JPH04100533A - 真空容器 - Google Patents
真空容器Info
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- JPH04100533A JPH04100533A JP21760990A JP21760990A JPH04100533A JP H04100533 A JPH04100533 A JP H04100533A JP 21760990 A JP21760990 A JP 21760990A JP 21760990 A JP21760990 A JP 21760990A JP H04100533 A JPH04100533 A JP H04100533A
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- sealing material
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Landscapes
- Sealing Material Composition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は被処理物の出し入れ口を開閉する蓋体を備えた
真空容器に関し、特に蓋体用シール材の構造に関するも
のである。
真空容器に関し、特に蓋体用シール材の構造に関するも
のである。
従来のこの種の真空容器としては、例えば半導体記憶装
置を製造する際に使用するエツチングチャンバーがある
。このエツチングチャンバーを第３図によって説明する
。
置を製造する際に使用するエツチングチャンバーがある
。このエツチングチャンバーを第３図によって説明する
。
第３図は従来のエツチングチャンバーの概略構成を示す
断面図である。同図において、■はエツチングチャンバ
ーの本体で、この本体１は内部に処理室１ａが設けられ
、−側部にはこの処理室１ａに対して半導体ウェハ（図
示せず）を出し入れするための出し入れ目２が開口され
ている。
断面図である。同図において、■はエツチングチャンバ
ーの本体で、この本体１は内部に処理室１ａが設けられ
、−側部にはこの処理室１ａに対して半導体ウェハ（図
示せず）を出し入れするための出し入れ目２が開口され
ている。
３は前記出し入れ口２を開閉するための蓋体としての扉
で、この扉３は本体１に接離自在に支持されている。４
は前記扉３と本体ｌとの間の隙間から気体が漏洩するの
を防くためのシール材で、このシール材４としては、ふ
っ素糸ゴムによって形成された０リングが使用されてい
る。そして、このシール材４は前記８３４こ保持されて
おり、扉３をボルト（図示せず）等の締結部材によって
本体ｌに固定して出し入れ口２を塞いだ時に、本体１の
側面に圧接されるように構成されている。
で、この扉３は本体１に接離自在に支持されている。４
は前記扉３と本体ｌとの間の隙間から気体が漏洩するの
を防くためのシール材で、このシール材４としては、ふ
っ素糸ゴムによって形成された０リングが使用されてい
る。そして、このシール材４は前記８３４こ保持されて
おり、扉３をボルト（図示せず）等の締結部材によって
本体ｌに固定して出し入れ口２を塞いだ時に、本体１の
側面に圧接されるように構成されている。
５は本体１内の気体を排出するための排気装置で、排気
管６を介して本体１の処理室１ａに連通されている。な
お、７は排気管６を開閉するためのパルプである。
管６を介して本体１の処理室１ａに連通されている。な
お、７は排気管６を開閉するためのパルプである。
このように構成された従来のエンチングチャンバーでは
、扉３を開いて半導体ウェハを本体１の処理室ｌａ内に
挿入し、扉３を閉して排気装置５によって処理室ｌａ内
を減圧させる。この状態でエンチングガスが供給される
。エツチング終了後は、排気装置５によってエツチング
ガスを排出させてから扉３を開き、エンチング処理の終
了した半導体ウェハを本体１外へ取り出す。
、扉３を開いて半導体ウェハを本体１の処理室ｌａ内に
挿入し、扉３を閉して排気装置５によって処理室ｌａ内
を減圧させる。この状態でエンチングガスが供給される
。エツチング終了後は、排気装置５によってエツチング
ガスを排出させてから扉３を開き、エンチング処理の終
了した半導体ウェハを本体１外へ取り出す。
しかるに、このように構成された従来の工、チングチャ
ンハーでは、扉３のシール材４としてゴム製のＯリング
を使用しているため、扉３の気密性が低いものであった
。また、このようなゴム製の０リングを使用すると、エ
ツチングに用いる腐食性の高いガスによってシール材４
自体が膨潤したりして劣化しやすく、リークや発塵の原
因となる。気密性、耐腐食性の高いシール材としては金
属製のメタルシールがあるが、これは加圧による変形に
対して復元性が殆ど無いために繰り返し使用することが
できない。
ンハーでは、扉３のシール材４としてゴム製のＯリング
を使用しているため、扉３の気密性が低いものであった
。また、このようなゴム製の０リングを使用すると、エ
ツチングに用いる腐食性の高いガスによってシール材４
自体が膨潤したりして劣化しやすく、リークや発塵の原
因となる。気密性、耐腐食性の高いシール材としては金
属製のメタルシールがあるが、これは加圧による変形に
対して復元性が殆ど無いために繰り返し使用することが
できない。
本発明に係る真空容器は、蓋体と真空容器本体との間に
介装されるシール材を形状記憶合金によって形成すると
共に、このシール材を転移温度以上に加熱して復元させ
るヒータを設けたものである。
介装されるシール材を形状記憶合金によって形成すると
共に、このシール材を転移温度以上に加熱して復元させ
るヒータを設けたものである。
蓋体を真空容器本体に締め付けることにより形状記憶合
金製シール材が変形して気密が保持され、蓋体を開いた
時にヒータで前記シール材を加熱することによって、シ
ール材は変形前の形状に復元する。
金製シール材が変形して気密が保持され、蓋体を開いた
時にヒータで前記シール材を加熱することによって、シ
ール材は変形前の形状に復元する。
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）によっ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る真空容器の概略構
成を示す断面図で、同図（ａ）は扉を閉める前の初期状
態、同図（ｂ）は扉を閉めた状態、同図（ｃ）は処理後
に扉を開けた状態、同図（ｄ）はヒーターにより加熱を
行なった状態を示す。これらの図において前記第３図で
説明したものと同一もしくは同等部材については、同一
符号を付し詳細な説明は省略する。これらの図において
、１１は本体１と扉３との間の気密を保持するためのシ
ール材で、このシール材１１は形状記憶合金からなり、
断面略円形の円環状に形成されている。そして、このシ
ール材１１は、扉３における本体１と対向する部分に形
成された環状の凹溝１２内に装着されて保持されており
、扉３を本体１に固定して出し入れ口２を閉塞した時に
、本体１の側面に圧接されるように構成されている。こ
のソール材１１を形成する形状記憶合金としては、例え
ばチタンとニッケルの合金が採用されており、ある転移
温度以下で変形させても転移温度以上に加熱すれば元の
形状に戻すことができる。この転移温度は、チタン−ニ
ッケル合金の場合、その混合比を変えることによって、
−１８０℃〜１００℃程度まで調整することができる。
成を示す断面図で、同図（ａ）は扉を閉める前の初期状
態、同図（ｂ）は扉を閉めた状態、同図（ｃ）は処理後
に扉を開けた状態、同図（ｄ）はヒーターにより加熱を
行なった状態を示す。これらの図において前記第３図で
説明したものと同一もしくは同等部材については、同一
符号を付し詳細な説明は省略する。これらの図において
、１１は本体１と扉３との間の気密を保持するためのシ
ール材で、このシール材１１は形状記憶合金からなり、
断面略円形の円環状に形成されている。そして、このシ
ール材１１は、扉３における本体１と対向する部分に形
成された環状の凹溝１２内に装着されて保持されており
、扉３を本体１に固定して出し入れ口２を閉塞した時に
、本体１の側面に圧接されるように構成されている。こ
のソール材１１を形成する形状記憶合金としては、例え
ばチタンとニッケルの合金が採用されており、ある転移
温度以下で変形させても転移温度以上に加熱すれば元の
形状に戻すことができる。この転移温度は、チタン−ニ
ッケル合金の場合、その混合比を変えることによって、
−１８０℃〜１００℃程度まで調整することができる。
本実施例では転移温度が７０℃になるように合金の混合
比を調整したものを使用した。
比を調整したものを使用した。
１３は前記シール材１１を転移温度以上に加熱するため
のヒーターで、このヒーターＩ３は扉３に内蔵されてい
る。
のヒーターで、このヒーターＩ３は扉３に内蔵されてい
る。
次に、このように構成された真空容器の動作について説
明する。先ず、扉３を開けた状態で出し入れ口２から半
導体ウェハを処理室ｌａ内に挿入し、扉３を閉しる。シ
ール材１１は、扉３を閉しる前に予め加熱して第１図（
ａ）に示すように初期状態にしておく。扉３を閉じて締
結部材によって本体１に締付けると、シール材１１は第
１図（ｂ）に示すように、扉３と本体ｌとの間で潰れる
ように変形する。これによって、通常のメタルシールの
ように高い気密性を得ることができる。半導体ウェハの
エツチング処理終了後、扉３を開いて半導体ウェハを本
体ｌ外へ取り出す。扉３を開けると、室温程度ではシー
ル材１１は第１図（ｃ）に示すように変形したままであ
るが、扉３に内蔵されたヒーター１３により扉３の温度
を７０℃以上に上げることによって、シール材１１は第
１図（ｄ）に示すように元の変形前の形状に復元する。
明する。先ず、扉３を開けた状態で出し入れ口２から半
導体ウェハを処理室ｌａ内に挿入し、扉３を閉しる。シ
ール材１１は、扉３を閉しる前に予め加熱して第１図（
ａ）に示すように初期状態にしておく。扉３を閉じて締
結部材によって本体１に締付けると、シール材１１は第
１図（ｂ）に示すように、扉３と本体ｌとの間で潰れる
ように変形する。これによって、通常のメタルシールの
ように高い気密性を得ることができる。半導体ウェハの
エツチング処理終了後、扉３を開いて半導体ウェハを本
体ｌ外へ取り出す。扉３を開けると、室温程度ではシー
ル材１１は第１図（ｃ）に示すように変形したままであ
るが、扉３に内蔵されたヒーター１３により扉３の温度
を７０℃以上に上げることによって、シール材１１は第
１図（ｄ）に示すように元の変形前の形状に復元する。
したがって、本発明に係る真空容器では、エツチングガ
スの悪影響を受けることの少ないシール材１１を繰り返
し使用することができ、しかも扉３を反復して開閉して
も、その都度高い気密性が得られる。
スの悪影響を受けることの少ないシール材１１を繰り返
し使用することができ、しかも扉３を反復して開閉して
も、その都度高い気密性が得られる。
なお、本実施例ではシール材１１を断面円形を呈する円
環状に形成した例を示したが、シール材としては、断面
Ｃ字状を呈する円環状に形成したり、管体を円環状に丸
めて形成したりすることもできる。断面Ｃ字状に形成し
た例を第２図に示す。
環状に形成した例を示したが、シール材としては、断面
Ｃ字状を呈する円環状に形成したり、管体を円環状に丸
めて形成したりすることもできる。断面Ｃ字状に形成し
た例を第２図に示す。
第２図は断面Ｃ字状を呈する円環状に形成されたシール
材の他の実施例を示す斜視図である。同図において前記
第１図（ａ）〜（ｄ）で説明したものと同一もしくは同
等部材については、同一符号を付し詳細な説明は省略す
る。第２図に示すシール材１１は、断面Ｃ字状を呈する
円環状に一体成形されており、円環の内周部分が開放さ
れている。
材の他の実施例を示す斜視図である。同図において前記
第１図（ａ）〜（ｄ）で説明したものと同一もしくは同
等部材については、同一符号を付し詳細な説明は省略す
る。第２図に示すシール材１１は、断面Ｃ字状を呈する
円環状に一体成形されており、円環の内周部分が開放さ
れている。
このような構造とすると、扉３を本体ｌに締結させる力
を小さく済ますことができ、シールの信頼性を高めるこ
とができる。
を小さく済ますことができ、シールの信頼性を高めるこ
とができる。
また、本実施例では真空容器としてエンチングチャンバ
ーを例示したが、本発明はこのような限定にとられれる
ことなく、開閉する扉を有する真空容器であれば、どの
ような容器であっても適用することができる。
ーを例示したが、本発明はこのような限定にとられれる
ことなく、開閉する扉を有する真空容器であれば、どの
ような容器であっても適用することができる。
以上説明したように本発明に係る真空容器は、蓋体と真
空容器本体との間に介装されるシール材を形状記憶合金
によって形成すると共に、このシール材を転移温度以上
に加熱して復元さセるヒータを設けたため、蓋体を真空
容器本体に締め付けることにより形状記憶合金製シール
材が変形して気密が保持され、蓋体を開いた時にヒータ
で前記シール材を加熱することによって、シール材は変
形前の形状に復元する。したがって、一つのシール材を
繰り返し使用することができ、しかも蓋体を反復して開
閉しても、その都度高い気密性が得られる。このため、
ランニングコストが低くしかも信頼性の高い真空容器が
得られる。また、本発明を半導体記憶装置の製造過程で
用いられるエツチング装置に応用した場合、従来のゴム
製のシール材を用いた時のようなエツチングガスにょる
膨潤や腐食がなくなる関係から、耐久性に優れがっ発塵
の少ないエツチング装置を得ることができる。
空容器本体との間に介装されるシール材を形状記憶合金
によって形成すると共に、このシール材を転移温度以上
に加熱して復元さセるヒータを設けたため、蓋体を真空
容器本体に締め付けることにより形状記憶合金製シール
材が変形して気密が保持され、蓋体を開いた時にヒータ
で前記シール材を加熱することによって、シール材は変
形前の形状に復元する。したがって、一つのシール材を
繰り返し使用することができ、しかも蓋体を反復して開
閉しても、その都度高い気密性が得られる。このため、
ランニングコストが低くしかも信頼性の高い真空容器が
得られる。また、本発明を半導体記憶装置の製造過程で
用いられるエツチング装置に応用した場合、従来のゴム
製のシール材を用いた時のようなエツチングガスにょる
膨潤や腐食がなくなる関係から、耐久性に優れがっ発塵
の少ないエツチング装置を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る真空容器の概略構
成を示す断面図で、同図（ａ）は扉を閉める前の初期状
態、同図（ｂ）は扉を閉めた状態、同図（ｃ）は処理後
に扉を開けた状態、同図（ｄ）はヒーターにより加熱を
行なった状態を示す。第２図は断面Ｃ字状を呈する円環
状に形成されたシール材の他の実施例を示す斜視図、第
３図は従来の工、チングチャンハーの概略構成を示す断
面図である。 １・・・・本体、２・・・・扉、１１・・・・シール材
、１３・・・・ヒーター
成を示す断面図で、同図（ａ）は扉を閉める前の初期状
態、同図（ｂ）は扉を閉めた状態、同図（ｃ）は処理後
に扉を開けた状態、同図（ｄ）はヒーターにより加熱を
行なった状態を示す。第２図は断面Ｃ字状を呈する円環
状に形成されたシール材の他の実施例を示す斜視図、第
３図は従来の工、チングチャンハーの概略構成を示す断
面図である。 １・・・・本体、２・・・・扉、１１・・・・シール材
、１３・・・・ヒーター
Claims (1)
- 被処理物の出し入れ口を開閉する蓋体を備えた真空容器
において、前記蓋体と真空容器本体との間に介装される
シール材を形状記憶合金によって形成すると共に、この
シール材を転移温度以上に加熱して復元させるヒータを
設けたことを特徴とする真空容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21760990A JPH04100533A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 真空容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21760990A JPH04100533A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 真空容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100533A true JPH04100533A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16706975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21760990A Pending JPH04100533A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 真空容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100533A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5520142A (en) * | 1994-03-28 | 1996-05-28 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Decompression container |
| US5676757A (en) * | 1994-03-28 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Decompression container |
| US6858264B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7192487B2 (en) | 2002-02-22 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor substrate processing chamber and accessory attachment interfacial structure |
| US7270715B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| WO2009149752A1 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | R&B Energy Research Sarl | Sealing mechanism for an evacuated device, evacuated device and method for vacuum tight sealing of an evacuated device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151669A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-06 | Toshiba Corp | シ−ル構造 |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP21760990A patent/JPH04100533A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62151669A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-06 | Toshiba Corp | シ−ル構造 |
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| WO2009149752A1 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | R&B Energy Research Sarl | Sealing mechanism for an evacuated device, evacuated device and method for vacuum tight sealing of an evacuated device |
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