JPH03185715A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03185715A JPH03185715A JP32443989A JP32443989A JPH03185715A JP H03185715 A JPH03185715 A JP H03185715A JP 32443989 A JP32443989 A JP 32443989A JP 32443989 A JP32443989 A JP 32443989A JP H03185715 A JPH03185715 A JP H03185715A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、半導体製造装置に関するものである。
第４図は従来の横型の減圧下における化学的気相成長（
Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；以下ＬＰ−ＣＶＤと称
す）装置を示す。
Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；以下ＬＰ−ＣＶＤと称
す）装置を示す。
図において、１はガス導入管、２は反応ガス、３は反応
管、４はヒータ、５は被処理ウェハ、６はウェハボート
、７はガス排出管、８は反応管排出ガス、９は真空ポン
プ、１０はボンフ保護用あみである。
管、４はヒータ、５は被処理ウェハ、６はウェハボート
、７はガス排出管、８は反応管排出ガス、９は真空ポン
プ、１０はボンフ保護用あみである。
次に動作について説明する。第４図に示すＬＰＧＶＤ装
置において、ガス導入管１より導入された反応ガス２は
ヒータ４により熱せられた反応管３内に導入され、化学
反応を行い、ウェハボート６に並んだ被処理ウェハ５上
に底膜が行われる。
置において、ガス導入管１より導入された反応ガス２は
ヒータ４により熱せられた反応管３内に導入され、化学
反応を行い、ウェハボート６に並んだ被処理ウェハ５上
に底膜が行われる。
反応後あるいは未反応のガスはガス排出管７を通じて反
応管排出ガス８となり、真空ポンプ１ｏにより半導体製
造装置から排出される。このとき反応管３内はヒータ４
により４００ ”Ｃ以上に加熱されているが、反応管３
からのガス排出管７および真空ポンプ９は室温（約２５
°Ｃ）にさらされている。
応管排出ガス８となり、真空ポンプ１ｏにより半導体製
造装置から排出される。このとき反応管３内はヒータ４
により４００ ”Ｃ以上に加熱されているが、反応管３
からのガス排出管７および真空ポンプ９は室温（約２５
°Ｃ）にさらされている。
従来の装置は以上のように構成されているが、この装置
では反応管３内が４００°Ｃ以上であるのに対し、ガス
排出管７および真空ポンプ９は室温（約２５°Ｃ）にさ
らされているため、反応管排出ガス８が急激な温度差に
よりガス排出管７の内壁に析出しこびりつく、あるいは
真空ポンプ９を異物等から保護する意味で取りつけられ
ているポンプ保護用あみ１０に析出しこびりつくという
ことが生じ、放っておくとポンプ保護用あみｌＯが目詰
まりする、あるいはガス排出管７の内逢か細くなり、真
空度が悪くなるという問題点があった。
では反応管３内が４００°Ｃ以上であるのに対し、ガス
排出管７および真空ポンプ９は室温（約２５°Ｃ）にさ
らされているため、反応管排出ガス８が急激な温度差に
よりガス排出管７の内壁に析出しこびりつく、あるいは
真空ポンプ９を異物等から保護する意味で取りつけられ
ているポンプ保護用あみ１０に析出しこびりつくという
ことが生じ、放っておくとポンプ保護用あみｌＯが目詰
まりする、あるいはガス排出管７の内逢か細くなり、真
空度が悪くなるという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、排出ガスがガス排出管の内壁あるいはポンプ保
護用あみ等に析出しこびりつくのを防ぐことのできる半
導体製造装置を得ることを目的としている。
もので、排出ガスがガス排出管の内壁あるいはポンプ保
護用あみ等に析出しこびりつくのを防ぐことのできる半
導体製造装置を得ることを目的としている。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体製造装置は、反応室出口から真空
ポンプを経て排気に至るまでの排管を、該配管に析出し
、目詰まりが予想される物質のタンマン温度（物質の融
点を絶対温度で測ったものの２／３の温度）以上の保つ
配管加熱装置を設けたものである。
ポンプを経て排気に至るまでの排管を、該配管に析出し
、目詰まりが予想される物質のタンマン温度（物質の融
点を絶対温度で測ったものの２／３の温度）以上の保つ
配管加熱装置を設けたものである。
この発明においては、反応室出口から真空ポンプを経て
排気に至るまでの配管が、析出し目詰まりをか予想され
る物質のタンマン温度以上に保たれるので、該物質がガ
ス排出管の内壁にこびりつく、あるいはポンプ保護用あ
みにこびりつくことがなくなる。
排気に至るまでの配管が、析出し目詰まりをか予想され
る物質のタンマン温度以上に保たれるので、該物質がガ
ス排出管の内壁にこびりつく、あるいはポンプ保護用あ
みにこびりつくことがなくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の断
面図を示し、第２図は第１図の半導体製造装置を横型Ｌ
Ｐ−ＣＶＤ装置に適用したときの様子を示したものであ
る。
面図を示し、第２図は第１図の半導体製造装置を横型Ｌ
Ｐ−ＣＶＤ装置に適用したときの様子を示したものであ
る。
次に動作について説明する。第２図に示す横型り、Ｐ−
ＣＶＤ装置において、ガス導入管１より導入された反応
ガス２はヒータ４により熱せられた反応管３内に導入さ
れ、化学反応を行い、ウェハボート６に並んだ被処理ウ
ェハ５上に底膜が行われる。反応後あるいは未反応のガ
スはガス排出管７を通じて反応管排出ガス８となり、真
空ポンプ１０により半導体製造装置から排出される。こ
のとき反応管３内はヒータ４により４００°Ｃ以上に加
熱されており、反応管３からのガス排出管７は第１図に
示す半導体製造装置を用いているため、同装置のヒータ
１１により予想される物質のタンマン温度以上に保たれ
ている。そのため反応管排出ガス８に急激な温度差が生
じることはなく、従ってガス排出管７の内壁に析出しこ
びりつくということはなく、あるいは真空ポンプ９を異
物等から保護する意味で取付けられているポンプ保護用
あみ１０に析出しこびりつくということもなく、ポンプ
保護用あみｌＯが目詰まりしないので、ガス排出管７の
内径が細くならず、真空度に影響を及ぼさない。
ＣＶＤ装置において、ガス導入管１より導入された反応
ガス２はヒータ４により熱せられた反応管３内に導入さ
れ、化学反応を行い、ウェハボート６に並んだ被処理ウ
ェハ５上に底膜が行われる。反応後あるいは未反応のガ
スはガス排出管７を通じて反応管排出ガス８となり、真
空ポンプ１０により半導体製造装置から排出される。こ
のとき反応管３内はヒータ４により４００°Ｃ以上に加
熱されており、反応管３からのガス排出管７は第１図に
示す半導体製造装置を用いているため、同装置のヒータ
１１により予想される物質のタンマン温度以上に保たれ
ている。そのため反応管排出ガス８に急激な温度差が生
じることはなく、従ってガス排出管７の内壁に析出しこ
びりつくということはなく、あるいは真空ポンプ９を異
物等から保護する意味で取付けられているポンプ保護用
あみ１０に析出しこびりつくということもなく、ポンプ
保護用あみｌＯが目詰まりしないので、ガス排出管７の
内径が細くならず、真空度に影響を及ぼさない。
なお、上記実施例では横型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたが
、反応室から真空装置を経て排気する配管を持つような
ＣＶＤ装置あるいはエツチング装置であればよく、上記
実施例と同様の効果が得られる。
、反応室から真空装置を経て排気する配管を持つような
ＣＶＤ装置あるいはエツチング装置であればよく、上記
実施例と同様の効果が得られる。
さらに排気系配管をタンマン温度以上に保つための手段
として、上記実施例ではヒータを配管にまきつけたもの
を用いていたが、所望の温度に保つことができるもので
あればよく、第３図に示すように配管を含む空間を囲む
ように、ヒータと断熱材を配置したものでもよく、上記
実施例と同様の効果が得られる。
として、上記実施例ではヒータを配管にまきつけたもの
を用いていたが、所望の温度に保つことができるもので
あればよく、第３図に示すように配管を含む空間を囲む
ように、ヒータと断熱材を配置したものでもよく、上記
実施例と同様の効果が得られる。
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、ＣＶＤあるいはエツチング装置の反応室から真空装置
を経て排気する排気系配管を、配管に析出する物質ある
いは析出が予想される物質のタンマン温度以上に保つよ
うにしたので、排気系配管および真空装置に反応後にガ
スがあるいは未反応ガスが析出することがなく、配管の
内径が細くならず、真空度に影響を及ぼさないという効
果がある。
、ＣＶＤあるいはエツチング装置の反応室から真空装置
を経て排気する排気系配管を、配管に析出する物質ある
いは析出が予想される物質のタンマン温度以上に保つよ
うにしたので、排気系配管および真空装置に反応後にガ
スがあるいは未反応ガスが析出することがなく、配管の
内径が細くならず、真空度に影響を及ぼさないという効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す図、第２図は上記半導体製造装置の一使用例を示す図
、第３図はこの発明の他の実施例を示す図、第４図は従
来の横型ＬＰ−ＣＶＤ装置を示す図である。 図において、ｌはガス導入管、２は反応ガス、３は反応
管、４はヒータ、５はウェハ、６はウェハボート、７は
ガス排出管、８は反応管排出ガス、９は真空ポンプ、１
０はポンプ保護用あみ、１１はヒータ、１２は断熱材、
１３は温度制御回路である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す図、第２図は上記半導体製造装置の一使用例を示す図
、第３図はこの発明の他の実施例を示す図、第４図は従
来の横型ＬＰ−ＣＶＤ装置を示す図である。 図において、ｌはガス導入管、２は反応ガス、３は反応
管、４はヒータ、５はウェハ、６はウェハボート、７は
ガス排出管、８は反応管排出ガス、９は真空ポンプ、１
０はポンプ保護用あみ、１１はヒータ、１２は断熱材、
１３は温度制御回路である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）化学的気相成長またはエッチングに用いる半導体
製造装置において、 反応室から真空装置を経て排気する排気系配管と、 該排気系配管を、該配管に析出する物質あるいは析出が
予想される物質のタンマン温度（物質の融点を絶対温度
で測ったものの２／３の温度）以上に保つ配管加熱装置
とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32443989A JPH03185715A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32443989A JPH03185715A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185715A true JPH03185715A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18165825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32443989A Pending JPH03185715A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185715A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216100A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| KR20020049086A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 유인종 | 반도체 공정 설비용 인라인 진공히터 |
| WO2007125821A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | National University Corporation Tohoku University | 耐熱性真空断熱材および加熱装置 |
| CN112342527A (zh) * | 2020-09-11 | 2021-02-09 | 安徽贝意克设备技术有限公司 | 一种双向液态源蒸发cvd系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302816A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP32443989A patent/JPH03185715A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302816A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216100A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| KR20020049086A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 유인종 | 반도체 공정 설비용 인라인 진공히터 |
| WO2007125821A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | National University Corporation Tohoku University | 耐熱性真空断熱材および加熱装置 |
| US8299403B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-10-30 | National University Corporation Tohoku University | Heat resisting vacuum insulating material and heating device |
| TWI391593B (zh) * | 2006-04-25 | 2013-04-01 | Univ Tohoku | heating equipment |
| CN112342527A (zh) * | 2020-09-11 | 2021-02-09 | 安徽贝意克设备技术有限公司 | 一种双向液态源蒸发cvd系统 |
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