JPH0316121A

JPH0316121A - 気相成長装置

Info

Publication number: JPH0316121A
Application number: JP6125790A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Akagawa; 赤川　慶一; Toshimitsu Omine; 大嶺　俊光
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-03-15
Filing date: 1990-03-14
Publication date: 1991-01-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、半導体の製造に用いる気相或艮装置に関し、
特に、信頼性と安全性の向上を図ることができる気相成
長装置に関する。

（従来の技術）結晶基板上に化合物半導体の膜を気相成長させて化合物
半導体を製造する従来の気相成長装置は、例えば第８図
に示すように構威されている。

この図に示すように、従来の気相成長装置は、反応管１
００内の反応室１０１に、結晶基板１０２を載置するサ
セプタ１０３と、サセプタ１０３を着脱自在に支持する
支持棒１０４が配設されている。支持棒１０４は、反応
管１００の下部に配設したベロー１０５を開して気密状
態で移動自在にｎ通されており、連結した上下動装置１
１６により上下動する。反応管１００は、ガラス製の上
部１００ａと金属製の下部１００ｂとかフランジ部１０
０ｃでＯリング１０６を介在して気密状態で連結固定さ
れており、上部１００ａにはガス（原料ガス、キャリャ
ガス、不活性ガス等）を供給する給気口１００ｄが形成
され、下部１００ｂには反応室１０１の未反応ガスの排
気及び内部の圧力を一定に調整する排気口１００ｅが形
成され、外周面には反応室１０１を加熱する高周波コイ
ル１０７が配設されている。また、反応管１００の下部
１００ｂの側面には、ゲートバルブ１０８を介して予備
室１０９が連通して形成されている。

予備室１０９内には、サセプタ受け１１０が矢印Ａの方
向に移動自在に配設されており、サセプタ受け１１０は
、予備室１０９の外にベロ−１１１を介して気密状態で
着脱自在に連結した移動棒１１２を移動装置１１５で移
動させることによってゲートバルプ１０８を通して反応
室１０１まで移動し、サセプタ受け１１０に載置される
サセプタ１０３を支持棒１０４の上部に搬入すると共に
予備室１０９に搬出する。また、予備室１０９は、その
上部にＯリング１１３を介して蓋１１４が着脱自在に配
設され、下部には予備室１０９内の未反応ガスの排気及
び内部の圧力を一定に調整する排気口１０９ａが形威さ
れている。

従来の気相成長装置は上記のように構成されており、反
応室１０１に結晶基板１０２を配置する際に、先ず、反
応室１０１と予備室１０９間のゲートバルプ１０８を閉
じて、予備室１０９のＭ１１４を開き、結晶基板１０２
をサセプタ受け１１０に予め載せてあるサセプタ１０３
上に載置する。

そして、蓋１１４を閉じて吸気口（不図示）から反応室
１０１に供給されているガス（不活性ガス）と同じガス
を供給して予備室１０９を反応室１０１と同じガスに置
換し、予備室１０９を反応室１０１と同じ圧力に調整す
る。その後、ゲートバルブ１０８を開いて、サセプタ受
け１１０を移動装Ｗ１１５により上下動装置１１６によ
り予め下降させてあるサセプタ支持棒１０４まで移動さ
せてサセプタ支持棒１０４上に載置し、サセプタ支持棒
１０４を上下動装置１１６によって上昇させた後、サセ
プタ受け１１０を移動棒１１２、移動装置１１５により
予備室１０９に戻してゲートバルブ１０８を閉じる。そ
して、高周波コイル１０７に通電してサセプタ１０３を
加熱し、結晶基板１０２を所定温度に上昇させて給気口
１００ｄから反応室１０１に原料ガス（例えば、アルシ
ン（ＡｓＨ３），トリメチルガリウム（ＴＭＧ），｝リ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）等）と共にキャリャガス
（例えば、Ｈ２等）を供給し、結晶基板１０２上に化合
物半導体の膜を気相成長させる。

