JPS5841656B2 - ハンドウタイキソウセイチヨウソウチ - Google Patents
ハンドウタイキソウセイチヨウソウチInfo
- Publication number
- JPS5841656B2 JPS5841656B2 JP11033075A JP11033075A JPS5841656B2 JP S5841656 B2 JPS5841656 B2 JP S5841656B2 JP 11033075 A JP11033075 A JP 11033075A JP 11033075 A JP11033075 A JP 11033075A JP S5841656 B2 JPS5841656 B2 JP S5841656B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stainless steel
- base
- quartz
- steel base
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体気相成長装置に関するもいである。
従来、反応室内において適当な加熱手段によって加熱さ
れる加熱板上に半導体基板を載置し、上記反応室に反応
ガスを導入し、それによって上記半導体基板に気相成長
を施すようになされた装置が提案されているが、従来の
この種装置０−例においては、上記反応室を石英ベルジ
ャでもって構成し、その石英ベルジャを基台に対してい
わゆる平面シールを介して開閉自在に締付装着するよう
になされていた。
れる加熱板上に半導体基板を載置し、上記反応室に反応
ガスを導入し、それによって上記半導体基板に気相成長
を施すようになされた装置が提案されているが、従来の
この種装置０−例においては、上記反応室を石英ベルジ
ャでもって構成し、その石英ベルジャを基台に対してい
わゆる平面シールを介して開閉自在に締付装着するよう
になされていた。
しかしながら、そのような構造では、石英ベルジャと基
台と０シ一ル機構が上述のように平面シールであるため
、反応室のガス圧が上昇した場合、石英ベルジャの上記
締付が不十分であったりすると、石英ベルジャのシール
面が、持ち上げられて外部とめリークが生じてしまい、
その結果、こり種の装置では１２００℃もの高温の水素
ガス等を使用しているがために爆発の危険が生じるとい
う重大な問題があった。
台と０シ一ル機構が上述のように平面シールであるため
、反応室のガス圧が上昇した場合、石英ベルジャの上記
締付が不十分であったりすると、石英ベルジャのシール
面が、持ち上げられて外部とめリークが生じてしまい、
その結果、こり種の装置では１２００℃もの高温の水素
ガス等を使用しているがために爆発の危険が生じるとい
う重大な問題があった。
このような問題を回避せんがために、のぞき窓を設けた
ステンレスベルジャで石英ベルジャを全体的に被い、そ
のステンレスベルジャをいわゆる側面シールを介して密
封せしめるようにして基台に開閉自在に締付装着するよ
うにした構造も提案されている。
ステンレスベルジャで石英ベルジャを全体的に被い、そ
のステンレスベルジャをいわゆる側面シールを介して密
封せしめるようにして基台に開閉自在に締付装着するよ
うにした構造も提案されている。
しかしながら、このような構造では、石英ベルジャのほ
かにそれを全体的に被うステンレスベルジャをも用いる
ものであるから、それだけ高価となり、しかも内部の石
英ベルジャを出し入れする際にそれが破損されやすいと
いう欠点もあった。
かにそれを全体的に被うステンレスベルジャをも用いる
ものであるから、それだけ高価となり、しかも内部の石
英ベルジャを出し入れする際にそれが破損されやすいと
いう欠点もあった。
従って、本発明は上述した従来技術Ｑつ難点を一掃した
半導体気相成長装置を提供することを目的とするもので
ある。
半導体気相成長装置を提供することを目的とするもので
ある。
また、本発明の他の目的は石英ヘルシャのための冷却手
段を設けることである。
段を設けることである。
以下図面を参照して本発明の実施例について説明しよう
。
。
図面において、１は本発明の装置が配設される基台であ
り、２はワークコイル３のような加熱手段によって加熱
されかつ上面に半導体基板４を載置せしめられる加熱板
である。
り、２はワークコイル３のような加熱手段によって加熱
されかつ上面に半導体基板４を載置せしめられる加熱板
である。
５はガス導入口６から矢印で示されているように導入さ
れる反応ガスを水平方向の矢印で示されているごとく噴
射するためのガスノズルであり、それによって半導体基
板４に気相成長が施されるようになされている。
れる反応ガスを水平方向の矢印で示されているごとく噴
射するためのガスノズルであり、それによって半導体基
板４に気相成長が施されるようになされている。
７は排気口である。
本実施例においては、第１図に示されているように、上
端面に水平方向Ｑつフランジ部分８ａを一体的に設けら
れた筒状のステンレス材台８を用意し、そのフランジ部
分８ａ上に平面シールのような適当なシール手段９を介
して石英ベルジャ１０を適当な締付手段１１によって半
永久的に固着せしめる。
端面に水平方向Ｑつフランジ部分８ａを一体的に設けら
れた筒状のステンレス材台８を用意し、そのフランジ部
分８ａ上に平面シールのような適当なシール手段９を介
して石英ベルジャ１０を適当な締付手段１１によって半
永久的に固着せしめる。
こめように互いに固着されたステンレス材台８と石英ベ
ルジャ１０とでもって反応室１２を構成せしめる。
ルジャ１０とでもって反応室１２を構成せしめる。
こ０場合、ステンレス材台８を、それの内表面とそれに
包囲されるようにして基台１上に設けられたシール面１
ａとの間に側面シール１３を設けそれによって反応室１
２を密封せしめうるようにして、基台１に例えばクラッ
チリングのような適当な締付装着手段１４によって開閉
自在に装着せしめるものである。
包囲されるようにして基台１上に設けられたシール面１
ａとの間に側面シール１３を設けそれによって反応室１
２を密封せしめうるようにして、基台１に例えばクラッ
チリングのような適当な締付装着手段１４によって開閉
自在に装着せしめるものである。
さらにまた、本発明によれば、石英ベルジャの外表面に
冷却ガス媒体を噴射せしめるための冷却手段１５を設け
る。
冷却ガス媒体を噴射せしめるための冷却手段１５を設け
る。
この冷却手段は第２図に示されているごとく、例えば３
個のガス供給管１５ａ、１５ｂ、１５ｃにそれぞれ連結
されかつ石英ベルジャ１０の外表面に対面する部分に多
数Ｑつガス噴射開孔を設けられた螺旋状管１５ａ′１
ｓｂ’、 １５ｃ’でもって構成されうる。
個のガス供給管１５ａ、１５ｂ、１５ｃにそれぞれ連結
されかつ石英ベルジャ１０の外表面に対面する部分に多
数Ｑつガス噴射開孔を設けられた螺旋状管１５ａ′１
ｓｂ’、 １５ｃ’でもって構成されうる。
以上の説明から明らかなごとく、本発明によれば、石英
ベルジャを固着されたステンレス材台を、垂直方向の変
位によっても密封機能を阻害さイすることのない側面シ
ールを介して、基台に開閉自在に装着するようにしたも
θつであるから、反応室内のガス圧θつ上昇によっても
ガス漏れの心配がなく、しかも本発明によるステンレス
材台は簡単な筒状体として構成されうるものであるから
、冒頭で述べたステンレスベルジャ等と比較して非常に
廉価に形成されうるものであり、従ってステンレスベル
ジャを用いる場合にくらべて装置の製造費を大幅に節減
することができるのである。
ベルジャを固着されたステンレス材台を、垂直方向の変
位によっても密封機能を阻害さイすることのない側面シ
ールを介して、基台に開閉自在に装着するようにしたも
θつであるから、反応室内のガス圧θつ上昇によっても
ガス漏れの心配がなく、しかも本発明によるステンレス
材台は簡単な筒状体として構成されうるものであるから
、冒頭で述べたステンレスベルジャ等と比較して非常に
廉価に形成されうるものであり、従ってステンレスベル
ジャを用いる場合にくらべて装置の製造費を大幅に節減
することができるのである。
さらにまた、本発明においては、石英ベルジャを冷却す
るための手段を設けたから、操作者に対する作業上の安
全をさらに確保することができる等の種々の優れた作用
効果を奏することができるもＱつである。
るための手段を設けたから、操作者に対する作業上の安
全をさらに確保することができる等の種々の優れた作用
効果を奏することができるもＱつである。
第１図は本発明Ｑ）一実施例による半導体気相成長装置
を示す概略断面図、第２図は本発明による石英ベルジャ
冷却手段の一世」を示す概略図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・加熱板、３・・・
・・・加熱手段、４・・・・・・半導体基板、５・・・
・・・ガスノスル、６・・・・・・ガス導入口、７・・
・・・・排気口、８・・・・・・ステンレス材台、９・
・・・・・シール、１０・・・・・・石英ベルジャ、１
１・・・・・・締付手段、１２・・・・・・反応室、１
３・・・・・・側面シール、１４・・・・・・締付手段
、１５・・・・・・冷却手段。
を示す概略断面図、第２図は本発明による石英ベルジャ
冷却手段の一世」を示す概略図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・加熱板、３・・・
・・・加熱手段、４・・・・・・半導体基板、５・・・
・・・ガスノスル、６・・・・・・ガス導入口、７・・
・・・・排気口、８・・・・・・ステンレス材台、９・
・・・・・シール、１０・・・・・・石英ベルジャ、１
１・・・・・・締付手段、１２・・・・・・反応室、１
３・・・・・・側面シール、１４・・・・・・締付手段
、１５・・・・・・冷却手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 筒状のステンレス材台と該ステンレス材台上に密封
固着された石英ベルジャとでもって反応室を構成し、前
記ステンレス材台を基台上に開閉自在に配設し、かつ該
ステンレス材台の内表面とそれに包囲されるようにして
前記基台上に設けられたシール面との間に側面シールを
設けることによって前記反応室を密封せしめるようにし
たことを特徴とする半導体気相成長装置。 ２ 前記石英ベルジャＱつ外表面に冷却用ガス媒体を噴
射せしめる手段を包含することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載Ｑ）半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11033075A JPS5841656B2 (ja) | 1975-09-11 | 1975-09-11 | ハンドウタイキソウセイチヨウソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11033075A JPS5841656B2 (ja) | 1975-09-11 | 1975-09-11 | ハンドウタイキソウセイチヨウソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5234669A JPS5234669A (en) | 1977-03-16 |
| JPS5841656B2 true JPS5841656B2 (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=14532993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11033075A Expired JPS5841656B2 (ja) | 1975-09-11 | 1975-09-11 | ハンドウタイキソウセイチヨウソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841656B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135021A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-22 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Lining for internal surface of welded part of steel pipe |
| JPS5983031U (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-05 | 東芝機械株式会社 | 縦型気相成長装置 |
| JPS61155377U (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-26 | ||
| JP3165322B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧容器 |
| US5676757A (en) * | 1994-03-28 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Decompression container |
| EP2487441A3 (en) * | 2005-07-21 | 2012-11-21 | Hard Technologies Pty Ltd | Duplex surface treatment of metal objects |
| JP6078407B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2017-02-08 | 古河機械金属株式会社 | ベルジャ |
-
1975
- 1975-09-11 JP JP11033075A patent/JPS5841656B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5234669A (en) | 1977-03-16 |
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