JP2000114179A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2000114179A JP2000114179A JP10278447A JP27844798A JP2000114179A JP 2000114179 A JP2000114179 A JP 2000114179A JP 10278447 A JP10278447 A JP 10278447A JP 27844798 A JP27844798 A JP 27844798A JP 2000114179 A JP2000114179 A JP 2000114179A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル付
着などが起こることを防止する半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。 【解決手段】 トランスファチャンバ１２とロードロッ
クチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６との間には、
スリットバルブ部２２が形成されている。スリットバル
ブ部２２は、スリットバルブインサート２３Ａ及びスリ
ットバルブドア２４Ａを有し、ウェハ搬送ロボット２０
により半導体ウェハ（図示しない）が通過する際に、ス
リットバルブドア２４Ａがスリットバルブインサート２
３Ａに対して開閉される。スリットバルブドア２４Ａの
表面２４ａには、テトラフルオロエチレンやポリイミド
系樹脂テープ等からなるライナー３０が設けられてい
る。
着などが起こることを防止する半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。 【解決手段】 トランスファチャンバ１２とロードロッ
クチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６との間には、
スリットバルブ部２２が形成されている。スリットバル
ブ部２２は、スリットバルブインサート２３Ａ及びスリ
ットバルブドア２４Ａを有し、ウェハ搬送ロボット２０
により半導体ウェハ（図示しない）が通過する際に、ス
リットバルブドア２４Ａがスリットバルブインサート２
３Ａに対して開閉される。スリットバルブドア２４Ａの
表面２４ａには、テトラフルオロエチレンやポリイミド
系樹脂テープ等からなるライナー３０が設けられてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、開閉動作時における金属汚染やパーティク
ルの発生を防止するスリットバルブの改良に関するもの
である。
関し、特に、開閉動作時における金属汚染やパーティク
ルの発生を防止するスリットバルブの改良に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６は、枚葉式マルチチャンバ型半導体
製造装置の全体構成を示す概略平面図である。図におい
て、半導体製造装置１０は、トランスファチャンバ１２
を中心に、半導体ウェハを収容したウェハカセット（図
示しない）を配置したロードロックチャンバ１４、各種
のプロセスが実施されるプロセスチャンバ１６及びクー
ルダウンチャンバ１８が配置されている。トランスファ
チャンバ１２内には、半導体ウェハを搬送するウェハ搬
送ロボット２０が配置されている。また、トランスファ
チャンバ１２と、クールダウンチャンバ１８を除くロー
ドロックチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６との間
は、開閉扉であるスリットバルブ部（図示しない）が設
けられており、エアーシリンダ等により開閉される。
製造装置の全体構成を示す概略平面図である。図におい
て、半導体製造装置１０は、トランスファチャンバ１２
を中心に、半導体ウェハを収容したウェハカセット（図
示しない）を配置したロードロックチャンバ１４、各種
のプロセスが実施されるプロセスチャンバ１６及びクー
ルダウンチャンバ１８が配置されている。トランスファ
チャンバ１２内には、半導体ウェハを搬送するウェハ搬
送ロボット２０が配置されている。また、トランスファ
チャンバ１２と、クールダウンチャンバ１８を除くロー
ドロックチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６との間
は、開閉扉であるスリットバルブ部（図示しない）が設
けられており、エアーシリンダ等により開閉される。
【０００３】図７は、従来の半導体製造装置におけるス
リットバルブ部の概略断面図である。図において、トラ
ンスファチャンバ１２とロードロックチャンバ１４又は
プロセスチャンバ１６との間には、スリットバルブ部２
２が形成されている。スリットバルブ部２２は、スリッ
トバルブインサート２３及びスリットバルブドア２４を
有し、ウェハ搬送ロボット２０により半導体ウェハ（図
示しない）が通過する際に、図示しないエアーシリンダ
等によりスリットバルブドア２４がスリットバルブイン
サート２３に対して開閉される。スリットバルブインサ
ート２３の対向面２５に面したスリットバルブドア２４
の表面２４ａには、Ｏ−リング２６が抜け止め用のアリ
溝２７に装着され、チャンバ間の気密性が維持される。
リットバルブ部の概略断面図である。図において、トラ
ンスファチャンバ１２とロードロックチャンバ１４又は
プロセスチャンバ１６との間には、スリットバルブ部２
２が形成されている。スリットバルブ部２２は、スリッ
トバルブインサート２３及びスリットバルブドア２４を
有し、ウェハ搬送ロボット２０により半導体ウェハ（図
示しない）が通過する際に、図示しないエアーシリンダ
等によりスリットバルブドア２４がスリットバルブイン
サート２３に対して開閉される。スリットバルブインサ
ート２３の対向面２５に面したスリットバルブドア２４
の表面２４ａには、Ｏ−リング２６が抜け止め用のアリ
溝２７に装着され、チャンバ間の気密性が維持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成され、ロードロックチャンバ１４の
ウェハカセットに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬
送ロボット２０により所定のシーケンスに従って、トラ
ンスファチャンバ１２を通り、プロセスチャンバ１６等
を移動する。その際、スリットバルブインサート２３及
びスリットバルブドア２４の材料が金属である場合、Ｏ
−リング２６によりチャンバ間の気密性が維持され、同
時にスリットバルブインサート２３及びスリットバルブ
ドア２４の接触が防止されている。ところが、Ｏ−リン
グ２６の劣化や弾力性の低下などにより、スリットバル
ブインサート２３の対向面２５及びスリットバルブドア
２４の表面２４ａが互いに接触する場合がある。この
時、この両者の接触により、金属汚染やパーティクルの
発生を生じ、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル
付着などの悪影響を及ぼすという問題点があった。
は以上のように構成され、ロードロックチャンバ１４の
ウェハカセットに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬
送ロボット２０により所定のシーケンスに従って、トラ
ンスファチャンバ１２を通り、プロセスチャンバ１６等
を移動する。その際、スリットバルブインサート２３及
びスリットバルブドア２４の材料が金属である場合、Ｏ
−リング２６によりチャンバ間の気密性が維持され、同
時にスリットバルブインサート２３及びスリットバルブ
ドア２４の接触が防止されている。ところが、Ｏ−リン
グ２６の劣化や弾力性の低下などにより、スリットバル
ブインサート２３の対向面２５及びスリットバルブドア
２４の表面２４ａが互いに接触する場合がある。この
時、この両者の接触により、金属汚染やパーティクルの
発生を生じ、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル
付着などの悪影響を及ぼすという問題点があった。
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル付
着などが起こることを防止する半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。
のであり、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル付
着などが起こることを防止する半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、複数のチャンバを有し所定のチャンバ間を開閉
して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マルチチ
ャンバ型の半導体製造装置であって、スリットバルブ部
は、半導体ウェハが内部を通過するスリットバルブイン
サートと、このスリットバルブインサートのトランスフ
ァチャンバ側を開閉するスリットバルブドアとを有し、
これらスリットバルブインサートの対向面及びスリット
バルブドアの表面の少なくとも一方にライナーが設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置である。
発明は、複数のチャンバを有し所定のチャンバ間を開閉
して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マルチチ
ャンバ型の半導体製造装置であって、スリットバルブ部
は、半導体ウェハが内部を通過するスリットバルブイン
サートと、このスリットバルブインサートのトランスフ
ァチャンバ側を開閉するスリットバルブドアとを有し、
これらスリットバルブインサートの対向面及びスリット
バルブドアの表面の少なくとも一方にライナーが設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置である。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、ライナー
がテフロンであることを特徴とする。
がテフロンであることを特徴とする。
【０００８】請求項３に記載の発明は、ライナーがカプ
トンテープであることを特徴とする。
トンテープであることを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載の発明は、ライナーがスリ
ットバルブドアの全面に設けられていることを特徴とす
る。
ットバルブドアの全面に設けられていることを特徴とす
る。
【００１０】請求項５に記載の発明は、ライナーがスリ
ットバルブインサートの全面に設けられていることを特
徴とする。
ットバルブインサートの全面に設けられていることを特
徴とする。
【００１１】この発明によれば、スリットバルブインサ
ートの対向面及びスリットバルブドアの表面の少なくと
も一方にライナーが設けられているので、Ｏ−リングの
劣化や弾力性の低下などにより、これらのスリットバル
ブインサート及びスリットバルブドアが互いに接触しよ
うとする場合にも、ライナーによって接触が回避され
る。従って、スリットバルブインサート及びスリットバ
ルブドアの接触による金属汚染やパーティクルの発生が
防止され、半導体ウェハに重金属汚染やパーティクル付
着などを生じない。
ートの対向面及びスリットバルブドアの表面の少なくと
も一方にライナーが設けられているので、Ｏ−リングの
劣化や弾力性の低下などにより、これらのスリットバル
ブインサート及びスリットバルブドアが互いに接触しよ
うとする場合にも、ライナーによって接触が回避され
る。従って、スリットバルブインサート及びスリットバ
ルブドアの接触による金属汚染やパーティクルの発生が
防止され、半導体ウェハに重金属汚染やパーティクル付
着などを生じない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
に係る半導体製造装置の実施形態について説明する。
に係る半導体製造装置の実施形態について説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施形態による半導体
製造装置のスリットバルブ部の概略断面図である。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。ま
た、図６に示す枚葉式マルチチャンバ型半導体製造装置
の全体構成は従来技術において説明したが、本発明にお
いても同様に適用されるものである。
製造装置のスリットバルブ部の概略断面図である。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。ま
た、図６に示す枚葉式マルチチャンバ型半導体製造装置
の全体構成は従来技術において説明したが、本発明にお
いても同様に適用されるものである。
【００１４】図において、トランスファチャンバ１２と
ロードロックチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６と
の間には、スリットバルブ部２２が形成されている。ス
リットバルブ部２２は、スリットバルブインサート２３
Ａ及びスリットバルブドア２４Ａを有し、ウェハ搬送ロ
ボット２０により半導体ウェハ（図示しない）が通過す
る際に、図示しないエアーシリンダ等によりスリットバ
ルブドア２４Ａがスリットバルブインサート２３Ａに対
して開閉される。スリットバルブインサート２３Ａの対
向面２５Ａに面したスリットバルブドア２４Ａの表面２
４ａには、ライナー３０が設けられている。このライナ
ー３０は、テトラフルオロエチレン例えばテフロン（デ
ュポン社製商標名）をライニングしたり、ポリイミド系
樹脂テープ例えばカプトンテープを貼り付けるなど、従
来法により設けることができる。
ロードロックチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６と
の間には、スリットバルブ部２２が形成されている。ス
リットバルブ部２２は、スリットバルブインサート２３
Ａ及びスリットバルブドア２４Ａを有し、ウェハ搬送ロ
ボット２０により半導体ウェハ（図示しない）が通過す
る際に、図示しないエアーシリンダ等によりスリットバ
ルブドア２４Ａがスリットバルブインサート２３Ａに対
して開閉される。スリットバルブインサート２３Ａの対
向面２５Ａに面したスリットバルブドア２４Ａの表面２
４ａには、ライナー３０が設けられている。このライナ
ー３０は、テトラフルオロエチレン例えばテフロン（デ
ュポン社製商標名）をライニングしたり、ポリイミド系
樹脂テープ例えばカプトンテープを貼り付けるなど、従
来法により設けることができる。
【００１５】さらに、図２及び３に示すように、スリッ
トバルブドア２４Ａの表面２４ａには、その周縁部に抜
け止め用のアリ溝２７が形成されており、このアリ溝２
７にＯ−リング２６が装着され、チャンバ間の気密性が
維持される。
トバルブドア２４Ａの表面２４ａには、その周縁部に抜
け止め用のアリ溝２７が形成されており、このアリ溝２
７にＯ−リング２６が装着され、チャンバ間の気密性が
維持される。
【００１６】本発明による半導体製造装置は以上のよう
に構成され、ロードロックチャンバ１４のウェハカセッ
トに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬送ロボット２
０により所定のシーケンスに従って、トランスファチャ
ンバ１２を通り、プロセスチャンバ１６等を移動する。
その際、スリットバルブドア２４Ａが図示しないエアー
シリンダ等によりスリットバルブインサート２３Ａに対
して開閉され、スリットバルブインサート２３Ａ及びス
リットバルブドア２４Ａの材料が金属である場合、Ｏ−
リング２６によりチャンバ間の気密性が維持されると共
に、スリットバルブインサート２３Ａ及びスリットバル
ブドア２４Ａの接触が防止されている。
に構成され、ロードロックチャンバ１４のウェハカセッ
トに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬送ロボット２
０により所定のシーケンスに従って、トランスファチャ
ンバ１２を通り、プロセスチャンバ１６等を移動する。
その際、スリットバルブドア２４Ａが図示しないエアー
シリンダ等によりスリットバルブインサート２３Ａに対
して開閉され、スリットバルブインサート２３Ａ及びス
リットバルブドア２４Ａの材料が金属である場合、Ｏ−
リング２６によりチャンバ間の気密性が維持されると共
に、スリットバルブインサート２３Ａ及びスリットバル
ブドア２４Ａの接触が防止されている。
【００１７】ところが、Ｏ−リング２６の劣化や弾力性
の低下などにより、スリットバルブインサート２３Ａの
対向面２５及びスリットバルブドア２４Ａの表面２４ａ
が互いに接触しようとする場合にも、スリットバルブド
ア２４Ａの表面２４ａに設けられたライナー３０の弾力
性によって接触が回避される。従って、スリットバルブ
インサート２３Ａ及びスリットバルブドア２４Ａの接触
による金属汚染やパーティクルの発生が防止され、半導
体ウェハに重金属汚染、パーティクル付着などを生じな
い。また、ライナー３０の材料となる有機系高分子材料
は、高温となるチャンバ内では気化するため、半導体ウ
ェハの汚染源となることはない。
の低下などにより、スリットバルブインサート２３Ａの
対向面２５及びスリットバルブドア２４Ａの表面２４ａ
が互いに接触しようとする場合にも、スリットバルブド
ア２４Ａの表面２４ａに設けられたライナー３０の弾力
性によって接触が回避される。従って、スリットバルブ
インサート２３Ａ及びスリットバルブドア２４Ａの接触
による金属汚染やパーティクルの発生が防止され、半導
体ウェハに重金属汚染、パーティクル付着などを生じな
い。また、ライナー３０の材料となる有機系高分子材料
は、高温となるチャンバ内では気化するため、半導体ウ
ェハの汚染源となることはない。
【００１８】なお、上述した実施形態では、ライナー３
０をスリットバルブドア２４Ａの表面２４ａに設けた場
合について説明したが、図４に示すように、ライナー３
０をスリットバルブドア２４Ａの表面だけでなくその側
面にも設けてもよく、さらに、裏面を含めたスリットバ
ルブドア２４Ａの全面に設けてもよい。また、図５に示
すように、スリットバルブインサート２３Ａの対向面２
５Ａの表面にも共にライナーを設けてもよく、さらに金
属汚染やパーティクルの発生が防止される。一方、スリ
ットバルブインサート２３Ａの対向面２５Ａのみにライ
ナーを設けてもよく、上述と同様な効果が得られる。ま
た、スリットバルブインサート２３Ａの全面にライナー
を設けてもよい。
０をスリットバルブドア２４Ａの表面２４ａに設けた場
合について説明したが、図４に示すように、ライナー３
０をスリットバルブドア２４Ａの表面だけでなくその側
面にも設けてもよく、さらに、裏面を含めたスリットバ
ルブドア２４Ａの全面に設けてもよい。また、図５に示
すように、スリットバルブインサート２３Ａの対向面２
５Ａの表面にも共にライナーを設けてもよく、さらに金
属汚染やパーティクルの発生が防止される。一方、スリ
ットバルブインサート２３Ａの対向面２５Ａのみにライ
ナーを設けてもよく、上述と同様な効果が得られる。ま
た、スリットバルブインサート２３Ａの全面にライナー
を設けてもよい。
【００１９】さらに、ライナー３０は、テフロン（登録
商標）やカプトン（登録商標）テープに限らず、ライニ
ングできる材料であって、耐摩耗性を有し高温において
気化し得る材料であれば、同様に使用することができ
る。なお、テフロンは耐腐食性が高いため、腐食性の高
い処理ガスが使用される場合にも、好適に使用すること
ができる。また、半導体製造装置としては、エピタキシ
ャル成長装置や高速熱処理アニール装置、熱ＣＶＤ装置
等、種々のプロセスを実施する装置が適用可能である。
商標）やカプトン（登録商標）テープに限らず、ライニ
ングできる材料であって、耐摩耗性を有し高温において
気化し得る材料であれば、同様に使用することができ
る。なお、テフロンは耐腐食性が高いため、腐食性の高
い処理ガスが使用される場合にも、好適に使用すること
ができる。また、半導体製造装置としては、エピタキシ
ャル成長装置や高速熱処理アニール装置、熱ＣＶＤ装置
