JP2000058456A - エピタキシャルウェーハの製造装置 - Google Patents
エピタキシャルウェーハの製造装置Info
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- JP2000058456A JP2000058456A JP10223835A JP22383598A JP2000058456A JP 2000058456 A JP2000058456 A JP 2000058456A JP 10223835 A JP10223835 A JP 10223835A JP 22383598 A JP22383598 A JP 22383598A JP 2000058456 A JP2000058456 A JP 2000058456A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンテナンス時の大気接触によるガス供給
口、ガス導入管等の腐食を防止する。メンテナンス後、
比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜を可能に
する。 【解決手段】 エピタキシャルウェーハ製造装置は、チ
ャンバ２０の内部に設けられたエピタキシャル成長用の
ウェーハ２３を支持する支持部材２４とガス供給口２６
とを有し、ガス供給口２６にガス導入管２８及び切換弁
２９を介して接続された原料ガス供給管３０より原料ガ
スをチャンバ内に供給するように構成される。ガス導入
管２８の周囲にガス導入管２８を５０〜６００℃の温度
で加熱するヒータ３５が設けられる。ガス導入管２８は
ハステロイのような耐塩酸合金が好ましい。
口、ガス導入管等の腐食を防止する。メンテナンス後、
比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜を可能に
する。 【解決手段】 エピタキシャルウェーハ製造装置は、チ
ャンバ２０の内部に設けられたエピタキシャル成長用の
ウェーハ２３を支持する支持部材２４とガス供給口２６
とを有し、ガス供給口２６にガス導入管２８及び切換弁
２９を介して接続された原料ガス供給管３０より原料ガ
スをチャンバ内に供給するように構成される。ガス導入
管２８の周囲にガス導入管２８を５０〜６００℃の温度
で加熱するヒータ３５が設けられる。ガス導入管２８は
ハステロイのような耐塩酸合金が好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハ表
面にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶薄膜を形
成するエピタキシャルウェーハの製造装置に関するもの
である。
面にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶薄膜を形
成するエピタキシャルウェーハの製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のエピタキシャルウェーハ
の製造装置として、単一のシリコンウェーハ表面にエピ
タキシャル成長させる枚葉式の装置が知られている。図
２に示すように、この製造装置はチャンバ１に連通する
ガス供給口２に原料ガス又はパージガスを供給するガス
導入管３の一端が接続される。またガス供給口２から２
〜３ｍ程度離れたガス導入管３の他端には三方切換弁４
が設けられ、この切換弁４には原料ガス供給管５及びパ
ージガス供給管６が接続される。この装置では、支持部
材７により支持されたシリコンウェーハ８を加熱しなが
ら、チャンバ１内にＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3のよ
うな原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3のようなドーパントガ
ス及びＨ2のキャリアガスとともに導入する。導入され
た原料ガスはウェーハ表面にシリコン単結晶薄膜を形成
した後、ガス排出口９を通ってガス排出管１０より排出
される。この枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装
置では複数のシリコンウェーハを同時に成膜する場合に
比較して熱源からの距離を均一にすることができるた
め、シリコンウェーハの温度を均一にして比抵抗にばら
つきの小さい膜を形成することができるようになってい
る。一方、この製造装置では多数回シリコンウェーハの
成膜を行っていくと、クリーニングガスであるＨＣｌの
ようなエッチングガスをチャンバ内に流しても、チャン
バ内部及びガス排出口９及びガス排出管１０にポリシリ
コン又はポリシランのような反応副生成物が堆積して残
存する。このため定期的にチャンバ内部を保守・整備す
るメンテナンス作業が行われる。このメンテナンス時に
は、三方切換弁４を切換えて原料ガスの供給を止めると
ともにパージガス供給管６から乾燥Ｎ2ガスのようなパ
ージガスを流してガス導入管内に残留するガスの逆流を
防止しながら、上部ドーム１ａを取外してチャンバ内を
保守・整備している。また支持部材７は定期的に交換さ
れる。
の製造装置として、単一のシリコンウェーハ表面にエピ
タキシャル成長させる枚葉式の装置が知られている。図
２に示すように、この製造装置はチャンバ１に連通する
ガス供給口２に原料ガス又はパージガスを供給するガス
導入管３の一端が接続される。またガス供給口２から２
