JP2010165920A - 真空装置及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 保守維持費の増大を抑制することが可能な真空装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Gを真空状態下におくことが可能な、気密に構成された容器本体50と、容器本体50に設けられた、被処理基板Gを出し入れする開口部51と、開口部51を開閉する弁体61と、開口部51を囲むように枠状に形成され、容器本体側表面71a、及びこの容器本体側表面71aに相対する弁体側表面71bの双方に枠状シール部材72a、72bを備えた、開口部51の周囲に着脱自在に取り付けられるシール板70と、を具備する。
【選択図】図2

Description

この発明は、真空装置及び基板処理装置に係わり、特に、真空装置の内部を気密にシールするシール部に関する。
液晶ディスプレイ(LCD)に代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)の製造過程においては、FPD用基板にエッチング、あるいは成膜等の所定の処理を施す。このような処理を施す基板処理装置としては、複数の処理室を備えたマルチチャンバタイプの基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1)。
マルチチャンバタイプの基板処理装置は、FPD用基板(被処理基板)を搬送する搬送装置が設けられた搬送室を有し、この搬送室の周囲に、処理室や、未処理の基板と処理済の基板とを交換するロードロック室(基板交換室)等を備えている。これら搬送室、処理室、及びロードロック室は真空装置であり、これらの真空装置は、排気機構を用いて排気することで内部が所定の減圧状態下とされる。
真空装置は気密に構成された容器本体を備え、この容器本体には、被処理基板を出し入れするための開口部が設けられている。開口部はゲートバルブを用いて開閉される。開口部をゲートバルブにより閉じると、容器本体の内部は気密にシールされ、容器本体の内部の圧力を、所定の圧力まで減圧したり、大気状態と減圧状態との相互間で変換したりすることが可能となっている。ゲートバルブの構造例は、上記特許文献1に記載されている。
特許文献1にも記載されるように、ゲートバルブは弁体を有し、弁体が容器本体の開口部周囲に密着されることにより、開口部周囲がシールされる。シール部材としてはOリングが用いられる。Oリングは、容器本体の開口部周囲に形成されたOリング溝に嵌め込まれている。

特開平5−196150号公報
弁体は、ゲートバルブを開閉するごとに容器本体の開口部周囲に接触する。
また、弁体には、容器本体の内部の圧力を、大気状態と減圧状態との相互間で変換するごとに、大気圧による応力が繰り返し掛かるため、多少の変形を繰り返す。このため、開口部周囲は、大気状態と真空状態とを繰り返すごとに弁体と擦れ、開口部周囲や弁体に傷が発生する可能性がある。
傷が開口部周囲に発生してしまうと、容器本体自体を交換する必要が生じる。このため、真空装置を用いた基板処理装置の保守維持費が増大しやすい、という事情がある。また、傷の発生は、パーティクルの発生の要因ともなり得る。
この発明は、保守維持費の増大を抑制することが可能な真空装置及びそれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明の第1の態様に係る真空装置は、被処理基板を真空状態下におくことが可能な、気密に構成された容器本体と、前記容器本体に設けられた、前記被処理基板を出し入れする開口部と、前記開口部を開閉する弁体と、前記開口部を囲むように枠状に形成され、容器本体側表面、及びこの容器本体側表面に相対する弁体側表面の双方に枠状シール部材を備えた、前記開口部の周囲に着脱自在に取り付けられるシール板と、を具備する。
この発明の第2の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記被処理基板に処理を施す処理室と、前記被処理基板を大気状態下及び真空状態下の双方におくことが可能な、処理前及び処理済の被処理基板を交換するロードロック室と、前記被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記処理室、前記ロードロック室、及び前記搬送室の少なくともいずれか一つが、上記第1の態様に係る真空装置を用いて構成されている。
この発明の第3の態様に係る真空装置は、被処理基板を真空状態下におくために気密に構成された容器本体と、前記容器本体に設けられた前記被処理基板を出し入れする開口部と、前記開口部を開閉する弁体と、前記開口部の前記弁体側表面に備えられた、前記開口部を囲むように形成された枠状シール部材と、を備え、前記容器本体の前記弁体側表面のうち、この弁体側表面に備えられた枠状シール部材よりも内側の表面が、この枠状シール部材よりも外側の表面よりも低くされている。