そして、化合物半導体の膜を気相成長させた結晶基板１
０２を反応室１０１から取出すには、先ず、原料ガスと
キャリャガスの供給を停止し、反応室１０１の残留ガス
を排気口１００ｏからロータリボンブ（不図示）により
排気した後に不活性ガスを給気口１００ｄから供給して
予備室１０つと同じ圧力にする。反応室１０１と予備室
１０９とを同じ圧力にした後、ゲートバルブ１０８を開
いてサセプタ受け１１０を、移動棒１１２、移動装置１
１５により反応室１０１の結晶基板１０２を載置したサ
セプタ１０３の下方まで移動させる。

そして、サセプタ１０３を載置した支持棒１０４を上下
動装置１１６で下降させて、結晶基板１０２を載置した
サセプタ１０３をサセプタ受け１１０に乗せて移動棒１
１２、移動装置１１５により予備室１０９に搬出する。

サセプタ受け１１０が予備室１０９に移動するとゲート
バルブ１０８を閉じて蓋１１４を開き、サセプタ受け１
１０上のサセプタ１０３に載置されている結晶基板１０
２を取出す。

（発明が解決しようとする課題〉ところで、前記しｔ二従来の気相成長装置では下記のよ
うな課題があった。

偲》　結晶基板１０２上に化合物半導体の膜が気ｔｔ’
ｔ成長する時に、反応ガスの全てが結晶成長膜に寄与す
るわけではなく、或膜に寄与しなかった原料ガスのほと
んどは、サセプタ１０３の周囲よりも下方に反応生成物
として析出される。このため、反応室１０１の下部側面
にあるゲートバルブ１０８に反応生成物が大量に付着す
るので、ゲートバルブ１０８を閉じても反応生成物の付
着によって十分に閉じられずリークが生じることがある
。また、一般に気相成長装置では、有害ガスや可燃性ガ
スを使用する事が多いので、気相戊長中や予備室１０９
から結晶基板１０２を取出す時に、反応室１０１からゲ
ートバルブ１０８を通して予備室１０９へ可燃性ガス等
が漏れると爆発や火災の危険性があり、しかも、反応生
戊物は人体に有害である。

また、反応炉の破損やＯリング１０６の劣化などによる
有害性ガスの大気中へのリークの可能性も大きく、大事
故につながるおそれがあった。

（ω　反応室１０１と予備室１０９間に設けたゲートバ
ルプ１０８を通してサセプタ１０３、サセプタ受け１１
０が方向Ａに沿って移動される構戊となっていたため、
移動装置１１５を含めて方向Ａに装置が大型化してしま
う。また、ゲートバルブ１０８もサセプタ受け１１０を
通すために大型にしなければならず、その大型化に伴い
ゲートバルプ１０８の開閉時の振動が極めて大きなもの
となるので、反応管ＬＯＯの内壁に付着した反応生戊物
が結晶基板１０２上に落下して結晶或長膜が異常戊長ず
る恐れがある。

（Ｃ）　　サセプタ支持棒１０４には、サセプタ１０３
を上下動させる上下動装置１１６が必要であった。

すなわち、サセプタ受け１１０の移動機構が方向Ａに沿
ってのみサセプタ受け１１０を移動させる様になってい
たため、サセプタ支持棒１０４とサセプタ受け１１０と
の間でサセプタ１０３を受け渡しするために、支持棒１
０４を上下動させることが必要であった。

また、この上下動装置１１６には一般に、サセプタ１０
３を回転させる回転機構も設けられているので、サセプ
タ支持４１　０４を上下動させる上下動装置１１６の構
造が複雑になる。

（ｄ）　　反応管１００は、その上部１００ａと下部１
００ｂを連結するフランジ部１００ｃにＯリング１０６
を介在して密着固定されているので、ホスフィン等のリ
ン系のガスを反応室１０１に供給した場合、このガスが
フランジ部１００Ｃを通して侵入する微量な空気と反応
してリン酸を形威し、このリン酸によってＯリング１０
６に腐食が生じてリークする恐れがある。

本発明は、上述の如くの問題点を解決するためのもので
あり、その目的は、信頼性と安全性に優れた気相成長装
置を提供することである。

［発明の構戊］（課題を解決するための手段）前記した課題を解決するために、本発明の特徴は、気相
成長装置において、結晶基板を載置するサセプタと、該
サセプタをその内部に収納するべく２つの部分に２分割
開閉自在な反応管と、前記サセプタを前記反応管内で支
持する支持棒と、前記反応管の２分割される一方の部分
を上下動させる上下動手段と、前記反応管を気密可能に
覆う気密容器と、前記結晶基板または結晶基板を載置し
た前記サセプタを前記反応管の開閉される２分割面を通
して前記気密容器内から前記反応管内へ搬入および前記
反応管内から前記気密容器内へ搬出する搬入搬出手段と
、前記サセプタを加熱する加熱手段とを具備したことで
ある。

（作用）本発明によれば、気密容器で反応管を気密状態で覆うこ
とにより、反応管の２分割面からガスがリークしても気
密容器の外にガスが漏れることはなく、また、反応管が
２分割自在なので気密容器内で反応管を開くことにより
、結晶基阪の搬入搬出を容易に行うことができるため構
或を小型化できる。

（実施例）第１図乃至第３図は本発明を実施した気相成長装置の断
面図である。これらの図に示すように、この気相成長装
置は、上部１ａと下部１ｂとに２分割に着脱自在な反応
管１を有しており、この反応管１は、Ｏリング２を介材
した連結部３で開閉自在に密着されており、上部１ａに
は、内部の反応室４にガス（原料ガス、キャリャガス、
不活性ガス等）を供給する吸気口ＩＣが形戊されている
。

連桔部３は、第２図に拡大して示す如くに、反応管１の
上部１ａと下部１ｂの密着を確実にするために上部１ａ
より突出した第１の突出部３ａと、上記０リングを保持
するべく下部１ｂより突出した第２の突出部３ｂとを有
している。そして、上部１ａの先端部１ｄは、上部１ａ
と下部１ｂをより密着させるべくテーバー状になってお
り、上記第２の突出部３ｂの先端部３ｃは、０リング２
を確実に保持するため逆テーバー状となっている。

反応管１を気密可能に覆う気密容器５は、上部プレート
６と、下部プレート７と、その周而に設けたベロー８と
で構成されており、上部プレート６とベロー８、下部プ
レート７とベロー８のそれぞれの接合部は、Ｏリング９
．１０によって気密状態に接合されている。上部プレー
ト６には、反応管１の給気口１ｃの外周面がＯリング１
１を介して気密状態で固着され、下部プレート７の内側
には、反応管１の下部１ｂが固着されている。すなわち
、気密容器５の下部プレート７と反応管１の下部１ｂと
は一体となっている。また、上部プレート６には、気密
容器５内にガス（バージガス等）を供給する給気管１２
と、反応管１の連結部３を開閉させるため上部プレート
６に固着した反応管１の上部１ａを上下させ、ベロー８
を伸縮させる回転輔１３が配設されている。回転輔１３
は上部プレート６に送りねじ部１３ａによって螺合され
ており、回転？ｄＩ１３に連結したモータ１４の駆動に
よって上部プレート６、ベロー８、反応管１の上部１ａ
が一体に上下動する。

下部プレート７の反応室４の下部に位置する部分には、
反応室４を一定圧力に調整したり、給気口１ｃから供給
されるガスを排気するための排気管１５が配設されると
共に、摺動リング１６を介して支持棒１７が反応室４に
回転自在にｔｒ＋ｉａされており、この支持棒１７上に
結晶基板１８を載置するサセプタ１９が着脱自在に装着
される。支持棒１７は、サセプタ１９が装着される上部
が反応管１の上部１ａと下部１ｂの２分割面の連結部３
と略同一平面上に位置するように配設されている。

また、支持棒１７の下部には、支持棒１７を回転させる
モータ（不図示）が配設されており、支棒１７の周囲に
は、結晶基板１８を加熱するためのヒータ２０が配設さ
れている。

また、気密容器５内の下部プレート７と反応管１の側面
とで囲まれた部分には、予備室２１が形成されている。

予備室２１には、反応管１の２分割面（連結部３）を通
して結晶基板１８を載置したサセプタ１９を、反応室４
へ搬入したり、反応室４から予備室２１へ搬出する回転
軸２２と、回転軸２２に取付けたアーム２３と、アーム
２３の先端に設けたサセプタ受け２４が配設されている
。

回転軸２２は、下部プレート７に摺動リング２５を介し
て回転自在に、且つ上下に移動自在に挿通されており、
下部には、回転輔２２を回転させるモータ２６と、上下
動させる上下動機構（不図示）が配設されている。また
、予備室２１には、その上部にＯリング２７を介在して
蓋２８が密着自在に配設され、下部には気密容器５（予
備室２１）内に供給されるガス（パージガス、不活性ガ
ス等）を排気するための排気管２つが配設されている。

次に、上述した本発明に従う気相成長装置の実施例の動
作について説明する。

先ず、反応管１の上部１ａを下方に位置させることによ
り、上部１ａと下部１ｂを連結部３で密着し、予備室２
１の蓋２８を開けて結晶板１８を載置したサセプタ１９
をサセプタ受け２４に載せてｆＥ２．８を密閉し、気密
容４５（Ｔ−備室２１）内の排気を排気管２９を通して
行う（第３図参照）。

気密容器５（予備室２１）内の排気が終了すると、給気
管１２から気密容器５内へ反応室４に供給されているガ
ス（不活性ガス）と同様のガスを供給して、反応室４と
気密容器５（予備室２１）内を同圧にする。反応室４と
気密容器５（予備室２１）内が同圧になるとモータ１４
を駆動させて回転輔１３を回転させ、螺合している上部
プレート６を上昇させる。上部プレート６が上昇すると
それに伴って固着されている反応管１の上部１ａが下部
１ｂから離れて上昇すると共に、接合されてぃるベロー
８が上方に伸びて、反応管１の上部１ａと下部１ｂの２
分割面の連結部３か開く　（第４図参照）。ここで、連
桔部３の第１の突出部３ａが上昇するが、０リング２は
逆テーバー状の先端部３Ｃによって下部１ｂに保持され
ているため、上記第１の突出部３ａに接着して上方へ持
ち上げられることがない。連結部３が開くとモータ２６
の駆動により回転軸２２を回転させて、アーム２３、サ
セプタ受け２４を反応室４の支持棒１７上に移動させ、
その後、回転輔２２を上下動機構（不図示）により下降
させ、結晶基板１８を載置したサセプタ１つを支持棒１
７の上部に装着する。サセプタ１９が支持棒１７に装着
されると、回転輔２２をモータ２６の駆動により回転さ
せてアーム２３、サセプタ受け２４を再び予備室２１に
移動させる。そして、モータ１４の駆動により回転輔１
３を逆回転させて螺合している上部プレート６を下降さ
せ、一体に動く反応管１の上部１ａを下降させて連結部
３で反応管１の下部１ｂに密着させると共に、ベロー８
を元の位置まで縮める（第１図参照）。

そして、給気管１２を通して非腐蝕性ガスをバージガス
として気密容器５内へ供給した後、ヒータ２０に通電し
て反応室４を加熱して結晶基板１８の温度を所定温度ま
で上昇させ、給気口１ｃから反応室４に原料ガス（例え
ば、アルシン（ＡｓＨ３），トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等）をキャリ
ャガス（例えば、Ｈ２　）と共に供給して、結晶基板１
８上に化合物半導体の膜を気相成長形成させる。

この時、結晶基板１８で成膜に寄与しなかった原料ガス
は、反応室４の下部、即ち反応管１の下部１ｂで反応生
成物となるため、この反応生戊物が反応管１の上部１ａ
と下部１ｂの２分割面の連結部３に付着することはない
。また、前記反応生成物を排気管１５を通して捕集装置
（不図示）等で捕集することにより、反応管１の上部１
ａを上昇させて連結部３を開いた時でも予備室２１内に
反応生成物が入ることはない。

結晶基板１８上に化合物半導体の膜が気相戊長形威する
と、給気口１ｃと給気管１２から反応管１と気密容器５
（予備室２１）内にそれぞれ不活性ガスを供給して大気
圧にする。そして、モータ１４を駆動させて回転輔１３
を回転させ、螺合している上部プレート６を上昇させる
ことにより、一体に動く反応管１の上部１ａを上昇させ
て連結部３を開くと共に、接合されてぃるベロー８を上
方に伸ばす，そして、モータ２６の駆動により回転軸２
２を回転させてアーム２３、サセプタ受け２４を開いて
いる連結部３から支持棒１７まで移動させ、回転輔２２
を上下動機構（不図示）により上昇させて結晶基板１８
が載置されているサセプタ１９をサセプタ受け２４に乗
せて、再びモタ２６を回転させ予備室２１にサセプタ１
つを搬出する。サセプタ１９が予備室２１に搬出される
と、モータ１４を駆動して回転軸■２を逆回転させて螺
合している上部プレート６を下許させ、体に動く反応管
１の上部１ａを下降させて連結部３で反応管１の下部１
ｂに密着させると共に、べ口−８を元の位置まで縮める
。そして、予備室２１の蓋２８を開けて結晶基板１８を
取出す。

このように、本発明に従う気相成長装置では、反応管１
の上部１ａと下部１ｂが密着される連結部３に反応生成
物が付着することはなく、また、反応管１は気密容器５
で覆．われでいるので、連結部３の０リング２に空気が
侵入することが防止され、ホスフィン等のリン系のガス
を反応室４に供給した場合でも、０リング２の腐食が防
止されてリークの恐れがなくなる。また、気密容器５内
にバージガス（非腐蝕性ガス）が供給されるので、たと
え反応室４のガスが連結部３からリークしても気密容器
５の外にガスが漏れることはない。

また、前記実施例では、上部プレート６、反応管１の上
部１ａ、ベロー８を上下動させる回転軸１３は１個であ
ったが、２個以上設けても良い。

また、前記実施例では、結晶基板１８を載置したサセプ
タ１９をサセプタ受け２４に乗せて反応室４の支持棒１
７上に装着する構成であったが、予めサセプタ１９を支
持捧１７上に取付けておき、結晶基板１８をサセプタ受
け２４に乗せてサセプタ１９上に装着する構成でも良い
。

また、前記実施例では、サセプタ受け２４を取付けたア
ーム２３を回転させて、結晶基板１８を載置したサセプ
タ１９を、反応室４の支持棒１７へ搬入して気密容器５
内へ搬出する構成であったが、サセプタ受け２４を取付
けたアーム２３を直線移動させて、結晶基板１８を載置
したサセプタ１つを、反応室４の支持棒１７へ搬入して
気密容器５内へ搬出する構成も可能である。

また、前記実施例では、反応管１の下部１ｂと気密容器
５の下部プレート７とが一体になっていると表現したが
、下部プレート７の一部が反応管１の開口を開閉する蓋
の役割を果していると考えることもできる。

第５図は本発明の第２実施例エ係る気相成長装置を示す
断面図である。

本実施例においては、上部プレート６にモータ１４を連
結した回転軸１３を螺合する代わりに、反応管１の上部
１ａの給気口ＩＣを、摺動リング３０を介して上部プレ
ート６に気密状態で移動自在に揮通する。そして、給気
口ＩＣの上部に連結板３１を取付け、この連結板３１に
モータ３２を連結した回転軸３３が送りねじ部３３ａに
よって螺合されている。また、気密容器５の周囲は円筒
部材３４で形威されている。他の構或は前記した第１実
施例と同様である。

このように構成された本例では、モータ３２の駆動によ
って回転？Ｉｌｌ３３が回転すると、螺合している連結
板３１が上下動し、これに伴って気密容器５内で反応管
１の上部１ａが一体に上部プレート６に対して上下に移
動して、前記同様、結晶基板１８を載置したサセプタ１
９を、回転輔２２、アーム２３、サセプタ受け２４、モ
ータ２６から構成される搬入搬出手段により搬入搬出す
る。

第６図は、本発明の第３実施例に係る気相成長装置を示
す断面図である。

本実施例においては、上部プレート６にモータ１４を連
結した回転軸１３を螺合する代わりに、下部プレート７
の端部に突出部４０を形成し、この突出部４０に回転輔
４２の送りねじ部４２ａが螺合されており、回転？ｄｌ
４２に連結したモータ４４の駆動によって、下部プレー
ト７と共に、反応管１の下部１ａ，支持棒１７，回転軸
２２，予備室２１が一体（こ上下動する。他の構成は前
記した第１実施例である。

このように構成された本例では、モータ４４の駆動によ
って回転軸４２が回転すると、螺合している突出部４０
が上下動し、これに伴って気密容器５内で反応管１の下
部１ｂが上部プレート６に対して上下に移動して、前記
同様、結晶基板１８を載置したサセプタ１つを、回転輔
２２，アーム２３．サセプタ受け２４．モータ２６から
構成される搬入搬出手段により搬入搬出する。

第７図は、本発明の第４の実施例に係る気相成長装置を
示す断面図である。

この実施例は、第１図に示した第１の実施例と同一部分
には同一符号を付して詳細な説明は省略し、異なる部分
についてのみ説明する。

先の実施例に於いては、反応管１は上部１ａと下部１ｂ
とに分割されていたが、この実施例においては、Ｏリン
グ２が下部プレート７に備えられている。

すなわち、この実施例に於いては、反応管１は反応管上
部１ａと下部プレート７とに分割可能であって、下部プ
レート７が反応管１の一部として定義付けられている。

本願発明で請求している２つの部分から成る反応管とは
、以上のごとく広い意味に解釈できるものであって、こ
の実施例はそれをサポートする一実施例として理解でき
る。

［発明の効果］以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発
明によれば、２分割された反応管の一方が開くので、反
応管の２分割面を通して結晶基板または結晶基板を載置
したサセプタの反応管内への着脱を容易に、且つ確実に
行うことができる。