〜３ｍ程度離れたガス導入管３の他端には三方切換弁４
が設けられ、この切換弁４には原料ガス供給管５及びパ
ージガス供給管６が接続される。この装置では、支持部
材７により支持されたシリコンウェーハ８を加熱しなが
ら、チャンバ１内にＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3のよ
うな原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3のようなドーパントガ
ス及びＨ2のキャリアガスとともに導入する。導入され
た原料ガスはウェーハ表面にシリコン単結晶薄膜を形成
した後、ガス排出口９を通ってガス排出管１０より排出
される。この枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装
置では複数のシリコンウェーハを同時に成膜する場合に
比較して熱源からの距離を均一にすることができるた
め、シリコンウェーハの温度を均一にして比抵抗にばら
つきの小さい膜を形成することができるようになってい
る。一方、この製造装置では多数回シリコンウェーハの
成膜を行っていくと、クリーニングガスであるＨＣｌの
ようなエッチングガスをチャンバ内に流しても、チャン
バ内部及びガス排出口９及びガス排出管１０にポリシリ
コン又はポリシランのような反応副生成物が堆積して残
存する。このため定期的にチャンバ内部を保守・整備す
るメンテナンス作業が行われる。このメンテナンス時に
は、三方切換弁４を切換えて原料ガスの供給を止めると
ともにパージガス供給管６から乾燥Ｎ2ガスのようなパ
ージガスを流してガス導入管内に残留するガスの逆流を
防止しながら、上部ドーム１ａを取外してチャンバ内を
保守・整備している。また支持部材７は定期的に交換さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した製造
装置では、メンテナンス時に上部ドーム１ａを取外す
と、大気がＳＵＳ３１６Ｌ製のガス供給口２、ガス導入
管３、ガス排出口９及びガス排出管１０に入り込む。こ
のガス導入管３に吸着されていたＨＣｌ，ＳｉＨＣｌ3
又はＳｉＨ2Ｃｌ2などの腐食性ガス分子は大気中の水分
と反応して塩酸を生じるため、この塩酸によりガス導入
管３等を腐食させることがあった。このため、メンテナ
ンスが終って原料ガスをチャンバ内に導入する前に、ガ
ス導入管３に吸着された水分がパージアウトされるまで
Ｎ2のようなパージガスを流し続け、しばらくの間シリ
コンウェーハをエピタキシャル成長できない不具合があ
った。本発明の目的は、メンテナンス時の大気接触によ
るガス導入管の腐食を防止するエピタキシャルウェーハ
の製造装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、メンテナンス後、比較的短時間のうちにシリコンウ
ェーハの成膜を可能にするエピタキシャルウェーハの製
造装置を提供することにある。
装置では、メンテナンス時に上部ドーム１ａを取外す
と、大気がＳＵＳ３１６Ｌ製のガス供給口２、ガス導入
管３、ガス排出口９及びガス排出管１０に入り込む。こ
のガス導入管３に吸着されていたＨＣｌ，ＳｉＨＣｌ3
又はＳｉＨ2Ｃｌ2などの腐食性ガス分子は大気中の水分
と反応して塩酸を生じるため、この塩酸によりガス導入
管３等を腐食させることがあった。このため、メンテナ
ンスが終って原料ガスをチャンバ内に導入する前に、ガ
ス導入管３に吸着された水分がパージアウトされるまで
Ｎ2のようなパージガスを流し続け、しばらくの間シリ
コンウェーハをエピタキシャル成長できない不具合があ
った。本発明の目的は、メンテナンス時の大気接触によ
るガス導入管の腐食を防止するエピタキシャルウェーハ
の製造装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、メンテナンス後、比較的短時間のうちにシリコンウ
ェーハの成膜を可能にするエピタキシャルウェーハの製
造装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように上部ドーム２１と下部ドーム２２とに
より形成されたチャンバ２０の内部にエピタキシャル成
長用のウェーハ２３を支持する支持部材２４が設けら
れ、チャンバ２０にガス供給口２６が設けられ、ガス供
給口２６にガス導入管２８及び切換弁２９を介して接続
された原料ガス供給管３０より原料ガスをチャンバ内に
供給するように構成されたエピタキシャルウェーハの製
造装置の改良である。その特徴ある構成はガス導入管２
８の周囲にガス導入管２８を５０〜６００℃の温度で加
熱するヒータ３５が設けられたことにある。シリコンウ
ェーハ２３表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル
成長させるために原料ガス供給管３０よりガス導入管２
８及び切換弁２９を介して原料ガスをチャンバ２０内に
流すときに、ガス導入管２８をヒータ３１により５０〜
６００℃で加熱しておくと、ガス導入管２８の内部に腐
食性ガス分子が吸着されることが防止される。即ち、メ
ンテナンス時に切換弁２９を切換えて原料ガスの供給を
止め、Ｎ2のようなパージガスを流すとともに上部ドー
ム２１を取外した際にガス供給口２６からガス導入管２
８に大気が流れ込んでも、ガス導入管２８の内部には腐
食性ガス分子がほとんど吸着されていないため、このガ
ス導入管２８の内部の腐食が防止される。またメンテナ
