JP2009135157A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明のエピタキシャル成長装置100は、ガスを加熱する加熱器132と、加熱器132で加熱されたガスを供給する流路122と、流路122が接続され、加熱されたガスを用いてシリコンウェハ101に成膜するチャンバ120と、チャンバ120からガスを排気する流路124と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成膜される膜の成長速度を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
ガスを加熱する加熱部と、
加熱部で加熱されたガスを供給する第1の流路と、
第1の流路が接続され、加熱されたガスを用いて基板に成膜するチャンバと、
チャンバからガスを排気する第2の流路と、
を備えたことを特徴とする。
加熱部は、混合後のガスを加熱することを特徴とする。
チャンバ内に配置され、基板を支持する支持台と、
チャンバ内に配置され、基板の裏面側から基板を加熱する第2の加熱部と、
を備えると好適である。
ガスを加熱する工程と、
加熱されたガスをチャンバ内に供給する工程と、
チャンバ内で、加熱されたガスを用いて基板に成膜処理する工程と、
チャンバから成膜処理後のガスを排気する工程と、
を備えたことを特徴とする気相成長方法。
図1は、実施の形態1におけるエピタキシャル成長装置の構成を示す概念図である。
図1において、気相成長装置の一例となるエピタキシャル成長装置100は、支持台の一例となるホルダ(サセプタとも言う。)110、チャンバ120、シャワーヘッド130、加熱器132、真空ポンプ140、圧力制御弁142、アウトヒータ150、インヒータ160、回転部材170を備えている。ここでのエピタキシャル成長装置100は、枚葉式の成膜装置を記載している。そして、チャンバ120内では枚葉式にシリコンウェハ101が成膜される。チャンバ120には、ガスを供給する流路122とガスを排気する流路124が接続されている。そして、流路122は、加熱器132(第1の加熱部)とシャワーヘッド130に接続されている。図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成について説明している。ただし、縮尺等は、実物とは一致させていない(以下、各図面において同様である)。
図2に示すように、エピタキシャル成長装置システム300は、筺体により全体が囲まれている。
図3は、実施の形態1におけるエピタキシャル成長装置システムのユニット構成の一例を示す図である。
エピタキシャル成長装置システム300内では、カセットが、カセットステージ(C/S)310或いはカセットステージ(C/S)312に配置される。そして、カセットにセットされたシリコンウェハ101が、搬送ロボット350によりロードロック(L/L)チャンバ320内に搬送される。そして、トランスファーチャンバ330内に配置された搬送ロボット332によりL/Lチャンバ320からシリコンウェハ101がトランスファーチャンバ330内に搬出される。そして、搬出されたシリコンウェハ101がエピタキシャル成長装置100のチャンバ120内に搬送される。そして、エピタキシャル成長法によりシリコンウェハ101表面にシリコンエピタキシャル膜が成膜される。シリコンエピタキシャル膜が成膜されたシリコンウェハ101は、再度、搬送ロボット332によりエピタキシャル成長装置100からトランスファーチャンバ330内に搬出される。そして、搬出されたシリコンウェハ101は、L/Lチャンバ320に搬送される。その後、搬送ロボット350によりL/Lチャンバ320からカセットステージ(C/S)310或いはカセットステージ(C/S)312に配置されたカセットに戻される。図3に示すエピタキシャル成長装置システム300では、エピタキシャル成長装置100のチャンバ120とL/Lチャンバ320とが2台ずつ搭載されている。これにより、スループットを向上させることができる。
マスフローコントローラー134でそれぞれ流量調整された複数の種類のガスが1つに混合された混合ガスがチャンバ120に供給される。例えば、トリクロルシラン(SiHCl3)ガスとジクロルシラン(SiH2Cl2)ガスとのうち、少なくとも一方のシリコン(Si)源となる原料ガスと、ホスフィン(リン化水素:PH3)或いはジボラン(水素化ホウ素:B2H6)といったドーパントガスと、水素(H2)といったキャリアガスとが混合される。そして、この混合ガスがチャンバ120外の加熱器132によって加熱される。そして、加熱された混合ガスが流路122となる配管を通ってチャンバ120内のシャワーヘッド130へと供給される。原料ガスに20%のSiHCl3ガスを用いる場合に、その供給量は、例えば、1.67Pa・m3/s(1slm)〜33.3Pa・m3/s(20slm)が好適である。或いは、原料ガスにSiH2Cl2ガスを用いる場合に、その供給量は、例えば、0.17Pa・m3/s(0.1slm)〜3.3Pa・m3/s(2slm)が好適である。また、H2ガスの供給量は、例えば、33.3Pa・m3/s(20slm)〜166.7Pa・m3/s(100slm)が好適である。
図5に示すように、流路122となる配管の外周面には断熱材136が巻かれると好適である。断熱材136を周囲に配置することで、せっかく加熱した混合ガスの温度の低下を抑制することができる。
101 シリコンウェハ
110 ホルダ
114,116 開口部
120 チャンバ
122,124 流路
130 シャワーヘッド
132 加熱器
134 マスフローコントローラー
136 断熱材
140 真空ポンプ
142 圧力制御弁
150 アウトヒータ
160 インヒータ
170 回転部材
300 エピタキシャル成長装置システム
310,312 カセットステージ
320 L/Lチャンバ
330 トランスファーチャンバ
332,350 搬送ロボット
Claims (5)
- ガスを加熱する加熱部と、
前記加熱部で加熱されたガスを供給する第1の流路と、
前記第1の流路が接続され、加熱された前記ガスを用いて基板に成膜するチャンバと、
前記チャンバからガスを排気する第2の流路と、
を備えたことを特徴とする気相成長装置。 - 前記ガスとして、トリクロルシラン(SiHCl3)ガスとジクロルシラン(SiH2Cl2)ガスとのうち、少なくとも一方のガスが含まれ、
前記チャンバ内では枚葉式に前記基板が成膜されることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。 - 前記ガスは、前記チャンバ内に供給される複数の種類のガスが1つに混合されたガスであって、
前記加熱部は、混合後の前記ガスを加熱することを特徴とする請求項1又は2記載の気相成長装置。 - 前記気相成長装置は、さらに、
前記チャンバ内に配置され、前記基板を支持する支持台と、
前記チャンバ内に配置され、前記基板の裏面側から前記基板を加熱する第2の加熱部と、
を備えたことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の気相成長装置。 - ガスを加熱する工程と、
加熱されたガスをチャンバ内に供給する工程と、
前記チャンバ内で、加熱された前記ガスを用いて基板に成膜処理する工程と、
前記チャンバから成膜処理後のガスを排気する工程と、
を備えたことを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2007308180A JP2009135157A (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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JP2007308180A JP2009135157A (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-11-29 JP JP2007308180A patent/JP2009135157A/ja active Pending
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