等、種々のプロセスを実施する装置が適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スリットバルブインサートの対向面及びスリットバルブ
ドアの表面の少なくとも一方にライナーが設けられてい
るので、Ｏ−リングの劣化や弾力性の低下などにより、
これらのスリットバルブインサート及びスリットバルブ
ドアが互いに接触しようとする場合にも、ライナーによ
って接触が回避される。従って、スリットバルブインサ
ート及びスリットバルブドアの接触による金属汚染やパ
ーティクルの発生が防止され、半導体ウェハに重金属汚
染やパーティクル付着などを生じない半導体製造装置が
得られるという効果を奏する。
スリットバルブインサートの対向面及びスリットバルブ
ドアの表面の少なくとも一方にライナーが設けられてい
るので、Ｏ−リングの劣化や弾力性の低下などにより、
これらのスリットバルブインサート及びスリットバルブ
ドアが互いに接触しようとする場合にも、ライナーによ
って接触が回避される。従って、スリットバルブインサ
ート及びスリットバルブドアの接触による金属汚染やパ
ーティクルの発生が防止され、半導体ウェハに重金属汚
染やパーティクル付着などを生じない半導体製造装置が
得られるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施形態による半導体製造装置のス
リットバルブ部の概略断面図である。
リットバルブ部の概略断面図である。
【図２】スリットバルブドアの正面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【図４】ライナーが全面に設けられた状態を示すスリッ
トバルブドアの概略部分断面図である。
トバルブドアの概略部分断面図である。
【図５】スリットバルブインサート先端の概略断面図で
ある。
ある。
【図６】枚葉式マルチチャンバ型半導体製造装置の全体
構成を示す概略平面図である。
構成を示す概略平面図である。
【図７】従来の半導体製造装置におけるスリットバルブ
部の概略断面図である。
部の概略断面図である。
１０…半導体製造装置、１２…トランスファチャンバ、
１４…ロードロックチャンバ、１６…プロセスチャン
バ、１８…クールダウンチャンバ、２０…ウェハ搬送ロ
ボット、２２…スリットバルブ部、２３Ａ…スリットバ
ルブインサート、２４ａ…表面、２４Ａ…スリットバル
ブドア、２５Ａ…対向面、２６…Ｏ−リング、２７…ア
リ溝、３０…ライナー。
１４…ロードロックチャンバ、１６…プロセスチャン
バ、１８…クールダウンチャンバ、２０…ウェハ搬送ロ
ボット、２２…スリットバルブ部、２３Ａ…スリットバ
ルブインサート、２４ａ…表面、２４Ａ…スリットバル
ブドア、２５Ａ…対向面、２６…Ｏ−リング、２７…ア
リ溝、３０…ライナー。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月２０日（１９９９．１０．
２０）
２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、複数のチャンバを有し所定のチャンバ間を開閉
して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マルチチ
ャンバ型の半導体製造装置であって、スリットバルブ部
は、半導体ウェハが内部を通過するスリットバルブイン
サートと、このスリットバルブインサートのトランスフ
ァチャンバ側を開閉するスリットバルブドアとを有し、
これらスリットバルブインサートの対向面及びスリット
バルブドアの表面の少なくとも一方にテトラフルオロエ
チレン又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが
設けられていることを特徴とする半導体製造装置であ
る。
発明は、複数のチャンバを有し所定のチャンバ間を開閉
して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マルチチ
ャンバ型の半導体製造装置であって、スリットバルブ部
は、半導体ウェハが内部を通過するスリットバルブイン
サートと、このスリットバルブインサートのトランスフ
ァチャンバ側を開閉するスリットバルブドアとを有し、
これらスリットバルブインサートの対向面及びスリット
バルブドアの表面の少なくとも一方にテトラフルオロエ
チレン又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが
設けられていることを特徴とする半導体製造装置であ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】請求項２に記載の発明は、ライナーがスリ
ットバルブドアの全面に設けられていることを特徴とす
る。
ットバルブドアの全面に設けられていることを特徴とす
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】請求項３に記載の発明は、ライナーがスリ
ットバルブインサートの全面に設けられていることを特
徴とする。
ットバルブインサートの全面に設けられていることを特
徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】この発明によれば、スリットバルブインサ
ートの対向面及びスリットバルブドアの表面の少なくと
も一方にライナーが設けられているので、Ｏ−リングの
劣化や弾力性の低下などにより、これらのスリットバル
ブインサート及びスリットバルブドアが互いに接触しよ
うとする場合にも、ライナーによって接触が回避され
る。従って、スリットバルブインサート及びスリットバ
ルブドアの接触による金属汚染やパーティクルの発生が
防止され、半導体ウェハに重金属汚染やパーティクル付
着などを生じない。
ートの対向面及びスリットバルブドアの表面の少なくと
も一方にライナーが設けられているので、Ｏ−リングの
劣化や弾力性の低下などにより、これらのスリットバル
ブインサート及びスリットバルブドアが互いに接触しよ
うとする場合にも、ライナーによって接触が回避され
る。従って、スリットバルブインサート及びスリットバ
ルブドアの接触による金属汚染やパーティクルの発生が
防止され、半導体ウェハに重金属汚染やパーティクル付
着などを生じない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】ここで、この発明による半導体製造装置の
ライナーはテトラフルオロエチレンからなる。
ライナーはテトラフルオロエチレンからなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】あるいは、この発明による半導体製造装置
のライナーはポリイミド系樹脂テープからなる。
のライナーはポリイミド系樹脂テープからなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 直樹 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 有馬 靖二 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BD01 DA09 KA09 5F045 BB14 BB15 EB08 EB09 EB10 EN10
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のチャンバを有し所定のチャンバ間
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、 前記スリットバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過す
るスリットバルブインサートと、このスリットバルブイ
ンサートのトランスファチャンバ側を開閉するスリット
バルブドアとを有し、これらスリットバルブインサート
の対向面及びスリットバルブドアの表面の少なくとも一
方にライナーが設けられていることを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】 前記ライナーは、テトラフルオロエチレ
ンであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】 前記ライナーは、ポリイミド系樹脂テー
プであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項４】 前記ライナーは、前記スリットバルブド
アの全面に設けられていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記ライナーは、前記スリットバルブイ
ンサートの全面に設けられていることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
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|---|---|---|---|
| JP27844798A JP3210627B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体製造装置 |
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|---|---|
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| JP27844798A Expired - Fee Related JP3210627B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体製造装置 |
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1998
- 1998-09-30 JP JP27844798A patent/JP3210627B2/ja not_active Expired - Fee Related
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