JP2586779Y2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2586779Y2
JP2586779Y2 JP8430692U JP8430692U JP2586779Y2 JP 2586779 Y2 JP2586779 Y2 JP 2586779Y2 JP 8430692 U JP8430692 U JP 8430692U JP 8430692 U JP8430692 U JP 8430692U JP 2586779 Y2 JP2586779 Y2 JP 2586779Y2
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JP
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semiconductor manufacturing
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史久 瀬成
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体製造プロセスで
使用される縦型拡散・CVD装置等の半導体製造装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】図2は従来装置の1例の要部を示す簡略
断面図で、温度校正用熱電対を装着した状態を示してい
る。図2において1はヒータ、2は均熱管、3はヒータ
ベース、4は反応管で、これらは反応炉11を構成す
る。反応炉11を構成する反応管4の下部に、ボート受
台5を載置した受けプレート7がシールパッキン6で密
閉されて固定され、ボート受台5及び受けプレート7の
中心部の挿通孔に、炉内温度校正用熱電対8が挿設され
ており、かつ受けプレート7の挿通孔との間がシールさ
れて固定されている。
【0003】反応炉11内の温度は、熱電対8により測
定される。ウェーハのプロセス処理中は、熱電対8を取
外した状態で反応炉を使用する。そのためボート受台5
及び受けプレート7の挿通孔は開いたままの状態であ
り、該挿通孔より反応ガスが外部に漏れることになるの
で、反応ガスとして危険な腐食性ガスを使用する場合
は、安全確保の観点から、ボート受台5及び受けプレー
ト7に熱電対8が挿通する挿通孔を設けず、従って炉内
温度の測定を行うことなく、ウェーハのプロセス処理を
行なっている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】上記のように従来例に
あっては、反応ガスとして危険な腐食性ガスを使用する
場合、炉内温度の測定を行うことができず、又炉内温度
の測定ができるようにすると、腐食性ガスがボート受台
5及び受けプレート7の挿通孔より漏洩することにな
り、安全が確保できず、受けプレート7及び外部周辺部
品を腐食させるという課題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本考案は、反応ガスとし
て危険な腐食性ガスを使用する場合でも、炉内温度を測
定でき、しかもボート受台5及び受けプレート7の挿通
孔より腐食性ガスが漏洩せず、安全を確保し、受けプレ
ート7及び外部周辺部品を腐食させることがない半導体
製造装置を提供しようとするものである。
【0006】即ち、本考案装置は反応炉11の下部に、
ボート受台5を載置した受けプレート7をシールパッキ
ン6で密閉して固定し、ボート受台5及び受けプレート
7の挿通孔に、炉内温度測温素子8を挿設し、かつ受け
プレート7との間をシールしてなる半導体製造装置にお
いて、ウェーハのプロセス処理中、前記測温素子8を取
り去り、前記ボート受台5の挿通孔を閉塞手段9で密閉
してなる。
【0007】
【作用】炉内温度は、ボート受台5及び受けプレート7
の挿通孔に挿設される炉内温度測温素子8により測定さ
れる。ウェーハのプロセス処理中は、ボート受台5及び
受けプレート7の挿通孔より測温素子8を取り外し、ボ
ート受台5の挿通孔に閉塞手段9を挿入して密閉し、こ
の状態に維持してウェーハがプロセス処理されることに
なる。この場合、ボート受台5の挿通孔は閉塞手段9で
密閉されているので、危険な腐食性ガスが外部に漏れる
ことがなく、安全が確保され、受けプレート7及び外部
周辺部品が腐食されることはない。
【0008】
【実施例】図1(A)は本考案装置の1実施例の要部を
示す簡略断面図で、温度校正用熱電対を装着した状態を
示す。図1(B)は同じくプロセス処理中の状態を示
す。図1において1はヒータベース3上に設置したヒー
タ、2はヒータ1の内側に同心状に配置した均熱管、4
は均熱管2の内側に同心状に配設した反応管で、これら
は反応炉11を構成する。反応炉11を構成する反応管
4の下部に、ボート受台5を載置した受けプレート7が
シールパッキン6で密閉されて固定され、ボート受台5
及び受けプレート7の中心部に挿通孔が設けられてお
り、ボート受台5の挿通孔の下端に環状突部12が設け
られている。
【0009】反応炉11内の温度を測定する際は、図1
(A)に示すようにボート受台5及び受けプレート7の
中心部の挿通孔に、炉内温度測温素子としての炉内温度
校正用熱電対8を挿設し、かつ受けプレート7の挿通孔
との間をシールして固定する。反応炉11内の温度は、
熱電対8により測定される。ウェーハのプロセス処理中
は、図1(B)に示すようにボート受台5及び受けプレ
ート7の挿通孔より熱電対8を取り外し、ボート受台5
の挿通孔に閉塞手段としての塞ぎ棒9を挿設し、かつ環
状突部12にシール用継手10を嵌着して密閉し、この
状態を維持してウェーハがプロセス処理されることにな
る。
【0010】この場合、ボート受台5の挿通孔は塞ぎ棒
9で密閉され、更に環状突部12にシール継手10が嵌
着されて確実に密閉されているで、危険な腐食性ガスが
外部に漏れることがなく、安全が確保され、受けプレー
ト7及び外部周辺部品が腐食されることはない。又、塞
ぎ棒9は炉内からの輻射熱を遮ぎる効果があり、炉内温
度分布の改善及び省エネルギーに寄与することになる。
【0011】
【考案の効果】上述のように本考案によれば、ウェーハ
のプロセス処理中は炉内温度測温素子8を取り去り、ボ
ート受台5の挿通孔を閉塞手段9で密閉してなるので、
危険な腐食性ガスが外部に漏れることがなく、安全を確
保でき受けプレート7及び外部周辺部品を腐食するおそ
れがないばかりでなく、閉塞手段9の装着により炉内温
度分布の改善及び省エネルギーに寄与することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本考案装置の1実施例の要部を示す簡
略断面図で、温度校正用熱電対を装着した状態を示す。 (B)は同じくプロセス処理中の状態を示す。
【図2】従来装置の1例の要部を示す簡略断面図で、温
度校正用熱電対を装着した状態を示す。
【符号の説明】
5 ボート受台 7 受けプレート 8 炉内温度校正用測温素子(熱電対) 9 閉塞手段(塞ぎ棒) 10 シール用継手 11 反応炉 12 環状突部

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反応炉の下部に、ボート受台を載置した
    受けプレートをシールパッキンで密閉して固定し、ボー
    ト受台及び受けプレートの挿入孔に、炉内温度測温素子
    を挿設し、かつ受けプレートとの間をシールしてなる半
    導体製造装置において、ウェーハのプロセス処理中、前
    記測温素子を取り去り、前記ボート受台の挿通孔を閉塞
    手段で密閉してなる半導体製造装置。
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