JPH09310187A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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JPH09310187A
JPH09310187A JP12195696A JP12195696A JPH09310187A JP H09310187 A JPH09310187 A JP H09310187A JP 12195696 A JP12195696 A JP 12195696A JP 12195696 A JP12195696 A JP 12195696A JP H09310187 A JPH09310187 A JP H09310187A
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JP
Japan
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substrate
cover member
chucking mechanism
potential
etching
Prior art date
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Application number
JP12195696A
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English (en)
Inventor
Satoshi Umehara
諭 梅原
Hidetsugu Setoyama
英嗣 瀬戸山
Mitsuhiro Kamei
光浩 亀井
Takeshi Tanaka
健 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャッキング機構の影響を排して加工対象と
なる基板近郷の空間領域における電位を均一にすること
で、エッチングおよび成膜処理を同一ポジションで行う
ことのできるスパッタ装置を提供する。 【解決手段】 接地された導電性材料からなるカバー部
材21で、チャッキング機構10の基板押さえ部11を
覆う。基板Wおよびその周辺部だけは露出させるように
カバー部材21には開口部210を設けておく。エッチ
ングおよび成膜処理は、該開口部210を通して行う。
チャッキング機構との干渉を避けるため、カバー部材2
1はその高さ位置を変更可能にしておく。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本装置は成膜用のスパッタ装
置に係わる。
【0002】
【従来の技術】薄膜を形成する方法として、従来からス
パッタリング技術が知られている。何らかの膜が付いた
基板に薄膜を成膜する場合、良質な薄膜を得るために
は、成膜前に前記膜付き基板の表面をエッチングする必
要がある。そのため、従来の枚葉式やインライン方式の
スパッタ装置では、成膜処理を行うチャンバとは別にエ
ッチング処理を行うためのチャンバを設け、両チャンバ
を接続していた。エッチング処理後の基板は、成膜処理
を行うチャンバにまで搬送されここで成膜処理が行われ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】スパッタ装置は、種々
の材料の薄膜化手段の一つとして、各方面でニーズが高
まっている。特に最近は、より薄い膜を再現よく形成す
る為に、従来のメッキ法にかわって、このスパッタリン
グ技術は重要になっている。しかし、上記従来装置に
は、このようなニーズに十分応えてはいなかった。
【0004】例えば、上記従来装置では、成膜とエッチ
ングとを別のチャンバで行っているため、装置が複雑で
生産効率が悪いという問題があった。さらにエッチング
してから成膜するまでに無駄な時間がかかりエッチング
した面がベストの状態ではなくなってしまうという問題
があった。
【0005】生産効率を高めるには、スパッタ装置にも
加工対象となる基板の自動交換が可能なチャッキング機
構を採用することが必須となる。また、一カ所でエッチ
ングと成膜とを行ってしまうことが好ましい。
【0006】しかし、上述したチャッキング機構をスパ
ッタ装置に採用した場合、エッチング分布が不均一にな
ってしまうという問題があった。また、バッチ式のスパ
ッタ装置を用いれば、成膜とエッチングとを同一ポジシ
ョンで行うことができる。しかし、バッチ式のスパッタ
装置では、基板を交換する度毎にチャンバを大気に暴露
しなければならない。そして、その度毎に、チャンバ内
一定の圧力まで排気しなければならず、結局、生産効率
が低かった。
【0007】本発明は、処理室を大気開放することなく
同一チャンバ内の同一ポジションで、複数の基板を連続
して、エッチングと成膜を実施できるスパッタ装置を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、チャッキ
ング機構を採用した場合になぜエッチング分布が不均一
になってしまうのかを様々な角度から検証した。その結
果、チャッキング機構の存在自体が基板に対応した空間
領域における電位を不均一にしてしまうことにその原因
があるとの結論に達した。つまり、基板を受け渡す機構
との関係で、チャッキング機構は非対称にならざるをえ
ない。このようなチャッキング機構によって基板を保持
した状態でエッチングを行った場合、基板周辺の空間領
域における電位も不均一になり、その影響を受けてエッ
チング分布も悪くなってしまう。本発明はこのような知
見に基づいてなされたものであり、チャッキング機構に
よる影響を抑え基板の被加工面に対応した領域における
電位を均一にすることで、チャッキング機構によって基
板を保持した状態でのエッチングを可能とした。本発明
の具体的な構成を述べれば以下の通りである。
【0009】真空容器内にターゲット電極と基板電極と
を対向配置し、これらの電極間を放電させることで、前
記ターゲット電極をスパッタリングしてスパッタ粒子を
前記基板電極に接して保持された基板に堆積させて成膜
するスパッタ装置において、前記基板を保持するチャッ
キング機構と、前記チャッキング機構に保持されている
前記基板の被加工面に対応する空間領域おける電位を均
一にする電位均一化手段とを有することを特徴とするス
パッタ装置が提供される。
【0010】前記電位均一化手段は、前記チャッキング
機構に保持された基板を露出させつつ前記チャッキング
機構の少なくとも一部を覆う、導電性を備え接地された
カバー部材を含んで構成されることが好ましい。
【0011】前記カバー部材は、前記チャッキング機構
に保持された基板に対応する領域に設けられた円形の開
口部を備えていることが好ましい。
【0012】前記電位均一化手段は、さらに、動力を発
生させる動力機構と、前記動力機構によって発生された
動力によって前記カバー部材の位置および/または姿勢
を変更する作動機構とを有することが好ましい。
【0013】前記チャッキング機構は、前記動力機構の
発生する動力によって作動されるものであることが好ま
しい。
【0014】作用を説明する。
【0015】チャッキング機構は、別途用意された搬送
装置等によって運ばれてきた基板を、基板電極に接した
状態で保持する。
【0016】電位均一化手段はチャッキング機構に保持
されている基板の被加工面に対応する空間領域おける電
位を均一にする。例えば、導電性を備え接地されたカバ
ー部材によって、チャッキング機構の少なくとも一部を
覆うことで電位を均一にできる。加工対象となる基板は
円形であることが多いため、カバー部材には円形の開口
部を設けここから基板電極などを露出させておく。エッ
チングは、該開口部を通じて行う。この場合、基板の被
加工面に対応する空間領域おける電位は均一にされてい
るため、エッチング分布は均一になる。成膜処理も同様
に、該開口部を通じて行う。この場合、基板の位置等を
変える必要はなく、エッチングと成膜処理とを連続して
行うことができる。
【0017】作動機構によって、カバー部材の位置およ
び/または姿勢を変更すれば、チャッキング機構および
基板を搬送してくる搬送装置等との干渉を防ぎつつ、基
板とカバー部材との間隔をより小さくできる。両者の間
隔が小さいほど電位をより均一にできるため、エッチン
グ分布をより均一にできる。
【0018】電位均一化手段の動力機構によってチャッ
キング機構も作動させれば、装置構成が簡略化できる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。
【0020】該実施形態の枚葉式スパッタ装置の構成を
図1に示した。
【0021】処理室1,搬送室2および仕込取出室3
は、真空チャンバにより構成されている。そして、これ
らは仕切弁5a,5bを介して互いに平面的に接続され
ている。仕込取出室3にセットされた基板は、搬送室2
に設置されている真空搬送ロボット4により処理室1へ
運ばれる。又、処理を終えた基板は真空搬送ロボット4
により仕込取出室3に戻される。
【0022】処理室1の詳細を図2を用いて説明する。
【0023】処理室1は、ターゲット電極8、基板電極
7、絶縁物9a,9b、チャッキング機構10、エッチ
ング分布改善機構20、昇降機構30を備えている。
【0024】チャッキング機構10は、基板押え部1
1、絶縁物12、シャフト13、及びバネ14により構
成されている。通常の状態では、バネ14により、シャ
フト13はスリーブ15に沿って上に押し上げられてい
るため、チャッキング機構10は着状態、即ち、基板押
さえ部11が基板電極7に押しつけられた状態となって
いる。この時、基板押さえ部11の上に基板Wが載せら
れていれば、該基板Wは基板押さえ部11と基板電極7
との間に挟まれて保持される。該着状態において、シャ
フト13をスリーブ15に沿って下に押し下げること
で、チャッキング機構10は脱状態、即ち、基板押さえ
11が基板電極7から離れた状態となる。基板Wを実際
に保持している状態からこの脱状態に移ると、基板Wは
自重にて基板電極7から離れ、基板押さえ11に載った
まま該基板押さえ11とともに下がる。シャフト13の
押し下げは、エッチング分布改善機構20の後述する当
接部27を介して昇降機構30によってなされる。な
お、絶縁物12は、基板押え部11とシャフト13とを
電位的に切離している。
【0025】エッチング分布改善機構20は、基板Wの
被加工面に対応した空間領域(図3における斜線領域)
における電位を均一にするためのものである。本実施形
態のエッチング分布改善機構20は、接地された導電性
の部材(後述するカバー部材21)によってチャッキン
グ機構10等を覆うことで、上述した電位の均一化を図
っている。
【0026】カバー部材21は、導電性の材料から成
り、その中央には基板Wを露出するための開口部210
が開けられている。カバー部材21は、この開口部21
0が基板Wに対応した位置にくるように支持されてい
る。基板Wへのエッチング,成膜は、この開口部210
を通して行われる。この開口部210の形状は、加工対
象となる基板Wの形状(通常は、円形)にあわせる。開
口部210の大きさは、電位の均一化機能という観点か
らは大きい方がよい。但し、このカバー部材21は、電
位の均一化の役割の他に、成膜時に各機構部に成膜分子
が固着し当該機後部が動作不能になるのを防ぐための役
割(防護機能)も負っている。この防護機能の観点から
は、開口部210は小さい方がよい。従って、本実施形
態では、両機能(電位の均一化機能、防護機能)の効果
を勘案し、該開口部210の大きさを基板Wよりも多少
大きい程度にしている(図4参照)。カバー部材21は
接地されているため、該カバー部材21にイオンが当た
っても該カバー部材21が帯電することはない。
【0027】エッチング分布改善機構20はさらにカバ
ー部材21の高さ位置を変更するための機構として、シ
ャフト23、バネ24、支持部26a,b、当接部27
を備えている。支持部26a,bはカバー部材21、シ
ャフト23および当接部27と連結されており、これを
昇降機構30によって作動させることで、カバー部材2
1の高さ位置を変更するようになっている。つまり、支
持部26が押し下げられると、カバー部材21は下が
る。この時、シャフト23もスリーブ25に沿って下が
り、シャフト23に取り付けられているバネ24が圧縮
される。このバネ24が元に戻ろうとする力がカバー部
材21を押し上げる際の動力となる。
【0028】昇降機構30は、チャッキング機構10お
よびエッチング分布改善機構20を作動させるための機
構である。昇降機構30は、モータ34の回転力をベル
ト33によりボールネジ32へ伝え、さらに、ボールネ
ジ32の回転力を昇降部31の昇降動作に変えている。
【0029】通常は、バネ24,14の力によって、基
板押さえ部11およびカバー部材21は上に上がってい
る。以下、このように基板押さえ部11とカバー部材2
1との両方が上がっている状態を“状態A”と呼ぶこと
にする。
【0030】この状態Aから昇降部31を下降させて、
バネ24を圧縮しつつ当接部27がシャフト13の上端
に接する位置にまでカバー部材21を押し下げる。この
時、バネ14は圧縮されておらず、基板押さえ部11は
上がったままの状態を保っている。以下、この状態を
“状態B“と呼ぶ。
【0031】状態Bからさらに昇降部31を下降させる
と、カバー部材21はさらに押し下げられる。また、こ
れに伴って当接部27が基板押さえ部11を押し下げて
いる。以下、この状態を”状態C“と呼ぶ。この状態C
では、バネ24及びバネ14の両方が圧縮されている。
【0032】このように状態Aから昇降部31を下げて
ゆくことで、チャッキング機構10およびエッチング分
布改善機構20の状態を、状態A→状態B→状態Cと順
次変更してゆくことができる。また、状態Cから昇降部
を上げてゆけば、バネ14,24の力によって、チャッ
キング機構10およびエッチング分布改善機構20の状
態を、状態C→状態B→状態Aと戻せるようになってい
る。
【0033】ターゲット電極8に交流を印加するための
回路等も当然備えている。また、バイアススパッタを可
能とするため、基板電極7に交流を印加するための回路
等を備えている。例えば、絶縁物9a,9bは、基板電
極7、ターゲット電極8をチャンバ等から絶縁してい
る。
【0034】なお、特許請求の範囲において言う“電位
均一化手段”とは、本実施形態におけるエッチング分布
改善機構20、昇降機構30に相当する。“カバー部
材”とは、カバー部材21に相当する。“作動機構”と
は、支持部26a,b、シャフト23、バネ24等に相
当する。“動力機構”とは、昇降機構30に相当する。
【0035】次に、基板Wの受け渡し動作を説明する。
【0036】枚葉式スパッタ装置は、あらかじめ全室真
空状態とされているものとする。また、仕込取出室3に
は、あらかじめ基板Wがセットされているものとする。
【0037】仕切弁5aを開け、搬送室2から処理室1
に基板Wを搬送する。この時、各機構はあらかじめ状態
C(すなわち、基板押さえ部11およびカバー部材21
を下げた状態)としておく。真空搬送ロボット4は基板
Wを載せたアームを伸ばし、基板Wを基板電極7の真下
に位置させた状態で停止する。そして、そのまま基板押
さえ部11を上昇させて状態Bとする。この状態におい
て、チャッキング機構10は基板押さえ部11によって
基板Wを基板電極7に押しつけることで基板Wを保持し
ている。なお、カバー部材21は下がっているため、該
カバー部材21が真空搬送ロボット4のアーム等と干渉
することはない。
【0038】この後は、真空搬送ロボット4のアームを
縮めてから、仕切弁5aを閉める。そして、各機構を状
態Aとする。つまり、カバー部材21を上昇させて、カ
バー部材21と基板Wとの間隔を狭める。そして、この
状態で基板電極7に電位をかけて基板Wのエッチングを
行う。この場合、チャッキング機構10の存在による影
響はカバー部材21によって抑えられており、基板Wの
被加工面に対応した空間領域における電位は均一になっ
ている。従って、エッチング分布は均一になる。特に、
本実施形態のエッチング分布改善機構20は、カバー部
材21の位置を変更可能にしているため、チャッキング
機構10との機械的な干渉を生じることなく、エッチン
グ処理時におけるカバー部材21と基板Wとの間隔を狭
くすることができる。従って、カバー部材21が固定さ
れその位置変更ができないようになっている場合に較べ
て、電位をより均一に(すなわち、バイアス分布をより
均一に)できる。
【0039】エッチングの後は、ターゲット電極8に電
位をかけて成膜を行う。この場合、必要に応じて、基板
電極7とターゲット電極8とのそれぞれに別の電位をか
ければ、バイアススパッタによる成膜も可能である。
【0040】成膜処理後は、仕切弁5aを開けるととも
に、カバー部材21を下降させる(状態B)。そして、
真空搬送ロボット4のアームを伸ばし、当該アームの基
板保持部を基板電極7の真下で停止させる。そのまま、
基板押さえ部11を下降させれば(状態C)、基板Wは
アームにのせられることになる。この後、真空搬送ロボ
ット4はアームを縮めて加工済みの基板Wを仕込取出室
3に戻す。加工済みの基板Wが運び出された後、仕切弁
5aは閉じられて、処理室1は待機状態になる。
【0041】以上説明した実施形態では、チャッキング
機構などの影響を抑え基板近傍の空間領域での電位を均
一にできる。そのため、チャッキング機構によって基板
を同一ポジションに保持したままの状態で、エッチング
と成膜処理とを行うことができる。しかも、基板は、搬
送装置によって自動的に交換可能であるため、装置稼働
率および生産効率が高い。
【0042】基板を交換する度毎に処理室を大気に開放
する必要がないため、処理条件を一定に保つことが容易
である。そのため、プロセスが安定化し、良好な膜が安
定して得られる。つまり、信頼性が高い。
【0043】なお、上記実施形態では、チャッキング機
構および真空搬送装置のアームとの干渉を避けるために
カバー部材21の位置だけを変更していた。しかし、姿
勢を、あるいは、位置と姿勢との両方を、変更するよう
にしてもよい。あるいは逆に、チャッキング機構等の構
成によっては、干渉の恐れがない場合もある。このよう
な場合には、カバー部材の位置、姿勢を変更するための
機構は不要である。
【0044】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明によれば、処
理室を大気に開放することなく、同一ポジションで連続
してエッチングと成膜ができる。従って、以下のような
効果が得られる。
【0045】1)装置稼動率の大幅な向上 2)膜質の安定化 3)信頼性の向上 4)製品の歩留り向上
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態である枚葉式スパッタ装置の
構成図である。
【図2】処理室1内の各機構構成を示す図である。
【図3】基板Wの被加工面に対応する空間領域を示す図
である。
【図4】カバー部材21およびその周辺部を図2におけ
る下側から見た様子を模式的に示した図である。
【符号の説明】
1…処理室、 2…搬送室、 3…仕込取出室、 4…
真空搬送ロボット、 5…仕切弁、 7…基板電極、
8…ターゲット、 9…絶縁物、 10…チャッキング
機構、 11…基板押え部、 12…絶縁物、 13…
シャフト、 14…バネ、 15…スリーブ、 20…
エッチング分布改善機構、 21…カバー部材、 23
…シャフト、 24…バネ、 25…スリーブ、 26
…保持部、27…当接部、 30…昇降機構、 31…
昇降部、 32…ボールネジ、33…ベルト、 34…
モータ、 210…開口部、 W…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3065 H01L 21/68 N 21/68 21/302 B (72)発明者 田中 健 茨城県日立市国分町一丁目1番1号 株式 会社日立製作所国分工場内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空容器内にターゲット電極と基板電極と
    を対向配置し、これらの電極間を放電させることで、前
    記ターゲット電極をスパッタリングしてスパッタ粒子を
    前記基板電極に接して保持された基板に堆積させて成膜
    するスパッタ装置において、 前記基板を保持するチャッキング機構と、 前記チャッキング機構に保持されている前記基板の被加
    工面に対応する空間領域おける電位を均一にする電位均
    一化手段とを有すること、 を特徴とするスパッタ装置。
  2. 【請求項2】前記電位均一化手段は、前記チャッキング
    機構に保持された基板を露出させつつ前記チャッキング
    機構の少なくとも一部を覆う、導電性を備え接地された
    カバー部材を含んで構成されること、 を特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
  3. 【請求項3】前記カバー部材は、前記チャッキング機構
    に保持された基板に対応する領域に設けられた円形の開
    口部を備えていること、 を特徴とする請求項2記載のスパッタ装置。
  4. 【請求項4】前記電位均一化手段は、さらに、 動力を発生させる動力機構と、 前記動力機構によって発生された動力によって前記カバ
    ー部材の位置および/または姿勢を変更する作動機構
    と、 を有することを特徴とする請求項3記載のスパッタ装
    置。
  5. 【請求項5】前記チャッキング機構は、前記動力機構の
    発生する動力によって作動されるものであること、 を特徴とする請求項5記載のスパッタ装置。
JP12195696A 1996-05-16 1996-05-16 スパッタ装置 Pending JPH09310187A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198353A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
KR100592917B1 (ko) * 2004-09-25 2006-06-26 두산디앤디 주식회사 기판 처짐 방지수단을 구비한 유기물 증착장치
KR101505625B1 (ko) * 2014-11-19 2015-03-26 주식회사 기가레인 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치

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KR100592917B1 (ko) * 2004-09-25 2006-06-26 두산디앤디 주식회사 기판 처짐 방지수단을 구비한 유기물 증착장치
KR101505625B1 (ko) * 2014-11-19 2015-03-26 주식회사 기가레인 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치

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