この発明の第4の態様に係る真空装置は、被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記被処理基板に処理を施す処理室と、前記被処理基板を大気状態下及び真空状態下の双方におくことが可能な、処理前及び処理済の被処理基板を交換するロードロック室と、前記被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記処理室、前記ロードロック室、及び前記搬送室の少なくともいずれか一つが、上記第3の態様に係る真空装置に記載された真空装置を用いて構成されている。
この発明によれば、保守維持費の増大を抑制することが可能な真空装置及びそれを用いた基板処理装置を提供できる。
この発明の第1の実施形態に係る真空装置が用いられた基板処理装置の一例を概略的に示す平面図 図1中の2−2線に沿う概略的な断面図 ゲートバルブが開かれた状態を示す断面図 シール板の斜視図 シール板を取り外した状態を示す断面図 第1の実施形態に係る真空装置が備えるシール板の変形例を示す断面図 弁体61の形状変形を示す図 この発明の第2の実施形態に係るシール板の一例を示す断面図 弁体とシール板との接触を示す図 第2の実施形態に係るシール板の変形例を示す断面図 第2の実施形態に係るシール板の変形例を示す断面図 この発明の第3の実施形態に係る真空装置を概略的に示す断面図 被処理基板を複数枚同時に収容可能な真空装置を概略的に示す断面図
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
本説明においては被処理基板の一例としてFPD用基板を挙げ、このFPD基板に対して所定の処理、例えば、エッチング、あるいは成膜等を施す処理装置を例示しながら説明する。
(第1の実施形態)
図1は、この発明の第1の実施形態に係る真空装置が用いられた処理装置を概略的に示す平面図である。
図1に示すように、第1の実施形態に係る処理装置1は、被処理基板Gに処理を施す処理室、本例においては複数の処理室10a、10bと、処理前及び処理済の被処理基板Gを交換するロードロック室20と、ロードロック室20と処理室10a又は10b、並びに処理室10aと処理室10bとの間で被処理基板Gを搬送する搬送室30と、搬送室30に設けられた、被処理基板Gを搬送する搬送装置40と、を備えている。
本例においては、処理室10a、10b、ロードロック室20、及び搬送室30は真空装置であり、それぞれ被処理基板Gを所定の減圧状態下におくことが可能な、気密に構成された容器本体50を備えている。容器本体50には、被処理基板Gを出し入れする開口部51が設けられている。
処理室10a、10bの容器本体50に設けられた開口部51は、ゲートバルブ室60を介して搬送室30の容器本体50に設けられた開口部51に接続される。同様にロードロック室20の容器本体50に設けられた開口部51は、ゲートバルブ室60を介して搬送室30の容器本体50に設けられた開口部51に接続されている。ゲートバルブ室60の内部にはゲートバルブの弁体61が収容されており、開口部51は弁体61により開閉される。本例では、弁体61は、処理室10a、10bの容器本体50、及びロードロック室20の容器本体50に密着されるように構成されており、弁体61は、それぞれの開口部51の周囲に密着することで、容器本体50を気密にシールする。
また、ロードロック室20は、大気側、即ち、基板処理装置1の外部に開放される開口部51を有している。外部に開放される開口部51は、処理前の被処理基板Gの外部からの搬入、処理済の被処理基板Gの外部への搬出に使用され、大気状態下に開放された弁体61により開閉される。
図2は、図1中の2−2線に沿う概略的な断面図である。図2には、ロードロック室20の断面及び搬送室30の部分断面が示されている。また、図2はゲートバルブが閉じられた状態における断面図であり、図3にゲートバルブが開かれた状態を示す断面を示す。
図2に示すように、本例における弁体61は、ロードロック室20の容器本体50に設けられた開口部51に密着される。図2及び図3においては、便宜上、ロードロック室20の容器本体50に設けられた大気側の開口部51に参照符号51aを付し、減圧側(搬送室30側)の開口部51に参照符号51bを付す。
大気側の開口部51aは大気に開放されるが、減圧側(搬送室30側)の開口部51bはゲートバルブ室60に連通される。ゲートバルブ室60は、ロードロック室20の容器本体50に、枠状のシール部材62、例えば、Oリングを介して接続されており、ゲートバルブ室60はロードロック室20の容器本体50に気密に接続される。
また、ゲートバルブ室60は、搬送室30の容器本体50に設けられた開口部51にも連通される。ゲートバルブ室60は、搬送室30の容器本体50に、枠状のシール部材63、例えば、Oリングを介して接続される。これにより、ゲートバルブ室60は搬送室30の容器本体50に気密に接続される。
さらに、第1の実施形態においては、容器本体50の開口部51a及び51bを囲むように枠状に形成されたシール板70を、開口部51の周囲に備えている。枠状のシール板70の斜視図を図4に示しておく。
シール板70は、容器本体側表面71a、及びこの容器本体側表面71aに相対する弁体側表面71bの双方に枠状シール部材72a、72bを有している。枠状シール部材72a、72bは、容器本体側表面71a及び弁体側表面71bそれぞれに形成されたシール部材用溝73a、73bの内部に嵌め込まれている。シール板70は、枠状シール部材72aを介して容器本体50に接続されることで、シール板70は容器本体50に気密に接続される。弁体61は、容器本体50に接触することなく、シール板70の弁体側表面71bに接触される。弁体61は、枠状シール部材72bを介してシール板70に密着することで、容器本体50を気密にシールする。枠状シール部材72bの一例は、バイトン(登録商標)、フロロプラスなどのフッ素ゴムOリングである。
シール板70は、容器本体50に設けられた開口部51の周囲に着脱自在に取り付けられる。このため、例えば、図5に示すように、シール板70は、容器本体50から取り外すことができる。
シール板70は、ゲートバルブを開閉するごとに弁体61に接触する。さらに、弁体61は、容器本体50の内部の圧力が、大気状態から減圧状態、減圧状態から大気状態と変換されるごとに変形する。このため、シール板70は弁体61と擦れ合う。
このようにシール板70は、弁体61と接触及び擦れ合うことから、傷が発生する可能性がある。シール板70に傷が発生した場合には交換しなければならないが、シール板70は、容器本体50から取り外すことができるので、交換が容易である。
しかも、弁体が容器本体に直接に接触する方式の場合には、開口部の周囲に傷が発生してしまった場合には容器本体ごと交換しなければならない。
この点、第1の実施形態においてはシール板70のみを交換すれば良いので、容器本体50は交換不要である。容器本体50は高価であるが、シール板70は容器本体50に比較して格段に安価である。
よって、第1の実施形態によれば、処理室、ロードロック室、及び搬送室等に代表される真空装置の保守維持費の増大を抑制することが可能である。また、保守維持費の増大を抑制することが可能な真空装置を用いた基板処理装置を得ることができる。
また、第1の実施形態において、シール板70に傷が発生する可能性や、傷の発生に伴うパーティクルの発生をより抑制したい場合には、次のような工夫を施すと良い。
シール板70の表面、少なくとも弁体61や容器本体50と擦れ合う弁体側表面71b、容器本体側表面71aに、硬質アルマイトをかけたり、硬質アルマイト上に表面処理、例えば、フッ素樹脂含浸処理を施したりする。これにより、シール板70の表面を、シール板70を構成する材料、例えば、アルミニウムの表面をそのまま露出させておく場合に比較して、シール板70の表面の滑りを良くすることができ、シール板70に傷が発生する可能性を抑制することができる。
また、第1の実施形態において、シール板70によるシール性を向上させたい場合には、次のような工夫を施すと良い。
例えば、シール板70の容器本体側表面71aに備えられたシール部材72aと、弁体側表面71bに備えられたシール部材72bとを、弁体61の押圧方向Aと平行して一直線上に配置する。具体的には、図6に示すように、枠状シール部材72aの中心74aと、枠状シール部材72bの中心74bとを弁体61の押圧方向Aと平行して一直線上に配置する。これにより、枠状シール部材72aと枠状シール部材72bとを互いにずらして配置する場合に比較して、弁体61と容器本体50との間に、シール板70をより強く挟み込むことができ、シール板70によるシール性を向上させることができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、弁体61とシール板70との擦れを、さらに低減する例に関する。
弁体61は、容器本体50の内部が減圧状態にあるとき、容器本体50の内部圧力と外部圧力との圧力差を受ける。最も顕著な場合は、図7に示すように、容器本体50が減圧状態で、弁体61に大気圧が掛かっている場合である。このような状況は、ロードロック室20の大気側開口部51aの周囲を気密にシールする弁体に見ることができる。
弁体61の内側と外側との間に大きな圧力差があると、弁体61は変形する。例えば、弁体61の外側が大気状態で、内側が減圧状態であるときには、弁体61は、図7に示すように、シール板70側に向かって凹となるように変形する。
図7では、弁体の垂直断面における変形を示しているが、ロードロック室20の開口部51aは、水平方向に広い開口であるため、弁体の変形も水平断面における変形の方が大きい。
このような変形を抑制するために、例えば、弁体の外側(大気側)表面にリブなどの補強部材を取り付ける等の工夫を行うが、完全に変形を抑えることは出来ない。したがって、シール板70の弁体側表面71bのうち、シール部材72bより内側表面(図中点線円75内に示す)が、弁体61と強く擦れる。このため、点線円75に示す部分において傷が発生しやすくなる。
図8は、この発明の第2の実施形態に係るシール板の一例を示す断面図である。
そこで、図8に示すように、第2の実施形態に係るシール板70Aにおいては、弁体側表面71bのうち、この弁体側表面71bに備えられたシール部材72bよりも内側の表面が、このシール部材72bよりも外側の表面よりも低くする。これにより、弁体61が、シール板70側に向かって凹となるように変形したとしても、弁体側表面71bのシール部材72bより内側の表面は、弁体61と接触しない、あるいはほとんど接触しない構成とすることができる。
このように第2の実施形態によれば、シール部材72bより内側の表面が、弁体61と接触しない、あるいはほとんど接触しない構成とできるので、弁体61とシール板70との擦れを、さらに低減させることができる。
また、擦れが低減される結果、傷が発生しない、あるいはより発生し難くすることができ、傷の発生に伴ったパーティクルの発生をも抑制することができる。パーティクルの発生が抑制されれば、被処理基板Gを、より清浄な環境下で処理することができるので、品質の良いFPD等の生産にも有利である。
なお、第2の実施形態は、上記第1の実施形態において説明した工夫、即ち、シール板70の表面、少なくとも弁体61や容器本体50と擦れ合う弁体側表面71b、容器本体側71aに、硬質アルマイトをかけたり、硬質アルマイト上に表面処理をしたりする工夫、並びにシール部材72aとシール部材72bとを、弁体61の押圧方向Aと平行して一直線上に配置する工夫と、組み合わせて実施することができる。
また、第2の実施形態の構成、即ち、シール部材72bよりも内側の表面を、シール部材72bよりも外側の表面よりも低くする構成は、容器本体50の開口部51の周囲に、シール部材用溝を設けた真空装置にも適用することができる。
さらに、第2の実施形態において、パーティクルの発生を、より抑制したい場合には、次のような工夫をすると良い。
弁体61は、シール板70に密着しているとき、シール板70の弁体側表面71bに接触する。図9に示すように、たとえ、第2の実施形態に係るシール板70の場合であっても、シール板70の弁体側表面71bのうち、シール部材72bより外側表面(図中点線円76内に示す)が、弁体61と接触する。弁体61、及びシール板70の双方が金属であった場合には、接触により傷がつき、パーティクルが発生する可能性がある。
そこで、図10に示すように、弁体側表面71bのうち、シール部材72bよりも外側の表面上に、耐摩耗性部材77を設ける。耐摩耗性部材77の一例は樹脂材である。樹脂材の例としては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)やポリアセタール(POM)等を挙げることができる。
このように、弁体61がシール板70と密着したとき、弁体61とシール板70とが接触する面、本例では、弁体側表面71bのうち、シール部材72bよりも外側の表面上に、耐摩耗性部材77を設けることで、弁体61、及びシール板70の双方が金属であった場合でも、金属同士の接触を防ぐことができ、パーティクルの発生を、より抑制することができる。
さらに、弁体61と耐摩耗性部材77との接触面積を、より小さくしたい場合には、図11に示すように、弁体側表面71bに備えられたシール部材72bの線径dbを、容器本体側表面71aに備えられたシール部材72aの線径daよりも大きくすると良い。
このように、シール部材72bの線径dbを、シール部材72aの線径daよりも大きくすることで、弁体側表面71bのうち、シール部材72bより外側の表面の面積を小さくすることができ、耐摩耗性部材77の面積を小さくすることができる。耐摩耗性部材77の面積が小さくなることで、弁体61と耐摩耗性部材77との接触面積を、より小さくすることができる。弁体61と耐摩耗性部材77との接触面積が小さくなれば、例えば、弁体61に傷がつくことで発生するような、弁体61自体に起因したパーティクルの発生を、より抑制することが可能となる。
また、シール部材72bの線径dbを、シール部材72aの線径daよりも大きくした場合においても、シール部材72bの中心74bと、シール部材72aの中心74bとを弁体61の押圧方向Aと平行して一直線上に配置することが良い。このようにすることで、シール板70によるシール性を向上させることができる。
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、真空装置を小型化する例に関する。
第1、第2の実施形態において説明したように、この発明の実施形態においては、シール板70、70Aを新たに設ける。このため、シール板70、70Aの分、真空装置が大きくなってしまう。
図12は、この発明の第3の実施形態に係る真空装置の一例を示す断面図である。
そこで、図12に示すように、第3の実施形態においては、容器本体50の開口部51の周囲に、シール板70(又は70A)を埋め込む埋め込み部80を設けるようにした。
このように第3の実施形態によれば、シール板70(又は70A)を、開口部51の周囲に設けられた、埋め込み部80に埋め込むようにしたので、シール部材70(又は70A)が、容器本体50から突出することが無く、あるいは突出量を減らすことができ、シール板70(又は70A)を備えた真空装置の小型化を促進することができる。
なお、第3の実施形態は、上記第1の実施形態において説明した工夫や、第2の実施形態、あるいは第2の実施形態において説明した工夫と、組み合わせて実施することができる。
また、図12においては、埋め込み部80を大気側の開口部51aの周囲に設ける例を示しているが、反対に減圧側(搬送室30側)の開口部51bの周囲に設けるようにしても良いし、開口部51a、及び51bの双方に設けるようにしても良い。
以上、この発明を第1乃至第3の実施形態に従って説明したが、この発明は上記第1乃至第3の実施形態に限定されることはなく、種々の変形が可能である。
例えば、第1乃至第3の実施形態においては、容器本体内に、被処理基板を一枚収容する真空装置を例示してきたが、例えば、図13に示すように、容器本体50が、被処理基板Gを複数枚同時に収容可能な真空装置にも適用できる。
しかも、被処理基板を複数枚同時に収容可能な容器本体は、被処理基板を一枚収容する容器本体に比較して大型になることが通常であり、価格も高い。このため、この発明は、被処理基板を複数枚同時に収容可能な容器本体は真空装置において、より有効に適用できる。
さらに、上記第1乃至第3の実施形態では、被処理基板としてFPD用基板を示したが、被処理基板はFPD用基板に限定されず、太陽電池用基板や半導体ウエハ等の他の基板であってもよい。
1…基板処理装置、10a、10b…処理部、20…ロードロック室、30…搬送室、50…容器本体、51…開口部、60…ゲートバルブ室、61…弁体、70…シール板、71a…容器側表面、71b…弁体側表面、72a、72b…枠状シール部材、80…埋め込み部。

Claims (11)

  1. 被処理基板を真空状態下におくことが可能な、気密に構成された容器本体と、
    前記容器本体に設けられた、前記被処理基板を出し入れする開口部と、
    前記開口部を開閉する弁体と、
    前記開口部を囲むように枠状に形成され、容器本体側表面、及びこの容器本体側表面に相対する弁体側表面の双方に枠状シール部材を備えた、前記開口部の周囲に着脱自在に取り付けられるシール板と、
    を具備することを特徴とする真空装置。
  2. 前記シール板の前記容器本体側表面に備えられた枠状シール部材の中心と、前記弁体側表面に備えられた枠状シール部材の中心とが、前記弁体の押圧方向と平行して一直線上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の真空装置。
  3. 前記弁体側表面のうち、この弁体側表面に備えられた枠状シール部材よりも内側の表面が、この枠状シール部材よりも外側の表面よりも低くされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の真空装置。
  4. 前記弁体側表面のうち、この弁体側表面に備えられた枠状シール部材よりも外側の表面上に、耐摩耗性部材を備えていることを特徴とする請求項3に記載の真空装置。
  5. 前記弁体側表面に備えられた枠状シール部材の幅が、前記容器本体側表面に備えられた枠状シール部材の幅よりも大きいことを特徴とする請求項2乃至請求項4いずれか一項に記載の真空装置。
  6. 前記容器本体の開口部周囲に、前記シール板が埋め込まれる埋め込み部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項5いずれか一項に記載の真空装置。
  7. 前記容器本体が、前記被処理基板を複数枚同時に収容可能であることを特徴とする請求項1乃至請求項6いずれか一項に記載の真空装置。
  8. 前記弁体の前記シール板側表面と反対の表面には、弁体の変形を抑制するための補強部材が取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項7いずれか一項に記載の真空装置。
  9. 被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記被処理基板に処理を施す処理室と、
    前記被処理基板を大気状態下及び真空状態下の双方におくことが可能な、処理前及び処理済の被処理基板を交換するロードロック室と、
    前記被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する搬送室と、を備えた基板処理装置であって、
    前記処理室、前記ロードロック室、及び前記搬送室の少なくともいずれか一つが、請求項1乃至請求項8いずれか一項に記載された真空装置を用いて構成されていることを特徴とする基板処理装置。
  10. 被処理基板を真空状態下におくために気密に構成された容器本体と、
    前記容器本体に設けられた前記被処理基板を出し入れする開口部と、
    前記開口部を開閉する弁体と、
    前記開口部の前記弁体側表面に備えられた、前記開口部を囲むように形成された枠状シール部材と、を備え、
    前記容器本体の前記弁体側表面のうち、この弁体側表面に備えられた枠状シール部材よりも内側の表面が、この枠状シール部材よりも外側の表面よりも低くされていることを特徴とする真空装置。
  11. 被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記被処理基板に処理を施す処理室と、
    前記被処理基板を大気状態下及び真空状態下の双方におくことが可能な、処理前及び処理済の被処理基板を交換するロードロック室と、
    前記被処理基板を真空状態下におくことが可能な、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する搬送室と、を備えた基板処理装置であって、
    前記処理室、前記ロードロック室、及び前記搬送室の少なくともいずれか一つが、請求項10に記載された真空装置を用いて構成されていることを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015177108A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2019091918A (ja) * 2019-02-01 2019-06-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
WO2021115924A1 (de) * 2019-12-09 2021-06-17 Vat Holding Ag Vakuumventil oder vakuumtür

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6184832B2 (ja) * 2013-10-22 2017-08-23 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置及びプラズマ処理装置
JP7280132B2 (ja) * 2019-07-12 2023-05-23 株式会社アルバック 真空チャンバ及び基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273095A (ja) * 1994-03-28 1995-10-20 Tokyo Electron Ltd 減圧容器
JPH08337878A (ja) * 1995-06-08 1996-12-24 Plasma Syst:Kk プラズマ処理装置
JP2000114179A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Applied Materials Inc 半導体製造装置
JP2007187289A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 減圧容器および減圧処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05196150A (ja) * 1991-09-30 1993-08-06 Tokyo Electron Yamanashi Kk ゲートバルブ
KR20030062085A (ko) * 2002-01-16 2003-07-23 삼성전자주식회사 반도체장치 제조용 챔버의 도어 개폐장치
KR20060075177A (ko) * 2004-12-28 2006-07-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공 장치
KR100863706B1 (ko) * 2007-03-05 2008-10-15 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 게이트밸브 및 그를 가지는 진공처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273095A (ja) * 1994-03-28 1995-10-20 Tokyo Electron Ltd 減圧容器
JPH08337878A (ja) * 1995-06-08 1996-12-24 Plasma Syst:Kk プラズマ処理装置
JP2000114179A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Applied Materials Inc 半導体製造装置
JP2007187289A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 減圧容器および減圧処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015177108A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2019091918A (ja) * 2019-02-01 2019-06-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
WO2021115924A1 (de) * 2019-12-09 2021-06-17 Vat Holding Ag Vakuumventil oder vakuumtür
US11971118B2 (en) 2019-12-09 2024-04-30 Vat Holding Ag Vacuum valve or vacuum door

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