また、反応管を気密容器で覆う構或により、反応管内の
ガスが気密容器の外に漏れることが防止されるので信頼
性と安全性の向上を図るこができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を実施した気相成長装置を示す概略断
面図、第２図は、第１図に示した気相成長装置の一部拡大断面
図、第３図及び第４図は、それそれ第１図に示した気相成長
装置における結晶基板を載置したサセプタの反応管内へ
の搬入動作を示すｌＩ！Ｅ略断而図、第５図は、本発明
の第２実施例に係る気相成長装置を示す概略断面図、第６図は、本発明の第３実施例に係る気相成長装置を示
す概略断面図、第７図は、本発明の第４実施例に係る気相成長装置を示
す概略断面図、第８図は、従来の気相成長装置を示す概略断面図である
。１・・・反応管　１ａ・・・上部ｌｂ・・・下部　１ｃ・・・給気口３・・・連結部　４・・・反応室５・・・気密容器　６・・・上部プレート７・・・下部
プレート　８・・・ベロー１３・・・回転軸　１４・・
・モータ１７・・・支持棒　１８・・・結晶基板１つ・・・サセ
プタ　２０・・・ヒータ２１・・・予備室　２２・・・
回転軸２３・・・アーム　２４・・・サセプタ受け２６・・・
モータ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）結晶基板上に半導体の膜を気相成長させるための
気相成長装置にして、上記結晶基板を載置するためのサセプタと、上記結晶基
板上に半導体の膜を気相成長させるべく上記結晶基板の
載置された前記サセプタをその内部に配置するため、２
つの部分から成り、その反応管を開閉させるべくその２
つの部分が相互に着脱自在となっている反応管と、前記反応管を気密状態に覆うための気密容器と、前記反
応管の２つの部分を相互に着脱させるため上記２つの部
分の少なくとも一方を移動させる手段と、上記結晶基板の載置された前記サセプタを気密容器から
前記反応管内へ前記反応管の開口を通じて搬入すると共
に、前記サセプタを前記反応管内から前記気密容器へ前
記開口を通して搬出するための搬入搬出手段と、を具備
したことを特徴とする気相成長装置。
（２）前記反応管が、上部と下部とに２分割自在となっ
ており、前記移動手段が、前記反応管の２分割される一
方を上下動させる上下動装置から成ることを特徴とする
請求項１に記載の気相成長装置。
（３）前記反応管は、その内部に配置された状態の前記
サセプタと略同一平面位置で２分割されていることを特
徴とする請求項２に記載の気相成長装置。
（４）前記気相成長装置が、さらに前記サセプタを前記
反応管内で支持する支持棒と、前記サセプタを加熱する加熱手段と、を具備することを
特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
（５）前記気密容器は、その周囲が伸縮自在のベローか
ら成り、前記反応管の２分割される上部が、前記気密容
器の上部に気密状態で挿通して固定され、前記上下動装
置が、上記ベローの伸縮と共に前記反応管の上部を上下
動させることを特徴とする請求項２に記載の気相成長装
置。
（６）前記気密容器の下部が、前記反応管の下部と一体
となっていることを特徴とする請求項５に記載の気相成
長装置。
（７）前記反応管の２分割される上部が、前記気密容器
の上部に気密状態で移動自在に挿通保持され、前記上下
動装置が、前記反応管の上部を前記気密容器内で上下動
させることを特徴とする請求項２に記載の気相成長装置
。
（８）前記気密容器は、その周囲が伸縮自在のベローか
ら成り、前記反応管の２分割される上部が、前記気密容
器の上部に気密状態で挿通して固定され、前記上下動装
置が、上記ベローの伸縮と共に前記反応管の下部を上下
動させることを特徴とする請求項２に記載の気相成長装
置。
（９）前記気密容器の下部が、前記反応管の下部と一体
となっていることを特徴とする請求項８に記載の気相成
長装置。
（１０）前記気密容器は固定であって、前記上下動装置
は、前記反応管のみを上下動させることを特徴とする請
求項２に記載の気相成長装置。
（１１）前記搬入搬出手段が、回転自在で、上下に移動
自在な回転軸と、該回転軸に取付けたアームと、該アー
ムの先端に設けたサセプタあるいは結晶基板を受ける受
け部とから成ることを特徴とする請求項１に記載の気相
成長装置。
（１２）前記加熱装置が、前記支持棒の周囲およびサセ
プタの下面側を加熱するため前記反応管内に配置される
ヒータから成ることを特徴とする請求項４に記載の気相
成長装置。
（１３）結晶基板上に半導体の膜を気相成長させるため
の気相成長装置にして、上記結晶基板を載置するためのサセプタと、上記結晶基
板上に半導体の膜を気相成長させるべく上記結晶基板の
載置された前記サセプタをその内部に配置するため開口
を有している反応管と、前記反応管を気密状態に覆うと
共に、前記反応管の開口を開閉するため移動自在な移動
部を有している気密容器と、前記反応管の開口を開閉させるため前記気密容器の移動
部を移動させる手段と、上記結晶基板の載置された前記サセプタを前記気密容器
から前記反応管内へ前記反応管の開口を通して搬入する
と共に、前記サセプタを反応管内から前記気密容器へ前
記開口を通して搬出するための搬入搬出手段と、を具備
したことを特徴とする気相成長装置。