JPH1163236A - 真空装置およびこれを備えた成膜装置 - Google Patents
真空装置およびこれを備えた成膜装置Info
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- JPH1163236A JPH1163236A JP21610997A JP21610997A JPH1163236A JP H1163236 A JPH1163236 A JP H1163236A JP 21610997 A JP21610997 A JP 21610997A JP 21610997 A JP21610997 A JP 21610997A JP H1163236 A JPH1163236 A JP H1163236A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空装置の本体と扉部分の金属同士の接触を
防止して発塵を抑え、この真空装置を備えた低発塵で生
産の歩留まりが良好な成膜装置を提供する。 【解決手段】 ロードロック室５は、真空手段を有し、
開口部が前面に設けられたロードロック室本体１と、こ
の開口部に対向する扉２と、ロードロック室本体１の開
口部を囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着
され、ロードロック室５の気密性を保つパッキング３
と、枠状部分のパッキング３周辺部に設けられた、塑性
変形し難く弾力性の大きい材料、例えばラバーよりなる
スペーサー９を備えている。このため、真空引きにより
減圧下におかれ、ロードロック室本体１のパッキング３
以外の表面が扉２と接触しても、扉２はスペーサー９に
当たり、金属同士が接触しないため、金属の摩耗による
発塵を抑えることが可能である。
防止して発塵を抑え、この真空装置を備えた低発塵で生
産の歩留まりが良好な成膜装置を提供する。 【解決手段】 ロードロック室５は、真空手段を有し、
開口部が前面に設けられたロードロック室本体１と、こ
の開口部に対向する扉２と、ロードロック室本体１の開
口部を囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着
され、ロードロック室５の気密性を保つパッキング３
と、枠状部分のパッキング３周辺部に設けられた、塑性
変形し難く弾力性の大きい材料、例えばラバーよりなる
スペーサー９を備えている。このため、真空引きにより
減圧下におかれ、ロードロック室本体１のパッキング３
以外の表面が扉２と接触しても、扉２はスペーサー９に
当たり、金属同士が接触しないため、金属の摩耗による
発塵を抑えることが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空装置およびこ
れを備えた成膜装置に関し、特にＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）の製造に用いられる低発塵の成膜装置に関するも
のである。
れを備えた成膜装置に関し、特にＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）の製造に用いられる低発塵の成膜装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をスイッチ
ング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
（以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと称す）の製造工程において、
薄膜を形成する成膜装置としてプラズマＣＶＤ装置およ
びスパッタリング装置等が広く用いられている。プラズ
マＣＶＤ装置とは、減圧状態に保たれた反応室内で高周
波放電を行わせ、系内の反応ガスを分解、反応させて基
板上に反応生成物を堆積させて薄膜を形成させる装置で
ある。また、スパッタリング装置とは、２枚の平板電極
の陰極に金属ターゲットを配置し、陽極に被成膜体であ
る基板を配置し、減圧下でＡｒ等の不活性ガスを導入し
て陰極に直流電圧をかけてグロー放電を起こさせ、この
グロー放電により発生したＡｒイオンと陰極（金属ター
ゲット）との衝突により生成する金属中性粒子を基板上
に薄膜として形成させるものである。いずれの成膜装置
においても、膜形成は高真空下で行われる。
ング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
（以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと称す）の製造工程において、
薄膜を形成する成膜装置としてプラズマＣＶＤ装置およ
びスパッタリング装置等が広く用いられている。プラズ
マＣＶＤ装置とは、減圧状態に保たれた反応室内で高周
波放電を行わせ、系内の反応ガスを分解、反応させて基
板上に反応生成物を堆積させて薄膜を形成させる装置で
ある。また、スパッタリング装置とは、２枚の平板電極
の陰極に金属ターゲットを配置し、陽極に被成膜体であ
る基板を配置し、減圧下でＡｒ等の不活性ガスを導入し
て陰極に直流電圧をかけてグロー放電を起こさせ、この
グロー放電により発生したＡｒイオンと陰極（金属ター
ゲット）との衝突により生成する金属中性粒子を基板上
に薄膜として形成させるものである。いずれの成膜装置
においても、膜形成は高真空下で行われる。
【０００３】上記のような成膜装置の構成例を図３およ
び図４を流用して説明する。図３および図４は、ＴＦＴ
−ＬＣＤ製造工程で用いられる枚葉式成膜装置の構成を
示している。図において、４は基板を収納するカセット
が設置されるカセットステーション、５はカセットステ
ーション４との基板の受け渡しおよび予備排気を行うロ
ードロック室、６は加熱室、７は成膜を行うプロセスチ
ャンバー、８はセンターチャンバーをそれぞれ示す。ま
た、図７は、従来の成膜装置におけるロードロック室を
示す上面図である。図において、１はロードロック室本
体、２はロードロック室の扉、３はロードロック室本体
１の開口部の周囲に設けられたパッキングである。この
ように、従来の成膜装置では、ロードロック室本体１の
開口部の周囲に設けた溝にパッキング３を装着し、ロー
ドロック室５を減圧した時にパッキング３と扉２の対向
面が当たることにより気密性を保っていた。
び図４を流用して説明する。図３および図４は、ＴＦＴ
−ＬＣＤ製造工程で用いられる枚葉式成膜装置の構成を
示している。図において、４は基板を収納するカセット
が設置されるカセットステーション、５はカセットステ
ーション４との基板の受け渡しおよび予備排気を行うロ
ードロック室、６は加熱室、７は成膜を行うプロセスチ
ャンバー、８はセンターチャンバーをそれぞれ示す。ま
た、図７は、従来の成膜装置におけるロードロック室を
示す上面図である。図において、１はロードロック室本
体、２はロードロック室の扉、３はロードロック室本体
１の開口部の周囲に設けられたパッキングである。この
ように、従来の成膜装置では、ロードロック室本体１の
開口部の周囲に設けた溝にパッキング３を装着し、ロー
ドロック室５を減圧した時にパッキング３と扉２の対向
面が当たることにより気密性を保っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
た従来の成膜装置では、ロードロック室５が真空引きさ
れ、減圧下におかれた時、図８に示すように扉２がロー
ドロック室５の内側に変形し、ロードロック室本体１の
パッキング３以外の面が扉２と接触し、金属同士が擦れ
あうことにより接触面の摩耗が生じていた。その結果、
ロードロック室５の真空引きを行う際に、削れた金属が
ロードロック室５内部に進入し、発塵の原因となってい
た。この時発生する金属片は、成膜前の被処理体である
基板に付着し、その後の洗浄プロセス等のブラシを使用
する工程で膜剥がれが生じ、液晶表示装置の表示不良と
なり、生産の歩留まりが低下するという問題点があっ
た。
た従来の成膜装置では、ロードロック室５が真空引きさ
れ、減圧下におかれた時、図８に示すように扉２がロー
ドロック室５の内側に変形し、ロードロック室本体１の
パッキング３以外の面が扉２と接触し、金属同士が擦れ
あうことにより接触面の摩耗が生じていた。その結果、
ロードロック室５の真空引きを行う際に、削れた金属が
ロードロック室５内部に進入し、発塵の原因となってい
た。この時発生する金属片は、成膜前の被処理体である
基板に付着し、その後の洗浄プロセス等のブラシを使用
する工程で膜剥がれが生じ、液晶表示装置の表示不良と
なり、生産の歩留まりが低下するという問題点があっ
た。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、真空装置の本体と扉部分の金属
同士の接触を防止して発塵を抑え、この真空装置を備え
た低発塵で生産の歩留まりが良好な成膜装置を提供する
ことを目的とする。
ためになされたもので、真空装置の本体と扉部分の金属
同士の接触を防止して発塵を抑え、この真空装置を備え
た低発塵で生産の歩留まりが良好な成膜装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる真空装置
は、真空手段を有し、開口部が前面に設けられたチャン
バーと、開口部に対向する扉と、チャンバーの開口部を
囲む枠状部分に設けられた溝内に装着され、扉と密着し
てチャンバーの気密性を保つパッキングと、枠状部分の
パッキング周辺部に設けられた、塑性変形し難く弾力性
の大きい材料よりなるスペーサーを備えたものである。
また、真空手段を有し、開口部が前面に設けられたチャ
ンバーと、開口部に対向する扉と、チャンバーの開口部
を囲む枠状部分に設けられた溝内に装着され、扉と密着
してチャンバーの気密性を保つパッキングと、扉のチャ
ンバーとの接触部分に設けられた、塑性変形し難く弾力
性の大きい材料よりなるスペーサーを備えたものであ
る。また、スペーサーは、ラバーよりなるものである。
また、スペーサーは、テフロンよりなるものである。
は、真空手段を有し、開口部が前面に設けられたチャン
バーと、開口部に対向する扉と、チャンバーの開口部を
囲む枠状部分に設けられた溝内に装着され、扉と密着し
てチャンバーの気密性を保つパッキングと、枠状部分の
パッキング周辺部に設けられた、塑性変形し難く弾力性
の大きい材料よりなるスペーサーを備えたものである。
また、真空手段を有し、開口部が前面に設けられたチャ
ンバーと、開口部に対向する扉と、チャンバーの開口部
を囲む枠状部分に設けられた溝内に装着され、扉と密着
してチャンバーの気密性を保つパッキングと、扉のチャ
ンバーとの接触部分に設けられた、塑性変形し難く弾力
性の大きい材料よりなるスペーサーを備えたものであ
る。また、スペーサーは、ラバーよりなるものである。
また、スペーサーは、テフロンよりなるものである。
【０００７】また、真空手段を有し、開口部が前面に設
けられたチャンバーと、開口部に対向する扉と、チャン
バーの開口部を囲む枠状部分に設けられた溝内に装着さ
れ、扉と密着してチャンバーの気密性を保つパッキング
を備え、枠状部分のパッキング周辺部をテフロンでコー
ティングしたものである。さらに、本発明に係わる成膜
装置は、上記のいずれかに記載の真空装置を有し、被処
理体である基板表面に薄膜を形成するためのガス導入手
段および加熱手段等を備えたものである。
けられたチャンバーと、開口部に対向する扉と、チャン
バーの開口部を囲む枠状部分に設けられた溝内に装着さ
れ、扉と密着してチャンバーの気密性を保つパッキング
を備え、枠状部分のパッキング周辺部をテフロンでコー
ティングしたものである。さらに、本発明に係わる成膜
装置は、上記のいずれかに記載の真空装置を有し、被処
理体である基板表面に薄膜を形成するためのガス導入手
段および加熱手段等を備えたものである。
【０００８】
実施の形態１．以下に、本発明の実施の形態を図につい
て説明する。図１は、本発明の実施の形態１である成膜
装置のロードロック室を一部断面で示す上面図、図２は
ロードロック室の扉と接触する部分を示す詳細図であ
る。図において、５は成膜装置を構成する真空装置であ
るロードロック室、１はロードロック室本体、２はロー
ドロック室５の扉、３はロードロック室本体１の開口部
の周囲に設けられたパッキング、９はロードロック室本
体１のパッキング３周辺に設けられたスぺーサーであ
る。スペーサー９は、塑性変形し難く弾力性の大きい材
料で、かつ摩擦による発塵がなく耐久性に優れた材料、
例えばラバーよりなるものである。
て説明する。図１は、本発明の実施の形態１である成膜
装置のロードロック室を一部断面で示す上面図、図２は
ロードロック室の扉と接触する部分を示す詳細図であ
る。図において、５は成膜装置を構成する真空装置であ
るロードロック室、１はロードロック室本体、２はロー
ドロック室５の扉、３はロードロック室本体１の開口部
の周囲に設けられたパッキング、９はロードロック室本
体１のパッキング３周辺に設けられたスぺーサーであ
る。スペーサー９は、塑性変形し難く弾力性の大きい材
料で、かつ摩擦による発塵がなく耐久性に優れた材料、
例えばラバーよりなるものである。
【０００９】本実施の形態による真空装置であるロード
ロック室５は、真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバーすなわちロードロック室本体１と、この
開口部に対向する扉２と、ロードロック室本体１の開口
部を囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着さ
れ、扉２と密着してロードロック室５の気密性を保つパ
ッキング３と、枠状部分のパッキング３周辺部に設けら
れたラバーよりなるスペーサー９を備えたことを特徴と
する。以上のように構成されたロードロック室５では、
真空引きにより減圧下におかれ、ロードロック室本体１
のパッキング３以外の表面が扉２と接触しても、扉２は
スペーサー９に当たり、金属同士が接触しないため、金
属の摩耗による発塵を抑えることが可能である。
ロック室５は、真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバーすなわちロードロック室本体１と、この
開口部に対向する扉２と、ロードロック室本体１の開口
部を囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着さ
れ、扉２と密着してロードロック室５の気密性を保つパ
ッキング３と、枠状部分のパッキング３周辺部に設けら
れたラバーよりなるスペーサー９を備えたことを特徴と
する。以上のように構成されたロードロック室５では、
真空引きにより減圧下におかれ、ロードロック室本体１
のパッキング３以外の表面が扉２と接触しても、扉２は
スペーサー９に当たり、金属同士が接触しないため、金
属の摩耗による発塵を抑えることが可能である。
【００１０】図３および図４は、本実施の形態による真
空装置すなわちロードロック室５を備えた成膜装置の構
成を一部断面で示す上面図である。図において、４は基
板を収納するカセットが設置されるカセットステーショ
ン、５は本実施の形態による真空装置であり、カセット
ステーション４との基板の受け渡しおよび予備排気を行
うロードロック室、６は加熱室、７は成膜を行うプロセ
スチャンバー、８はセンターチャンバーをそれぞれ示
す。本実施の形態による成膜装置は、被処理体である基
板表面に薄膜を形成するためのガス導入手段および加熱
手段等を備えた枚葉式成膜装置であり、ＴＦＴ−ＬＣＤ
製造工程で用いられる例えばプラズマＣＶＤ装置または
スパッタリング装置等の成膜装置である。図３および図
４のどちらの構成においても、ロードロック室５は大気
圧および真空状態が繰り返されるため本発明が有効であ
り、低発塵で生産の歩留まりが良好な成膜装置を得るこ
とができる。なお、本実施の形態では、スペーサー９の
材料としてラバーを用いたが、テフロン等の樹脂でもよ
く、同様の効果を奏する。
空装置すなわちロードロック室５を備えた成膜装置の構
成を一部断面で示す上面図である。図において、４は基
板を収納するカセットが設置されるカセットステーショ
ン、５は本実施の形態による真空装置であり、カセット
ステーション４との基板の受け渡しおよび予備排気を行
うロードロック室、６は加熱室、７は成膜を行うプロセ
スチャンバー、８はセンターチャンバーをそれぞれ示
す。本実施の形態による成膜装置は、被処理体である基
板表面に薄膜を形成するためのガス導入手段および加熱
手段等を備えた枚葉式成膜装置であり、ＴＦＴ−ＬＣＤ
製造工程で用いられる例えばプラズマＣＶＤ装置または
スパッタリング装置等の成膜装置である。図３および図
４のどちらの構成においても、ロードロック室５は大気
圧および真空状態が繰り返されるため本発明が有効であ
り、低発塵で生産の歩留まりが良好な成膜装置を得るこ
とができる。なお、本実施の形態では、スペーサー９の
材料としてラバーを用いたが、テフロン等の樹脂でもよ
く、同様の効果を奏する。
【００１１】実施の形態２．図５は、本発明の実施の形
態２である成膜装置のロードロック室を一部断面で示す
上面図である。図において、１０は、扉２のロードロッ
ク本体１との接触部分に設けられたスペーサーである。
スペーサー１０は、塑性変形し難く、弾力性の大きい材
料で、かつ摩擦による発塵がなく耐久性に優れた材料、
例えばラバーよりなるものである。なお、図中、同一、
相当部分には同一符号を付し説明を省略する。
態２である成膜装置のロードロック室を一部断面で示す
上面図である。図において、１０は、扉２のロードロッ
ク本体１との接触部分に設けられたスペーサーである。
スペーサー１０は、塑性変形し難く、弾力性の大きい材
料で、かつ摩擦による発塵がなく耐久性に優れた材料、
例えばラバーよりなるものである。なお、図中、同一、
相当部分には同一符号を付し説明を省略する。
【００１２】本実施の形態による真空装置であるロード
ロック室５は、真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバーすなわちロードロック室本体１と、この
開口部に対向する扉２と、ロードロック室本体１の開口
部を囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着さ
れ、扉２と密着してロードロック室５の気密性を保つパ
ッキング３と、扉２のロードロック室本体１との接触部
分に設けられたラバーよりなるスペーサー１０を備えた
ことを特徴とする。以上のように構成されたロードロッ
ク室５では、真空引きにより減圧下におかれ、ロードロ
ック室本体１のパッキング３以外の表面が扉２と接触し
ても、扉２にはスペーサー１０が設けられており、金属
同士が接触しないため、金属の摩耗による発塵を抑える
ことが可能である。
ロック室５は、真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバーすなわちロードロック室本体１と、この
開口部に対向する扉２と、ロードロック室本体１の開口
部を囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着さ
れ、扉２と密着してロードロック室５の気密性を保つパ
ッキング３と、扉２のロードロック室本体１との接触部
分に設けられたラバーよりなるスペーサー１０を備えた
ことを特徴とする。以上のように構成されたロードロッ
ク室５では、真空引きにより減圧下におかれ、ロードロ
ック室本体１のパッキング３以外の表面が扉２と接触し
ても、扉２にはスペーサー１０が設けられており、金属
同士が接触しないため、金属の摩耗による発塵を抑える
ことが可能である。
【００１３】なお、本実施の形態では、スペーサー１０
の材料としてラバーを用いたが、テフロン等の樹脂でも
よく、同様の効果を奏する。また、本実施の形態による
ロードロック室５を図３および図４に示すような成膜装
置に用いることにより、実施の形態１と同様に低発塵で
生産の歩留まりが良好な成膜装置を得ることができる。
の材料としてラバーを用いたが、テフロン等の樹脂でも
よく、同様の効果を奏する。また、本実施の形態による
ロードロック室５を図３および図４に示すような成膜装
置に用いることにより、実施の形態１と同様に低発塵で
生産の歩留まりが良好な成膜装置を得ることができる。
【００１４】実施の形態３．図６は、本発明の実施の形
態３である成膜装置のロードロック室の扉と接触する部
分を示す詳細図である。図において、１１はロードロッ
ク室本体１の開口部を囲む枠状部分に固定されたベース
プレート、１２はねじ等の固定部材、１３はベースプレ
ート１１の表面にコーティングされたテフロンを示す。
なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明
を省略する。本実施の形態による真空装置であるロード
ロック室は、真空手段を有し、開口部が前面に設けられ
たチャンバーすなわちロードロック室本体１と、この開
口部に対向する扉と、ロードロック室本体１の開口部を
囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着され、
扉と密着してロードロック室の気密性を保つパッキング
３を備え、枠状部分のパッキング３周辺部をテフロン１
３でコーティングしたことを特徴とするものである。テ
フロン１３は、ロードロック室本体１に固定されたベー
スプレート１１表面にコーティングされ、ロードロック
室本体１の扉と接触する部分に金属が露出しないように
したものである。
態３である成膜装置のロードロック室の扉と接触する部
分を示す詳細図である。図において、１１はロードロッ
ク室本体１の開口部を囲む枠状部分に固定されたベース
プレート、１２はねじ等の固定部材、１３はベースプレ
ート１１の表面にコーティングされたテフロンを示す。
なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明
を省略する。本実施の形態による真空装置であるロード
ロック室は、真空手段を有し、開口部が前面に設けられ
たチャンバーすなわちロードロック室本体１と、この開
口部に対向する扉と、ロードロック室本体１の開口部を
囲む枠状部分のほぼ中央に設けられた溝内に装着され、
扉と密着してロードロック室の気密性を保つパッキング
３を備え、枠状部分のパッキング３周辺部をテフロン１
３でコーティングしたことを特徴とするものである。テ
フロン１３は、ロードロック室本体１に固定されたベー
スプレート１１表面にコーティングされ、ロードロック
室本体１の扉と接触する部分に金属が露出しないように
したものである。
【００１５】以上のように構成されたロードロック室で
は、真空引きにより減圧下におかれ、ロードロック室本
体１のパッキング３以外の表面が扉と接触しても、扉は
コーティングされたテフロン１３に当たり、金属同士が
接触しないため、金属の摩耗による発塵を抑えることが
可能である。なお、本実施の形態では、テフロン１３を
コーティングしたが、摩擦による発塵がなく耐久性に優
れた材料であれば他の樹脂でもよく、同様の効果を奏す
る。また、本実施の形態によるロードロック室を図３お
よび図４に示すような成膜装置に用いることにより、実
施の形態１および２と同様に低発塵で生産の歩留まりが
良好な成膜装置を得ることができる。
は、真空引きにより減圧下におかれ、ロードロック室本
体１のパッキング３以外の表面が扉と接触しても、扉は
コーティングされたテフロン１３に当たり、金属同士が
接触しないため、金属の摩耗による発塵を抑えることが
可能である。なお、本実施の形態では、テフロン１３を
コーティングしたが、摩擦による発塵がなく耐久性に優
れた材料であれば他の樹脂でもよく、同様の効果を奏す
る。また、本実施の形態によるロードロック室を図３お
よび図４に示すような成膜装置に用いることにより、実
施の形態１および２と同様に低発塵で生産の歩留まりが
良好な成膜装置を得ることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、真空装
置の開口部を囲む枠状部分に設けられた溝内に装着され
たパッキングの周辺部に、塑性変形し難く弾力性の大き
い材料よりなるスペーサーを設けたので、真空引きによ
り減圧下におかれ、真空装置のパッキング以外の表面が
扉と接触しても金属同士が接触しないため、真空装置の
金属の摩耗による発塵を抑えることが可能となり、さら
に、この真空装置を備えることにより、低発塵で生産の
歩留まりが良好な成膜装置を得ることができる。
置の開口部を囲む枠状部分に設けられた溝内に装着され
たパッキングの周辺部に、塑性変形し難く弾力性の大き
い材料よりなるスペーサーを設けたので、真空引きによ
り減圧下におかれ、真空装置のパッキング以外の表面が
扉と接触しても金属同士が接触しないため、真空装置の
金属の摩耗による発塵を抑えることが可能となり、さら
に、この真空装置を備えることにより、低発塵で生産の
歩留まりが良好な成膜装置を得ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１である成膜装置のロー
ドロック室を一部断面で示す上面図である。
ドロック室を一部断面で示す上面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１である成膜装置のロー
ドロック室の扉と接触する部分を示す詳細図である。
ドロック室の扉と接触する部分を示す詳細図である。
【図３】 本発明の実施の形態１である成膜装置の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態１である成膜装置の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】 本発明の実施の形態２である成膜装置のロー
ドロック室を一部断面で示す上面図である。
ドロック室を一部断面で示す上面図である。
【図６】 本発明の実施の形態３である成膜装置のロー
ドロック室の扉と接触する部分を示す詳細図である。
ドロック室の扉と接触する部分を示す詳細図である。
【図７】 従来の成膜装置のロードロック室を一部断面
で示す上面図である。
で示す上面図である。
【図８】 減圧下における従来の成膜装置のロードロッ
ク室を一部断面で示す上面図である。
ク室を一部断面で示す上面図である。
１ ロードロック室本体、２ 扉、３ パッキング、４
カセットステーション、５ ロードロック室、６ 加
熱室、７ プロセスチャンバー、８ センターチャンバ
ー、９、１０ スペーサー、１１ ベースプレート、１
２ 固定部材、１３ テフロン。
カセットステーション、５ ロードロック室、６ 加
熱室、７ プロセスチャンバー、８ センターチャンバ
ー、９、１０ スペーサー、１１ ベースプレート、１
２ 固定部材、１３ テフロン。
Claims (6)
- 【請求項１】 真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバー、 上記開口部に対向する扉、 上記チャンバーの開口部を囲む枠状部分に設けられた溝
内に装着され、上記扉と密着して上記チャンバーの気密
性を保つパッキング、 上記枠状部分の上記パッキング周辺部に設けられた、塑
性変形し難く弾力性の大きい材料よりなるスペーサーを
備えたことを特徴とする真空装置。 - 【請求項２】 真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバー、 上記開口部に対向する扉、 上記チャンバーの開口部を囲む枠状部分に設けられた溝
内に装着され、上記扉と密着して上記チャンバーの気密
性を保つパッキング、 上記扉の上記チャンバーとの接触部分に設けられた、塑
性変形し難く弾力性の大きい材料よりなるスペーサーを
備えたことを特徴とする真空装置。 - 【請求項３】 スペーサーは、ラバーよりなることを特
徴とする請求項１または請求項２記載の真空装置。 - 【請求項４】 スペーサーは、テフロンよりなることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の真空装置。 - 【請求項５】 真空手段を有し、開口部が前面に設けら
れたチャンバー、 上記開口部に対向する扉、 上記チャンバーの開口部を囲む枠状部分に設けられた溝
内に装着され、上記扉と密着して上記チャンバーの気密
性を保つパッキングを備え、上記枠状部分の上記パッキ
ング周辺部をテフロンでコーティングしたことを特徴と
する真空装置。 - 【請求項６】 請求項１〜請求項５のいずれか一項に記
載の真空装置を有し、被処理体である基板表面に薄膜を
形成するためのガス導入手段および加熱手段等を備えた
ことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21610997A JPH1163236A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 真空装置およびこれを備えた成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21610997A JPH1163236A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 真空装置およびこれを備えた成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1163236A true JPH1163236A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=16683392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21610997A Pending JPH1163236A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 真空装置およびこれを備えた成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1163236A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005080835A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Cosmo Instruments Co., Ltd. | 洩れ検査装置用シール部材、洩れ検査装置用シールリング、洩れ検査装置用シール治具 |
| JP2007187289A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 減圧容器および減圧処理装置 |
| JP2007277667A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 真空チャンバ及び該真空チャンバを有する基板処理装置 |
| CN113061840A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀掩膜板及其制作方法、显示面板 |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP21610997A patent/JPH1163236A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005080835A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Cosmo Instruments Co., Ltd. | 洩れ検査装置用シール部材、洩れ検査装置用シールリング、洩れ検査装置用シール治具 |
| JP2007187289A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 減圧容器および減圧処理装置 |
| JP2007277667A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 真空チャンバ及び該真空チャンバを有する基板処理装置 |
| CN113061840A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀掩膜板及其制作方法、显示面板 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |