JPH06244464A - 半導体製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構 - Google Patents
半導体製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構Info
- Publication number
- JPH06244464A JPH06244464A JP5046097A JP4609793A JPH06244464A JP H06244464 A JPH06244464 A JP H06244464A JP 5046097 A JP5046097 A JP 5046097A JP 4609793 A JP4609793 A JP 4609793A JP H06244464 A JPH06244464 A JP H06244464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- protection tube
- hollow
- thermocouple protection
- seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱電対保護管の破損によって，外気がプロセ
ス室内に吸入され，又はプロセス室から大気へ流出する
危険なガスにより生じる爆発事故を防止する。また，熱
電対保護管を着脱自在にした。 【構成】 温度検出用の熱電対を内蔵した熱電対保護
管，たとえば熱電対保護管４ａ1の外気側の突出部を熱
電対ポ−ト９の内周に装着したプラグ１４とＯリング１
８，押金１６と袋ナット１７より成る第１のシ−ル部分
により封入し，上記熱電対保護管４ａ1に封入される熱
電対に接続されたリ−ド線Ｌ1は第１のシ−ル部分の押
金１６の中空部に連通する部分にリリ−フバルブ２０を
介して連結されたプラグ２２とＯリング２４を介して締
め付ける袋ナット２３より成る第２のシ−ル部分とによ
り封入して，密封構造に構成した。又，リリ−フバルブ
２０は押金１６とプラグ２２と連通する中空部を備えた
本体２１とこの本体２１をばね２８を介してＯリング２
５で圧着している蓋板２６とより構成した。
ス室内に吸入され，又はプロセス室から大気へ流出する
危険なガスにより生じる爆発事故を防止する。また，熱
電対保護管を着脱自在にした。 【構成】 温度検出用の熱電対を内蔵した熱電対保護
管，たとえば熱電対保護管４ａ1の外気側の突出部を熱
電対ポ−ト９の内周に装着したプラグ１４とＯリング１
８，押金１６と袋ナット１７より成る第１のシ−ル部分
により封入し，上記熱電対保護管４ａ1に封入される熱
電対に接続されたリ−ド線Ｌ1は第１のシ−ル部分の押
金１６の中空部に連通する部分にリリ−フバルブ２０を
介して連結されたプラグ２２とＯリング２４を介して締
め付ける袋ナット２３より成る第２のシ−ル部分とによ
り封入して，密封構造に構成した。又，リリ−フバルブ
２０は押金１６とプラグ２２と連通する中空部を備えた
本体２１とこの本体２１をばね２８を介してＯリング２
５で圧着している蓋板２６とより構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェ−ハの表面処
理を行うＣＶＤ装置等の半導体製造装置に関し，更に詳
しくは，そのプロセス室で温度制御用として使用される
熱電対の保護用として設けられる熱電対保護管の熱電対
ポ−ト部分におけるシ−ル機構の改良に関する。
理を行うＣＶＤ装置等の半導体製造装置に関し，更に詳
しくは，そのプロセス室で温度制御用として使用される
熱電対の保護用として設けられる熱電対保護管の熱電対
ポ−ト部分におけるシ−ル機構の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず，本発明の技術背景となるＣＶＤ装
置における加熱炉の概略構造を図４により説明する。同
図において，１は加熱炉で，その円筒状で断面コ字状の
炉壁２に垂直方向にヒ−タ３が配置される。このヒ−タ
３は複数個たとえば，６個のタップ端子により５個のヒ
−タ部分３ａ1〜３ａ5に分割され，更に，各ヒ−タ部分
３ａ1〜３ａ5にはこれらの各ヒ−タ部分の温度検出用の
熱電対ｈ1〜ｈ5を内蔵した熱電対保護管４ａ1〜４ａ
5（但し，４ａ4，４ａ5は図示せず）が加熱工程におい
て上昇されるウェ−ハボ−ト（図示しない）に対して等
距離となるように同一円周上に所定間隔で配置され，こ
れらの熱電対の温度を常時監視制御することによりプロ
セス室５の標準加熱ゾ−ンＨが例えば６５０℃±０．５
℃に均一に加熱されるように温度制御を行うようになっ
ている。なお，図４においては，簡単のため，熱電対保
護管４ａ1〜４ａ3は，これに収納される熱電対ｈ1〜ｈ3
のみを表示し，これらの熱電対に接続されるリ−ド線は
図示を省略して描いている。また，７はアウタチュ−
ブ，８はインナチュ−ブで，インナチュ−ブ８内に配置
されるウェ−ハボ−ト（図示せず）に収納さられたウェ
−ハ（図示せず）に対してモノシランガス（Ｓｉ
Ｈ4），ホスフィンガス（ＰＨ3）などのガスが図示しな
い供給口から送られて，ウェ−ハに対して気相成長膜
（たとえば，ポリシリコン膜，窒化膜）が生成するよう
な表面処理を行う。なお，前記のガスはいずれも有毒で
自然発火性のものである。
置における加熱炉の概略構造を図４により説明する。同
図において，１は加熱炉で，その円筒状で断面コ字状の
炉壁２に垂直方向にヒ−タ３が配置される。このヒ−タ
３は複数個たとえば，６個のタップ端子により５個のヒ
−タ部分３ａ1〜３ａ5に分割され，更に，各ヒ−タ部分
３ａ1〜３ａ5にはこれらの各ヒ−タ部分の温度検出用の
熱電対ｈ1〜ｈ5を内蔵した熱電対保護管４ａ1〜４ａ
5（但し，４ａ4，４ａ5は図示せず）が加熱工程におい
て上昇されるウェ−ハボ−ト（図示しない）に対して等
距離となるように同一円周上に所定間隔で配置され，こ
れらの熱電対の温度を常時監視制御することによりプロ
セス室５の標準加熱ゾ−ンＨが例えば６５０℃±０．５
℃に均一に加熱されるように温度制御を行うようになっ
ている。なお，図４においては，簡単のため，熱電対保
護管４ａ1〜４ａ3は，これに収納される熱電対ｈ1〜ｈ3
のみを表示し，これらの熱電対に接続されるリ−ド線は
図示を省略して描いている。また，７はアウタチュ−
ブ，８はインナチュ−ブで，インナチュ−ブ８内に配置
されるウェ−ハボ−ト（図示せず）に収納さられたウェ
−ハ（図示せず）に対してモノシランガス（Ｓｉ
Ｈ4），ホスフィンガス（ＰＨ3）などのガスが図示しな
い供給口から送られて，ウェ−ハに対して気相成長膜
（たとえば，ポリシリコン膜，窒化膜）が生成するよう
な表面処理を行う。なお，前記のガスはいずれも有毒で
自然発火性のものである。
【０００３】ところで，従来のＣＶＤ装置の熱電対保護
管のシ−ル機構は次のように構成されていた。図３は従
来のものの熱電対ポ−ト９付近を示す図４で一点鎖線で
示したＡ部分の拡大詳細図で，同図に示すように，アウ
タチュ−ブ７を受ける環状のマニホ−ルド１０と，イン
ナチュ−ブ８を受けるマニホ−ルド１１とはボルト（図
示せず）で結合され，マニホ−ルド１１の下部には円板
状のマニホ−ルドキャップ１１ａが接合され，マニホ−
ルド１０には５個の熱電対保護管４ａ1〜４ａ5の延長部
（突出部）を貫通支持する熱電対ポ−ト９が半径方向の
水平位置に設けられ，熱電対ポ−ト９に設けられるプラ
グ１４の中心穴１４ａを貫通する石英製の熱電対保護管
（熱電対保護管４ａ1を代表で示す）は押金１６が袋ナ
ット１７を締めることによりＯリング１８でアウタチュ
−ブ７内を外気に対しシ−ルするように構成されてい
た。
管のシ−ル機構は次のように構成されていた。図３は従
来のものの熱電対ポ−ト９付近を示す図４で一点鎖線で
示したＡ部分の拡大詳細図で，同図に示すように，アウ
タチュ−ブ７を受ける環状のマニホ−ルド１０と，イン
ナチュ−ブ８を受けるマニホ−ルド１１とはボルト（図
示せず）で結合され，マニホ−ルド１１の下部には円板
状のマニホ−ルドキャップ１１ａが接合され，マニホ−
ルド１０には５個の熱電対保護管４ａ1〜４ａ5の延長部
（突出部）を貫通支持する熱電対ポ−ト９が半径方向の
水平位置に設けられ，熱電対ポ−ト９に設けられるプラ
