KR20070024806A - 히팅 재킷 - Google Patents
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Abstract
반도체 제조장비에 사용되는 히팅 재킷을 제공한다. 상기 히팅 재킷은 반응챔버 내의 잔류가스를 배출시키는 진공배관의 외벽을 감싼다. 상기 히팅 재킷의 본체는 고무재질로 이루어져 있다. 상기 히팅 재킷의 본체가 고무재질로 이루어짐으로써 상기 히팅 재킷의 파손을 방지할 수 있으며, 사용 수명을 연장시킬 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 히팅 재킷을 채택하는 반도체 제조장비를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 히팅 재킷이 장착된 진공배관을 도시한 사시도이다.
본 발명은 반도체 제조장비에 채택되는 발열장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반응챔버 내의 잔류가스를 배출시키는 진공배관의 외벽을 감싸는 히팅 재킷에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장비는 반응챔버 또는 반응로를 구비하고 있으며, 상기 반응챔버 또는 반응로 내부로 반응에 필요한 공정가스를 주입하여 공정이 이루어진다. 공정이 수행된 후에는 잔류가스를 진공배관을 통하여 배출시킨다. 이러한 잔류가스 중에는 소정 온도 이상으로 가열된 상태가 유지되지 못하면 파우더 형태로 고체화되는 것들이 있다.
이러한 잔류가스의 예로는 저압화학기상증착(LPCVD; low pressure chemical vapor deposition) 공정에서 절연막을 형성하기 위해 주입되는 실린가스가 반응한 후 생성되는 암모니아 클로라이드(NH4Cl)가 있고, 알루미늄 식각을 위한 플라즈마 식각 공정에서 발생하는 알루미늄 클로라이드(AlCl3)가 있으며, 그 밖에 SiO2, Cl3, BCl3 등이 있다.
이러한 잔류가스들은 특정 온도 이상에서는 기체 상태를 유지하지만, 상기 특정 온도 이하에서는 고체화되는 특성이 있다. 따라서, 상기 잔류가스들을 배출시킬 때에는 특별한 주의가 필요하다. 즉, 상기 잔류가스들이 배기되는 과정에서 온도의 저하로 인하여 진공배관 내부에서 고체화되어 침적될 경우 관로를 좁히게 되어 상기 잔류가스들의 원활한 배기를 방해하게 된다.
따라서, 이러한 문제점을 방지하기 위하여 일반적으로 진공배관에 별도의 가열장치를 설치함으로써 잔류가스들이 기체 상태를 유지할 수 있도록 하는데, 그러한 가열장치의 하나로 히팅 재킷(heating jacket)이 사용된다. 상기 히팅 재킷은 반응챔버와 연결되어 상기 잔류가스를 배출시키는 진공배관의 외주면을 감싸도록 장착되어 상기 배기관 내부의 잔류가스가 고체화되어 파우더 형태가 되는 것을 방지한다.
그러나, 종래 기술에 따른 히팅 재킷은 설치와 분리가 불편하고, 수 회 사용할 경우 열에 의해 경화될 수 있다. 상기 히팅 재킷이 경화되면, 찢어지는 현상이 발생하게 되며, 이는 상기 진공배관을 통하여 배출되는 상기 잔류가스의 온도를 유지시키지 못하게 되어 상기 잔류가스의 고체화를 방지할 수 없게 된다. 특히, 상기 히팅 재킷의 분리시 뜯어지는 현상이 일어나 자주 교체해주어야 하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 제조 공정 후에 발생되는 잔류가스가 진공배관으로 배출될 때 고체화되는 것을 방지하고, 파손의 우려가 적은 히팅 재킷을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 양태에 따르면, 반도체 제조장비에 이용되는 히팅 재킷이 제공된다. 상기 히팅 재킷은 반응챔버 내의 반응가스를 배출시키는 진공배관의 외벽을 감싼다. 상기 히팅 재킷의 본체는 고무재질로 이루어져 있다.
상기 히팅 재킷의 본체는 테프론 재질로 이루어질 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 크기 및 형상은 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 히팅 재킷을 채택하는 반도체 제조장비를 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 히팅 재킷이 장착된 진공배관을 도시한 사시도이다. 상기 반도체 제조장비는 고온의 반응가스가 이용되고, 진공배관을 통해 잔류가스를 배기시키는 장비이며, 이하 확산 공정을 수행하는 확산로를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 확산로는 종형의 외측튜브(10)를 구비하고, 상기 외측튜브(10)의 내부에는 상부가 개방된 원통 형태의 내측튜브(20)가 설치된다. 상기 외측튜브(10)의 외부에는 상기 외측튜브(10)의 내부를 반응온도로 가열하기 위한 히터(30)가 배치된다. 상기 내측튜브(20)의 내부에는 복수개의 웨이퍼가 적재되는 보트(50)가 배치된다. 상기 보트(50)는 로더부(60)에 의해 승하강 및 회전이 가능하게 설치되고 상기 보트(50)의 승하강에 의해 상기 웨이퍼가 로딩 또는 언로딩된다. 상기 내측튜브(20)의 내측에는 노즐(40)이 설치되고, 상기 노즐(40)에는 웨이퍼가 적재된 보트(50) 쪽으로 반응가스를 배출하기 위한 가스배출구가 복수개 형성된다. 상기 확산로는 확산 공정후 잔류가스가 배출되는 진공배관(80)이 연결된다. 상기 진공배관(80)에 의하여 잔류가스가 배출되며, 상기 잔류가스가 고체화되는 것을 방지하기 위하여 상기 진공배관(80)의 외벽에는 히팅 재킷(100)이 장착된다. 즉, 상기 히팅 재킷(100)은 상기 확산로 내에서 약 700 내지 800℃의 온도하에서의 반응 공정후 발생되는 잔류가스가 상기 진공배관(80)을 통하여 배출될 때에 급격한 온도 하락으로 인하여 고체화되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 히팅 재킷(100)은 상기 진공배관(80)의 외벽을 감싸는 형태로 장착될 수 있다.
상기 히팅 재킷(100)은 상기 진공배관(80)의 외벽을 감싸는 형태의 본체를 구비하고, 상기 본체 내부에 발열수단(101)을 갖는다. 상기 발열수단(101)은 전열선일 수 있다. 상기 발열수단(101)은 도 2에 도시된 바와 같이 코일처럼 상기 진공배관(80)을 감싸는 형태로 상기 본체에 내장될 수 있다. 그러나, 상기 발열수단(101)의 내장된 위치 및 형상 등은 도시된 것에 국한되지 않는다.
상기 히팅 재킷(100)의 본체는 고무 재질로 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 테프론 재질로 이루어질 수 있다. 상기 테프론 재질은 내열성이 좋아 약 300℃의 온도 하에서도 안정하다. 따라서, 약 150℃ 이상의 온도로 유지되어야 하는 상기 진공배관(80)의 히팅 재킷(100)의 본체의 재질로 사용하면, 열에 의해 굳어지는 현상을 방지하여, 종래와는 달리 그 변형이나 파손을 방지할 수 있다. 또한, 상기 테프론 재질은 비점착성, 내화학성 및 절연성 등의 성질을 가지므로, 외부환경으로부터 영향을 많이 받지 않아 비교적 안정적이다.
상기 진공배관(80)이 본 발명에 의한 상기 히팅 재킷(100)에 의해 감싸여진 상태에서 확산 공정이 수행되면, 반응가스를 이용하여 확산 공정을 수행하고, 반응 후 생성되는 잔류가스를 상기 진공배관(80)으로 배출시킨다. 이때, 진공배관(80)은 상기 히팅 재킷(100)에 의하여 소정 온도로 유지되어, 상기 진공배관(80) 내부를 통과하는 잔류가스는 기체의 상태를 그대로 유지하면서 원활하게 배출될 수 있다. 즉, 상기 진공배관(80)이 가열되어 소정 온도로 유지되면, 고온의 공정이 수행되는 확산로에서 기체 상태로 배출되는 잔류가스가 기체의 조건을 그대로 유지하게 되므로, 고체화되어 파우더 형태가 되는 것이 방지되어 상기 진공배관(80)의 내벽에 흡착되는 현상을 방지할 수 있는 것이다.
특히, 상기 히팅 재킷(100)의 본체는 테프론 재질로 이루어져 있으며, 상술한 바와 같이 내열성, 비점착성, 내화학성 및 절연성을 가지므로, 상기 히팅 재킷(100)의 변형 및 파손이 방지되고, 사용 수명을 더욱 연장시킬 수 있다.
상기와 같이 이루어진 본 발명에 의하면, 히팅 재킷의 본체의 재질을 변형 및 파손이 적은 재질로 변경하여 상기 히팅 재킷의 파손을 방지하고 사용 수명을 연장시킬 수 있다. 따라서, 상기 히팅 재킷이 장착되는 진공배관을 통과하는 잔류가스는 고체화되어 파우더 형태가 되는 것이 방지되어 원활하게 배출될 수 있도록 할 수 있다.
Claims (2)
- 반응챔버 내의 잔류가스를 배출시키는 진공배관의 외벽을 감싸는 히팅 재킷(heating jacket)에 있어서,상기 히팅 재킷의 본체는 고무재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 히팅 재킷.
- 제 1 항에 있어서,상기 히팅 재킷의 본체는 테프론 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 히팅재킷.
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WO2009102112A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Jae-Yeong Oh | A manufacturing and heating jacket for pipeline gas refined of semiconductor fabrication |
KR101693376B1 (ko) | 2016-04-18 | 2017-01-05 | 장세진 | 파이프, 탱크 및 조 가열 발열체 |
KR20190018368A (ko) | 2017-08-14 | 2019-02-22 | 세진 장 | 탄소섬유를 이용한 그물형 파이프, 챔버, 탱크 및 조 가열 발열체 |
KR20190093886A (ko) * | 2018-02-02 | 2019-08-12 | 케이비에프(주) | 발포 조성물, 그를 이용한 압출발포시트의 제조방법 및 그로부터 제조된 압출발포시트를 이용한 포장재용 성형발포체 |
KR102077759B1 (ko) | 2019-05-22 | 2020-02-14 | (주)엘오티씨이에스 | 반도체 제조설비용 배기 장비 및 이를 이용한 배기관 내 파우더 침적 방지 방법 |
KR102256161B1 (ko) | 2020-02-03 | 2021-05-26 | (주)엘오티씨이에스 | 반도체 제조설비용 배기 장비 및 이를 이용한 배기관 내 파우더 침적 방지 방법 |
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2005
- 2005-08-30 KR KR1020050080327A patent/KR20070024806A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009102112A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Jae-Yeong Oh | A manufacturing and heating jacket for pipeline gas refined of semiconductor fabrication |
KR101693376B1 (ko) | 2016-04-18 | 2017-01-05 | 장세진 | 파이프, 탱크 및 조 가열 발열체 |
KR20190018368A (ko) | 2017-08-14 | 2019-02-22 | 세진 장 | 탄소섬유를 이용한 그물형 파이프, 챔버, 탱크 및 조 가열 발열체 |
KR20190093886A (ko) * | 2018-02-02 | 2019-08-12 | 케이비에프(주) | 발포 조성물, 그를 이용한 압출발포시트의 제조방법 및 그로부터 제조된 압출발포시트를 이용한 포장재용 성형발포체 |
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