KR20020081730A - 흄제거를 위한 반도체 제조장치 - Google Patents

흄제거를 위한 반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020081730A
KR20020081730A KR1020010021058A KR20010021058A KR20020081730A KR 20020081730 A KR20020081730 A KR 20020081730A KR 1020010021058 A KR1020010021058 A KR 1020010021058A KR 20010021058 A KR20010021058 A KR 20010021058A KR 20020081730 A KR20020081730 A KR 20020081730A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
lock chamber
wafers
load lock
chamber
Prior art date
Application number
KR1020010021058A
Other languages
English (en)
Inventor
백상천
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020010021058A priority Critical patent/KR20020081730A/ko
Publication of KR20020081730A publication Critical patent/KR20020081730A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 시 개스에 의해 발생되는 흄을 제거하는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중에 발생하는 흄을 제거하기 위해 버퍼쳄버와 로드락 쳄버에 히터를 각각 설치하여 프로세스 진행이 완료된 후 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 버퍼쳄버와 로드락쳄버로 이송할 시 버퍼쳄버와 로드락쳄버에 설치된 히터를 동작시켜 버퍼쳄버와 로드락쳄버를 일정한 온도로 유지하도록 하고 퍼지를 이용하여 흄을 제거한다.

Description

흄제거를 위한 반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE FOR REMOVING HUME}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조 시 개스에 의해 발생되는 흄을 제거하는 반도체 제조장치에 에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 제조하는 과정에서 반도체기판인 웨이퍼는 물질층의 증착공정과 증착된 물질층을 에칭하는 공정, 세정공정, 건조공정 등 여러 단계의 공정을 거치게 된다. 이러한 공정에서 웨이퍼는 해당공정을 실시하기에 가장 적합한 조건에 놓이게된다. 예를들어 에칭이나 물질층 증착공정은 물리적 화학적인 방법으로 이루어지는데 통상 웨이퍼와 에칭소오스 또는 층착용 물질 소오스 사이에 반응을 활성화시키기 위해 웨이퍼는 적정온도로 가열된다.
이러한 공정을 수행하는 종래의 반도체 제조장치가 도 1에 도시되어 있다.
지금 도 1을 참조하면, 시스템 메인 프레임의 중앙에 위치하여 카세트, 스토리지 엘리베이터를 구비하고 있으며, ATM로봇트(도시하지 않음)가 웨이퍼를 프로세스쳄버로 모두 이송할 때까지 상기 카세트에 적재하는 공간을 갖고, 웨이퍼가 모두 적재되면 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아내어 진공상태로 만 들기 위한 노드락쳄버(LOAD LOCK CMAMBER)(10)와, 웨이퍼를 제1 내지 제3 프로세스 쳄버(30, 40, 40)로 이송하기 위한 버큠로봇트가 설치된 버퍼쳄버(20)와, 상기 버퍼쳄버(20)의 버큠로봇트에 의해 웨이퍼를 각각 받은 후 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하기 위해 포지션별로 3개로 구분되어 있는 제1 내지 제3 프로세스 모듈(30, 40, 50)로 이루어져 있다.
ATM 로봇트(도시하지 않음)는 로드포트에 적재되어 있는 웨이퍼를 로드락 쳄버(10)로 이송이 완료되면 로드락쳄버(10)는 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아내어 진공상태로 만든다. 그런 후 버퍼쳄버(20)의 버큠로봇트는 로드락쳄버(10)에 적재된 웨이퍼를 제1 내지 제3 프로세서쳄버(30, 40, 50)로 공급하여 해당 프로세스를 진행한다.
이러한 종래의 반도체 제조장치는 제1 내지 제3 프로세스쳄버(30, 40, 50)가공정진행을 위해 일정온도를 유지하고 있으나, 로드락쳄버(10)나 버퍼쳄버(20)는 상온을 유지하고 있기 때문에 상온보다 높은 온도에서 발생된 흄이 로드락쳄버(10)나 버퍼쳄버(20)로 이송될 때 상온으로 이동하면서 외벽이나 구동부위 또는 웨이퍼상에서 개스에 의한 흄이 발생되며, 이러한 흄을 효과적으로 제거하지 못하게 되면 웨이퍼상에 파티클이 발생되고, 웨이퍼 이송시 설비외벽이나 구동부위에 부식을 초래하는 문제가 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 프로세스 진행중에 개스에 의해 발생되는 흄을 효과적으로 제거하여 웨이퍼상에 파티클이 발생하지 않도록 하여 설비의 가동률을 향상시키는 흄제거를 위한 반도체 제조장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 프로세스 진행중에 개스에 의해 발생되는 흄을 제거하여 웨이퍼 이송 시 설비의 부식을 방지하고 설비부식에 의해 발생되는 파티클을 최소화하여 수율을 향상시킬 수 있는 흄제거를 위한 반도체 제조장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조장치의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치의 구조도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10: 로드락쳄버 11, 21: 히터
20: 버퍼쳄버 30,40,50: 제1 내지 제3 프로세스쳄버
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 흄을 제거하기 위한 반도체 제조장치에 있어서, 카세트와, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼 이송 시 설정된 온도를 유지하기 위해 히터를 구비하고 있으며, 공급되는 웨이퍼를 모두 이송할 때까지 상기카세트에 적재하고 있으며, 웨이퍼 이송이 완료되면 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아내어 진공상태로 만들기 위한 노드락쳄버와, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼 이송 시 설정된 온도를 유지하기 위해 히터를 구비하고 있으며, 상기 노드락쳄버에 적재된 웨이퍼를 복수의 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 노드락쳄버로 이송하기 위한 버큠로봇트가 설치된 버퍼쳄버와, 상기 버퍼쳄버의 버큠로봇트에 의해 웨이퍼를 받은 후 웨이퍼에 대한 프로세스를 진행하기 위한 복수의 프로세스 쳄버로 구성함을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 흄을 제거하기 위한 반도체 제조장치의 구조도이다.
시스템 메인 프레임의 중앙에 위치하여 카세트, 스토리지 엘리베이터와, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼 이송 시 설정된 온도를 유지하기 위해 히터(11)를 구비하고 있으며, ATM로봇트가 웨이퍼를 모두 이송할 때까지 상기 카세트에 적재하고 있으며, 웨이퍼 이송이 완료되면 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아내어 진공상태로 만들기 위한 노드락쳄버(LOAD LOCK CMAMBER)(10)와, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼 이송 시 설정된 온도를 유지하기 위해 히터(21)를 구비하고 있으며, 웨이퍼를 제1 내지 제3 프로세스 쳄버(30, 40, 50)로 이송하고, 프로세스진행이 완료된 웨이퍼를 상기 노드락쳄버(10)로 이송하기 위한 버큠로봇트가 설치된 버퍼쳄버(20)와, 상기 버퍼쳄버(20)의 버큠로봇트에 의해 웨이퍼를 받은 후 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하기 위해 포지션별로 3개로 구분되어 있는 제1 내지 제3 프로세스 쳄버(30, 40, 50)로 구성되어 있다.
상술한 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 동작을 상세히 설명한다.
ATM 로봇트(도시하지 않음)가 로드락쳄버(10)의 엘리베이터상에 장착된 카세트로 웨이퍼를 하나 또는 두 개씩 이송하여 이송을 완료되면 로드락쳄버(10)는 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아내어 진공상태로 만든다. 그런 후 버퍼쳄버(20)의 버큠로봇트는 로드락쳄버(10)에 적재된 웨이퍼를 제1 내지 제3 프로세스쳄버(30, 40, 50)로 공급하여 해당 프로세스를 진행한다. 이렇게 웨이퍼의 프로세스 진행이 완료되면 웨이퍼의 온도는 고온이 되며, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼는 버퍼쳄버(30)의 버큠로봇트에 의해 다시 로드락쳄버(10)의 카세트로 이송된다. 이때 웨이퍼의 온도가 60°라고 가정하면 버퍼쳄버(20)와 로드락쳄버(10)에 설치된 히터(11, 21)를 구동시켜 버퍼쳄버(20)와 로드락쳄버(10)의 온도가 60°정도가 유되도록 하면서 퍼지를 사용하여 흄을 제거한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 제조장치에서 프로세스 진행이 완료된 후 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 버퍼쳄버와 로드락쳄버로 이송할 시 버퍼쳄버와 로드락쳄버를 일정한 온도로 유지하도록 하고 퍼지를 이용하여 흄을 제거하므로, 별도의 흄제거 공정을 수행할 필요가 없으므로 공정수를 줄여 수율을 향상시킬 수 있으며, 또한 흄으로 인해 발생되는 웨이퍼의 불량을 방지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 흄을 제거하기 위한 반도체 제조장치에 있어서,
    카세트와, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼 이송 시 설정된 온도를 유지하기 위해 히터를 구비하고 있으며, 공급되는 웨이퍼를 모두 이송할 때까지 상기 카세트에 적재하고 있으며, 웨이퍼 이송이 완료되면 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아내어 진공상태로 만들기 위한 노드락쳄버와,
    프로세스 진행이 완료된 웨이퍼 이송 시 설정된 온도를 유지하기 위해 히터를 구비하고 있으며, 상기 노드락쳄버에 적재된 웨이퍼를 복수의 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 노드락쳄버로 이송하기 위한 버큠로봇트가 설치된 버퍼쳄버와,
    상기 버퍼쳄버의 버큠로봇트에 의해 웨이퍼를 받은 후 웨이퍼에 대한 프로세스를 진행하기 위한 복수의 프로세스 쳄버로 구성함을 특징으로 하는 흄제거를 위한 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 로드락쳄버의 히터와 상기 버퍼쳄버의 히터는 상기 복수의 프로세스 쳄버로부터 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 이송할 때 상기 로드락쳄버와 상기 버퍼쳄버가 일정온도로 유지하여 흄을 제거함을 특징으로 하는 흄제거를 위한 반도체제조장치.
KR1020010021058A 2001-04-19 2001-04-19 흄제거를 위한 반도체 제조장치 KR20020081730A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010021058A KR20020081730A (ko) 2001-04-19 2001-04-19 흄제거를 위한 반도체 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010021058A KR20020081730A (ko) 2001-04-19 2001-04-19 흄제거를 위한 반도체 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020081730A true KR20020081730A (ko) 2002-10-30

Family

ID=27701736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010021058A KR20020081730A (ko) 2001-04-19 2001-04-19 흄제거를 위한 반도체 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20020081730A (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102041485A (zh) * 2009-10-14 2011-05-04 丽佳达普株式会社 有机金属化学气相沉积装置和方法
KR101044406B1 (ko) * 2011-02-18 2011-06-27 김유학 혼화용 급속 교반장치
CN102804413A (zh) * 2009-12-14 2012-11-28 丽佳达普株式会社 衬底处理方法
KR101326392B1 (ko) * 2009-08-21 2013-11-20 코오롱인더스트리 주식회사 노광 시스템 및 기판의 처리방법
KR20160014170A (ko) 2014-07-28 2016-02-11 우범제 로드 포트의 풉 스테이지 노즐 개폐용 셔터장치
KR20160014169A (ko) 2014-07-28 2016-02-11 우범제 풉 스테이지 노즐 유닛 및 이를 구비한 로드 포트
CN105742160A (zh) * 2016-04-11 2016-07-06 杭州士兰微电子股份有限公司 GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备
KR20210002929A (ko) * 2019-07-01 2021-01-11 세메스 주식회사 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326392B1 (ko) * 2009-08-21 2013-11-20 코오롱인더스트리 주식회사 노광 시스템 및 기판의 처리방법
CN102041485A (zh) * 2009-10-14 2011-05-04 丽佳达普株式会社 有机金属化学气相沉积装置和方法
US8333840B2 (en) 2009-10-14 2012-12-18 Ligadp Co., Ltd. Metal organic chemical vapor deposition apparatus and method
US8703614B2 (en) 2009-10-14 2014-04-22 Ligadp Co., Ltd. Metal organic chemical vapor deposition apparatus and method
CN102804413A (zh) * 2009-12-14 2012-11-28 丽佳达普株式会社 衬底处理方法
CN102804412A (zh) * 2009-12-14 2012-11-28 丽佳达普株式会社 衬底处理方法
CN102884642A (zh) * 2009-12-14 2013-01-16 丽佳达普株式会社 衬底处理方法
KR101044406B1 (ko) * 2011-02-18 2011-06-27 김유학 혼화용 급속 교반장치
KR20160014170A (ko) 2014-07-28 2016-02-11 우범제 로드 포트의 풉 스테이지 노즐 개폐용 셔터장치
KR20160014169A (ko) 2014-07-28 2016-02-11 우범제 풉 스테이지 노즐 유닛 및 이를 구비한 로드 포트
CN105742160A (zh) * 2016-04-11 2016-07-06 杭州士兰微电子股份有限公司 GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备
KR20210002929A (ko) * 2019-07-01 2021-01-11 세메스 주식회사 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5784799A (en) Vacuum processing apparatus for substate wafers
JPH05218176A (ja) 熱処理方法及び被処理体の移載方法
KR20010075426A (ko) 프로세서 챔버를 세척하는 방법
KR100870119B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20020081730A (ko) 흄제거를 위한 반도체 제조장치
JP2009200142A (ja) 成膜装置および成膜方法
KR100743275B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법
JP2005019739A (ja) 被処理体の搬送方法
JP2696265B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JP2004304116A (ja) 基板処理装置
JP2001250780A (ja) 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法
JP2003115519A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ
JPH08195382A (ja) 半導体製造装置
KR20110082833A (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법
US20050284572A1 (en) Heating system for load-lock chamber
JPH05217918A (ja) 成膜処理装置
JP2717170B2 (ja) 縦型熱処理装置及び熱処理方法
US6273962B1 (en) Method to reduce the particles in load-lock chamber
JP2626782B2 (ja) 真空処理装置
USRE39775E1 (en) Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US6792693B2 (en) Wafer dryer system for PRS wet bench
KR20000014800A (ko) 로드락 챔버의 벤틸레이션 시스템을 이용한 세정 방법
US20160233114A1 (en) Chambers for particle reduction in substrate processing systems
KR20180078886A (ko) 기판처리장치의 기판 언로딩 방법
JP3063116B2 (ja) 化学的気相成長方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination