツトとをチヤンバー内にて対向配置せしめると
   ともに、ターゲツト押えをカソードシールドで覆
   うようにした高周波スパツタ装置において、前記
   カソードシールドと基板ホルダーとは導電部材を
   介して電気的に直接接続されていることを特徴と
   する高周波スパツタ装置。