ンス後にガス導入管２８の内部に吸着された水分も脱離
しやすくなるため、パージアウトに要する時間が短縮さ
れる。
図１に示すように上部ドーム２１と下部ドーム２２とに
より形成されたチャンバ２０の内部にエピタキシャル成
長用のウェーハ２３を支持する支持部材２４が設けら
れ、チャンバ２０にガス供給口２６が設けられ、ガス供
給口２６にガス導入管２８及び切換弁２９を介して接続
された原料ガス供給管３０より原料ガスをチャンバ内に
供給するように構成されたエピタキシャルウェーハの製
造装置の改良である。その特徴ある構成はガス導入管２
８の周囲にガス導入管２８を５０〜６００℃の温度で加
熱するヒータ３５が設けられたことにある。シリコンウ
ェーハ２３表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル
成長させるために原料ガス供給管３０よりガス導入管２
８及び切換弁２９を介して原料ガスをチャンバ２０内に
流すときに、ガス導入管２８をヒータ３１により５０〜
６００℃で加熱しておくと、ガス導入管２８の内部に腐
食性ガス分子が吸着されることが防止される。即ち、メ
ンテナンス時に切換弁２９を切換えて原料ガスの供給を
止め、Ｎ2のようなパージガスを流すとともに上部ドー
ム２１を取外した際にガス供給口２６からガス導入管２
８に大気が流れ込んでも、ガス導入管２８の内部には腐
食性ガス分子がほとんど吸着されていないため、このガ
ス導入管２８の内部の腐食が防止される。またメンテナ
ンス後にガス導入管２８の内部に吸着された水分も脱離
しやすくなるため、パージアウトに要する時間が短縮さ
れる。
【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、ガス導入管２８が耐塩酸合金からなるエピ
タキシャルウェーハの製造装置である。上部ドーム２１
を取外す際に、大気に曝されるガス導入管２８を耐塩酸
合金で形成することにより、より確実に腐食性ガスによ
る腐食を防止することができる。
明であって、ガス導入管２８が耐塩酸合金からなるエピ
タキシャルウェーハの製造装置である。上部ドーム２１
を取外す際に、大気に曝されるガス導入管２８を耐塩酸
合金で形成することにより、より確実に腐食性ガスによ
る腐食を防止することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図１に示すように、このエピタキシ
ャルウェーハの製造装置は枚葉式であって、チャンバ２
０は上部ドーム２１と下部ドーム２２により構成され、
このチャンバ２０の内部にはエピタキシャル成長用の単
一のシリコンウェーハ２３を支持する支持部材２４が設
けられる。このチャンバ２０にはガス供給口２６及びガ
ス排出口２７が配設される。このガス供給口２６には原
料ガス又はパージガスを供給するガス導入管２８の一端
が接続され、ガス排出口２７にはガス排出管２５が接続
される。ガス導入管２８はハステロイのような耐塩酸合
金からなり、このガス導入管２８の周囲にはヒータ３５
が設けられる。ヒータ３５は電熱ヒータ、蒸気パイプ、
温水パイプ等で構成される。またガス導入管２８の他端
には三方切換弁２９が設けられ、この切換弁２９の一方
には原料ガス供給管３０が、その他方にはパージガス供
給管３１が接続される。この装置では、図示しないが、
ドーム２１及び２２の外側に設けられた熱源によりシリ
コンウェーハ２３を加熱しながら、またヒータ３５によ
りガス導入管２８を５０〜６００℃で加熱しながら、原
料ガス供給管３０、三方切換弁２９、ガス導入管２８及
びガス供給口２６を通してチャンバ内にＳｉＨ2Ｃｌ2又
はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3のよ
うなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスとともに導
入する。ガス導入管２８を加熱することにより内部に腐
食性ガス分子の吸着が防止される。導入された原料ガス
等は上部ドーム２１とシリコンウェーハ２３の間の空間
を流れ、ウェーハ表面にシリコン単結晶薄膜を形成した
後、ガス排出口２７を通ってガス排出管２５より排出さ
れる。ヒータ３５の加熱温度が５０℃未満ではガス導入
管２８の内部に腐食性ガス分子の吸着を生じ、６００℃
を越えるとポリクロロシランが付着する不具合を生じ
る。好ましくは８０〜２００℃である。
基づいて説明する。図１に示すように、このエピタキシ
ャルウェーハの製造装置は枚葉式であって、チャンバ２
０は上部ドーム２１と下部ドーム２２により構成され、
このチャンバ２０の内部にはエピタキシャル成長用の単
一のシリコンウェーハ２３を支持する支持部材２４が設
けられる。このチャンバ２０にはガス供給口２６及びガ
ス排出口２７が配設される。このガス供給口２６には原
料ガス又はパージガスを供給するガス導入管２８の一端
が接続され、ガス排出口２７にはガス排出管２５が接続
される。ガス導入管２８はハステロイのような耐塩酸合
金からなり、このガス導入管２８の周囲にはヒータ３５
が設けられる。ヒータ３５は電熱ヒータ、蒸気パイプ、
温水パイプ等で構成される。またガス導入管２８の他端
には三方切換弁２９が設けられ、この切換弁２９の一方
には原料ガス供給管３０が、その他方にはパージガス供
給管３１が接続される。この装置では、図示しないが、
ドーム２１及び２２の外側に設けられた熱源によりシリ
コンウェーハ２３を加熱しながら、またヒータ３５によ
りガス導入管２８を５０〜６００℃で加熱しながら、原
料ガス供給管３０、三方切換弁２９、ガス導入管２８及
びガス供給口２６を通してチャンバ内にＳｉＨ2Ｃｌ2又
はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3のよ
うなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスとともに導
入する。ガス導入管２８を加熱することにより内部に腐
食性ガス分子の吸着が防止される。導入された原料ガス
等は上部ドーム２１とシリコンウェーハ２３の間の空間
を流れ、ウェーハ表面にシリコン単結晶薄膜を形成した
後、ガス排出口２７を通ってガス排出管２５より排出さ
れる。ヒータ３５の加熱温度が５０℃未満ではガス導入
管２８の内部に腐食性ガス分子の吸着を生じ、６００℃
を越えるとポリクロロシランが付着する不具合を生じ
る。好ましくは８０〜２００℃である。
【０００７】多数回エピタキシャル成長することによ
り、クリーニングガスであるＨＣｌのようなエッチング
ガスをチャンバ内に流しても、チャンバ内部及びガス排
出口２７及びガス排出管２５にポリシリコン又はポリシ
ランのような反応副生成物が堆積して残存する。このた
め、定期的にチャンバ内部を保守・整備するメンテナン
ス作業が行われる。このメンテナンス時には、三方切換
弁２９を切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパー
ジガス供給管３１から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガス
を流してガス導入管内に残留するガスの逆流を防止しな
がら上部ドーム２１を取外して、チャンバ内を保守・整
備し、必要により支持部材２４を交換する。このメンテ
ナンス作業では、ガス供給口２６からガス導入管２８に
大気が流れ込んでも、ガス導入管２８の内部に腐食性ガ
ス分子の吸着がほとんど起っていないため、またガス導
入管２８が耐塩酸合金で形成されているため、このガス
導入管２８の内部の腐食が防止される。しかもメンテナ
ンス後にガス導入管２８の内部に吸着された水分も脱離
しやすくなるため、パージアウトに要する時間が短縮さ
れる。
り、クリーニングガスであるＨＣｌのようなエッチング
ガスをチャンバ内に流しても、チャンバ内部及びガス排
出口２７及びガス排出管２５にポリシリコン又はポリシ
ランのような反応副生成物が堆積して残存する。このた
め、定期的にチャンバ内部を保守・整備するメンテナン
ス作業が行われる。このメンテナンス時には、三方切換
弁２９を切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパー
ジガス供給管３１から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガス
を流してガス導入管内に残留するガスの逆流を防止しな
がら上部ドーム２１を取外して、チャンバ内を保守・整
備し、必要により支持部材２４を交換する。このメンテ
ナンス作業では、ガス供給口２６からガス導入管２８に
大気が流れ込んでも、ガス導入管２８の内部に腐食性ガ
ス分子の吸着がほとんど起っていないため、またガス導
入管２８が耐塩酸合金で形成されているため、このガス
導入管２８の内部の腐食が防止される。しかもメンテナ
ンス後にガス導入管２８の内部に吸着された水分も脱離
しやすくなるため、パージアウトに要する時間が短縮さ
れる。
【０００８】
【発明の効果】以上述べたように、ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳ
ｉＨＣｌ3のような腐食性の原料ガスによりシリコンウ
ェーハ表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長
させる本発明の製造装置では、エピタキシャル成長時に
ガス導入管を加熱するため、ガス導入管の内部に腐食性
ガス分子がほとんど吸着されず、メンテナンス時にこの
ガス導入管に大気が流れ込んでもガス導入管の内部は腐
食しない。またメンテナンス時にガス導入管内部に吸着
された水分も脱離しやすい。特にこのガス導入管を耐塩
酸合金で形成すれば、メンテナンス時のガス導入管の腐
食をより確実に防止することができる。これによりメン
テナンス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの
成膜を開始することができる。
ｉＨＣｌ3のような腐食性の原料ガスによりシリコンウ
ェーハ表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長
させる本発明の製造装置では、エピタキシャル成長時に
ガス導入管を加熱するため、ガス導入管の内部に腐食性
ガス分子がほとんど吸着されず、メンテナンス時にこの
ガス導入管に大気が流れ込んでもガス導入管の内部は腐
食しない。またメンテナンス時にガス導入管内部に吸着
された水分も脱離しやすい。特にこのガス導入管を耐塩
酸合金で形成すれば、メンテナンス時のガス導入管の腐
食をより確実に防止することができる。これによりメン
テナンス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの
成膜を開始することができる。
【図１】本発明の実施の形態のエピタキシャルウェーハ
製造装置の断面構成図。
製造装置の断面構成図。
【図２】従来のエピタキシャルウェーハ製造装置の断面
構成図。
構成図。
２０ チャンバ ２１ 上部ドーム ２２ 下部ドーム ２３ シリコンウェーハ ２４ 支持部材 ２６ ガス供給口 ２８ ガス導入管 ２９ 切換弁 ３０ 原料ガス供給管 ３１ パージガス供給管 ３５ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岡 智則 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 AB02 BA04 DB09 ED06 EG22 EG25 5F045 AB02 AC05 BB14 DP04 DP27 EB05 EC08 EE07
Claims (2)
- 【請求項１】 上部ドーム(21)と下部ドーム(22)とによ
り形成されたチャンバ(20)の内部にエピタキシャル成長
用のウェーハ(23)を支持する支持部材(24)が設けられ、
前記チャンバ(20)にガス供給口(26)が設けられ、前記ガ
ス供給口(26)にガス導入管(28)及び切換弁(29)を介して
接続された原料ガス供給管(30)より原料ガスを前記チャ
ンバ内に供給するように構成されたエピタキシャルウェ
ーハの製造装置において、 前記ガス導入管(28)の周囲に前記ガス導入管を５０〜６
００℃の温度で加熱するヒータ(35)が設けられたことを
特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。 - 【請求項２】 ガス導入管(28)が耐塩酸合金からなる請
求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223835A JP2000058456A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | エピタキシャルウェーハの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223835A JP2000058456A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | エピタキシャルウェーハの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058456A true JP2000058456A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16804475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10223835A Pending JP2000058456A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | エピタキシャルウェーハの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058456A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033616A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Procede et appareil de depot de couches minces |
| JP2007326761A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2009135157A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| CN103403841A (zh) * | 2011-02-28 | 2013-11-20 | 丰田自动车株式会社 | 气相生长装置及气相生长方法 |
| CN104818527A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-08-05 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延片生产设备 |
| CN111554565A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-18 | 四川广瑞半导体有限公司 | 硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 |
| JP2021050366A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
-
1998
- 1998-08-07 JP JP10223835A patent/JP2000058456A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2021050366A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP7379993B2 (ja) | 2019-09-20 | 2023-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
| CN111554565A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-18 | 四川广瑞半导体有限公司 | 硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040526 |