JP3120475B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JP3120475B2 JP3120475B2 JP03155034A JP15503491A JP3120475B2 JP 3120475 B2 JP3120475 B2 JP 3120475B2 JP 03155034 A JP03155034 A JP 03155034A JP 15503491 A JP15503491 A JP 15503491A JP 3120475 B2 JP3120475 B2 JP 3120475B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- stage
- etching
- dry etching
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイスを製造す
る際、微細加工を行なうためのドライエッチング装置に
関するものである。
る際、微細加工を行なうためのドライエッチング装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のＬＳＩ技術においては、微細化で
ドライエッチングが進む一方、下地膜と被エッチング物
との選択比を向上させ、被エッチング物に対してもサイ
ドエッチングが入らないようにするため、基板を冷却し
てドライエッチングを施す方法が採られつつある。
ドライエッチングが進む一方、下地膜と被エッチング物
との選択比を向上させ、被エッチング物に対してもサイ
ドエッチングが入らないようにするため、基板を冷却し
てドライエッチングを施す方法が採られつつある。
【０００３】基板の冷却は、エッチング材料やエッチン
グガスによって、効果の得られる冷却温度は異なるが、
−１００℃〜０℃の温度で使用されることが多い。冷却
面にはフロリナートや液体窒素等をサーキュレーターに
よって循環させ、基板と冷却面との接触方式には、ウエ
ハー上部から機械的に押さえつけるメカニカルチャック
方式や静電気によって張り付ける静電チャック方式等が
ある。
グガスによって、効果の得られる冷却温度は異なるが、
−１００℃〜０℃の温度で使用されることが多い。冷却
面にはフロリナートや液体窒素等をサーキュレーターに
よって循環させ、基板と冷却面との接触方式には、ウエ
ハー上部から機械的に押さえつけるメカニカルチャック
方式や静電気によって張り付ける静電チャック方式等が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板と冷却面との接触
方式において、メカニカルチャック方式は、冷却効率が
良くなく、エッチング時に基板温度の上昇が大きい。こ
れに対し、静電チャック方式は、基板と冷却面の密着性
が良く冷却効率が良い。しかし、基板が冷却面に吸着し
てから冷却されるまでに数分程度の時間を要し、また、
冷却面から基板を脱離する場合も時間を要する。この吸
着及び、脱離の時間がスループットの低減になる。更
に、静電気の残留により基板が脱離しにくいとか、基板
に無理なストレスがかかるなど基板への損傷等も発生す
る。
方式において、メカニカルチャック方式は、冷却効率が
良くなく、エッチング時に基板温度の上昇が大きい。こ
れに対し、静電チャック方式は、基板と冷却面の密着性
が良く冷却効率が良い。しかし、基板が冷却面に吸着し
てから冷却されるまでに数分程度の時間を要し、また、
冷却面から基板を脱離する場合も時間を要する。この吸
着及び、脱離の時間がスループットの低減になる。更
に、静電気の残留により基板が脱離しにくいとか、基板
に無理なストレスがかかるなど基板への損傷等も発生す
る。
【０００５】本発明は、このような従来の課題を解決し
うる基板ステージを有する基板冷却型のドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
うる基板ステージを有する基板冷却型のドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、基板を冷却面に吸着させあらかじめ基板を冷
却させておく基板吸着室と、基板を冷却した状態でエッ
チングを行なうエッチング室と、基板を冷却面から脱離
させると同時にレジスト剥離を施す基板脱離室と、これ
らの各室のステージがお互いにローテーション可能なマ
ルチステージを備えている。
グ装置は、基板を冷却面に吸着させあらかじめ基板を冷
却させておく基板吸着室と、基板を冷却した状態でエッ
チングを行なうエッチング室と、基板を冷却面から脱離
させると同時にレジスト剥離を施す基板脱離室と、これ
らの各室のステージがお互いにローテーション可能なマ
ルチステージを備えている。
【０００７】
【作用】本発明のドライエッチング装置は、基板と冷却
面の密着性が良く冷却効率が高い静電気チャック方式を
用いた場合に問題となる吸着及び、脱離時間によるスル
ープットの低減を抑え、また、脱着時には、酸素プラズ
マ等を施すことにより、レジストを剥離すると同時に静
電気を放電させることで、静電気の残留により基板が脱
離しにくいとか、基板に無理なストレスがかかるなどの
基板への損傷等も低減させる。
面の密着性が良く冷却効率が高い静電気チャック方式を
用いた場合に問題となる吸着及び、脱離時間によるスル
ープットの低減を抑え、また、脱着時には、酸素プラズ
マ等を施すことにより、レジストを剥離すると同時に静
電気を放電させることで、静電気の残留により基板が脱
離しにくいとか、基板に無理なストレスがかかるなどの
基板への損傷等も低減させる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の一実施例を示す枚葉式の
ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）プラズマエッチング装置の断面図であ
る。本装置は、基板を冷却面に吸着させあらかじめ基板
を冷却させておく基板吸着室ステージ１ａと、基板を冷
却した状態でエッチングを行なうエッチング室ステージ
２ａと、基板を冷却面から脱離させる基板脱離室ステー
ジ３ａを有する。１ａ，２ａ，３ａのステージは、いず
れも静電チャック方式であり、基板吸着室冷却面１ｂ、
エッチング室冷却面２ｂ、基板脱離室吸着面３ｂは、サ
ーキュレータ４から冷媒（フロリナート、液体窒素）を
循環させることで冷却している。ロードロック室５から
搬送された基板は、基板吸着室１のステージ１ａで冷却
面１ｂに吸着され、充分冷やされる。次に、基板が吸着
した状態でステージ１ａはエッチング室２に移動し、ス
テージ２ａとなって基板にエッチング処理が施される。
更に、エッチングが終了した基板をのせたステージ１ａ
は、そのまま基板脱離室３に移動し、ステージ３ａとな
って基板から酸素プラズマによってレジストを剥離する
と同時に基板に残留している静電気を放電し、基板が冷
却面から容易に脱離するようにする。脱離した基板はア
ンロードロック室６に搬送される。
ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）プラズマエッチング装置の断面図であ
る。本装置は、基板を冷却面に吸着させあらかじめ基板
を冷却させておく基板吸着室ステージ１ａと、基板を冷
却した状態でエッチングを行なうエッチング室ステージ
２ａと、基板を冷却面から脱離させる基板脱離室ステー
ジ３ａを有する。１ａ，２ａ，３ａのステージは、いず
れも静電チャック方式であり、基板吸着室冷却面１ｂ、
エッチング室冷却面２ｂ、基板脱離室吸着面３ｂは、サ
ーキュレータ４から冷媒（フロリナート、液体窒素）を
循環させることで冷却している。ロードロック室５から
搬送された基板は、基板吸着室１のステージ１ａで冷却
面１ｂに吸着され、充分冷やされる。次に、基板が吸着
した状態でステージ１ａはエッチング室２に移動し、ス
テージ２ａとなって基板にエッチング処理が施される。
更に、エッチングが終了した基板をのせたステージ１ａ
は、そのまま基板脱離室３に移動し、ステージ３ａとな
って基板から酸素プラズマによってレジストを剥離する
と同時に基板に残留している静電気を放電し、基板が冷
却面から容易に脱離するようにする。脱離した基板はア
ンロードロック室６に搬送される。
【００１０】また、図２の模式図に示すように、これら
のステージはお互いに変換するローテーション方式のマ
ルチステージになっている。
のステージはお互いに変換するローテーション方式のマ
ルチステージになっている。
【００１１】
【発明の効果】本発明のドライエッチング装置は、微細
加工技術において重要となる低温エッチング装置のスル
ープットの向上に役立つとともに、静電チャック方式を
用いた場合に問題となる基板に無理なストレスがかかる
などの基板への損傷等も低減できる。
加工技術において重要となる低温エッチング装置のスル
ープットの向上に役立つとともに、静電チャック方式を
用いた場合に問題となる基板に無理なストレスがかかる
などの基板への損傷等も低減できる。
【図１】本発明の一実施例を示す枚葉式のＥＣＲプラズ
マエッチング装置の断面図である。
マエッチング装置の断面図である。
【図２】本発明の一実施例に用いるマルチステージ模式
図である。
図である。
１ 基板吸着室 １ａ 基板吸着室ステージ １ｂ 基板吸着室冷却面 ２ エッチング室 ２ａ エッチング室ステージ ２ｂ エッチング室冷却面 ３ 基板脱離室 ３ａ 基板脱離室ステージ ３ｂ 基板脱離室吸着面 ４ サーキュレーター ５ ロードロック室 ６ アンロードロック室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−21926（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−249328（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−287030（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82121（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−189950（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−99220（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−97546（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01J 37/32
Claims (2)
- 【請求項１】 基板吸着室と、エッチング室と、基板脱
離室と、基板を保持するステージとを少なくとも有し、 前記ステージは静電チャック方式にて基板を保持するも
のであり、基板を保持した状態で前記基板吸着室から前
記エッチング室、及び前記エッチング室から前記基板脱
離室に移送可能であり、かつ少なくとも前記基板吸着室
内および前記エッチング室内において基板を保持した状
態で冷却可能であり、 前記基板脱離室はプラズマ生成機構を備え、基板をステ
ージから脱離させると同時にレジスト剥離を施すことが
可能であることを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 前記基板吸着室、前記エッチング室、及
び前記基板脱離室の各室がそれぞれステージを備え、当
該各室のステージが互いにローテーションすることが可
能なマルチステージを有することを特徴とする請求項１
に記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03155034A JP3120475B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03155034A JP3120475B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056870A JPH056870A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3120475B2 true JP3120475B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=15597231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03155034A Expired - Lifetime JP3120475B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120475B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP03155034A patent/JP3120475B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056870A (ja) | 1993-01-14 |
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