TW201800603A - 成膜方法 - Google Patents

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Abstract

一種成膜方法，係在表面形成有微細凹部之被處理基板上，藉由CVD法而形成矽膜、鍺膜、或矽鍺膜；該成膜方法具有以下步驟：於處理容器內配置具有微細凹部之被處理基板的步驟；以及對該處理容器內，供給含有構成所要形成之膜層之元素的成膜氣體、以及含氯化合物氣體的步驟；藉由該含氯化合物氣體，而選擇性地阻礙該成膜氣體之吸附在該微細凹部之上部。

Description

成膜方法
本發明係有關於形成矽膜、鍺膜或矽鍺膜之成膜方法。
於半導體裝置之製程中有一步驟，係在絶緣膜形成空孔或溝渠等的凹部，並在其中埋入非晶矽膜等之矽膜以形成電極。於矽膜之成膜處理，一般而言已知有化學蒸鍍法(CVD法)。
然而，近年裝置的微細化日益進展，而在以CVD法於較深的空孔或溝渠埋入矽膜之情況下，階梯覆蓋不佳，並產生氣洞(void)。由於若在用作電極之矽膜產生氣洞，會加大電阻値，因此極力尋求沒有氣洞之矽膜。不限於矽膜，鍺膜或矽鍺膜亦同。
相對於此，提案有一種技術，係於空孔或溝渠等的凹部形成矽膜後，進行蝕刻而使剖面呈V字形，之後再度埋入矽。藉此，而可以達成無氣洞之埋入。
[發明所欲解決的問題] 然而，如上述般在凹部形成矽膜後，進行蝕刻以使剖面呈V字狀，之後再度以矽進行埋入之技術，具有生産性低，且製程複雜、難以管理之問題。
本發明要提供一種成膜方法，不會降低生産性、或使製程複雜化，而可以在微細之凹部形成沒有氣洞之矽膜、鍺膜或矽鍺膜。 [解決問題之技術手段]
本發明的第1觀點，提供一種成膜方法，係在表面形成有微細凹部之被處理基板上，藉由CVD法而形成矽膜、鍺膜、或矽鍺膜；該成膜方法具有以下步驟：於處理容器內配置具有微細凹部之被處理基板的步驟；以及對該處理容器內，供給含有構成所要形成之膜層之元素的成膜氣體、以及含氯化合物氣體的步驟； 藉由該含氯化合物氣體，而選擇性地阻礙該成膜氣體之吸附在該微細凹部之上部。
本發明的第2觀點，提供一種成膜方法，係在表面形成有微細凹部之被處理基板上，藉由CVD法而形成矽膜；該成膜方法具有以下步驟：於處理容器內配置具有微細凹部之被處理基板的步驟；以及對該處理容器內，供給作為成膜氣體的SiH4 氣體、以及阻礙SiH4 氣體之吸附的SiH2 Cl2 氣體的步驟；藉由該SiH2 Cl2 氣體，而選擇性地阻礙該SiH4氣體之吸附在該微細凹部之上部。
以下，將參照隨附之圖式，針對本發明之實施形態進行說明。於下述之詳細說明中，會提出許多具體詳情以使本案到可以得到充份之理解。然而，即使沒有這樣的詳細說明，所屬技術區域中具有通常知識者亦能據以實施本發明，係自明事項。於其他例子中，為了避免難以理解各種各樣之實施形態，因此對於公知之方法、程序、系統或構成要素，並未詳細敘述。
於本實施形態，係在具有凹部之被處理基板形成非晶矽膜、鍺膜、矽鍺膜。 ＜成膜裝置之一例＞
圖1係繪示用以實施本發明之成膜方法的成膜裝置之一例的縱剖面圖。
成膜裝置1具備加熱爐2，該加熱爐2具有隔熱體3及加熱器4；該隔熱體3係筒狀且具備頂板部，該加熱器4係設於隔熱體3之內周面。加熱爐2係設置於基座板5上。
於加熱爐2內，插入有處理容器10，其構成具有外管11及內管12之雙重管結構；該外管11係例如由石英所構成，且上端為封閉；該內管12係同心狀地設置於該外管11內，例如由石英所構成。然後，上述加熱器4係設置成圍繞處理容器10之外側。
上述外管11及內管12，分別係以其下端，受到由不鏽鋼等所構成之筒狀之歧管13所保持；於該歧管13之下端開口部，開閉自如地設有用以使該開口氣密性密封的罩蓋部14。
