JP3063116B2 - 化学的気相成長方法 - Google Patents
化学的気相成長方法Info
- Publication number
- JP3063116B2 JP3063116B2 JP2173418A JP17341890A JP3063116B2 JP 3063116 B2 JP3063116 B2 JP 3063116B2 JP 2173418 A JP2173418 A JP 2173418A JP 17341890 A JP17341890 A JP 17341890A JP 3063116 B2 JP3063116 B2 JP 3063116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical vapor
- vapor deposition
- deposition method
- wafer
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体もしくは電子部品製造工程におい
て、化学的気相成長装置（以下、CVD装置と記す）で半
導体ウエハ間の膜厚分布を均一するための化学的気相成
長方法に関するものである。
て、化学的気相成長装置（以下、CVD装置と記す）で半
導体ウエハ間の膜厚分布を均一するための化学的気相成
長方法に関するものである。
従来の技術 例えば、半導体製造工程においては、デバイスの高集
積化や微細化への取り組みと相まって、ウエハの大口径
化も５インチから６インチ、８インチと平行して進めら
れている。近年、スループットの高い拡散炉を用いたバ
ッチ式気相成長装置においては、ウエハの大口径化及び
無人化に対応するため、ウエハ搬送の自動化が進みつつ
ある。また、生産性の向上、クリーニング時間の短縮を
目標に、例えば三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリー
ニングの採用されつつある。
積化や微細化への取り組みと相まって、ウエハの大口径
化も５インチから６インチ、８インチと平行して進めら
れている。近年、スループットの高い拡散炉を用いたバ
ッチ式気相成長装置においては、ウエハの大口径化及び
無人化に対応するため、ウエハ搬送の自動化が進みつつ
ある。また、生産性の向上、クリーニング時間の短縮を
目標に、例えば三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリー
ニングの採用されつつある。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来のダミーウエハは半導体ウエハと
同材質・同寸法であり、熱変化及び形成膜厚によって生
ずる歪に対する強度にウエハ毎のばらつきがある。
同材質・同寸法であり、熱変化及び形成膜厚によって生
ずる歪に対する強度にウエハ毎のばらつきがある。
そのためCVD装置を自動化した時、ダミーウエハを連
続使用すると成膜履歴による破損で処理ウエハの搬送ト
ラブルが発生し易く、かつ、形式膜厚管理によるダミー
ウエハの交換時期の見極めが難しいという課題と、ダミ
ーウエハに形成された膜を除去するためにCVD装置から
取り出し湿式洗浄しなければならないという課題を有し
ていた。
続使用すると成膜履歴による破損で処理ウエハの搬送ト
ラブルが発生し易く、かつ、形式膜厚管理によるダミー
ウエハの交換時期の見極めが難しいという課題と、ダミ
ーウエハに形成された膜を除去するためにCVD装置から
取り出し湿式洗浄しなければならないという課題を有し
ていた。
そこで本発明は、この課題を解決するため、熱変化及
び形成膜厚によって生ずる歪に対し、破損しにくいダミ
ーウエハを用いた化学的気相成長方法を提供するもので
ある。
び形成膜厚によって生ずる歪に対し、破損しにくいダミ
ーウエハを用いた化学的気相成長方法を提供するもので
ある。
また、本発明の他の目的は形成膜の除去において、三
フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが可能なダ
ミーウエハを用いた化学的気相成長方法を提供するもの
である。
フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが可能なダ
ミーウエハを用いた化学的気相成長方法を提供するもの
である。
課題を解決するための手段 本発明の第１の発明は、半導体ウエハ及び前記半導体
ウエハと同材質でかつ、前記半導体ウエハに対し肉厚を
厚くしたダミーウエハを成膜処理してなる化学的気相成
長方法であって、前記ダミーウエハを複数回成膜処理に
用いることを特徴とする化学的気相成長方法である。
ウエハと同材質でかつ、前記半導体ウエハに対し肉厚を
厚くしたダミーウエハを成膜処理してなる化学的気相成
長方法であって、前記ダミーウエハを複数回成膜処理に
用いることを特徴とする化学的気相成長方法である。
本発明の第２の発明は、ダミーウエハ表面に熱酸化も
しくは化学的気相成長法によりシリコン酸化膜を形成し
たダミーウエハを用い、成膜用のガスとは異なるガスを
流すことを特徴とする請求項１記載の化学的気相成長方
法である。
しくは化学的気相成長法によりシリコン酸化膜を形成し
たダミーウエハを用い、成膜用のガスとは異なるガスを
流すことを特徴とする請求項１記載の化学的気相成長方
法である。
作用 本発明の第１の発明によれば、肉厚が厚いため、熱変
化及び形成膜厚によって生じる歪による破損を減少でき
る。
化及び形成膜厚によって生じる歪による破損を減少でき
る。
また、本発明の第２の発明によれば、肉厚が厚く、か
つ、表面にシリコン酸化膜が形成されているため三フッ
化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが可能である。
つ、表面にシリコン酸化膜が形成されているため三フッ
化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが可能である。
実 施 例 実施例１ 本実施例によれば、CVD装置でシリコン窒化膜を形成
した場合、半導体ウエハと同寸法のダミーウエハ（φ６
インチ厚さｔ＝0.6）の時、600Å処理で10〜15サイクル
で破損が生じるのに対し、厚さｔ＝1.1の場合肉厚が厚
いため、熱変化及び形成膜厚によって生じる歪に対する
強度が向上し、600Å処理で60〜70サイクル可能となっ
た。
した場合、半導体ウエハと同寸法のダミーウエハ（φ６
インチ厚さｔ＝0.6）の時、600Å処理で10〜15サイクル
で破損が生じるのに対し、厚さｔ＝1.1の場合肉厚が厚
いため、熱変化及び形成膜厚によって生じる歪に対する
強度が向上し、600Å処理で60〜70サイクル可能となっ
た。
実施例２ 本実施例と実施例１の異なる点は、ダミーウエハ表面
にシリコン酸化膜が形成されていることである。
にシリコン酸化膜が形成されていることである。
従って、本実施例によれば、実施例１で得られる効果に
加えて三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが
可能となる効果も有する。
加えて三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが
可能となる効果も有する。
発明の効果 以上のように、第１の発明によればダミーウエハは半
導体ウエハと比較して肉厚が厚いため、熱変化及び形成
膜厚によって生じる歪に対する強度が向上する。そのた
め破損しにくくなりCVD装置で使用した場合、早期交換
により搬送ミスの低減・ダミーウエハの長寿命化が期待
できる。
導体ウエハと比較して肉厚が厚いため、熱変化及び形成
膜厚によって生じる歪に対する強度が向上する。そのた
め破損しにくくなりCVD装置で使用した場合、早期交換
により搬送ミスの低減・ダミーウエハの長寿命化が期待
できる。
また、第２の発明によれば、ダミーウエハは半導体ウ
エハと比較して肉厚が厚く、表面にシリコン酸化膜が形
成されているので、第１の発明で得られる効果に加え
て、ダミーウエハをCVD装置から取り出すことなく、形
成された膜を三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニ
ングで除去することが可能となる。そのため、湿式洗浄
槽が不要・クリーニングに費やすマンパワーの削減等が
期待できる。
エハと比較して肉厚が厚く、表面にシリコン酸化膜が形
成されているので、第１の発明で得られる効果に加え
て、ダミーウエハをCVD装置から取り出すことなく、形
成された膜を三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニ
ングで除去することが可能となる。そのため、湿式洗浄
槽が不要・クリーニングに費やすマンパワーの削減等が
期待できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金山 明彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−6136（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−112332（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−79634（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハ及び前記半導体ウエハと同材
質でかつ、前記半導体ウエハに対し肉厚を厚くしたダミ
ーウエハを成膜処理してなる化学的気相成長方法であっ
て、前記ダミーウエハを複数回成膜処理に用いることを
特徴とする化学的気相成長方法。 - 【請求項２】ダミーウエハ表面に熱酸化もしくは化学的
気相成長法によりシリコン酸化膜を形成したダミーウエ
ハを用い、成膜用のガスとは異なるガスを流すことを特
徴とするの請求項１記載の化学的気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173418A JP3063116B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 化学的気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173418A JP3063116B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 化学的気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461331A JPH0461331A (ja) | 1992-02-27 |
| JP3063116B2 true JP3063116B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=15960080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173418A Expired - Fee Related JP3063116B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 化学的気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063116B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658833A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-19 | United Microelectronics Corporation | Method and dummy disc for uniformly depositing silicon nitride |
| EP1251553B1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-07-21 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Method of recycling a dummy silicon wafer |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2173418A patent/JP3063116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0461331A (ja) | 1992-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7740768B1 (en) | Simultaneous front side ash and backside clean | |
| JPH07335711A (ja) | 減圧・常圧処理装置 | |
| JP2001176808A (ja) | 気相薄膜成長装置におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持部材 | |
| JP3063116B2 (ja) | 化学的気相成長方法 | |
| US20070272270A1 (en) | Single-wafer cleaning procedure | |
| JP2001250780A (ja) | 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法 | |
| KR20020081730A (ko) | 흄제거를 위한 반도체 제조장치 | |
| JP3274602B2 (ja) | 半導体素子の製造方法及び基板処理装置 | |
| JPH05144751A (ja) | 半導体エピタキシヤル基板の製造方法 | |
| CN113725070A (zh) | 一种用于背封硅片的方法和设备 | |
| JP2013131617A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| CN114188213B (zh) | 一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法 | |
| JP2683673B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3746793B2 (ja) | 半導体製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2007281030A (ja) | シリコンウェーハの保持方法 | |
| JPH0878513A (ja) | 半導体ウェーハホルダー及び半導体製造装置 | |
| JPH0855805A (ja) | 半導体シリコンウェハの処理方法 | |
| JPH01293665A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法 | |
| JPH10107117A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004063523A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH03253032A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006165372A (ja) | 枚葉式洗浄装置および洗浄方法 | |
| JP3365062B2 (ja) | エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法 | |
| KR20080059770A (ko) | 반도체 제조 장비의 로드락 챔버 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |