JP3335010B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3335010B2 JP3335010B2 JP21781094A JP21781094A JP3335010B2 JP 3335010 B2 JP3335010 B2 JP 3335010B2 JP 21781094 A JP21781094 A JP 21781094A JP 21781094 A JP21781094 A JP 21781094A JP 3335010 B2 JP3335010 B2 JP 3335010B2
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- processing chamber
- processing
- gate valve
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばプラズマエッチ
ング、ＣＶＤ（Chemical Vapor.Deposition）などの処
理を行うための処理装置に関する。
ング、ＣＶＤ（Chemical Vapor.Deposition）などの処
理を行うための処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）の製
造工程では、エッチングやＣＶＤなど種々の真空処理が
行われ、真空処理装置としては気密な処理室（真空チャ
ンバ）に予備真空室であるロードロック室を接続し、大
気中の不純物が処理室内に入り込まないように構成され
ている。そしてロードロック室の大気側及び処理室側の
ウエハの搬送口には、ゲートバルブと呼ばれる弁体が搬
送口を開閉するように設けられている。
造工程では、エッチングやＣＶＤなど種々の真空処理が
行われ、真空処理装置としては気密な処理室（真空チャ
ンバ）に予備真空室であるロードロック室を接続し、大
気中の不純物が処理室内に入り込まないように構成され
ている。そしてロードロック室の大気側及び処理室側の
ウエハの搬送口には、ゲートバルブと呼ばれる弁体が搬
送口を開閉するように設けられている。
【０００３】従来のゲートバルブについて図７を参照し
ながら説明すると、１Ａはウエハに対して真空処理例え
ばプラズマエッチングを行う気密な処理室、１Ｂはロー
ドロック室であり、ゲートバルブ１０は例えばロードロ
ック室１Ｂ側に設けられている。このゲートバルブ１０
は例えばアルミニウムよりなり、角柱状に形成されてお
り、バルブ本体１１の処理室１Ａ側の面には、処理室１
Ａ及びロードロック室１Ｂ間のウエハＷの搬送口１２の
周縁部に密着するようにＯリング１０ａが取り付けられ
ている。そしてゲートバルブ１０はリンク機構１３を介
して昇降軸１４に組み合わせて設けられており、昇降軸
１４が上昇して、バルブ本体１０の上面がロードロック
室２側のローラ１５に当接すると、リンク機構１３によ
り前方に押し出されて搬送口１２を気密に閉じるように
構成されている。
ながら説明すると、１Ａはウエハに対して真空処理例え
ばプラズマエッチングを行う気密な処理室、１Ｂはロー
ドロック室であり、ゲートバルブ１０は例えばロードロ
ック室１Ｂ側に設けられている。このゲートバルブ１０
は例えばアルミニウムよりなり、角柱状に形成されてお
り、バルブ本体１１の処理室１Ａ側の面には、処理室１
Ａ及びロードロック室１Ｂ間のウエハＷの搬送口１２の
周縁部に密着するようにＯリング１０ａが取り付けられ
ている。そしてゲートバルブ１０はリンク機構１３を介
して昇降軸１４に組み合わせて設けられており、昇降軸
１４が上昇して、バルブ本体１０の上面がロードロック
室２側のローラ１５に当接すると、リンク機構１３によ
り前方に押し出されて搬送口１２を気密に閉じるように
構成されている。
【０００４】ところで真空処理を行うことによって金属
表面が損傷する場合がある。例えばプラズマエッチング
においてＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）をエッチングす
るときにＣｌ2 （塩素ガス）を用いることがあるが、塩
素イオンは非常に腐蝕性が強く、一方ゲートバルブ１０
の表面にはプラズマが集中しやすいことから、このよう
なプラズマエッチングにおいては、プラズマのイオンの
衝撃力に加えて塩素イオンの強い腐蝕性のため、ゲート
バルブ１０の損傷が激しい。このためゲートバルブ１０
を頻繁に例えば１ケ月に１度交換するようにしており、
その交換作業はゲートバルブ１０全体をリンク機構１３
から取り外して新しいものを取り付けることにより行っ
ていた。なおプラズマエッチング以外においても腐蝕性
の強い処理ガスによりＣＶＤを行った場合にもゲートバ
ルブ１０が腐蝕するのでゲートバルブを頻繁に交換して
いたし、また腐蝕性の如何にかかわらず反応副生成物を
クリーニングするためにやはり高い頻度でメンテナンス
を行っていた。
表面が損傷する場合がある。例えばプラズマエッチング
においてＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）をエッチングす
るときにＣｌ2 （塩素ガス）を用いることがあるが、塩
素イオンは非常に腐蝕性が強く、一方ゲートバルブ１０
の表面にはプラズマが集中しやすいことから、このよう
なプラズマエッチングにおいては、プラズマのイオンの
衝撃力に加えて塩素イオンの強い腐蝕性のため、ゲート
バルブ１０の損傷が激しい。このためゲートバルブ１０
を頻繁に例えば１ケ月に１度交換するようにしており、
その交換作業はゲートバルブ１０全体をリンク機構１３
から取り外して新しいものを取り付けることにより行っ
ていた。なおプラズマエッチング以外においても腐蝕性
の強い処理ガスによりＣＶＤを行った場合にもゲートバ
ルブ１０が腐蝕するのでゲートバルブを頻繁に交換して
いたし、また腐蝕性の如何にかかわらず反応副生成物を
クリーニングするためにやはり高い頻度でメンテナンス
を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながらゲー
トバルブ、リンク機構及び昇降軸の取り付け構造には、
実際には多数の細かい部品例えばネジ、支具、軸体、ワ
ッシャ、バネなどが用いられており、これらをロードロ
ック室の隅の狭い空間内にて手作業で分解し、組立てし
なければならないため作業が煩わしく、交換作業に長い
時間を要する。
トバルブ、リンク機構及び昇降軸の取り付け構造には、
実際には多数の細かい部品例えばネジ、支具、軸体、ワ
ッシャ、バネなどが用いられており、これらをロードロ
ック室の隅の狭い空間内にて手作業で分解し、組立てし
なければならないため作業が煩わしく、交換作業に長い
時間を要する。
【０００６】ところで半導体製造プロセスに用いられる
各装置は、非常に高価なものであるため、１台の装置に
ついて、いかにして高いスループットが得られる機能を
付与するかということ、及び高い稼動率を確保すること
が重要である。従ってゲートバルブのメンテナンスのた
めに装置のダウンタイム（停止時間）が長くなること
は、製造プロセス全体からみるとスループットが低下し
てしまう。またこのような問題は、ゲートバルブ以外の
他の部品、例えばシャワーヘッドなどと呼ばれている処
理ガスの噴射部や、ウエハを載置台に押し付けるための
クランプ部などについてもプラズマなどによる損傷や反
応副生成物の付着によるメンテナンスのために同様に起
こっている。
各装置は、非常に高価なものであるため、１台の装置に
ついて、いかにして高いスループットが得られる機能を
付与するかということ、及び高い稼動率を確保すること
が重要である。従ってゲートバルブのメンテナンスのた
めに装置のダウンタイム（停止時間）が長くなること
は、製造プロセス全体からみるとスループットが低下し
てしまう。またこのような問題は、ゲートバルブ以外の
他の部品、例えばシャワーヘッドなどと呼ばれている処
理ガスの噴射部や、ウエハを載置台に押し付けるための
クランプ部などについてもプラズマなどによる損傷や反
応副生成物の付着によるメンテナンスのために同様に起
こっている。
【０００７】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、装置の稼動率を向上させること
のできる処理装置を提供することにある。
のであり、その目的は、装置の稼動率を向上させること
のできる処理装置を提供することにある。
【０００８】請求項１の発明は、気密な処理室と、この
処理室に形成された搬送口を開閉するゲートバルブとを
備え、前記処理室内にて処理ガスまたはそのプラズマに
より被処理体を処理する装置において、前記ゲートバル
ブを、基体部分とこの基体部分に対して着脱自在に取り
付けられた表層部分との積層構造体により構成し、前記
基体部分は処理室内にさらされず、前記表層部分は処理
室内にさらされ、前記処理ガスまたはそのプラズマの腐
蝕から基体部分を保護し、ゲ−トバルブの表層部分と処
理室の外側との間には、搬送口を囲むように０リングが
表層部分に介在し、０リングの外側で表層部分が当該表
層部分の表面側からボルトにより基体部分に着脱自在に
取り付けられていることを特徴とする。
処理室に形成された搬送口を開閉するゲートバルブとを
備え、前記処理室内にて処理ガスまたはそのプラズマに
より被処理体を処理する装置において、前記ゲートバル
ブを、基体部分とこの基体部分に対して着脱自在に取り
付けられた表層部分との積層構造体により構成し、前記
基体部分は処理室内にさらされず、前記表層部分は処理
室内にさらされ、前記処理ガスまたはそのプラズマの腐
蝕から基体部分を保護し、ゲ−トバルブの表層部分と処
理室の外側との間には、搬送口を囲むように０リングが
表層部分に介在し、０リングの外側で表層部分が当該表
層部分の表面側からボルトにより基体部分に着脱自在に
取り付けられていることを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、気密な処理室と、被処
理体を１枚づつ搬送するための搬送口を介して前記処理
室に接続された予備真空室と、前記搬送口を開閉するよ
うに処理室の外側に設けられたゲートバルブとを備え、
前記処理室内にて処理ガスまたはそのプラズマにより被
処理体を処理する装置において、前記ゲートバルブを、
基体部分とこの基体部分に対して着脱自在に取り付けら
れた表層部分との積層構造体により構成し、前記基体部
分は処理室内にさらされず、前記表層部分は処理室内に
さらされ、前記処理ガスまたはそのプラズマの腐蝕から
基体部分を保護し、ゲ−トバルブの表層部分と処理室の
外側との間には、搬送口を囲むように０リングが表層部
分に介在し、０リングの外側で表層部分が当該表層部分
の表面側からボルトにより基体部分に着脱自在に取り付
けられていることを特徴とする。
理体を１枚づつ搬送するための搬送口を介して前記処理
室に接続された予備真空室と、前記搬送口を開閉するよ
うに処理室の外側に設けられたゲートバルブとを備え、
前記処理室内にて処理ガスまたはそのプラズマにより被
処理体を処理する装置において、前記ゲートバルブを、
基体部分とこの基体部分に対して着脱自在に取り付けら
れた表層部分との積層構造体により構成し、前記基体部
分は処理室内にさらされず、前記表層部分は処理室内に
さらされ、前記処理ガスまたはそのプラズマの腐蝕から
基体部分を保護し、ゲ−トバルブの表層部分と処理室の
外側との間には、搬送口を囲むように０リングが表層部
分に介在し、０リングの外側で表層部分が当該表層部分
の表面側からボルトにより基体部分に着脱自在に取り付
けられていることを特徴とする。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【作用】ゲートバルブの表面が損傷したり、表面に反応
副生成物が付着した場合、表層部分のみを取り外して新
たなものと交換する。（あるいは交換はしないが洗浄し
て取り付ける。）従ってメカニカルな機構部分の交換を
行わなくてよいので、交換の時間が短く、このため装置
のダウンタイムが短くなる。
副生成物が付着した場合、表層部分のみを取り外して新
たなものと交換する。（あるいは交換はしないが洗浄し
て取り付ける。）従ってメカニカルな機構部分の交換を
行わなくてよいので、交換の時間が短く、このため装置
のダウンタイムが短くなる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の処理装置をプラズマエッチン
グ装置に適用した実施例の全体構成図である。処理室２
は気密構造の真空チャンバであり、この処理室２には搬
送口２０を介して予備真空室であるロードロック室３が
接続されている。このロードロック室３は処理室２内が
直接大気にさらされないようにするためのものであり、
処理室２側の搬送口２０及び大気側の搬送口３０を夫々
開閉するためのゲートバルブ４及び３１と、大気側と処
理室２内との間でウエハの受け渡しをするための例えば
多関節アームよりなる搬送手段３２とを備えている。
グ装置に適用した実施例の全体構成図である。処理室２
は気密構造の真空チャンバであり、この処理室２には搬
送口２０を介して予備真空室であるロードロック室３が
接続されている。このロードロック室３は処理室２内が
直接大気にさらされないようにするためのものであり、
処理室２側の搬送口２０及び大気側の搬送口３０を夫々
開閉するためのゲートバルブ４及び３１と、大気側と処
理室２内との間でウエハの受け渡しをするための例えば
多関節アームよりなる搬送手段３２とを備えている。
【００１４】前記ゲートバルブ４は図１〜図３に示すよ
うに処理室２内に表面４０がさらされる表層部分４１と
その裏面側の基体部分４２との積層構造体よりなる。基
体部分４２は例えばアルミニウムやステンレスよりな
り、前面側（搬送口２０側）がコ字型で背面が塞がって
いる形状、つまり上面、両側面及び背面に肉厚部分を残
して切欠された形状に成形されている。表層部分４１
は、基体部分４２の前面側の切欠部分に適合する形状に
構成されており、基体部分４２の切欠部４２ａ内に密着
した状態となるように嵌合されて、四隅にてボルト４３
により基体部分４２に着脱自在に取り付けられている。
うに処理室２内に表面４０がさらされる表層部分４１と
その裏面側の基体部分４２との積層構造体よりなる。基
体部分４２は例えばアルミニウムやステンレスよりな
り、前面側（搬送口２０側）がコ字型で背面が塞がって
いる形状、つまり上面、両側面及び背面に肉厚部分を残
して切欠された形状に成形されている。表層部分４１
は、基体部分４２の前面側の切欠部分に適合する形状に
構成されており、基体部分４２の切欠部４２ａ内に密着
した状態となるように嵌合されて、四隅にてボルト４３
により基体部分４２に着脱自在に取り付けられている。
【００１５】表層部分４１の材質としては、プラズマエ
ッチング処理時に塩素イオンにさらされるため、耐蝕性
が大きく、プラズマの衝撃に強く、機械的強度の大きい
もの、例えばポリベンゾイミダゾール、アルミナセラミ
ックス、石英ガラス、窒化アルミニウムあるいはテフロ
ンなどのプラスチックが用いられる。基体部分４２は処
理室２内の雰囲気にさらされないので、大きな耐蝕性な
どを必要とせず、例えばステンレスなどを用いることが
できるが、表層部分４１と同じ材質を用いてもよい。表
層部分４１の表面には、ゲートバルブ４が搬送口２０を
閉じたときに処理室２とロードロック室３との間を気密
にシールするために、Ｏリング４４が搬送口２０を囲む
ように設けられている。
ッチング処理時に塩素イオンにさらされるため、耐蝕性
が大きく、プラズマの衝撃に強く、機械的強度の大きい
もの、例えばポリベンゾイミダゾール、アルミナセラミ
ックス、石英ガラス、窒化アルミニウムあるいはテフロ
ンなどのプラスチックが用いられる。基体部分４２は処
理室２内の雰囲気にさらされないので、大きな耐蝕性な
どを必要とせず、例えばステンレスなどを用いることが
できるが、表層部分４１と同じ材質を用いてもよい。表
層部分４１の表面には、ゲートバルブ４が搬送口２０を
閉じたときに処理室２とロードロック室３との間を気密
にシールするために、Ｏリング４４が搬送口２０を囲む
ように設けられている。
【００１６】ゲートバルブ４の背面側には、ボールネジ
などの昇降手段５０により駆動される昇降軸５が設けら
れており、この昇降軸５から水平に伸び出している支持
杆５１の両端に、回動アーム５２を介してゲートバルブ
４、詳しくは基体部分４２の両側面が取り付けられ、こ
れによりリンク機構が構成されている。また昇降軸５に
固定された固定板５３と回動アーム５２との間には、回
動アーム５２が所定の角度以上に前側に回動したときに
（昇降軸５とゲートバルブ４とが所定の間隔以上離れた
ときに）復元力が働く引張りバネ５４が介装されてい
る。
などの昇降手段５０により駆動される昇降軸５が設けら
れており、この昇降軸５から水平に伸び出している支持
杆５１の両端に、回動アーム５２を介してゲートバルブ
４、詳しくは基体部分４２の両側面が取り付けられ、こ
れによりリンク機構が構成されている。また昇降軸５に
固定された固定板５３と回動アーム５２との間には、回
動アーム５２が所定の角度以上に前側に回動したときに
（昇降軸５とゲートバルブ４とが所定の間隔以上離れた
ときに）復元力が働く引張りバネ５４が介装されてい
る。
【００１７】ロードロック室３におけるゲートバルブ４
の上面と対向する個所には、ゲートバルブ４を前方側に
ガイドするためのガイドローラ５５が配設されておリ、
ゲートバルブ４が上昇してガイドローラ５５に当接した
後、ゲートバルブ４が前方側に押し出されて搬送口２０
を閉じるようになっている。またロードロック室３の他
方のゲートバルブ３１は、ゲートバルブ４のような積層
構造体とはなっていないが、同様に図示省略した昇降軸
やリンク機構などにより搬送口３０を開閉するように構
成されている。
の上面と対向する個所には、ゲートバルブ４を前方側に
ガイドするためのガイドローラ５５が配設されておリ、
ゲートバルブ４が上昇してガイドローラ５５に当接した
後、ゲートバルブ４が前方側に押し出されて搬送口２０
を閉じるようになっている。またロードロック室３の他
方のゲートバルブ３１は、ゲートバルブ４のような積層
構造体とはなっていないが、同様に図示省略した昇降軸
やリンク機構などにより搬送口３０を開閉するように構
成されている。
【００１８】一方前記処理室２内には、ウエハＷを載置
する下部電極を兼用するサセプタ２１が絶縁性のサセプ
タ支持体２２に支持されて設けられている。サセプタ支
持体２２は昇降部２３により昇降できるようになってお
り、昇降部２３が位置している空間はベローズ体２４に
より処理室２内雰囲気から気密に隔離されている。
する下部電極を兼用するサセプタ２１が絶縁性のサセプ
タ支持体２２に支持されて設けられている。サセプタ支
持体２２は昇降部２３により昇降できるようになってお
り、昇降部２３が位置している空間はベローズ体２４に
より処理室２内雰囲気から気密に隔離されている。
【００１９】前記処理室２内の上部には、サセプタ２１
と対向するように処理ガス供給用のガス噴射部６が配設
されると共に、処理室２の側面には、図示しない真空ポ
ンプに連結された排気管２５が接続されている。前記ガ
ス噴射部６は、上部電極を兼用し、筒状体よりなる通気
室６１と、この通気室６１の上面に接続されたガス供給
管６２とを備え、通気室６１の中段及び底面には、多数
の穴が穿設されたガス拡散板６３、６４が夫々設けられ
ており、ガス供給管６２よりの処理ガスはこれらガス拡
散板６３、６４により拡散されて混合され、処理室２内
に供給される。
と対向するように処理ガス供給用のガス噴射部６が配設
されると共に、処理室２の側面には、図示しない真空ポ
ンプに連結された排気管２５が接続されている。前記ガ
ス噴射部６は、上部電極を兼用し、筒状体よりなる通気
室６１と、この通気室６１の上面に接続されたガス供給
管６２とを備え、通気室６１の中段及び底面には、多数
の穴が穿設されたガス拡散板６３、６４が夫々設けられ
ており、ガス供給管６２よりの処理ガスはこれらガス拡
散板６３、６４により拡散されて混合され、処理室２内
に供給される。
【００２０】そして前記ガス噴射部６は、図４に示すよ
うに処理室２内に表面がさらされる表層部分７１とその
裏面側の基体部分７２との積層構造体により構成されて
おり、表層部分７１は基体部分７２に対して密着して嵌
合し、例えばボルト７３により着脱できるように構成さ
れている。従って、ガス拡散板６４は、表層部分６４ａ
と基体部分６４ｂとに分割されており、各々対応する位
置に多数のガス噴射用の穴６５ａ、６５ｂが穿設されて
いる。表層部分７１及び基体部分７２の材質の選定につ
いてはゲートバルブ４の場合と同様である。なお下部電
極２１は高周波電源Ｅに接続されると共に上部電極６は
接地され、これら電極２１、６間に高周波電力が印加さ
れるようになっている。
うに処理室２内に表面がさらされる表層部分７１とその
裏面側の基体部分７２との積層構造体により構成されて
おり、表層部分７１は基体部分７２に対して密着して嵌
合し、例えばボルト７３により着脱できるように構成さ
れている。従って、ガス拡散板６４は、表層部分６４ａ
と基体部分６４ｂとに分割されており、各々対応する位
置に多数のガス噴射用の穴６５ａ、６５ｂが穿設されて
いる。表層部分７１及び基体部分７２の材質の選定につ
いてはゲートバルブ４の場合と同様である。なお下部電
極２１は高周波電源Ｅに接続されると共に上部電極６は
接地され、これら電極２１、６間に高周波電力が印加さ
れるようになっている。
【００２１】次に上述実施例の作用について述べる、先
ずロードロック室３内の搬送手段３２により大気側から
被処理体例えばウエハＷをロードロック室３内に取り込
みゲートバルブ３１を閉じてロードロック室３内を所定
の真空度まで真空引きし、次いでゲートバルブ４を開い
て搬送手段３２により処理室２内のサセプタ２１上に搬
送し、その後ゲートバルブ４を閉じる。ゲートバルブ４
は昇降軸５によりロードロック室３の上部に当接する位
置まで上昇すると、回動アーム５２のリンク作用によ
り、ガイドローラ５５に案内されつつ前方へ押し出さ
れ、Ｏリング４４により搬送口２０を気密にシールす
る。
ずロードロック室３内の搬送手段３２により大気側から
被処理体例えばウエハＷをロードロック室３内に取り込
みゲートバルブ３１を閉じてロードロック室３内を所定
の真空度まで真空引きし、次いでゲートバルブ４を開い
て搬送手段３２により処理室２内のサセプタ２１上に搬
送し、その後ゲートバルブ４を閉じる。ゲートバルブ４
は昇降軸５によりロードロック室３の上部に当接する位
置まで上昇すると、回動アーム５２のリンク作用によ
り、ガイドローラ５５に案内されつつ前方へ押し出さ
れ、Ｏリング４４により搬送口２０を気密にシールす
る。
【００２２】一方処理室２内は予め真空引きされてお
り、ウエハＷが搬入された後、例えば静電チャックによ
りサセプタ２１に吸着され、そしてガス供給管６２より
処理ガス例えば塩素（Ｃｌ2 ）ガスや臭化水素（ＨＢ
ｒ）ガスがガス噴射部６を通じて処理室２内に所定の流
量で供給され、所定の真空度に維持されると共に、ガス
噴射部（上部電極）６及びサセプタ（下部電極）２１間
に高周波電力が印加される。これによりＣｌ2 ガスやＨ
Ｂｒガスがプラズマ化し、ウエハＷ表面の例えばシリコ
ン酸化膜ＳｉＯ2 膜がエッチングされる。エッチング終
了後、処理ガスが排気され、ウエハＷは上述の搬入のプ
ロセスと逆のプロセスで大気側に搬出される。なおサセ
プタ２１はウエハＷの受け渡し時には下限位置にある
が、プラズマエッチング時には、上昇して上部電極６に
接近する。
り、ウエハＷが搬入された後、例えば静電チャックによ
りサセプタ２１に吸着され、そしてガス供給管６２より
処理ガス例えば塩素（Ｃｌ2 ）ガスや臭化水素（ＨＢ
ｒ）ガスがガス噴射部６を通じて処理室２内に所定の流
量で供給され、所定の真空度に維持されると共に、ガス
噴射部（上部電極）６及びサセプタ（下部電極）２１間
に高周波電力が印加される。これによりＣｌ2 ガスやＨ
Ｂｒガスがプラズマ化し、ウエハＷ表面の例えばシリコ
ン酸化膜ＳｉＯ2 膜がエッチングされる。エッチング終
了後、処理ガスが排気され、ウエハＷは上述の搬入のプ
ロセスと逆のプロセスで大気側に搬出される。なおサセ
プタ２１はウエハＷの受け渡し時には下限位置にある
が、プラズマエッチング時には、上昇して上部電極６に
接近する。
【００２３】ところでエッチング処理中にプラズマが集
中しやすい個所があり、ゲートバルブ４もその一つであ
るが、上述のエッチングが繰り返し行われると、塩素イ
オンの腐蝕性が非常に強いため、ゲートバルブ４におけ
る、プラズマにさらされる表面が腐蝕してパーティクル
の発生原因になる。この場合本実施例ではゲートバルブ
４のうちプラズマにさらされる表層部分４１が基体部分
４２から取り外せる構造となっているため、表層部分４
１の表面が損傷して使用に耐えられなくなったときに、
ゲートバルブ４全体を交換するのではなく表層部分４１
のみを、例えばボルト４３（図３参照）を外して新たな
ものと交換すればよい。
中しやすい個所があり、ゲートバルブ４もその一つであ
るが、上述のエッチングが繰り返し行われると、塩素イ
オンの腐蝕性が非常に強いため、ゲートバルブ４におけ
る、プラズマにさらされる表面が腐蝕してパーティクル
の発生原因になる。この場合本実施例ではゲートバルブ
４のうちプラズマにさらされる表層部分４１が基体部分
４２から取り外せる構造となっているため、表層部分４
１の表面が損傷して使用に耐えられなくなったときに、
ゲートバルブ４全体を交換するのではなく表層部分４１
のみを、例えばボルト４３（図３参照）を外して新たな
ものと交換すればよい。
【００２４】ゲートバルブ４全体を交換するには昇降軸
５から切離さなければならず、この作業は引張りバネ５
４や回動アーム５２の分解を伴い、しかも実際にはワッ
シャやボルト、ナットなどの部品点数が多く、非常に煩
わしいが、この実施例では表層部分２１のみを交換すれ
ばよいのでリンク機構などには手を付けずに済む。従っ
てゲートバルブ４のメンテナンスが非常に容易になり、
装置のダウンタイム（停止時間）が短くなり、スループ
ットが向上する。
５から切離さなければならず、この作業は引張りバネ５
４や回動アーム５２の分解を伴い、しかも実際にはワッ
シャやボルト、ナットなどの部品点数が多く、非常に煩
わしいが、この実施例では表層部分２１のみを交換すれ
ばよいのでリンク機構などには手を付けずに済む。従っ
てゲートバルブ４のメンテナンスが非常に容易になり、
装置のダウンタイム（停止時間）が短くなり、スループ
ットが向上する。
【００２５】またガス噴射部６もプラズマが集中する個
所の一つであるが、ガス噴射部６は表層部分７１及び基
体部分７２の積層構造となっていて表層部分７１が基体
部分７２に対して着脱自在に取り付けられているため、
ガス噴射部６の表面が損傷しても表層部分７１のみを交
換すればよいので、交換の手間が簡単であり、しかもガ
ス噴射部６全体を交換する場合に比べコスト的にも有利
である。
所の一つであるが、ガス噴射部６は表層部分７１及び基
体部分７２の積層構造となっていて表層部分７１が基体
部分７２に対して着脱自在に取り付けられているため、
ガス噴射部６の表面が損傷しても表層部分７１のみを交
換すればよいので、交換の手間が簡単であり、しかもガ
ス噴射部６全体を交換する場合に比べコスト的にも有利
である。
【００２６】次に本発明の他の実施例について図５及び
図６を参照しながら説明すると、この実施例では、ウエ
ハＷをサセプタ８１に固定するための機械的なクランプ
部９を処理室１内の雰囲気にさらされる表層部分９１と
その裏面側の基体部分９２との積層構造体により構成し
ている。クランプ部９は、ウエハＷの外形の相似形状に
作られたリング状体であり、例えば３本の昇降軸９３の
上端に取り付けられている。
図６を参照しながら説明すると、この実施例では、ウエ
ハＷをサセプタ８１に固定するための機械的なクランプ
部９を処理室１内の雰囲気にさらされる表層部分９１と
その裏面側の基体部分９２との積層構造体により構成し
ている。クランプ部９は、ウエハＷの外形の相似形状に
作られたリング状体であり、例えば３本の昇降軸９３の
上端に取り付けられている。
【００２７】基体部分９２は各昇降軸９３に固定される
と共に、表層部分９１は、この基体部分９２に上から嵌
合する形状に形成されており、例えばネジ９４により基
体部分９２に対して着脱自在に取り付けられている。表
層部分９１及び基体部分９２の材質の選定については既
述したゲートバルブの場合と同様である。図５中８２は
サセプタ支持体、９３は昇降部、８３は、ガス噴射部６
をサセプタ８１に対して接離させるための昇降部であ
り、図１と同符号のものは同一部分を示す。このように
クランプ部９を構成すれば、クランプ部９がプラズマに
より損傷をしてメンテナンスの必要が生じた場合、表層
部分９１のみを交換すればよいので交換作業が容易であ
り、装置のダウンタイムが短かくて済む。
と共に、表層部分９１は、この基体部分９２に上から嵌
合する形状に形成されており、例えばネジ９４により基
体部分９２に対して着脱自在に取り付けられている。表
層部分９１及び基体部分９２の材質の選定については既
述したゲートバルブの場合と同様である。図５中８２は
サセプタ支持体、９３は昇降部、８３は、ガス噴射部６
をサセプタ８１に対して接離させるための昇降部であ
り、図１と同符号のものは同一部分を示す。このように
クランプ部９を構成すれば、クランプ部９がプラズマに
より損傷をしてメンテナンスの必要が生じた場合、表層
部分９１のみを交換すればよいので交換作業が容易であ
り、装置のダウンタイムが短かくて済む。
【００２８】以上のようにゲートバルブやガス噴射部あ
るいはクランプ部を上述のように積層構造体とすれば、
プラズマのイオンの衝撃やそのイオンの腐蝕性による損
傷、あるいはプラズマ化しないが処理ガスの腐蝕性によ
る損傷などにより各部品のメンテナンスを行うときに有
効であるが、損傷を受けなくとも例えば反応副生物が付
着し、部品の交換はしないが洗浄を必要とする場合にも
有効である。また本発明は、上述の部品に限らず、プラ
ズマが集中したり、反応副生物が付着しやすい個所に設
けられた他の部品についても同様に積層構造体としても
同様の効果が得られる。なお本発明は、プラズマエッチ
ング、ＣＶＤなどに限らずスパッタリング（本発明でい
う、プラズマにより処理するとは、プラズマによりター
ゲットをスパッタして、スパッタ膜を被処理体に形成す
る場合も含む意味である。）やアッシングなどの処理を
行う装置に対しても適用できる。
るいはクランプ部を上述のように積層構造体とすれば、
プラズマのイオンの衝撃やそのイオンの腐蝕性による損
傷、あるいはプラズマ化しないが処理ガスの腐蝕性によ
る損傷などにより各部品のメンテナンスを行うときに有
効であるが、損傷を受けなくとも例えば反応副生物が付
着し、部品の交換はしないが洗浄を必要とする場合にも
有効である。また本発明は、上述の部品に限らず、プラ
ズマが集中したり、反応副生物が付着しやすい個所に設
けられた他の部品についても同様に積層構造体としても
同様の効果が得られる。なお本発明は、プラズマエッチ
ング、ＣＶＤなどに限らずスパッタリング（本発明でい
う、プラズマにより処理するとは、プラズマによりター
ゲットをスパッタして、スパッタ膜を被処理体に形成す
る場合も含む意味である。）やアッシングなどの処理を
行う装置に対しても適用できる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、ゲートバルブのメンテ
ナンス時間を短時間で行うことができるので装置の稼働
率を向上させることができる。
ナンス時間を短時間で行うことができるので装置の稼働
率を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例に係るプラズマエッチング装置
の全体構成を示す縦断面図である。
の全体構成を示す縦断面図である。
【図２】ゲートバルブを示す縦断面図である。
【図３】ゲートバルブを示す分解斜視図である。
【図４】ガス噴射部を示す分解断面図である。
【図５】本発明の他の実施例の全体構成を示す縦断面図
である。
である。
【図６】ウエハのクランプ部を示す分解斜視図である。
【図７】従来のゲートバルブを示す側面図である。
２ 処理室 ２１ サセプタ ３ ロードロック室 ４ ゲートバルブ ４１ 表層部分 ４２ 基体部分 ４４ Ｏリング ５ 昇降軸 ５２ 回動アーム ６ ガス噴射部 ７１ 表層部分 ７２ 基体部分 ９ クランプ部 ９１ 表層部分 ９２ 基体部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−311726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−153271（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−71408（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196448（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151320（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−160036（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−77841（ＪＰ，Ｕ) 実開 平６−11346（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 16/56 C23F 1/00 - 4/04 F16K 3/00 - 3/36 H01L 21/205 H01L 21/3065 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 気密な処理室と、この処理室に形成され
た搬送口を開閉するゲートバルブとを備え、前記処理室
内にて処理ガスまたはそのプラズマにより被処理体を処
理する装置において、 前記ゲートバルブを、基体部分とこの基体部分に対して
着脱自在に取り付けられた表層部分との積層構造体によ
り構成し、前記基体部分は処理室内にさらされず、前記
表層部分は処理室内にさらされ、前記処理ガスまたはそ
のプラズマの腐蝕から基体部分を保護し、 ゲ−トバルブの表層部分と処理室の外側との間には、搬
送口を囲むように０リングが表層部分に介在し、０リン
グの外側で表層部分が当該表層部分の表面側からボルト
により基体部分に着脱自在に取り付けられていることを
特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 気密な処理室と、被処理体を１枚づつ搬
送するための搬送口を介して前記処理室に接続された予
備真空室と、前記搬送口を開閉するように処理室の外側
に設けられたゲートバルブとを備え、前記処理室内にて
処理ガスまたはそのプラズマにより被処理体を処理する
装置において、 前記ゲートバルブを、基体部分とこの基体部分に対して
着脱自在に取り付けられた表層部分との積層構造体によ
り構成し、前記基体部分は処理室内にさらされず、前記
表層部分は処理室内にさらされ、前記処理ガスまたはそ
のプラズマの腐蝕から基体部分を保護し、 ゲ−トバルブの表層部分と処理室の外側との間には、搬
送口を囲むように０リングが表層部分に介在し、０リン