グ１４の中心穴１４ａを貫通する石英製の熱電対保護管
（熱電対保護管４ａ1を代表で示す）は押金１６が袋ナ
ット１７を締めることによりＯリング１８でアウタチュ
−ブ７内を外気に対しシ−ルするように構成されてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の熱電
対保護管のシ−ル機構は完全密封構造の機構ではなかっ
たため，プロセス室からの有毒なガスが流れ出したり，
あるいはプロセス室内に酸素が流入することに伴う引
火，爆発等の恐れがあった。このため，熱電対保護管の
シ−ル機構を完全密封構造とする必要があるが，唯単に
完全密封構造にしただけでは熱電対保護管内に存在する
空気が加熱炉からの熱気によって膨張した場合，この空
気の膨張によって保護管を破損させる場合が生じ，プロ
セス室内でＣＶＤ処理を行うために室内が減圧状態のと
きには，酸素を含む外気がプロセス室内に吸入されるか
ら，プロセス室内の前記したガスが引火，爆発する恐れ
があった。また，プロセス室で酸化・拡散の処理を行っ
ている場合には，同室内は減圧されていないため，プロ
セス室内の前記の有毒なガスが熱電対保護管に沿ってプ
ロセス室から大気へ流出し，引火，爆発に至る事故を生
ずる恐れがあった。本発明は従来のものの上記課題（問
題点）を解決するようにした半導体製造装置における熱
電対保護管のシ−ル機構を提供することを目的とする。
対保護管のシ−ル機構は完全密封構造の機構ではなかっ
たため，プロセス室からの有毒なガスが流れ出したり，
あるいはプロセス室内に酸素が流入することに伴う引
火，爆発等の恐れがあった。このため，熱電対保護管の
シ−ル機構を完全密封構造とする必要があるが，唯単に
完全密封構造にしただけでは熱電対保護管内に存在する
空気が加熱炉からの熱気によって膨張した場合，この空
気の膨張によって保護管を破損させる場合が生じ，プロ
セス室内でＣＶＤ処理を行うために室内が減圧状態のと
きには，酸素を含む外気がプロセス室内に吸入されるか
ら，プロセス室内の前記したガスが引火，爆発する恐れ
があった。また，プロセス室で酸化・拡散の処理を行っ
ている場合には，同室内は減圧されていないため，プロ
セス室内の前記の有毒なガスが熱電対保護管に沿ってプ
ロセス室から大気へ流出し，引火，爆発に至る事故を生
ずる恐れがあった。本発明は従来のものの上記課題（問
題点）を解決するようにした半導体製造装置における熱
電対保護管のシ−ル機構を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために，半導体製造装置における加熱炉用のヒ−タ
の近傍に配置される温度検出用の熱電対を内蔵した熱電
対保護管のシ−ル機構であって，熱電対保護管の外気側
の突出部を熱電対ポ−トの内周に装着したプラグとＯリ
ング，中空の押金とこの押金及び前記プラグを締め付け
る袋ナットより成る第１のシ−ル部分により封入し，完
全密封構造とされた上記熱電対保護管に封入される熱電
対に接続されたリ−ド線は第１のシ−ル部分の押金の中
空部に連通する部分にリリ−フバルブを介して連結され
た中空のプラグとＯリングを介して締め付ける袋ナット
より成る第２のシ−ル部分とにより封入し，上記熱電対
保護管内の空気が所定以上に膨張したときは上記リリ−
フバルブからその膨張した空気を外気中に釈放するよう
に構成した。この場合，上記加熱炉用ヒ−タが複数ゾ−
ンに分割される場合には，各ゾ−ン毎の温度検出用とし
て上記ヒ−タのゾ−ンと同数の熱電対保護管を配置し，
これらの熱電対保護管の外気側突出部及び熱電対のリ−
ド線の熱電対ポ−ト部におけるシ−ル機構を上記第１，
第２のシ−ル部分により構成することが望ましい。ま
た，上記リリ−フバルブは第１のシ−ル部分を構成する
中空の押金と第２のシ−ル部分を構成する中空のプラグ
と連通する中空部を備えた本体とこの本体をばねを介し
てＯリングで圧着している蓋板とより成り，上記蓋板を
本体の中空部内の空気圧が大となつたときは上記ばねに
抗して蓋板を上方向に押し上げて外気との連通をするよ
うに構成することが望ましい。
するために，半導体製造装置における加熱炉用のヒ−タ
の近傍に配置される温度検出用の熱電対を内蔵した熱電
対保護管のシ−ル機構であって，熱電対保護管の外気側
の突出部を熱電対ポ−トの内周に装着したプラグとＯリ
ング，中空の押金とこの押金及び前記プラグを締め付け
る袋ナットより成る第１のシ−ル部分により封入し，完
全密封構造とされた上記熱電対保護管に封入される熱電
対に接続されたリ−ド線は第１のシ−ル部分の押金の中
空部に連通する部分にリリ−フバルブを介して連結され
た中空のプラグとＯリングを介して締め付ける袋ナット
より成る第２のシ−ル部分とにより封入し，上記熱電対
保護管内の空気が所定以上に膨張したときは上記リリ−
フバルブからその膨張した空気を外気中に釈放するよう
に構成した。この場合，上記加熱炉用ヒ−タが複数ゾ−
ンに分割される場合には，各ゾ−ン毎の温度検出用とし
て上記ヒ−タのゾ−ンと同数の熱電対保護管を配置し，
これらの熱電対保護管の外気側突出部及び熱電対のリ−
ド線の熱電対ポ−ト部におけるシ−ル機構を上記第１，
第２のシ−ル部分により構成することが望ましい。ま
た，上記リリ−フバルブは第１のシ−ル部分を構成する
中空の押金と第２のシ−ル部分を構成する中空のプラグ
と連通する中空部を備えた本体とこの本体をばねを介し
てＯリングで圧着している蓋板とより成り，上記蓋板を
本体の中空部内の空気圧が大となつたときは上記ばねに
抗して蓋板を上方向に押し上げて外気との連通をするよ
うに構成することが望ましい。
【０００６】
【作用】本発明のものでは，熱電対保護管のシ−ル機構
を完全密封構造としたから，万一プロセス室内の有毒ガ
スが洩れるような事態が生じても大気側への流出や引
火，爆発が防止される。また，本発明の熱電対保護管の
シ−ル機構では，基部に設けられた第１のシ−ル部とこ
れに連通しリリ−フバルブが設けられた第２のシ−ル部
から構成されるから，たとえ，熱電対保護管内に存在し
た空気が温度上昇によって膨張することがあってもリリ
−フバルブから大気へ逃げるようになっており，熱電対
保護管を破損し，加熱炉のプロセス室内の危険なガスに
引火し，爆発するような事態には至らない。さらに，本
発明の熱電対保護管のシ−ル機構では，熱電対保護管の
熱電対ポ−ト部からの着脱を袋ナットの締め付け，緩め
の各操作によって容易に行えるから，定期的に熱電対保
護管を取り外して洗浄することにより熱電対保護管の表
面に付着された保護膜を取り除くことできる。
を完全密封構造としたから，万一プロセス室内の有毒ガ
スが洩れるような事態が生じても大気側への流出や引
火，爆発が防止される。また，本発明の熱電対保護管の
シ−ル機構では，基部に設けられた第１のシ−ル部とこ
れに連通しリリ−フバルブが設けられた第２のシ−ル部
から構成されるから，たとえ，熱電対保護管内に存在し
た空気が温度上昇によって膨張することがあってもリリ
−フバルブから大気へ逃げるようになっており，熱電対
保護管を破損し，加熱炉のプロセス室内の危険なガスに
引火し，爆発するような事態には至らない。さらに，本
発明の熱電対保護管のシ−ル機構では，熱電対保護管の
熱電対ポ−ト部からの着脱を袋ナットの締め付け，緩め
の各操作によって容易に行えるから，定期的に熱電対保
護管を取り外して洗浄することにより熱電対保護管の表
面に付着された保護膜を取り除くことできる。
【０００７】
【実施例】次に，本発明の一実施例を図１に，また図１
のＣ矢視図を図２に示した。なお，従来のものと同等の
部分には図３と同一の符号を付して示した。図１，図２
は１個の熱電対保護管４ａ1についてのシ−ル機構を代
表して示すもので，他の熱電対保護管４ａ2〜４ａ5につ
いても同様のシ−ル機構とするものである。即ち，同図
に示すように，熱電対保護管４ａ1のＬ字状に湾曲する
突出部は，熱電対ポ−ト９の内周部に挿着されたプラグ
１４とＯリング１８，中空の押金１６とこの押金１６及
びプラグ１４を締め付ける袋ナット１７より成る第１の
シ−ル部分により封入され，また熱電対保護管４ａ1に
封入される熱電対ｈ1に補償巻線等を介して接続された
リ−ド線Ｌ1の先端部は第１のシ−ル部分の押金１６の
中空部に連通する部分にリリ−フバルブ２０の本体２１
の中空部を経て，この本体２１と連結された中空のプラ
グ２２とＯリング２４を介して締め付ける袋ナット２３
より成る第２のシ−ル部分とにより封入されている。な
お，押金１６の外端部にリリ−フバルブ２０の立方形の
本体２１が溶接により固定され，本体２１の反対側にプ
ラグ２２が溶接で固定されている。また，リリ−フバル
ブ２０は図２に示すように第１のシ−ル部を構成する中
空の押金１６と第２のシ−ル部を構成する中空のプラグ
２２と連通する中空部を備えた本体２１とこの本体２１
をばね２８を介してＯリング２５で圧着している蓋板２
６とより成り，この蓋板２６を本体２１の中空部内の空
気圧が大となったときは，ばね２８のばね圧に抗して蓋
板２６を上方向（図１では下方向）に押し上げて熱電対
保護管の中空部と連通する本体２１中空部と外気とが連
通をするように構成されている。なお，本実施例のもの
では，図１及び図２に示すように，ばね２８は４個設け
られ，各ばね２８は夫々心棒となる４本の頭付きピン２
７を蓋板２６に取付けることにより本体２１のリ−ド線
Ｌ1と平行な側面にはＯリング２５を抑える蓋板２６を
図１において上下方向に可動自在となるようばね２８で
本体２１を押しつけるように構成している。なお，熱電
対保護管４ａ1の熱電対ポ−ト９に対する着脱は，上記
構成から分かる通り，袋ナット１７を締め付け，または
緩める各操作によって行うことができるようになってい
る。
のＣ矢視図を図２に示した。なお，従来のものと同等の
部分には図３と同一の符号を付して示した。図１，図２
は１個の熱電対保護管４ａ1についてのシ−ル機構を代
表して示すもので，他の熱電対保護管４ａ2〜４ａ5につ
いても同様のシ−ル機構とするものである。即ち，同図
に示すように，熱電対保護管４ａ1のＬ字状に湾曲する
突出部は，熱電対ポ−ト９の内周部に挿着されたプラグ
１４とＯリング１８，中空の押金１６とこの押金１６及
びプラグ１４を締め付ける袋ナット１７より成る第１の
シ−ル部分により封入され，また熱電対保護管４ａ1に
封入される熱電対ｈ1に補償巻線等を介して接続された
リ−ド線Ｌ1の先端部は第１のシ−ル部分の押金１６の
中空部に連通する部分にリリ−フバルブ２０の本体２１
の中空部を経て，この本体２１と連結された中空のプラ
グ２２とＯリング２４を介して締め付ける袋ナット２３
より成る第２のシ−ル部分とにより封入されている。な
お，押金１６の外端部にリリ−フバルブ２０の立方形の
本体２１が溶接により固定され，本体２１の反対側にプ
ラグ２２が溶接で固定されている。また，リリ−フバル
ブ２０は図２に示すように第１のシ−ル部を構成する中
空の押金１６と第２のシ−ル部を構成する中空のプラグ
２２と連通する中空部を備えた本体２１とこの本体２１
をばね２８を介してＯリング２５で圧着している蓋板２
６とより成り，この蓋板２６を本体２１の中空部内の空
気圧が大となったときは，ばね２８のばね圧に抗して蓋
板２６を上方向（図１では下方向）に押し上げて熱電対
保護管の中空部と連通する本体２１中空部と外気とが連
通をするように構成されている。なお，本実施例のもの
では，図１及び図２に示すように，ばね２８は４個設け
られ，各ばね２８は夫々心棒となる４本の頭付きピン２
７を蓋板２６に取付けることにより本体２１のリ−ド線
Ｌ1と平行な側面にはＯリング２５を抑える蓋板２６を
図１において上下方向に可動自在となるようばね２８で
本体２１を押しつけるように構成している。なお，熱電
対保護管４ａ1の熱電対ポ−ト９に対する着脱は，上記
構成から分かる通り，袋ナット１７を締め付け，または
緩める各操作によって行うことができるようになってい
る。
【０００８】次に，作用を説明すると，熱電対ポ−ト９
における各熱電対保護管４ａ1〜４ａ5のシ−ルは夫々熱
電対保護管４ａ1で代表して示したように第１のシ−ル
部のＯリング１８の部分により行われ，さらに，この熱
電対保護管４ａ1〜４ａ5の先端部から突出されるリ−ド
線Ｌ1〜Ｌ5のシ−ルは第２のシ−ル部のＯリング２４の
部分によって行われ，各熱電対保護管４ａ1〜４ａ5内に
存在する空気が所定値以上に熱膨張し，それらの空気圧
が増大しようとした場合には，それらの空気圧によって
各保護管４ａ1〜４ａ5の外気側の第１のシ−ル部と第２
のシ−ル部の中間に設けられたリリ−フバルブ２０の蓋
板２６をばね２８に抗して上方向（図１では下方向）に
押し上げることで外気と連通する開口部を自動的に生じ
させて，外気へと各熱電対保護管４ａ1〜４ａ5内の膨張
した空気を逃がすようにしているから各保護管４ａ1〜
４ａ5が破損し，プロセス室内への外気の吸入や，プロ
セス室内からの危険なガスの流出により，引火爆発のよ
うな危険な事態は生じない。また，各熱電対保護管４ａ
1〜４ａ5の熱電対ポ−ト９からの着脱は袋ナットの操作
によって容易に行えるから，定期的に熱電対保護管を取
り外して洗浄することにより各熱電対保護管４ａ1〜４
ａ5の表面に付着された保護膜を取り除くことができ
る。
における各熱電対保護管４ａ1〜４ａ5のシ−ルは夫々熱
電対保護管４ａ1で代表して示したように第１のシ−ル
部のＯリング１８の部分により行われ，さらに，この熱
電対保護管４ａ1〜４ａ5の先端部から突出されるリ−ド
線Ｌ1〜Ｌ5のシ−ルは第２のシ−ル部のＯリング２４の
部分によって行われ，各熱電対保護管４ａ1〜４ａ5内に
存在する空気が所定値以上に熱膨張し，それらの空気圧
が増大しようとした場合には，それらの空気圧によって
各保護管４ａ1〜４ａ5の外気側の第１のシ−ル部と第２
のシ−ル部の中間に設けられたリリ−フバルブ２０の蓋
板２６をばね２８に抗して上方向（図１では下方向）に
押し上げることで外気と連通する開口部を自動的に生じ
させて，外気へと各熱電対保護管４ａ1〜４ａ5内の膨張
した空気を逃がすようにしているから各保護管４ａ1〜
４ａ5が破損し，プロセス室内への外気の吸入や，プロ
セス室内からの危険なガスの流出により，引火爆発のよ
うな危険な事態は生じない。また，各熱電対保護管４ａ
1〜４ａ5の熱電対ポ−ト９からの着脱は袋ナットの操作
によって容易に行えるから，定期的に熱電対保護管を取
り外して洗浄することにより各熱電対保護管４ａ1〜４
ａ5の表面に付着された保護膜を取り除くことができ
る。
【０００９】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置における熱電対
保護管は，上述のようなシ−ル機構の構成となっている
から，次のような優れた効果を生じる。 本発明のものでは，完全密封構造にしたから，万一プ
ロセス室内の有毒ガスが洩れるような事態が生じても大
気側への流出や引火，爆発が防止される。 また，本発明では完全密封構造としたが，熱電対保護
管内に存在した空気が温度上昇によって膨張することが
あっても，その空気はリリ−フバルブから大気へ自動的
に釈放され，熱電対保護管を破裂させることが事前に防
止されるから，外気がプロセス室内に吸入されたり，ま
た，プロセス室内からモノシランガス等の危険なガスが
流出することにより，引火，爆発するような恐れはなく
なった。 さらに，本発明のものでは熱電対保護管は熱電対ポ−
ト部から袋ナットの操作によって容易に着脱できるた
め，熱電対保護管の洗浄を容易に行うことができ，従っ
て，熱電対保護管に付着される保護膜により熱電対保護
管が破裂されるような事態も事前に防止できる。
保護管は，上述のようなシ−ル機構の構成となっている
から，次のような優れた効果を生じる。 本発明のものでは，完全密封構造にしたから，万一プ
ロセス室内の有毒ガスが洩れるような事態が生じても大
気側への流出や引火，爆発が防止される。 また，本発明では完全密封構造としたが，熱電対保護
管内に存在した空気が温度上昇によって膨張することが
あっても，その空気はリリ−フバルブから大気へ自動的
に釈放され，熱電対保護管を破裂させることが事前に防
止されるから，外気がプロセス室内に吸入されたり，ま
た，プロセス室内からモノシランガス等の危険なガスが
流出することにより，引火，爆発するような恐れはなく
なった。 さらに，本発明のものでは熱電対保護管は熱電対ポ−
ト部から袋ナットの操作によって容易に着脱できるた
め，熱電対保護管の洗浄を容易に行うことができ，従っ
て，熱電対保護管に付着される保護膜により熱電対保護
管が破裂されるような事態も事前に防止できる。
【図１】本発明の一実施例を示す要部の縦断正面図であ
る。
る。
【図２】図１におけるＣ矢視図である。
【図３】従来のＣＶＤ装置の熱電対ポ−ト付近の縦断正
面図である。
面図である。
【図４】ＣＶＤ装置における加熱炉の概略構成図であ
る。
る。
４ａ1：熱電対保護管 ９：熱電対ポ−ト １４，２２：プラグ １６：押金 １７，２３：袋ナット １８，２４：Ｏリング ２０：リリ−フバルブ ２１：本体 ２５：Ｏリング ２６：蓋板 ２８：ばね Ｌ1：リ−ド線
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体製造装置における加熱炉用のヒ−
タの近傍に配置される温度検出用の熱電対を内蔵した熱
電対保護管のシ−ル機構であって，熱電対保護管の外気
側の突出部を熱電対ポ−トの内周に装着したプラグとＯ
リング，中空の押金とこの押金及び前記プラグを締め付
ける袋ナットより成る第１のシ−ル部分により封入し，
上記熱電対保護管に封入される熱電対に接続されたリ−
ド線は第１のシ−ル部分の押金の中空部に連通する部分
にリリ−フバルブを介して連結された中空のプラグとＯ
リングを介して締め付ける袋ナットより成る第２のシ−
ル部分とにより封入し，完全密封構造とされた上記熱電
対保護管内の空気が所定以上に膨張したときは上記リリ
−フバルブからその膨張した空気を外気中に釈放するよ
うにしたことを特徴とする半導体製造装置における熱電
対保護管のシ−ル機構。 - 【請求項２】 上記加熱炉用ヒ−タが複数ゾ−ンに分割
される場合には，各ゾ−ン毎の温度検出用として上記ヒ
−タのゾ−ンと同数の熱電対保護管を配置し，これらの
熱電対保護管の外気側突出部及び熱電対のリ−ド線の熱
電対ポ−ト部におけるシ−ル機構を請求項１記載の第
１，第２のシ−ル部分により構成するようにした半導体
製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構。 - 【請求項３】 上記リリ−フバルブは第１のシ−ル部分
を構成する中空の押金と第２のシ−ル部分を構成する中
空のプラグと連通する中空部を備えた本体とこの本体を
ばねを介してＯリングで圧着している蓋板とより成り，
上記蓋板を本体の中空部内の空気圧が大となったときは
上記ばねに抗して蓋板を上方向に押し上げて外気との連
通をするようにした請求項１または２記載の半導体製造
装置における熱電対保護管のシ−ル機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046097A JPH06244464A (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 半導体製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046097A JPH06244464A (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 半導体製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244464A true JPH06244464A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12737493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5046097A Pending JPH06244464A (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 半導体製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011504577A (ja) * | 2007-08-06 | 2011-02-10 | エスケー エナジー 株式会社 | 背の高い外部構造を有する水素添加による残留硫黄の脱硫のためのサーモウエル複合型装置 |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP5046097A patent/JPH06244464A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011504577A (ja) * | 2007-08-06 | 2011-02-10 | エスケー エナジー 株式会社 | 背の高い外部構造を有する水素添加による残留硫黄の脱硫のためのサーモウエル複合型装置 |
| KR101133841B1 (ko) * | 2007-08-06 | 2012-04-06 | 에스케이에너지 주식회사 | 탈황공정용 고압반응기의 열전대 차폐장치 |
| US8784751B2 (en) | 2007-08-06 | 2014-07-22 | SK Innovation Co., Inc. | Thermowell compound apparatus of high shell for residue hydrogen desulfurization |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05500106A (ja) | 炎遮断プラグを備えた圧力トランスミッタ | |
| JP2013515960A (ja) | 火炎検出装置 | |
| US6063198A (en) | High pressure release device for semiconductor fabricating equipment | |
| JP3468577B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US5303558A (en) | Thermal trap for gaseous materials | |
| JPH06244464A (ja) | 半導体製造装置における熱電対保護管のシ−ル機構 | |
| US20030015142A1 (en) | Apparatus for fabricating a semiconductor device | |
| JPH04225788A (ja) | 真空中での連続鋼帯等の加熱装置 | |
| JP2585962B2 (ja) | 高圧酸化炉 | |
| JPS5841656B2 (ja) | ハンドウタイキソウセイチヨウソウチ | |
| JP2586779Y2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2678184B2 (ja) | 酸化炉 | |
| JP2009129925A (ja) | 基板処理装置及び基板の処理方法 | |
| JP3227280B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2000058459A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JPH0997767A (ja) | 半導体製造装置の縦型炉 | |
| JPS626342B2 (ja) | ||
| JP3055797B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH0773100B2 (ja) | 半導体気相成長システムの保安方法 | |
| JPH07302790A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH03185715A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20050035449A (ko) | 반도체 소자 제조 설비 | |
| JP4509439B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH04162517A (ja) | 減圧処理装置及び減圧処理容器への熱電対導入チューブの取付方法 | |
| JP2619699B2 (ja) | 酸化装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |