JPH07273095A - 減圧容器 - Google Patents

減圧容器

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JPH07273095A
JPH07273095A JP6080882A JP8088294A JPH07273095A JP H07273095 A JPH07273095 A JP H07273095A JP 6080882 A JP6080882 A JP 6080882A JP 8088294 A JP8088294 A JP 8088294A JP H07273095 A JPH07273095 A JP H07273095A
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joint end
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亨 池田
Katsumi Ishii
勝美 石井
Yoji Iizuka
洋二 飯塚
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Tokyo Electron Tohoku Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 減圧容器における天板と側壁との接合部など
からの発塵を防止する。 【構成】 減圧自在に構成された処理容器の天板２１の
内面と側壁２３の上端面とを、溝２４内のＯリング２５
を介して気密に接合する場合、Ｏリング２５から内側寄
りの端面２３ａを、外側寄りの端面２３ｂよりも低くし
て、天板２１内面との間に空隙Ｄを確保する。 【効果】 減圧時に大気圧によって天板２１が内側に撓
んでも、天板２１内面とＯリング２５から内側寄りの端
面２３ａとが接触せず、側壁上端面内側縁部が擦り落ち
ず、発塵しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧容器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
使用される各種の処理装置、例えば成膜装置、エッチン
グ装置における各処理容器は、気密に閉塞してその内部
の処理室を所定の真空度、例えば１０-6〜１０-7ｔｏｒ
ｒにまで減圧自在となるように構成されている。そして
被処理体である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）は前記処理室内の例えば載置台に載置された後、所
定の減圧雰囲気の下で、各装置の所定の処理が施される
ようになっている。
【０００３】また減圧時間を短縮させてスループットを
向上させたり、また大気から塵埃の巻き込みを防止する
ため、前記処理容器にはこの処理容器よりも真空度が落
とされた（例えば１０-2ｔｏｒｒ）ロードロック室と呼
ばれる真空予備室がゲートバルブを介して併設されてい
る場合が多く、処理に付される被処理体は、一旦この真
空予備室内に搬送された後、処理室と真空予備室とが同
一真空度になった後に、処理室内に搬入されるように構
成されている。
【０００４】このように前記した処理容器や真空予備室
は所定の減圧度にまで真空引きされるので、これら処理
容器や真空予備室の天板、側壁、底板の各接合部は高い
気密性が要求されており、従来のこの種の減圧容器の接
合部の構造は、例えば図８に示したような構成になって
いる。図８は酸化アルマイト処理されたアルミ製の板材
からなる天板１０１と、同一の材質からなる側壁１０２
との接合の様子を示しており、側壁１０２の上端面に溝
１０３が形成され、この溝１０３内にシール材として例
えばＯリング１０４が、その上部が溝１０３から突出す
るようにしてはめ込まれている。そして側壁１０２の上
端面を、天板１０１の周縁部下面に密着接合させて、ボ
ルト材などの締め付け固定部材１０５を、Ｏリング１０
４の外側に位置するようにして天板１０１の上方から側
壁１０２の上端面に向けて螺嵌させることにより、天板
１０１と側壁１０２が接合されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】既述したようにこの種
の減圧容器内は、例えば１０-6〜１０-7ｔｏｒｒや１０
-2ｔｏｒｒといった高い真空度にまで真空引きされるの
で、減圧時においては、大気圧によって図９に示したよ
うに、例えば天板１０１に対しては、図中の矢印のよう
に極めて大きな圧力がかかる。そのため、前記したアル
ミ材と同一材質からなる通常のウエハ処理用の処理容器
の場合でも、天板１０１が下方に撓んでしまう。例えば
半径３００mm程度の大きさを有する天板の場合では、中
心部の最大撓み量ｄは０．１mmに達する。この場合、撓
みの支点は側壁１０２の内側角縁部１０２ａとなってい
る。
【０００６】ところで前記したように、処理容器や真空
予備室は、被処理体の処理毎に減圧したり、元に戻した
りすることが繰り返される。特に高いスループットを追
求した枚葉処理型の装置においては、処理の種類にもよ
るが１時間に何回も減圧、復帰が繰り返され、その度に
天板１０１は減圧時には図９のように撓み、元の状態に
戻したときには撓み量が小さくなったり、あるいは真空
予備室の場合には大気圧に戻した場合には図８のように
水平状態になる。
【０００７】このような天板１０１の撓みの強弱などが
繰り返されていると、図１０に示したように、側壁１０
２の角縁部１０２ａの部分が剥離したり、擦り取られる
などして、側壁１０２の構成材料であるアルミニウムの
パーティクルが飛散し容器内を汚染してしまう。周知の
ように半導体デバイスの処理にあたっては、極めて厳格
で高い清浄雰囲気内で行う必要があり、前記したような
金属パーティクルによる汚染があると、即歩留まりの低
下を招いてしまう。
【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは前記したような処理容器
や真空予備室などのようにその内部の減圧が繰り返され
ても、容器を構成する天板や側壁などから発塵を起こさ
ない減圧容器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的達成のため、請
求項１によれば、容器構成材を適宜気密に接合すること
によって構成された容器であって、前記容器構成材の少
なくとも一部の容器構成材の接合端面内側縁が、この容
器構成材と接続される他の容器構成材と接合される部分
を有し、かつ前記容器構成材の接合端面に形成された溝
内にはシール材が配されて、当該シール材によってこの
接合部分の気密性が確保され、この容器内部が減圧自在
に構成された減圧容器において、前記容器構成材の接合
端面におけるシール材から内側寄り部分と、前記他の容
器構成材の内面におけるシール材から内側寄り部分との
間に空隙を持たせたことを特徴とする、減圧容器が提供
される。
【００１０】請求項２によれば、容器構成材を適宜気密
に接合することによって構成された容器であって、前記
容器構成材の少なくとも一部の容器構成材の接合端面内
側縁が、この容器構成材と接続される他の容器構成材と
接合される部分を有し、かつ前記容器構成材の接合端面
に形成された溝内にはシール材が配されて、当該シール
材によってこの接合部分の気密性が確保され、この容器
内部が減圧自在に構成された減圧容器において、前記容
器構成材の接合端面におけるシール材から内側寄り部分
を、シール材から外側寄り部分よりも、前記他の容器構
成材の内面と向き合う方向において短く成形し、前記容
器構成材の接合端面におけるシール材から内側寄り部分
と、前記他の容器構成材の内面におけるシール材から内
側寄り部分との間に空隙を持たせたことを特徴とする、
減圧容器が提供される。
【００１１】このように前記容器構成材の接合端面にお
けるシール材から内側寄り部分を、シール材から外側寄
り部分よりも、前記他の容器構成材の内面と向き合う方
向において短く成形する場合、請求項３に記載したよう
に、減圧時における前記他の容器構成材の内側への撓み
に準じて容器内側へ向けて斜めに成形したことを特徴と
する、減圧容器としてもよい。
【００１２】また請求項４によれば、容器構成材を適宜
気密に接合することによって構成された容器であって、
前記容器構成材の少なくとも一部の容器構成材の接合端
面内側縁が、この容器構成材と接続される他の容器構成
材と接合される部分を有し、かつ前記容器構成材の接合
端面に形成された溝内にはシール材が配されて、当該シ
ール材によってこの接合部分の気密性が確保され、この
容器内部が減圧自在に構成された減圧容器において、前
記他の容器構成材の内面におけるシール材から内側寄り
部分を、シール材から外側寄り部分よりも、前記容器構
成材の接合端面と向き合う方向において短く成形し、前
記他の容器構成材の内面におけるシール材から内側寄り
部分と、前記容器構成材の接合端面におけるシール材か
ら内側寄り部分との間に空隙を持たせたことを特徴とす
る、減圧容器が提供される。
【００１３】またそのように前記他の容器構成材の内面
におけるシール材から内側寄り部分をシール材から外側
寄り部分よりも、前記容器構成材の接合端面と向き合う
方向において短く成形するにあたり、当該短く成形する
部分は、請求項５に記載したように、前記容器構成材の
接合端面内側縁に対向した部分を挟んだ帯状としてもよ
い。
【００１４】
【作用】請求項１の場合、容器内が所定の真空度まで減
圧された時に大気圧によって前記他の容器構成材が容器
内側に撓んでも、前記容器構成材の接合端面におけるシ
ール材から内側寄り部分と、これに向き合った他の容器
構成材の内面におけるシール材から内側寄り部分との間
に空隙があるので、前記他の容器構成材の内面が、前記
容器構成材の接合端面内側縁に接触することはない。従
って、減圧と大気圧とを繰り返して他の容器構成材の撓
みが繰り返し発生しても、従来のように容器構成材の接
合端面内側縁部が剥離したり、擦り取られることはな
く、発塵を起こさないものである。
【００１５】また前記容器構成材と他の容器構成材と
は、結局シール材から外側寄りの部分にて接合されるこ
とになるので、当該シール材から外側寄りの部分におけ
る接合部の接触に起因する発塵等があっても、発生した
塵埃はシール材によって容器内部への侵入が防止されて
いる。従って、容器内の清浄雰囲気が汚染されることは
ない。
【００１６】請求項２では、前記容器構成材の接合端面
におけるシール材から内側寄り部分を、シール材から外
側寄り部分よりも、前記他の容器構成材の内面と向き合
う方向において短く成形して、前記容器構成材の接合端
面におけるシール材から内側寄り部分と、これに向き合
った他の容器構成材の内面におけるシール材から内側寄
り部分との間に空隙を生じさせている。従って、前記し
た請求項１の作用効果が実現される。
【００１７】また前記容器構成材の接合端面におけるシ
ール材から内側寄り部分を、シール材から外側寄り部分
よりも、前記他の容器構成材の内面と向き合う方向にお
いて短く成形する場合、結局は、前記他の容器構成材の
内面が減圧時において容器内側へと撓んだときに、前記
容器構成材の接合端面におけるシール材から内側寄り部
分と接触しないようにすれば、発塵を防止できる。した
がって、前記容器構成材の接合端面におけるシール材か
ら内側寄り部分を、シール材から外側寄り部分よりも、
前記他の容器構成材の内面と向き合う方向において短く
成形する場合、請求項３に記載したように、減圧時にお
ける前記他の容器構成材の内面への撓みに準じて容器内
側へ向けて斜めに成形すれば、削り取り等必要な成形加
工をするにあたり、これを必要最小限とすることができ
る。
【００１８】請求項４によれば、前記他の容器構成材の
内面におけるシール材から内側寄り部分を、シール材か
ら外側寄り部分よりも、前記容器構成材の接合端面と向
き合う方向において短く成形して、前記他の容器構成材
の内面におけるシール材から内側寄り部分と、前記容器
構成材の接合端面におけるシール材から内側寄り部分と
の間に空隙を持たせているので、前記請求項１の場合と
同様、容器内が減圧された時に大気圧によって前記他の
容器構成材の内面が容器内側に撓んでも、前記他の容器
構成材の内面が、前記容器構成材の接合端面内側縁に接
触することはない。
【００１９】請求項５によれば、前記したように、他の
容器構成材の内面におけるシール材から内側寄り部分を
シール材から外側寄り部分よりも、前記容器構成材の接
合端面と向き合う方向において短く成形するにあたり、
当該短く成形する部分を、この容器構成材の接合端面内
側縁に対向した部分を挟んだ帯状の部分としているの
で、例えば前記した削り取り加工によってかかる成形を
実現する場合、削り取る部分を必要最小限に抑えること
ができる。換言すれば、前記他の容器構成材の内面にお
けるシール材よりも内側寄りのエリア全てを、全面に渡
って削って薄くする必要はないものである。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき説
明すると、図１は本実施例が適用された減圧容器構成を
採用したプラズマエッチング装置１の断面を模式的に示
しており、このプラズマエッチング装置１は、電極板が
平行に対向した所謂平行平板型ＲＩＥ装置として構成さ
れている。なお本実施例においては、シリコン基板を有
する前記ウエハＷ上のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）のエ
ッチングを実施する場合について説明する。
【００２１】このプラズマエッチング装置１は、例えば
表面が酸化アルマイト処理されたアルミニウムなどから
なる円筒状に成形された処理容器２を有しており、この
処理容器２は設置線３によって接地されている。本実施
例はまずこの処理容器２に対して適用されており、以下
詳述すると、この処理容器２は、略円板状の天板２１
と、略円板状の底板２２と、これら天板２１と底板２２
とにその上下端面が接合固定される略円筒状の側壁２３
などの容器構成材によって構成されている。
【００２２】そしてその接合状況について図２に基づい
て説明すれば、側壁２３の上端面には環状の溝２４が形
成され、この溝２４内にシール材として例えばフッ化ゴ
ム製のＯリング２５が、その上部が溝２４から突出する
ようにしてはめ込まれている。なおＯリング２５の材質
としては、もちろんフッ化ゴムに限らずその他シリコン
ゴム等を使用することができ、さらにシール材そのもの
も、本実施例のようなＯリングに限らず例えば、金属製
のＣリングを使用してもよい。
【００２３】前記側壁２３の接合端面（上端面）におけ
る溝２４よりも内側寄りの端面２３ａは、外側寄りの端
面２３ｂよりも、天板２１の内面と向き合う方向におい
て短く成形されている。換言すれば、側壁２３の上端面
は、前記溝２４を境として内側寄りの端面２３ａの方
が、外側寄りの端面２３ｂよりも低くなっている。これ
によって、シール材であるＯリング２５から内側におい
ては、天板２１の下面（内面）と側壁２３の上端面にお
ける内側寄りの端面２３ａとの間には空隙Ｄが確保され
ている。
【００２４】空隙Ｄの大きさは、天板２１の大きさ、厚
み、材質、側壁２３の厚さ、材質、さらにはこの処理容
器２内の減圧度を勘案して、減圧時における天板２１の
撓み具合に応じて定めればよく、本実施例においては、
０．１mm〜０．２mmに設定してある。またそのように前
記溝２４を境として内側寄りの端面２３ａの方を、外側
寄りの端面２３ｂよりも低く成形するには、例えば内側
寄りの端面２３ａを削り取ったり、あるいは側壁２３の
成形時に予め、前記空隙Ｄに相当するいわば段差を設け
ておいてもよい。
【００２５】そして以上のように成形加工された側壁２
３と、天板２１とを図２のように密着させ、ボルト等の
締め付け固定部材２６によって、側壁２３と天板２１と
が接合固定されている。従ってこの締め付け固定部材２
６を緩めることにより、天板２１と側壁２３とを分離さ
せることができるようになっている。
【００２６】前記処理容器２内に形成される処理室内の
底部にはセラミックなどの絶縁板４を介して、被処理
体、例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗ
を載置するための略円柱状のサセプタ支持台５が収容さ
れ、さらにこのサセプタ支持台５の上部には、下部電極
を構成するサセプタ６が設けられている。
【００２７】前記サセプタ支持台５の内部には、冷媒室
７が設けられており、この冷媒室７には例えば液体窒素
などの温度調節用の冷媒が冷媒導入管８を介して導入可
能であり、導入された冷媒はこの冷媒室７内を循環し、
その間生ずる冷熱は冷媒室７から前記サセプタ６を介し
て前記ウエハＷに対して伝熱され、このウエハＷの処理
面を所望する温度まで冷却することが可能である。なお
冷媒として、例えば前記したような液体窒素を用いた場
合、その核沸騰により生じた窒素ガスは冷媒排出管９よ
り処理容器２外へと排出されるようになっている。
【００２８】前記サセプタ６には、処理容器２外部に設
置された高周波電源１１の出力側がが、ブロッキングコ
ンデンサ１２、マッチングボックス１３を介して給電棒
１４を介して接続されており、周波数が例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が印加される構成となっている。
【００２９】前記サセプタ６は、その上面中央部が凸状
の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電
チャック３１が設けられている。この静電チャック３１
は、２枚の高分子ポリイミド・フィルムによって導電層
３２が挟持された構成を有しており、この導電層３２に
対して、処理容器２外部に設置されている直流高圧電源
３３から、例えば１．５ｋＶの直流高電圧を印加するこ
とによって、この静電チャック３１上面に載置されたウ
エハＷは、クーロン力よってその位置で吸着保持される
ようになっている。
【００３０】前記サセプタ５の上端周縁部には、前記静
電チャック３１上に載置されたウエハＷを囲むように、
環状のフォーカスリング３４が配置されている。このフ
ォーカスリング３４は反応性イオンを引き寄せない絶縁
性の材質からなり、プラズマよって発生した反応性イオ
ンを、その内側のウエハＷにだけ効果的に入射せしめる
ように構成されている。
【００３１】前記サセプタ６の上方には、このサセプタ
６と平行に対向して、これより約１５〜２０ｍｍ程度離
間させた位置に、上部電極３５が処理容器２の天板２１
に支持されている。
【００３２】この上部電極３５は、前記サセプタ６との
対向面に、多数の拡散孔３６を有する、例えばＳｉＣ又
はアモルファスカーボンからなる電極板３７と、この電
極板３７と平行に位置して、両者間に中空部３８を形成
する、例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミニ
ウムからなる支持板３９とを有している。前記上部電極
３５における支持板３９の中央には、ガス導入口４０が
設けられ、さらにこのガス導入口４０には、ガス導入管
４１が接続されている。このガス導入管４１には、ガス
供給管４２が接続されており、さらにこのガス供給管４
２は２つに分岐されて、各々バルブ４３、マスフローコ
ントローラ４４を介して、それぞれ対応する処理ガス供
給源４５、４６に通じている。本実施例においては、処
理ガス供給源４５からはＣＦ4ガス、処理ガス供給源４
６不活性パージガスであるＮ2ガスが供給されるように
設定されている。
【００３３】前記処理容器２の下部には排気管４７が接
続されており、この処理容器２とゲートバルブ４８を介
して隣接しているロードロック室５１の排気管５２共
々、ターボ分子ポンプなどの排気手段５３に通じてお
り、所定の減圧雰囲気まで真空引きできるように構成さ
れている。
【００３４】このロードロック室５１は、前出処理容器
２と同様、表面が酸化アルマイト処理された天板５４、
底板５５、及びその上下の接合端面がこれら天板５４、
底板５５の内面と接合される側壁５６によって形成され
ている。而してこの側壁５６の上端面と天板５４との接
合は、既述した処理容器の天板２１と側壁２３の接合と
全く同様にして、シール材から内側寄りの部分に空隙が
生ずるように気密に接合されている。
【００３５】またこのロードロック室５１内には、搬送
アームなどの搬送手段５７が設けられており、被処理体
であるウエハＷは、この搬送手段５７によって前記処理
容器２とこのロードロック室５１との間で搬入、搬出さ
れるように構成されている。なおこのロードロック室５
１の側壁５６には、前記ゲートバルブ４８と対向する位
置に、別のゲートバルブ５８が設けられており、ウエハ
Ｗをカセット単位で収納しているウエハカセット（図示
せず）が搬入されるカセットチャンバ（図示せず）と
は、このゲートバルブ５８によって接続されている。
【００３６】本実施例が適用されたプラズマエッチング
装置１は以上のように構成されており、次にその動作等
について説明すると、まず被処理体であるウエハＷは、
ゲートバルブ５８が解放された後、別設のカセットチャ
ンバ（図示せず）から、搬送手段５７によって、一旦ロ
ードロック室５１内へと搬送される。そして前記ゲート
バルブ５８が閉鎖された後、ロードロック室５１内は、
排気手段５３によって所定の減圧度、例えば１０-2ｔｏ
ｒｒにまで真空引きされる。
【００３７】次いでゲートバルブ４８が解放された後、
ウエハＷはロードロック室５１から処理容器２内へと搬
入され、静電チャック３１上に載置される。そして高圧
直流電源３３の印加によって前記ウエハＷは、この静電
チャック３１上に吸着保持される。その後搬送手段５７
がロードロック室５１内へ後退したのち、処理容器２内
は排気手段５３によって、所定の減圧度、例えば１０-3
ｔｏｒｒ真空引きされていく。
【００３８】他方バルブ４３が開放されて、マスフロー
コントローラ４４によってその流量が調整されつつ、処
理ガス供給源４５からはエッチング反応ガスであるＣＦ
4ガスが、ガス供給管４２、ガス導入管４１、ガス導入
口４０を通じて、上部電極２３の中空部３８内へと導入
される。そしてこの中空部３８から、前記ＣＦ4ガスが
拡散孔３６を通じて、前記ウエハＷに対して均一に吐出
され、高周波電源１１から、所定の高周波電力がサセプ
タ６に印加されると、上部電極３５とサセプタ６との間
にプラズマが発生し、前記導入されたＣＦ4ガスの解離
によって生じたラジカル成分によって、ウエハＷに対し
て所定のエッチングが施されるのである。
【００３９】そして所定のエッチング処理が終了する
と、処理容器２内の減圧度は、一旦１０-2ｔｏｒｒにま
で落とされて、ロードロック室５１と同一減圧度にされ
た後、ゲートバルブ４８が開放して、処理済みのウエハ
Ｗがロードロック室５１内へと搬出される。ロードロッ
ク室５１では、ゲートバルブ４８が閉鎖された後、隣接
するカセットチャンバ内と同一の減圧度、例えば１０-1
ｔｏｒｒにまで落とされた後、ゲートバルブ５８が開放
されて、処理済みのウエハＷは搬送手段５７によってカ
セットチャンバ内へと搬出されるのである。
【００４０】このように前記処理容器２及びロードロッ
ク室５１は、ウエハＷの処理毎に減圧されるが、減圧時
においては、大気圧によって各天板２１、５４が下側へ
と撓んでしまう。しかしながら既述したように、例えば
処理容器２の天板２１については、前記側壁２３のＯリ
ング２５よりも内側寄りの端面２３ａは、外側寄りの端
面２３ｂよりも、天板２１の内面と向き合う方向におい
て短く成形され、天板２１の下面（内面）と側壁２３の
前記内側寄りの端面２３ａとの間には空隙Ｄが確保され
ているので、図３中の破線で示したように天板２１が撓
んでも、天板２１の内面と、側壁２３の前記内側寄りの
端面２３ａとが接触することはない。従って、処理容器
２内が減圧を繰り返されても、天板２１内面と側壁２３
の内側寄りの端面２３ａとの接触に起因する発塵は発生
せず、処理容器２内の清浄雰囲気を汚染することはない
ものである。
【００４１】またロードロック室５１における天板５４
と側壁５６との接合も、前記処理容器２の天板２１と側
壁２３との接合の場合と同様にしてあるので、このロー
ドロック室５１内も、天板５４内面と側壁５６の接合上
端面との接触に起因する発塵は起こらない。従って、前
記プラズマエッチング処理装置１でエッチングされるウ
エハＷに対して、処理容器２自体、ロードロック室５１
自体に起因するコンタミネーションのおそれはなく、従
来よりも歩留まりの向上が図れるものである。
【００４２】なお前記実施例においては、図３にも示し
たように、側壁２３の接合上端面におけるＯリング２５
よりも内側寄りの端面２３ａを、天板２１の内面と平行
になるようにしその高さを低くして空隙Ｄを確保した
が、本発明の作用効果に鑑みれば、そのように平行に成
形加工する必要はなく、例えば図４に示したように、予
め天板２１の撓み度合いを設定して、この撓み度合いに
準じて端面２３ａを内側に向けて斜めに成形加工して空
隙Ｄ’を確保しても前記実施例同一の効果が得られる。
またこの場合には、例えば切削加工によって端面２３ａ
を成形加工する場合、切削量が前記実施例よりも少なく
て済む。
【００４３】さらに前記実施例においては、側壁２３の
接合上端面におけるＯリング２５よりも内側寄りの端面
２３ａと、天板２１の内面との間の空隙Ｄを確保するた
めに、この端面２３ａ側を切削するなどして成形した
が、これに代えて例えば図５に示したように、端面２３
ａはそのまま端面２３ｂと同一高さのままにしておき、
天板２１の内面におけるＯリング２５よりも内側を削る
などして成形して、端面２３ａと、天板２１の内面との
間の空隙Ｄを確保するようにしても、前記実施例同一の
効果が得られる。
【００４４】またそのように天板２１の内面におけるＯ
リング２５よりも内側を成形する場合、要は側壁２３の
接合上端面におけるＯリング２５よりも内側寄りの端面
２３ａと天板２１の内面とが、減圧時に接触しないよう
に成形すればよいので、例えば図７に示したように、天
板２１内面を成形するエリアを、側壁２３の接合上端面
内側縁２３ｃと対向した部分Ｐを挟んだ帯状部分Ｌとす
れば、例えば切削に拠る場合、切削量が図５の場合より
も少なくて済むものである。
【００４５】さらにまた図８に示したように、天板２１
内面と側壁２３の接合上端面におけるＯリング２５より
も内側寄りの端面２３ａとの両方を、それぞれ少しずつ
削るようにして、この両者で空隙Ｄを確保するようにし
てもよい。
【００４６】また前記実施例は、天板と側壁との接合に
本発明を適用したが、もちろんこれに限らず、底板と側
壁、あるいは側壁相互の接合などに対しても本発明は適
用可能である。また本発明を実施する場合、例えば側壁
の上端面のシール材の内側寄りの部分を例えば削り出す
だけでよいので、既存の稼働中の減圧容器に対して、容
易に本発明を適用できる。
【００４７】なお前出実施例は、プラズマエッチング装
置に用いた例であったが、本発明はこれに限らず、他の
処理装置、例えば熱処理装置、スパッタリング装置、Ｃ
ＶＤ装置の各処理容器やこれら各装置に併設されるロー
ドロック室、カセット室など、内部を減圧状態にする各
種の減圧容器に対して適用することができ、もちろんこ
れら処理装置は半導体ウエハ用に限らず、例えばＬＣＤ
基板用の装置であってもよい。
【００４８】
【発明の効果】請求項１乃至５に記載した各減圧容器に
よれば、容器内の圧力を大気圧と所定の真空度圧力との
間で繰り返しても容器構成材の接合部分から、摩擦によ
る発塵が発生することはなく、容器内の雰囲気を汚染す
ることはない。
【００４９】そして請求項２では、前記容器構成材の接
合端面におけるシール材から内側寄り部分を、適宜成型
加工することによってかかる効果が得られる。
【００５０】また請求項３のでは、前記容器構成材の接
合端面におけるシール材から内側寄り部分を、減圧時に
おける前記他の容器構成材の内面への撓みに準じて容器
内側へ向けて斜めに成形しているので、削り取り等必要
な成形加工をするにあたり、これを必要最小限とするこ
とができる。
【００５１】請求項４によれば、前記他の容器構成材の
内面におけるシール材から内側寄り部分を、適宜成型加
工することによって前記した発塵防止効果が得られる。
【００５２】そして請求項５では、他の容器構成材の内
面におけるシール材よりも内側寄りのエリア全てを、全
面に渡って削って薄くするなどの成型加工必要はないの
で、請求項４の場合よりも、成形加工量を少なくするこ
とが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例が適用されたプラズマエッチン
グ装置の側面断面を模式的に示した説明図である。
【図２】図１のプラズマエッチング装置における処理容
器の天板と側壁との接合状態を示す断面説明図である。
【図３】実施例の作用を説明するための図２の拡大説明
図である。
【図４】側壁の接合端面を斜めに成形した他の実施例に
おける天板と側壁との接合状態を示す断面拡大説明図で
ある。
【図５】天板の内面側を成形した他の実施例における天
板と側壁との接合状態を示す断面説明図である。
【図６】天板の内面側を帯状に成形した他の実施例にお
ける天板と側壁との接合状態を示す断面説明図である。
【図７】側壁の接合端面と天板の内面側との両方を成形
した他の実施例における天板と側壁との接合状態を示す
断面説明図である。
【図８】従来技術における減圧容器の天板と側壁との接
合状態を示す断面説明図である。
【図９】従来技術における減圧容器の天板と側壁との接
合状態において、減圧時に天板が撓んだを状態を示す断
面説明図である。
【図１０】従来技術における減圧容器の天板と側壁との
接合状態において、側壁上端面内側縁部が擦り落ちた様
子を示す断面拡大説明図である。
【符号の説明】
１ プラズマエッチング装置 ２ 処理容器 ２１ 天板 ２２ 底板 ２３ 側壁 ２３ａ、２３ｂ 端面 ２４ 溝 ２５ Ｏリング ５１ ロードロック室 Ｗ ウエハ
フロントページの続き (72)発明者 石井 勝美 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 飯塚 洋二 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 容器構成材を適宜気密に接合することに
    よって構成された容器であって、前記容器構成材の少な
    くとも一部の容器構成材の接合端面内側縁が、この容器
    構成材と接続される他の容器構成材と接合される部分を
    有し、かつ前記容器構成材の接合端面に形成された溝内
    にはシール材が配されて、当該シール材によってこの接
    合部分の気密性が確保され、この容器内部が減圧自在に
    構成された減圧容器において、 前記容器構成材の接合端面におけるシール材から内側寄
    り部分と、前記他の容器構成材の内面におけるシール材
    から内側寄り部分との間に空隙を持たせたことを特徴と
    する、減圧容器。
  2. 【請求項２】 容器構成材を適宜気密に接合することに
    よって構成された容器であって、前記容器構成材の少な
    くとも一部の容器構成材の接合端面内側縁が、この容器
    構成材と接続される他の容器構成材と接合される部分を
    有し、かつ前記容器構成材の接合端面に形成された溝内
    にはシール材が配されて、当該シール材によってこの接
    合部分の気密性が確保され、この容器内部が減圧自在に
    構成された減圧容器において、 前記容器構成材の接合端面におけるシール材から内側寄
    り部分を、シール材から外側寄り部分よりも、前記他の
    容器構成材の内面と向き合う方向において短く成形し、 前記容器構成材の接合端面におけるシール材から内側寄
    り部分と、前記他の容器構成材の内面におけるシール材
    から内側寄り部分との間に空隙を持たせたことを特徴と
    する、減圧容器。
  3. 【請求項３】 前記容器構成材の接合端面におけるシー
    ル材から内側寄り部分を、シール材から外側寄り部分よ
    りも、前記他の容器構成材の内面と向き合う方向におい
    て短く成形する場合、減圧時における前記他の容器構成
    材の内側への撓みに準じて容器内側へ向けて斜めに成形
    したことを特徴とする、請求項２に記載の減圧容器。
  4. 【請求項４】 容器構成材を適宜気密に接合することに
    よって構成された容器であって、前記容器構成材の少な
    くとも一部の容器構成材の接合端面内側縁が、この容器
    構成材と接続される他の容器構成材と接合される部分を
    有し、かつ前記容器構成材の接合端面に形成された溝内
    にはシール材が配されて、当該シール材によってこの接
    合部分の気密性が確保され、この容器内部が減圧自在に
    構成された減圧容器において、 前記他の容器構成材の内面におけるシール材から内側寄
    り部分を、シール材から外側寄り部分よりも、前記容器
    構成材の接合端面と向き合う方向において短く成形し、 前記他の容器構成材の内面におけるシール材から内側寄
    り部分と、前記容器構成材の接合端面におけるシール材
    から内側寄り部分との間に空隙を持たせたことを特徴と
    する、減圧容器。
  5. 【請求項５】 前記他の容器構成材の内面におけるシー
    ル材から内側寄り部分をシール材から外側寄り部分より
    も、前記容器構成材の接合端面と向き合う方向において
    短く成形するにあたり、当該短く成形する部分は、前記
    容器構成材の接合端面内側縁に対向した部分を挟んだ帯
    状であることを特徴とする、請求項４に記載の減圧容
    器。
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