グの外側で表層部分が当該表層部分の表面側からボルト
により基体部分に着脱自在に取り付けられていることを
特徴とする処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21781094A JP3335010B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 処理装置 |
| KR1019950014920A KR960002534A (ko) | 1994-06-07 | 1995-06-07 | 감압·상압 처리장치 |
| TW84105944A TW293137B (ja) | 1994-06-07 | 1995-06-10 | |
| US08/842,833 US5769952A (en) | 1994-06-07 | 1997-04-17 | Reduced pressure and normal pressure treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21781094A JP3335010B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0860374A JPH0860374A (ja) | 1996-03-05 |
| JP3335010B2 true JP3335010B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=16710100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21781094A Expired - Fee Related JP3335010B2 (ja) | 1994-06-07 | 1994-08-19 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3335010B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3205312B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
| JP4588393B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-12-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| JP4749690B2 (ja) | 2004-09-10 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| JP4010314B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2007-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置、処理システム及びシール部材の交換方法 |
| US7637477B2 (en) | 2004-12-17 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Gate valve apparatus of vacuum processing system |
| US7281700B2 (en) | 2005-04-12 | 2007-10-16 | Tokyo Electron Limited | Gate valve apparatus for vacuum processing system |
| US8047231B2 (en) | 2006-06-19 | 2011-11-01 | Nippon Val-Qua Industries, Ltd. | Valve element unit and gate valve apparatus |
| US7571893B2 (en) | 2006-11-16 | 2009-08-11 | Asm America, Inc. | Valve with high temperature rating |
| KR101125828B1 (ko) * | 2010-08-02 | 2012-04-02 | 주식회사 밀레니엄투자 | 기판처리시스템의 게이트장치 |
| DE102019133555A1 (de) * | 2019-12-09 | 2021-06-10 | Vat Holding Ag | Vakuumventil oder Vakuumtür |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP21781094A patent/JP3335010B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0860374A (ja) | 1996-03-05 |
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