於罩蓋部14之中心部，插通有旋轉軸15，其係藉由例如磁性軸封而可在氣密之狀態下旋轉；旋轉軸15之下端連接昇降台16之旋轉機構17，上端則固定在旋轉台18。旋轉台18隔著保溫筒19而承載著石英製之晶舟20，該晶舟20保持著作為被處理基板之半導體晶圓(以下單稱為「晶圓」)。此晶舟20係構成為可使例如50~150片之晶圓W，隔著既定間隔的間距而重疊收納。
然後，藉由以昇降機構(未圖示)使昇降台16昇降，可以使晶舟20相對於處理容器10內部而搬入或搬出。於晶舟20已搬入處理容器10內之際，上述罩蓋部14係與歧管13密接，而其彼此之間係氣密地密封。
再者，成膜裝置1具有：成膜氣體供給機構21，對處理容器10內導入成膜氣體；含氯化合物氣體供給機構22，對處理容器10內導入用以阻礙成膜氣體之吸附的含氯化合物氣體；以及惰性氣體供給機構23，對處理容器10內導入用作吹洗氣體等的惰性氣體。
成膜氣體供給機構21具有：成膜氣體供給源25；成膜氣體配管26，從成膜氣體供給源25導引成膜氣體；以及石英製之成膜氣體噴嘴26a，連接至成膜氣體配管26，且係貫通歧管13之側壁下部而設置。於成膜氣體配管26，設有開閉閥27、以及質量流量控制器這樣的流量控制器28，而可以在對成膜氣體進行流量控制之同時，加以供給。就成膜氣體而言，若係要形成非晶矽膜的情況下，可使用甲矽烷(SiH4 )氣體、乙矽烷(Si2 H6 )氣體等之矽烷類氣體；若係要形成鍺膜的情況下，可使用甲鍺烷(GeH4 )氣體、乙鍺烷(Ge2 H6 )氣體等之鍺烷類氣體；若係要形成矽鍺膜的情況下，可使用矽烷類氣體及鍺烷類氣體。
含氯化合物氣體供給機構22具有：含氯化合物氣體供給源29；含氯化合物氣體配管30，從含氯化合物氣體供給源29導引含氯化合物氣體；以及含氯化合物氣體噴嘴30a，連接至含氯化合物氣體配管30，且係貫通歧管13之側壁下部而設置。於含氯化合物氣體配管30，設有開閉閥31、以及質量流量控制器這樣的流量控制器32，而可以在對氯化物氣體進行流量控制之同時，加以供給。就含氯化合物氣體而言，可例舉如下：氯矽烷(MCS；SiH3 Cl)氣體、二氯矽烷(DCS；SiH2 Cl2 )氣體、三氯矽烷(TCS；SiHCl3 )氣體、四氯化矽(STC；SiCl4 )氣體、六氯二矽烷(HCD；Si2 Cl6 )氣體等之矽類含氯化合物氣體；氯鍺烷(GeH3 Cl)氣體、二氯鍺烷(GeH2 Cl2 )氣體、三氯鍺烷(GeHCl3 )氣體、四氯化鍺(GeCl4 )氣體、六氯鍺烷(Hexachlorodigermane，Ge2 Cl6 )氣體等之鍺類含氯化合物氣體。
惰性氣體供給機構23具有：惰性氣體供給源33；惰性氣體配管34，從惰性氣體供給源33導引惰性氣體；以及惰性氣體噴嘴34a，連接至惰性氣體配管34，且係貫通歧管13之側壁下部而設置。於惰性氣體配管34，設有開閉閥35、以及質量流量控制器這樣的流量控制器36。就惰性氣體而言，可以使用N2 氣體、Ar氣體這類的稀有氣體。
再者，於歧管13之側壁上部，連接有排氣管38，其用以從外管11與內管12間的間隙，排出處理氣體。此排氣管38連接至用以排出處理容器10內之氣體的真空泵39；再者，於排氣管38設有包含壓力調整閥等的壓力調整機構40。然後，係一方面以真空泵39而排出處理容器10內之氣體，一方面以壓力調整機構40而將處理容器10內調整成既定之壓力。
此成膜裝置1具有控制部50。控制部50具有：電腦(CPU)，控制成膜裝置1的各構成部，例如閥類、質量流量控制器、加熱器電源、昇降機構等的驅動機構；鍵盤，操作者藉以進行指令等的輸入操作，以管理成膜裝置1；使用者介面，使成膜裝置1之運作狀況可視化顯示之顯示器等所構成；以及記憶部，儲存著在成膜裝置1所執行之各種處理的參數、或是用以因應處理條件而使成膜裝置1之各構成部執行處理的程式，亦即處理配方等；視需要而以來自使用者介面之指示等，而從記憶部叫出任意之處理配方，以使電腦執行。藉此而在電腦之控制下，在成膜裝置1進行所要的處理。 ＜成膜方法＞
接下來，針對使用上述之成膜裝置所進行之成膜方法，加以說明。在此係以使用SiH4 氣體作為原料氣體、使用DCS(SiH2 Cl2 )氣體作為含氯化合物氣體，而形成非晶矽膜之情形為例，進行說明。
於本實施形態，就作為被處理基板的晶圓W而言，係圖2所示般，準備如下結構之物：在Si基體200上形成絶緣膜(SiO2 膜)201，並在絶緣膜201以既定圖案而形成微細凹部202。微細凹部202係接觸窗等的空孔或溝渠，其係寬度(口徑)為5~ 100nm、高度為20~10000nm、高寬比為4~100左右之深孔。例如係寬度或口徑：100nm；高度：4000nm；高寬比：40。
於晶舟20搭載例如50~150片之上述般的晶圓W，並且於成膜裝置1，先將處理容器10內部，藉由加熱器4，而加熱至能使晶舟20之中心部(上下方向之中央部)的溫度成為適於成膜之溫度，例如470~550℃。然後，將搭載有晶圓W之晶舟20，隔著保溫筒19而載置於旋轉台18，並藉由使昇降台16上昇，而從下方開口部將晶舟20搬入處理容器10內。
接著，在將處理容器10內的壓力調整成0.1~5Torr(13.3~665Pa)後，從成膜氣體供給源25經由成膜氣體配管26，而對處理容器10(內管12)內供給既定流量SiH4 氣體以作為成膜氣體，並從含氯化合物氣體供給源29經由含氯化合物氣體配管3 0，而對處理容器10(內管12)內供給DCS(SiH2 Cl2 )氣體以作為含氯化合物氣體；並且一邊旋轉晶舟20，一邊以470~550℃而實施非晶矽膜之成膜。
習知技術係藉由僅使用SiH4 氣體之CVD法而形成非晶矽膜，但在進行空孔或溝渠等的凹部之埋入之際，一般而言會有氣壓從凹部之表面朝向底部而變低的傾向，此種傾向在埋入較深的空孔或溝渠之情況下會更形顯著。因此，在較深的凹部形成非晶矽膜的情況下，在氣壓較高的表面附近，會由於反應機率較高，因而沈積速度較高；相對於此，在氣壓較低的底部，會由於反應機率較低，因而沈積速度變低。因此，如圖3所示，形成於微細且較深之凹部202的非晶矽膜203，會是表面厚、底部薄，階梯覆蓋不佳。故而一旦持續進行成膜，則埋入凹部202之非晶矽膜的內部，會產生氣洞。
相對於此，如本例般，藉由在作為成膜氣體之SiH4 氣體添加係含氯化合物氣體之DCS氣體，而可以選擇性地在凹部202的上部，阻礙作為成膜氣體之SiH4 氣體的吸附；而於微細凹部202之底部，就會隨著成膜之持續進行，而可以形成在微細凹部202之底部厚、上部薄，V字形的非晶矽膜。因此，可以極為有效地抑制膜層內部產生氣洞之情形。
以下將針對此點，參照圖4而進行詳細說明。
圖4之圖式，係繪示相對於SiH4 氣體與DCS氣體之分壓(流量)之合計的DCS氣體之分壓比(流量比)，與膜層沈積速度間的關係。又，此時之成膜溫度係設為510℃，氣體之壓力(SiH4 氣體及DCS氣體的合計壓力)係設為0.4Torr。
如該圖4所示，在DCS氣體之分壓比為0，亦即全為SiH4 氣體之情況下，膜層之沈積速度係0.4nm/min；相對於此，藉由添加DCS氣體，膜層之沈積速度會降低，而可知DCS氣體對於SiH4 氣體具有阻礙吸附的效果。由於氯與4族元素之結合能(bonding energy)很高，因此藉由添加DCS氣體以作為含氯化合物，而在該分子中，Cl與作為4族元素之Si會牢固地鍵結，故可以阻礙SiH4 氣體之吸附(Si與Si之鍵結)。
再者，由此圖可知，膜層之沈積速度，係由DCS氣體之分壓降低之處而急劇地上昇。亦即，在DCS氣體之分壓較低之區域，對於SiH4 氣體之阻礙吸附效果較小。故而在氣體分壓較低的微細凹部202之底部，DCS氣體的阻礙吸附效果會急劇地降低，而可得到選擇性地在微細凹部202之上部阻礙DCS氣體之吸附的效果。
如圖4所示，DCS氣體之分壓比(流量比)，較佳係0.01以上，而得以在微細凹部202之上部得到阻礙吸附之效果；但在微細凹部202之底部，有必要係在能降低阻礙吸附之效果的範圍內。於供給SiH4 氣體及DCS氣體之際，由於若DCS氣體之分壓比(流量比)過高，則就連在微細凹部202之底部也有可能阻礙到SiH4 氣體之吸附，因此於供給SiH4 氣體及DCS氣體之際的DCS氣體之分壓比(流量比)，較佳係在0.01~0.2的範圍內。
作為實際之成膜條件，可以例示如下之條件。 晶圓片數：150片 成膜溫度：510℃ 壓力：0.4Torr(53.2Pa) SiH4 氣體流量：500sccm DCS氣體流量：10sccm DCS氣體之分壓比(流量比)：0.02
如此這般地，於本例中，由於係對處理容器10內供給SiH4 氣體以作為成膜氣體、以及供給DCS氣體以作為阻礙SiH4 之吸附的含氯化合物氣體，故而可以選擇性地在晶圓W的微細凹部202之上部阻礙SiH4 氣體之吸附，同時形成非晶矽膜；因此在成膜途中，如圖5所示，會成為在微細凹部202之底部厚、上部薄，V字形之非晶矽膜203。
由於可以形成如此這般的V字形膜層，故若更進一步地繼續成膜，非晶矽膜203就會在微細凹部202內由下而上地成長，而如圖6所示，於側壁上部也會在不使微細凹部202之開口縮窄的情況下逐步形成非晶矽膜203，最終就如圖7所示，可以埋入凹部202內不存在氣洞之狀態的非晶矽膜203。
如此這般地，藉由只是添加DCS氣體這般之含氯化合物氣體的簡易手法，而可以在不導致生産性降低或製程複雜化的情況下，在微細且高寬比很高的凹部，以不存在氣洞之狀態，形成非晶矽膜。
成膜完成後，就停止作為成膜氣體之SiH4 氣體、作為含氯化合物氣體之DCS氣體之供給；並藉由真空泵39，經由排氣管38而排出處理容器10內之氣體，同時由惰性氣體供給源33，經由惰性氣體配管34，而對處理容器10(內管12)內供給惰性氣體，以對處理容器10內部進行吹洗。然後，在使處理容器10內回到常壓後，使昇降台16下降，並搬出晶舟20。
以上例示了使用SiH4 氣體以作為成膜氣體，而形成非晶矽膜的例子；但就非晶矽膜之成膜氣體而言，如上所述，亦可使用乙矽烷(Si2 H6 )氣體等其他的矽烷類氣體。在使用Si2 H6 氣體以形成非晶矽膜之情況的成膜溫度，較佳係在390~410℃之範圍內。
再者，如上所述般利用含氯化合物的阻礙吸附之效果的成膜，除了用於非晶矽膜這樣的矽膜以外，亦可適用於鍺膜或矽鍺膜之成膜。在形成鍺膜之情況下，可以使用GeH4 氣體、Ge2 H6 氣體等的鍺烷類氣體；成膜溫度較佳係在250~300℃之範圍內。在形成矽鍺膜之情況下，可以使用SiH4 氣體、Si2 H6 氣體等的矽烷類氣體，以及GeH4 氣體、Ge2 H6 氣體等的鍺烷類氣體；成膜溫度較佳係在250~450℃之範圍內。
上述任一情況下，較佳皆係使用DCS氣體來作為用以阻礙成膜氣體之吸附的含氯化合物氣體；但如上所述，亦可使用MCS(SiH3 Cl)氣體、TCS(SiHCl3 )氣體、STC(SiCl4 )氣體、HCD(Si2 Cl6 )氣體等其他的矽類含氯化合物氣體，或是GeH3 Cl氣體、GeH2 Cl2 氣體、GeHCl3 氣體、GeCl4 氣體、Ge2 Cl6 氣體等的鍺類含氯化合物氣體。由於這些係於分子中存在有Cl與4族元素之鍵結，因此阻礙成膜氣體之吸附的效果高。 ＜其他之適用＞
以上針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述之實施形態，可以在不脫離其主旨之範圍內進行各種變形。
例如，於上述實施形態，係例示藉由縱型之批次式裝置以實施本發明之方法的例子，但並不限定於此，亦可藉由橫型之批次式裝置、或單片式裝置等其他各種成膜裝置來實施。
再者，作為抑制成膜氣體之吸附的含氯化合物氣體，係例示矽類含氯化合物氣體及鍺類含氯化合物的例子，但亦可採用這些以外的含氯化合物氣體。
依據本發明，藉由CVD法以在表面形成有微細凹部之被處理基板上形成矽膜、鍺膜、或矽鍺膜之際，係對處理容器內，供給含有構成所要形成之膜層之元素的成膜氣體、以及含氯化合物氣體，而藉由含氯化合物氣體，選擇性地於微細凹部之上部阻礙成膜氣體之吸附。藉此，可以進行微細凹部之底部厚、上部薄之V字形的膜層形成，而在凹部內埋入不存在氣洞或裂縫之狀態的膜層。
此次揭露之實施形態，其各項要點皆應視為例示，而非用以限定。事實上，上述之實施形態得以多樣之形態加以具現。再者，上述之實施形態可以在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。本發明之範圍，包含隨附之申請專利範圍、及在其均等之意義及範圍內的所有變更。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧加熱爐
3‧‧‧隔熱體
4‧‧‧加熱器
5‧‧‧基座板
10‧‧‧處理容器
11‧‧‧外管
12‧‧‧內管
13‧‧‧歧管
14‧‧‧罩蓋部
15‧‧‧旋轉軸
16‧‧‧昇降台
17‧‧‧旋轉機構
18‧‧‧旋轉台
19‧‧‧保溫筒
20‧‧‧晶舟
21‧‧‧成膜氣體供給機構
22‧‧‧含氯化合物氣體供給機構
23‧‧‧惰性氣體供給機構
25‧‧‧成膜氣體供給源
26‧‧‧成膜氣體配管
26a‧‧‧成膜氣體噴嘴
27‧‧‧開閉閥
28‧‧‧流量控制器
29‧‧‧含氯化合物氣體供給源
30‧‧‧含氯化合物氣體配管
30a‧‧‧含氯化合物氣體噴嘴
31‧‧‧開閉閥
32‧‧‧流量控制器
33‧‧‧惰性氣體供給源
34‧‧‧惰性氣體配管
34a‧‧‧惰性氣體噴嘴
35‧‧‧開閉閥
36‧‧‧流量控制器
38‧‧‧排氣管
39‧‧‧真空泵
40‧‧‧壓力調整機構
50‧‧‧控制部
200‧‧‧Si基體
201‧‧‧絶緣膜
202‧‧‧凹部
203‧‧‧非晶矽膜
W‧‧‧晶圓
隨附之圖式，係作為本說明書之一部分而包含在內，以繪示本案之實施形態，其與上述之一般性說明及後述之實施形態之詳情，一同說明本案之概念。
【圖1】繪示用以實施本發明之成膜方法的成膜裝置之一例的縱剖面圖。
【圖2】繪示用於本發明之成膜方法的半導體晶圓之結構之一例的剖面圖。
【圖3】用以說明藉由習知之僅使用SiH4 氣體之CVD法而形成非晶矽膜之際，微細凹部之成膜狀況的圖式。
【圖4】繪示在作為成膜氣體之SiH4 氣體添加作為含氯化合物氣體之DCS氣體而形成非晶矽膜之情況下，DCS之分壓比例與沈積速度間之關係的圖示。
【圖5】用以說明本發明之成膜方法之一例中的成膜過程之狀態的剖面圖。
【圖6】用以說明在本發明之成膜方法之一例的成膜過程之狀態的剖面圖，且係繪示從圖5之狀態更進一步地進行成膜之狀態的圖式。
【圖7】用以說明在本發明之成膜方法之一例的成膜過程之狀態的剖面圖，且係繪示已完成凹部之埋入之狀態的圖式。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧加熱爐
3‧‧‧隔熱體
4‧‧‧加熱器
5‧‧‧基座板
10‧‧‧處理容器
11‧‧‧外管
12‧‧‧內管
13‧‧‧歧管
14‧‧‧罩蓋部
15‧‧‧旋轉軸
16‧‧‧昇降台
17‧‧‧旋轉機構
18‧‧‧旋轉台
19‧‧‧保溫筒
20‧‧‧晶舟
21‧‧‧成膜氣體供給機構
22‧‧‧含氯化合物氣體供給機構
23‧‧‧惰性氣體供給機構
25‧‧‧成膜氣體供給源
26‧‧‧成膜氣體配管
26a‧‧‧成膜氣體噴嘴
27‧‧‧開閉閥
28‧‧‧流量控制器
29‧‧‧含氯化合物氣體供給源
30‧‧‧含氯化合物氣體配管
30a‧‧‧含氯化合物氣體噴嘴
31‧‧‧開閉閥
32‧‧‧流量控制器
33‧‧‧惰性氣體供給源
34‧‧‧惰性氣體配管
34a‧‧‧惰性氣體噴嘴
35‧‧‧開閉閥
36‧‧‧流量控制器
38‧‧‧排氣管
39‧‧‧真空泵
40‧‧‧壓力調整機構
50‧‧‧控制部
W‧‧‧晶圓

Claims (8)

  1. 一種成膜方法，係在表面形成有微細凹部之被處理基板上，藉由CVD法而形成矽膜、鍺膜、或矽鍺膜；該成膜方法包括以下步驟： 於處理容器內配置具有微細凹部之被處理基板的步驟；以及 對該處理容器內，供給含有構成所要形成之膜層之元素的成膜氣體、以及含氯化合物氣體的步驟； 藉由該含氯化合物氣體，而選擇性地阻礙該成膜氣體之吸附在該微細凹部之上部。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中，該成膜氣體，係矽烷類氣體與鍺烷類氣體中之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第2項之成膜方法，其中，該矽烷類氣體，係SiH4 氣體或Si2 H6 氣體；而該鍺烷類氣體，係GeH4 氣體或Ge2 H6 氣體。
  4. 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中，該含氯化合物氣體，係矽類含氯化合物氣體或鍺類含氯化合物氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項之成膜方法，其中，該矽類含氯化合物氣體，係SiH3 Cl氣體、SiH2 Cl2 氣體、SiHCl3 氣體、SiCl4 氣體、Si2 Cl6 氣體中之任一種；該鍺類含氯化合物氣體，係GeH3 Cl氣體、GeH2 Cl2 氣體、GeHCl3 氣體、GeCl4 氣體、Ge2 Cl6 氣體中之任一種。
  6. 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中，該含氯化合物氣體之分壓相對於該成膜氣體與該含氯化合物氣體之分壓合計的分壓比例，係0.01~0.2。
  7. 一種成膜方法，係在表面形成有微細凹部之被處理基板上，藉由CVD法而形成矽膜；該成膜方法包括以下步驟： 於處理容器內配置具有微細凹部之被處理基板的步驟；以及 對該處理容器內，供給作為成膜氣體的SiH4 氣體、以及阻礙SiH4 氣體之吸附的SiH2 Cl2 氣體的步驟； 藉由該SiH2 Cl2 氣體，而選擇性地阻礙該SiH4 氣體之吸附在該微細凹部之上部。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜方法，其中，該SiH2 Cl2 之分壓相對於該SiH4 氣體與該SiH2 Cl2 氣體之分壓合計的分壓比例，係0.01~0.2。
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