JPH0982650A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0982650A JPH0982650A JP26244595A JP26244595A JPH0982650A JP H0982650 A JPH0982650 A JP H0982650A JP 26244595 A JP26244595 A JP 26244595A JP 26244595 A JP26244595 A JP 26244595A JP H0982650 A JPH0982650 A JP H0982650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air supply
- reaction
- flange
- supply flange
- transfer chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置に於いて、低温部への反応副生
成物の付着を防止し、パーティクルの発生を抑止し、良
好な成膜条件を実現する。 【構成】反応管１に給気フランジ１７を介して搬送室６
が連設され、前記給気フランジから反応ガスが供給され
る半導体製造装置に於いて、前記給気フランジに加熱手
段２１を設けた半導体製造装置、又更に給気フランジと
搬送室間に断熱材２０を設けた半導体製造装置、又更に
給気フランジに弁座１８を搬送室側に突出する様形成
し、該弁座にゲートバルブを密着離反する様にした半導
体製造装置に係り、給気フランジを加熱するので給気フ
ランジに反応副生成物が付着するのが防止され、又給気
フランジと搬送室間が断熱構造となっているので、給気
フランジの加熱が効率よく行え、更に給気フランジに弁
座を形成することで搬送室が反応管に露出しない構造と
なるので搬送室側の材料の選択の自由が増す等構造の簡
素化が図れる。
成物の付着を防止し、パーティクルの発生を抑止し、良
好な成膜条件を実現する。 【構成】反応管１に給気フランジ１７を介して搬送室６
が連設され、前記給気フランジから反応ガスが供給され
る半導体製造装置に於いて、前記給気フランジに加熱手
段２１を設けた半導体製造装置、又更に給気フランジと
搬送室間に断熱材２０を設けた半導体製造装置、又更に
給気フランジに弁座１８を搬送室側に突出する様形成
し、該弁座にゲートバルブを密着離反する様にした半導
体製造装置に係り、給気フランジを加熱するので給気フ
ランジに反応副生成物が付着するのが防止され、又給気
フランジと搬送室間が断熱構造となっているので、給気
フランジの加熱が効率よく行え、更に給気フランジに弁
座を形成することで搬送室が反応管に露出しない構造と
なるので搬送室側の材料の選択の自由が増す等構造の簡
素化が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板表面に薄膜の生
成、或はエッチング等の処理をして半導体デバイスを製
造する半導体製造装置に関するものである。
成、或はエッチング等の処理をして半導体デバイスを製
造する半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では所要の雰囲気で或は
真空雰囲気下で加熱して基板表面に薄膜の生成、或はエ
ッチング等の所要の処理を行う。
真空雰囲気下で加熱して基板表面に薄膜の生成、或はエ
ッチング等の所要の処理を行う。
【０００３】図２は従来の半導体製造装置、特に枚葉式
半導体製造装置を示しており、図３は該半導体製造装置
の反応ガス導入部を示している。
半導体製造装置を示しており、図３は該半導体製造装置
の反応ガス導入部を示している。
【０００４】図中１は偏平な空間を画成する石英製の筒
状反応管、該反応管１の周囲にはヒータ２、該ヒータ２
の更に周囲には絶縁材３が設けられている。前記反応管
１の上流側端には給気フランジ４、下流側端には排気フ
ランジ５が設けられている。前記給気フランジ４には搬
送室６が気密に設けられ、前記搬送室６と反応管１を連
絡する開口部１４はゲートバルブ７により閉塞され、開
口部１４とゲートバルブ７間にはＯリング１２が設けら
れ、閉塞状態での気密性が維持されている。前記ゲート
バルブ７の開閉機構部は前記搬送室６の外部に設けら
れ、該開閉機構部の搬送室６貫通部はベローズ１３によ
り気密にシールされている。又、前記排気フランジ５の
開口部１４は閉塞板８により気密に密閉されている。
状反応管、該反応管１の周囲にはヒータ２、該ヒータ２
の更に周囲には絶縁材３が設けられている。前記反応管
１の上流側端には給気フランジ４、下流側端には排気フ
ランジ５が設けられている。前記給気フランジ４には搬
送室６が気密に設けられ、前記搬送室６と反応管１を連
絡する開口部１４はゲートバルブ７により閉塞され、開
口部１４とゲートバルブ７間にはＯリング１２が設けら
れ、閉塞状態での気密性が維持されている。前記ゲート
バルブ７の開閉機構部は前記搬送室６の外部に設けら
れ、該開閉機構部の搬送室６貫通部はベローズ１３によ
り気密にシールされている。又、前記排気フランジ５の
開口部１４は閉塞板８により気密に密閉されている。
【０００５】前記給気フランジ４には給気ポート１０が
設けられ、前記排気フランジ５には排気ポート１１が設
けられ、前記給気ポート１０よりウェーハ９の処理に必
要な反応ガスが供給され、前記排気ポート１１からは反
応後のガスが排気される様になっている。
設けられ、前記排気フランジ５には排気ポート１１が設
けられ、前記給気ポート１０よりウェーハ９の処理に必
要な反応ガスが供給され、前記排気ポート１１からは反
応後のガスが排気される様になっている。
【０００６】前記搬送室６内部には被処理物であるウェ
ーハ９を前記反応管１内に搬入搬出する為の搬送機（図
示せず）が設けられており、前記ゲートバルブ７が開放
された状態でウェーハの搬送を行う。
ーハ９を前記反応管１内に搬入搬出する為の搬送機（図
示せず）が設けられており、前記ゲートバルブ７が開放
された状態でウェーハの搬送を行う。
【０００７】前記ウェーハ９の処理は前記ヒータ２で反
応管１内、前記ウェーハ９を所要温度に加熱した状態
で、前記ゲートバルブ７で反応管１を密閉し、前記給気
フランジ４の給気ポート１０より反応ガスが導入され、
該反応ガスは前記反応管１を対角線状に流れて更に排気
ポート１１から排気される。
応管１内、前記ウェーハ９を所要温度に加熱した状態
で、前記ゲートバルブ７で反応管１を密閉し、前記給気
フランジ４の給気ポート１０より反応ガスが導入され、
該反応ガスは前記反応管１を対角線状に流れて更に排気
ポート１１から排気される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に前記給気
フランジ４に設けた給気ポート１０より反応ガスを供給
し、成膜処理を行っているが、成膜する膜種によっては
前記給気フランジ４の給気ポート１０内面、或は前記開
口部１４の内面低温部に反応副生成物１５が付着し、パ
ーティクルの発生源となる。反応副生成物が剥離しパー
ティクルとなってウェーハ９に付着して汚染すると、成
膜に悪影響を及ぼし製品品質の低下、或は歩留まりの低
下を招いていた。
フランジ４に設けた給気ポート１０より反応ガスを供給
し、成膜処理を行っているが、成膜する膜種によっては
前記給気フランジ４の給気ポート１０内面、或は前記開
口部１４の内面低温部に反応副生成物１５が付着し、パ
ーティクルの発生源となる。反応副生成物が剥離しパー
ティクルとなってウェーハ９に付着して汚染すると、成
膜に悪影響を及ぼし製品品質の低下、或は歩留まりの低
下を招いていた。
【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、低温部への反
応副生成物の付着を防止し、パーティクルの発生を抑止
し、良好な成膜条件を実現するものである。
応副生成物の付着を防止し、パーティクルの発生を抑止
し、良好な成膜条件を実現するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管に給気
フランジを介して搬送室が連設され、前記給気フランジ
から反応ガスが供給される半導体製造装置に於いて、前
記給気フランジに加熱手段を設けた半導体製造装置、又
更に給気フランジと搬送室間に断熱材を設けた半導体製
造装置、又更に給気フランジに弁座を搬送室側に突出す
る様形成し、該弁座にゲートバルブを密着離反する様に
した半導体製造装置に係り、給気フランジを加熱するの
で給気フランジに反応副生成物が付着するのが防止さ
れ、又給気フランジと搬送室間が断熱構造となっている
ので、給気フランジの加熱が効率よく行え、更に給気フ
ランジに弁座を形成することで搬送室が反応管に露出し
ない構造となるので搬送室側の材料の選択の自由が増す
等構造の簡素化が図れる。
フランジを介して搬送室が連設され、前記給気フランジ
から反応ガスが供給される半導体製造装置に於いて、前
記給気フランジに加熱手段を設けた半導体製造装置、又
更に給気フランジと搬送室間に断熱材を設けた半導体製
造装置、又更に給気フランジに弁座を搬送室側に突出す
る様形成し、該弁座にゲートバルブを密着離反する様に
した半導体製造装置に係り、給気フランジを加熱するの
で給気フランジに反応副生成物が付着するのが防止さ
れ、又給気フランジと搬送室間が断熱構造となっている
ので、給気フランジの加熱が効率よく行え、更に給気フ
ランジに弁座を形成することで搬送室が反応管に露出し
ない構造となるので搬送室側の材料の選択の自由が増す
等構造の簡素化が図れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１２】図１は本発明の実施の形態の要部を示すも
のであり、図１中、図３中に於いて示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
のであり、図１中、図３中に於いて示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
【００１３】反応管１と搬送室６とは給気フランジ１７
を介して気密に連設される。該給気フランジ１７には搬
送室６側に突出する弁座１８が形成され、該弁座１８は
前記搬送室６に穿設された連結口１９に遊嵌しており、
遊嵌した状態では弁座１８と連結口１９とは非接触の状
態となっている。前記給気フランジ１７には反応管１と
搬送室６を連通する開口部１４が穿設され、該開口部１
４の周囲には熱媒体流路２１が形成され、該熱媒体流路
２１は図示しない熱交換器、流体循環装置、流体温度調
節器に接続されている。前記給気フランジ１７の一部が
弁座１８となっているので、前記搬送室６は反応管１内
部に対して露出しているところがなくなる。
を介して気密に連設される。該給気フランジ１７には搬
送室６側に突出する弁座１８が形成され、該弁座１８は
前記搬送室６に穿設された連結口１９に遊嵌しており、
遊嵌した状態では弁座１８と連結口１９とは非接触の状
態となっている。前記給気フランジ１７には反応管１と
搬送室６を連通する開口部１４が穿設され、該開口部１
４の周囲には熱媒体流路２１が形成され、該熱媒体流路
２１は図示しない熱交換器、流体循環装置、流体温度調
節器に接続されている。前記給気フランジ１７の一部が
弁座１８となっているので、前記搬送室６は反応管１内
部に対して露出しているところがなくなる。
【００１４】前記搬送室６の反応管１側外壁面と前記給
気フランジ１７間には断熱材２０が挾設され、又該断熱
材２０の内側にはＯリング１６が挾設され、給気フラン
ジ１７と搬送室６間の気密が保持されると共に搬送室６
と給気フランジ１７間は金属接触がない構成となる。
気フランジ１７間には断熱材２０が挾設され、又該断熱
材２０の内側にはＯリング１６が挾設され、給気フラン
ジ１７と搬送室６間の気密が保持されると共に搬送室６
と給気フランジ１７間は金属接触がない構成となる。
【００１５】前記搬送室６と反応管１を連絡する開口部
１４は前記ゲートバルブ７により閉塞され、該給気フラ
ンジ１７は前記弁座１８に直接密着し、反応管１を閉塞
する。開口部１４とゲートバルブ７間にはＯリング１２
が設けられ、閉塞状態での気密性が維持されている。
１４は前記ゲートバルブ７により閉塞され、該給気フラ
ンジ１７は前記弁座１８に直接密着し、反応管１を閉塞
する。開口部１４とゲートバルブ７間にはＯリング１２
が設けられ、閉塞状態での気密性が維持されている。
【００１６】前記ウェーハ９の処理は前記ヒータ２で反
応管１内を所要温度に加熱し、更に前記熱媒体流路２１
に所要温度に加熱した熱媒体、即ち前記開口部１４に臨
接する壁面を、該壁面に反応副生成物が付着しない温度
に保持する加熱した熱媒体を流通させた状態で、前記ゲ
ートバルブ７を降下させ前記開口部１４を開いてウェー
ハ９を反応管１内に搬入し、その後前記ゲートバルブ７
で前記開口部１４を閉塞する。前記給気フランジ１７の
給気ポート１０より反応ガスが導入され、前記ウェーハ
９に成膜処理がなされ、反応後のガスは排気ポート１１
から排気される。
応管１内を所要温度に加熱し、更に前記熱媒体流路２１
に所要温度に加熱した熱媒体、即ち前記開口部１４に臨
接する壁面を、該壁面に反応副生成物が付着しない温度
に保持する加熱した熱媒体を流通させた状態で、前記ゲ
ートバルブ７を降下させ前記開口部１４を開いてウェー
ハ９を反応管１内に搬入し、その後前記ゲートバルブ７
で前記開口部１４を閉塞する。前記給気フランジ１７の
給気ポート１０より反応ガスが導入され、前記ウェーハ
９に成膜処理がなされ、反応後のガスは排気ポート１１
から排気される。
【００１７】上記した様に、前記給気フランジ１７が加
熱されているので開口部１４の壁面には反応副生成物が
付着することがない。又、前記給気フランジ１７と搬送
室６間には前記断熱材２０が介在し、更に前記給気フラ
ンジ１７と搬送室６とは非接触状態であるので、給気フ
ランジ１７から搬送室６への熱伝達が抑制され、前記熱
媒体流路２１による給気フランジ１７の加熱が効果的に
行われる。
熱されているので開口部１４の壁面には反応副生成物が
付着することがない。又、前記給気フランジ１７と搬送
室６間には前記断熱材２０が介在し、更に前記給気フラ
ンジ１７と搬送室６とは非接触状態であるので、給気フ
ランジ１７から搬送室６への熱伝達が抑制され、前記熱
媒体流路２１による給気フランジ１７の加熱が効果的に
行われる。
【００１８】尚、前記給気フランジ１７を加熱する手段
としては前記熱媒体流路２１及び加熱媒体に代え加熱ヒ
ータを埋設してもよい。或は弁座１８と連結口１９との
間にも断熱材を設けてもよい。
としては前記熱媒体流路２１及び加熱媒体に代え加熱ヒ
ータを埋設してもよい。或は弁座１８と連結口１９との
間にも断熱材を設けてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、給気フ
ランジを加熱する様にしたので、反応副生成物の付着を
抑制し、パーティクルを減少させることができ、又給気
フランジと搬送室間を断熱構造としたので給気フランジ
の加熱を効率よく行うことができ、更に搬送室が反応室
内部に露出しない構造であるので、金属汚染等を考慮す
る必要がなく材料の選択が自由になり、更に反応室の構
造を簡素化できる等の優れた効果を発揮する。
ランジを加熱する様にしたので、反応副生成物の付着を
抑制し、パーティクルを減少させることができ、又給気
フランジと搬送室間を断熱構造としたので給気フランジ
の加熱を効率よく行うことができ、更に搬送室が反応室
内部に露出しない構造であるので、金属汚染等を考慮す
る必要がなく材料の選択が自由になり、更に反応室の構
造を簡素化できる等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図２】従来例を示す断面図である。
【図３】該従来例の要部を示す断面図である。
１ 反応管 ２ ヒータ ６ 搬送室 １７ 給気フランジ １８ 弁座 １９ 連結口 ２０ 断熱材 ２１ 熱媒体流路
Claims (3)
- 【請求項１】 反応管に給気フランジを介して搬送室が
連設され、前記給気フランジから反応ガスが供給される
半導体製造装置に於いて、前記給気フランジに加熱手段
を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 給気フランジと搬送室間に断熱材を設け
た請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項３】 給気フランジに弁座を搬送室側に突出す
る様形成し、該弁座にゲートバルブを密着離反する様に
した請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26244595A JP3507220B2 (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26244595A JP3507220B2 (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982650A true JPH0982650A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3507220B2 JP3507220B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=17375895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26244595A Expired - Lifetime JP3507220B2 (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3507220B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041139A1 (fr) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Tokyo Electron Limited | Appareil de traitement thermique |
| JP2004119510A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| US6858264B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| JP2006521016A (ja) * | 2003-03-17 | 2006-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 隣接の温度制御された処理チャンバの熱的絶縁のための方法と装置。 |
| US7192487B2 (en) | 2002-02-22 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor substrate processing chamber and accessory attachment interfacial structure |
| US7270715B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US9023436B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-05-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP26244595A patent/JP3507220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144823B2 (en) | 2001-11-08 | 2006-12-05 | Tokyo Electron Limited | Thermal treatment apparatus |
| US7479619B2 (en) | 2001-11-08 | 2009-01-20 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit |
| EP1443543A1 (en) * | 2001-11-08 | 2004-08-04 | Tokyo Electron Limited | Thermal treating apparatus |
| WO2003041139A1 (fr) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Tokyo Electron Limited | Appareil de traitement thermique |
| EP1443543A4 (en) * | 2001-11-08 | 2007-06-20 | Tokyo Electron Ltd | THERMAL TREATMENT APPARATUS |
| US7192487B2 (en) | 2002-02-22 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor substrate processing chamber and accessory attachment interfacial structure |
| US6858264B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US7270715B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP2004119510A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP4523225B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| JP2006521016A (ja) * | 2003-03-17 | 2006-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 隣接の温度制御された処理チャンバの熱的絶縁のための方法と装置。 |
| US9023436B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-05-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3507220B2 (ja) | 2004-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3556804B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| US20070158026A1 (en) | Processing apparatus | |
| US6402848B1 (en) | Single-substrate-treating apparatus for semiconductor processing system | |
| JPH04308090A (ja) | 気相化学反応生成装置のロードロック機構 | |
| JP5208948B2 (ja) | 真空処理システム | |
| JP2008214763A (ja) | 成膜装置 | |
| US6733593B1 (en) | Film forming device | |
| JP3507220B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002327274A (ja) | 成膜装置 | |
| US8051870B2 (en) | Pressure reduction process device, pressure reduction process method, and pressure regulation valve | |
| JPH0794487A (ja) | 処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH08148539A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH11135416A (ja) | 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 | |
| JP4782761B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP4286981B2 (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
| JP3098093B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH10223538A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP4483040B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2004339566A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH1092753A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JP3328853B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JPH01191427A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2004241566A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3594079B2 (ja) | 弁装置および熱処理装置 | |
| JPH08340037A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031218 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |