JPH0855805A - 半導体シリコンウェハの処理方法 - Google Patents
半導体シリコンウェハの処理方法Info
- Publication number
- JPH0855805A JPH0855805A JP18835294A JP18835294A JPH0855805A JP H0855805 A JPH0855805 A JP H0855805A JP 18835294 A JP18835294 A JP 18835294A JP 18835294 A JP18835294 A JP 18835294A JP H0855805 A JPH0855805 A JP H0855805A
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- oxide film
- furnace
- epitaxial growth
- silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体シリコンウェハの微小パーティクル付
着を防止し、また、付着した微小パーティクルを容易に
洗浄除去できるようにする。 【構成】 エピタキシャル成長炉内で半導体シリコン基
板上にシリコン単結晶層をエピタキシャル成長させて得
られたウェハを外気に曝すことなくエピタキシャル成長
炉内で引き続き酸化熱処理して、ウェハ表面にシリコン
酸化被膜を形成する。 【効果】 エピタキシャル成長直後の高清浄シリコンウ
ェハ表面を外気に曝すことなく、表面の高清浄度を保っ
た状態でシリコン酸化被膜の形成を行うため、容易かつ
効率的に、安価に高性能シリコン酸化被膜を形成するこ
とができ、このシリコン酸化被膜によりウェハ表面への
微小パーティクルの付着を効果的に防止すると共に、付
着した微小パーティクルを容易に洗浄除去することがで
きる。
着を防止し、また、付着した微小パーティクルを容易に
洗浄除去できるようにする。 【構成】 エピタキシャル成長炉内で半導体シリコン基
板上にシリコン単結晶層をエピタキシャル成長させて得
られたウェハを外気に曝すことなくエピタキシャル成長
炉内で引き続き酸化熱処理して、ウェハ表面にシリコン
酸化被膜を形成する。 【効果】 エピタキシャル成長直後の高清浄シリコンウ
ェハ表面を外気に曝すことなく、表面の高清浄度を保っ
た状態でシリコン酸化被膜の形成を行うため、容易かつ
効率的に、安価に高性能シリコン酸化被膜を形成するこ
とができ、このシリコン酸化被膜によりウェハ表面への
微小パーティクルの付着を効果的に防止すると共に、付
着した微小パーティクルを容易に洗浄除去することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体シリコンウェハの
処理方法に係り、特に、微小パーティクルの付着を防止
するための半導体シリコンエピタキシャルウェハの処理
方法に関する。
処理方法に係り、特に、微小パーティクルの付着を防止
するための半導体シリコンエピタキシャルウェハの処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコンエピタキシャルウェハ
は、水素ガス気流中でシリコン単結晶基板上にシリコン
薄膜層を高温下でエピタキシャル成長して製造されてい
る。このエピタキシャル成長完了後は、エピタキシャル
成長炉内を所定の温度にまで降温した時点で、炉内雰囲
気を水素ガスから非活性ガスに置換しつつ室温近くまで
ウェハの温度を下げ、ウェハを外気中に取り出す。取り
出したウェハはエピタキシャル層の測定・検査を行い、
次いで、ウェハ洗浄を実施した後、ウェハキャリアケー
スに収納し、密封包装する。
は、水素ガス気流中でシリコン単結晶基板上にシリコン
薄膜層を高温下でエピタキシャル成長して製造されてい
る。このエピタキシャル成長完了後は、エピタキシャル
成長炉内を所定の温度にまで降温した時点で、炉内雰囲
気を水素ガスから非活性ガスに置換しつつ室温近くまで
ウェハの温度を下げ、ウェハを外気中に取り出す。取り
出したウェハはエピタキシャル層の測定・検査を行い、
次いで、ウェハ洗浄を実施した後、ウェハキャリアケー
スに収納し、密封包装する。
【０００３】エピタキシャル成長直後のウェハ表面は非
常に清浄であるが、疎水性であるためクリーンルーム内
でのウェハ取り扱い中であっても微小パーティクルの付
着が起こりやすく、また、付着した微小パーティクルは
簡単な洗浄では除去し難いという問題がある。
常に清浄であるが、疎水性であるためクリーンルーム内
でのウェハ取り扱い中であっても微小パーティクルの付
着が起こりやすく、また、付着した微小パーティクルは
簡単な洗浄では除去し難いという問題がある。
【０００４】近年、半導体デバイス素子のパターン微細
化が進み、デバイス電気特性の高品位化指向が強まるに
従って、従来、問題とならなかった微小パーティクルの
ウェハ表面付着レベルが問題視されるようになってき
た。
化が進み、デバイス電気特性の高品位化指向が強まるに
従って、従来、問題とならなかった微小パーティクルの
ウェハ表面付着レベルが問題視されるようになってき
た。
【０００５】そこで、ウェハに付着した微小パーティク
ルを除去するために、従来、洗浄液の種類や組合せを選
定した上で繰り返し多段洗浄などが実施されているが、
いずれも洗浄設備の大型化、薬液管理の複雑化などによ
り洗浄処理コストの高騰を招くという欠点がある。
ルを除去するために、従来、洗浄液の種類や組合せを選
定した上で繰り返し多段洗浄などが実施されているが、
いずれも洗浄設備の大型化、薬液管理の複雑化などによ
り洗浄処理コストの高騰を招くという欠点がある。
【０００６】一方、ウェハの表面にシリコン酸化被膜を
形成して、ウェハ表面を親水性とし、微小パーティクル
を付着し難くする方法も実施されている。
形成して、ウェハ表面を親水性とし、微小パーティクル
を付着し難くする方法も実施されている。
【０００７】従来、このシリコン酸化被膜は、エピタキ
シャル成長炉内で製造されたウェハを炉外に取り出し、
洗浄、乾燥を行った後、外気に曝した状態で搬送し、別
の熱処理炉に挿入して酸素による表面酸化で形成されて
いる。
シャル成長炉内で製造されたウェハを炉外に取り出し、
洗浄、乾燥を行った後、外気に曝した状態で搬送し、別
の熱処理炉に挿入して酸素による表面酸化で形成されて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のシリコン酸
化被膜の形成方法では、ウェハの洗浄、乾燥、搬送工程
で微小パーティクルがウェハ表面に付着するため、その
後、シリコン酸化被膜を形成すると良好な被膜形成がな
されず、被膜性能に劣るものとなるという問題がある。
化被膜の形成方法では、ウェハの洗浄、乾燥、搬送工程
で微小パーティクルがウェハ表面に付着するため、その
後、シリコン酸化被膜を形成すると良好な被膜形成がな
されず、被膜性能に劣るものとなるという問題がある。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、半導
体シリコンエピタキシャルウェハの表面に微小パーティ
クルの付着防止のための高性能シリコン酸化被膜を容易
かつ効率的に形成することを目的とする。
体シリコンエピタキシャルウェハの表面に微小パーティ
クルの付着防止のための高性能シリコン酸化被膜を容易
かつ効率的に形成することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体シリコン
ウェハの処理方法は、エピタキシャル成長炉内で半導体
シリコン基板上にシリコン単結晶層をエピタキシャル成
長させて得られたウェハを外気に曝すことなく該エピタ
キシャル成長炉内で引き続き酸化熱処理して、該ウェハ
表面にシリコン酸化被膜を形成することを特徴とする。
ウェハの処理方法は、エピタキシャル成長炉内で半導体
シリコン基板上にシリコン単結晶層をエピタキシャル成
長させて得られたウェハを外気に曝すことなく該エピタ
キシャル成長炉内で引き続き酸化熱処理して、該ウェハ
表面にシリコン酸化被膜を形成することを特徴とする。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明においては、まず、エピタキシャル
成長炉内で半導体シリコン基板、通常の場合シリコン単
結晶基板上に、シリコン単結晶層をエピタキシャル成長
させる。このエピタキシャル成長は、常法に従って行う
ことができ、通常の場合、水素気流中にて９００〜１２
３０℃程度の温度で実施される。
成長炉内で半導体シリコン基板、通常の場合シリコン単
結晶基板上に、シリコン単結晶層をエピタキシャル成長
させる。このエピタキシャル成長は、常法に従って行う
ことができ、通常の場合、水素気流中にて９００〜１２
３０℃程度の温度で実施される。
【００１３】エピタキシャルシリコン単結晶層を形成し
てウェハを得た後は、これを炉外に取り出すことなく、
引き続き酸化熱処理によりシリコン酸化被膜の形成を行
う。好ましくは、水素ガス気流中で前記シリコン単結晶
層をエピタキシャル成長させた後、炉内雰囲気ガスを不
活性ガスに置換し、次いで炉内雰囲気を酸化性ガス雰囲
気にして前記酸化熱処理を行なう。なお、この場合の不
活性ガスとしては、アルゴン等の希ガスが好適である。
これは、水素ガス雰囲気を窒素又は窒素含有希ガスによ
って置換した場合、ウェハの表面に窒化物が生成するこ
とがあるためである。
てウェハを得た後は、これを炉外に取り出すことなく、
引き続き酸化熱処理によりシリコン酸化被膜の形成を行
う。好ましくは、水素ガス気流中で前記シリコン単結晶
層をエピタキシャル成長させた後、炉内雰囲気ガスを不
活性ガスに置換し、次いで炉内雰囲気を酸化性ガス雰囲
気にして前記酸化熱処理を行なう。なお、この場合の不
活性ガスとしては、アルゴン等の希ガスが好適である。
これは、水素ガス雰囲気を窒素又は窒素含有希ガスによ
って置換した場合、ウェハの表面に窒化物が生成するこ
とがあるためである。
【００１４】シリコン酸化被膜の形成は、８００〜１２
００℃にて、酸素雰囲気中、或いは、酸素と窒素やアル
ゴン等の不活性ガスとの混合ガス雰囲気中にて実施され
る。なお、酸素と窒素との混合ガスを用いる場合、ウェ
ハの表面に窒化物が生成することがあるため、まず、酸
素ガス雰囲気とした後、酸素−窒素混合ガスに切り換え
るのが好ましい。
００℃にて、酸素雰囲気中、或いは、酸素と窒素やアル
ゴン等の不活性ガスとの混合ガス雰囲気中にて実施され
る。なお、酸素と窒素との混合ガスを用いる場合、ウェ
ハの表面に窒化物が生成することがあるため、まず、酸
素ガス雰囲気とした後、酸素−窒素混合ガスに切り換え
るのが好ましい。
【００１５】このシリコン酸化被膜の形成に際しては、
エピタキシャル成長の処理温度から直接熱酸化処理温度
に低下させても良く（この場合、降温速度は５〜２０℃
／分が好ましい。）、また、エピタキシャル成長の処理
温度から、一旦３００〜５５０℃の温度に降温させた
後、再び上記熱酸化処理温度に昇温させても良い（この
場合、降温速度は５〜２０℃／分、昇温速度は３〜２０
℃／分が好ましい。）。
エピタキシャル成長の処理温度から直接熱酸化処理温度
に低下させても良く（この場合、降温速度は５〜２０℃
／分が好ましい。）、また、エピタキシャル成長の処理
温度から、一旦３００〜５５０℃の温度に降温させた
後、再び上記熱酸化処理温度に昇温させても良い（この
場合、降温速度は５〜２０℃／分、昇温速度は３〜２０
℃／分が好ましい。）。
【００１６】酸化熱処理により、ウェハ表面が酸化され
て、シリコン酸化被膜で被覆されたものとなる。
て、シリコン酸化被膜で被覆されたものとなる。
【００１７】本発明において、このシリコン酸化被膜の
膜厚は、薄過ぎるとハンドリング時にシリコン酸化被膜
に傷がついた場合、ウェハ本体まで達し易くなり、微小
パーティクルの付着を確実に防止し得ないが、厚過ぎて
も実用性に欠ける。従って、シリコン酸化被膜は５０〜
６００Å、特に２００〜６００Åの厚さに形成するのが
好ましい。
膜厚は、薄過ぎるとハンドリング時にシリコン酸化被膜
に傷がついた場合、ウェハ本体まで達し易くなり、微小
パーティクルの付着を確実に防止し得ないが、厚過ぎて
も実用性に欠ける。従って、シリコン酸化被膜は５０〜
６００Å、特に２００〜６００Åの厚さに形成するのが
好ましい。
【００１８】酸化熱処理後は、エピタキシャル成長炉内
の雰囲気ガスをアルゴン、窒素、或いはアルゴン又は窒
素と酸素との混合ガスに切り替え（ただし、雰囲気ガス
はそのままでもよい）、炉内温度をハンドリング可能な
温度に降温し（この場合、降温速度は５〜２０℃／分が
好ましい。）、その後、ウェハを取り出す。
の雰囲気ガスをアルゴン、窒素、或いはアルゴン又は窒
素と酸素との混合ガスに切り替え（ただし、雰囲気ガス
はそのままでもよい）、炉内温度をハンドリング可能な
温度に降温し（この場合、降温速度は５〜２０℃／分が
好ましい。）、その後、ウェハを取り出す。
【００１９】得られたウェハはエピタキシャル層の測定
・検査後、アンモニア過水洗浄等の洗浄、乾燥を行って
ウェハキャリアケースに収納して製品とされる。
・検査後、アンモニア過水洗浄等の洗浄、乾燥を行って
ウェハキャリアケースに収納して製品とされる。
【００２０】
【作用】エピタキシャル成長直後のシリコンウェハ表面
は極めて清浄である。本発明においては、このエピタキ
シャル成長直後の高清浄シリコンウェハ表面に、これを
外気に曝すことなく、従って、微小パーティクルを付着
させることなく、表面の高清浄度を保った状態で、エピ
タキシャル成長炉内で引き続き酸化熱処理によりシリコ
ン酸化被膜の形成を行うため、高性能シリコン酸化被膜
を形成することができる。このシリコン酸化被膜の形成
に当っては、同一のエピタキシャル成長炉内で雰囲気及
び温度の調整を行えば良く、処理工程が少なく、処理コ
ストの低減、処理効率の向上が図れる。
は極めて清浄である。本発明においては、このエピタキ
シャル成長直後の高清浄シリコンウェハ表面に、これを
外気に曝すことなく、従って、微小パーティクルを付着
させることなく、表面の高清浄度を保った状態で、エピ
タキシャル成長炉内で引き続き酸化熱処理によりシリコ
ン酸化被膜の形成を行うため、高性能シリコン酸化被膜
を形成することができる。このシリコン酸化被膜の形成
に当っては、同一のエピタキシャル成長炉内で雰囲気及
び温度の調整を行えば良く、処理工程が少なく、処理コ
ストの低減、処理効率の向上が図れる。
【００２１】形成されたシリコン酸化被膜は、親水性で
あるため微小パーティクルの付着が少なく、また、付着
した微小パーティクルは簡単な液体洗浄で容易に除去可
能となり、高品質エピタキシャルウェハを得ることが可
能である。
あるため微小パーティクルの付着が少なく、また、付着
した微小パーティクルは簡単な液体洗浄で容易に除去可
能となり、高品質エピタキシャルウェハを得ることが可
能である。
【００２２】
【実施例】以下に実施例、比較例及び実験例を挙げて本
発明をより具体的に説明する。
発明をより具体的に説明する。
【００２３】なお、以下に示すプロセスシーケンス、或
いはガス種等は本発明の一実施例条件であって、本発明
はその要旨を超えない限り、何ら実施例方法に限定され
るものではない。
いはガス種等は本発明の一実施例条件であって、本発明
はその要旨を超えない限り、何ら実施例方法に限定され
るものではない。
【００２４】実施例１ 図１に示すプロセスシーケンスに従って、エピタキシャ
ル成長炉内においてシリコン単結晶層のエピタキシャル
成長及びシリコン酸化被膜の形成を行った。
ル成長炉内においてシリコン単結晶層のエピタキシャル
成長及びシリコン酸化被膜の形成を行った。
【００２５】即ち、まず、高温水素気流中、１１６０℃
にてエピタキシャル成長を行い（ステップ）、その
後、炉内温度をシリコン酸化温度の１１００℃に向けて
降げながら、炉内雰囲気ガスを水素ガスからアルゴンガ
スに置換した（ステップ）。アルゴンガスでの置換に
引き続き、エピタキシャル成長炉内雰囲気を酸素ガスに
切り替えて酸化性雰囲気とし、１５分間シリコン表面を
酸化した（ステップ）。これによりウェハ表面には薄
いシリコン酸化膜（厚さ４５０Å）が形成された。酸化
終了後、エピタキシャル成長炉内雰囲気ガスをアルゴン
ガスとして炉内温度を２００℃以下のウェハハンドリン
グ可能温度にまで降温し（ステップ）、シリコンウェ
ハをエピタキシャル成長炉より外気中に取り出した（ス
テップ）。
にてエピタキシャル成長を行い（ステップ）、その
後、炉内温度をシリコン酸化温度の１１００℃に向けて
降げながら、炉内雰囲気ガスを水素ガスからアルゴンガ
スに置換した（ステップ）。アルゴンガスでの置換に
引き続き、エピタキシャル成長炉内雰囲気を酸素ガスに
切り替えて酸化性雰囲気とし、１５分間シリコン表面を
酸化した（ステップ）。これによりウェハ表面には薄
いシリコン酸化膜（厚さ４５０Å）が形成された。酸化
終了後、エピタキシャル成長炉内雰囲気ガスをアルゴン
ガスとして炉内温度を２００℃以下のウェハハンドリン
グ可能温度にまで降温し（ステップ）、シリコンウェ
ハをエピタキシャル成長炉より外気中に取り出した（ス
テップ）。
【００２６】取り出したウェハはエピタキシャル層の測
定・検査を行った後、アンモニア過水洗浄を行い、ウェ
ハキャリアケースに収納した。
定・検査を行った後、アンモニア過水洗浄を行い、ウェ
ハキャリアケースに収納した。
【００２７】このようにして得られた５インチ径のエピ
タキシャルウェハ２４枚について、エピタキシャル成長
炉取り出し直後（炉出し直後）、エピタキシャル層測定
・検査工程終了後（洗浄前）及びアンモニア過水洗浄後
（洗浄後）に、微小パーティクルレベルをＷＩＳ８５０
パーティクルカウンターを用いて各々測定し、ウェハ１
枚当りの平均個数を求め、結果を表１に示した。
タキシャルウェハ２４枚について、エピタキシャル成長
炉取り出し直後（炉出し直後）、エピタキシャル層測定
・検査工程終了後（洗浄前）及びアンモニア過水洗浄後
（洗浄後）に、微小パーティクルレベルをＷＩＳ８５０
パーティクルカウンターを用いて各々測定し、ウェハ１
枚当りの平均個数を求め、結果を表１に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】比較例１ 図３に示すプロセスシーケンスに従って、エピタキシャ
ル成長炉内でのエピタキシャル成長終了後、直ちに降温
を開始し、所定の温度領域で水素ガスから窒素ガスへの
置換を開始し、ウェハハンドリング可能温度にまで炉内
温度を下げた後、ウェハをエピタキシャル成長炉より取
り出した。
ル成長炉内でのエピタキシャル成長終了後、直ちに降温
を開始し、所定の温度領域で水素ガスから窒素ガスへの
置換を開始し、ウェハハンドリング可能温度にまで炉内
温度を下げた後、ウェハをエピタキシャル成長炉より取
り出した。
【００３０】得られたウェハはエピタキシャル層の測定
・検査を行った後、アンモニア過水洗浄、希フッ酸処理
及びアンモニア過水再洗浄の多段洗浄を行った。
・検査を行った後、アンモニア過水洗浄、希フッ酸処理
及びアンモニア過水再洗浄の多段洗浄を行った。
【００３１】このようにして得られた５インチ径のウェ
ハ２４枚について、炉出し直後、洗浄前、第１回目のア
ンモニア過水洗浄後（洗浄後）及び最終のアンモニア過
水洗浄後（再洗浄後）の微小パーティクルの付着レベル
を実施例１と同様にして測定し、結果を表２に示した。
ハ２４枚について、炉出し直後、洗浄前、第１回目のア
ンモニア過水洗浄後（洗浄後）及び最終のアンモニア過
水洗浄後（再洗浄後）の微小パーティクルの付着レベル
を実施例１と同様にして測定し、結果を表２に示した。
【００３２】
【表２】
【００３３】実施例２ 図２に示すプロセスシーケンスに従って、エピタキシャ
ル成長後、炉内温度を一度５５０℃以下に降温してから
炉内雰囲気を直接酸化性雰囲気に置換し、その後シリコ
ン酸化温度（１１５０℃）まで炉内を昇温し、１０分間
酸化処理を実施したこと以外は実施例１と同様にしてエ
ピタキシャル成長及びシリコン酸化被膜形成（シリコン
酸化被膜の厚さは５００Å）を行い、同様にエピタキシ
ャル層の測定・検査、アンモニア過水洗浄を行った。
ル成長後、炉内温度を一度５５０℃以下に降温してから
炉内雰囲気を直接酸化性雰囲気に置換し、その後シリコ
ン酸化温度（１１５０℃）まで炉内を昇温し、１０分間
酸化処理を実施したこと以外は実施例１と同様にしてエ
ピタキシャル成長及びシリコン酸化被膜形成（シリコン
酸化被膜の厚さは５００Å）を行い、同様にエピタキシ
ャル層の測定・検査、アンモニア過水洗浄を行った。
【００３４】このようにして得られた６インチ径のウェ
ハ（アンモニア過水洗浄後）について、微小パーティク
ルの付着レベルをＷＩＳ８５０パーティクルカウンター
で測定し、ウェハ１枚当りの最大値及び最小値と、ウェ
ハ２０枚の平均値を求め、結果を図４に示した。
ハ（アンモニア過水洗浄後）について、微小パーティク
ルの付着レベルをＷＩＳ８５０パーティクルカウンター
で測定し、ウェハ１枚当りの最大値及び最小値と、ウェ
ハ２０枚の平均値を求め、結果を図４に示した。
【００３５】比較例２ 図４に示すプロセスシーケンスに従って、エピタキシャ
ル成長炉内でのエピタキシャル成長終了後、直ちに降温
を開始し、所定の温度領域で水素ガスから窒素ガスへの
置換を開始し、ウェハハンドリング可能温度にまで炉内
温度を下げた後、ウェハをエピタキシャル成長炉より取
り出した。
ル成長炉内でのエピタキシャル成長終了後、直ちに降温
を開始し、所定の温度領域で水素ガスから窒素ガスへの
置換を開始し、ウェハハンドリング可能温度にまで炉内
温度を下げた後、ウェハをエピタキシャル成長炉より取
り出した。
【００３６】得られたウェハはエピタキシャル層の測定
・検査を行った後、アンモニア過水洗浄、希フッ酸処理
及びアンモニア過水再洗浄の多段洗浄を行った。
・検査を行った後、アンモニア過水洗浄、希フッ酸処理
及びアンモニア過水再洗浄の多段洗浄を行った。
【００３７】このようにして得られた６インチ径のウェ
ハ２０枚について、第１回目のアンモニア過水洗浄後
（洗浄後）及び最終のアンモニア過水洗浄後（再洗浄
後）の微小パーティクルの付着レベルを実施例２と同様
にして測定し、結果を図６に示した。
ハ２０枚について、第１回目のアンモニア過水洗浄後
（洗浄後）及び最終のアンモニア過水洗浄後（再洗浄
後）の微小パーティクルの付着レベルを実施例２と同様
にして測定し、結果を図６に示した。
【００３８】実験例１ 比較例１で得られた多段洗浄後のウェハを熱処理炉に入
れ、酸素雰囲気中で１１００℃で１５分間酸化熱処理し
て、実施例１と同様に厚さ４５０Åのシリコン酸化被膜
を形成した。
れ、酸素雰囲気中で１１００℃で１５分間酸化熱処理し
て、実施例１と同様に厚さ４５０Åのシリコン酸化被膜
を形成した。
【００３９】このウェハと、実施例１で得られたシリコ
ン酸化被膜形成ウェハとについて、被膜性能を調べるた
めに酸化膜耐圧（ＴＺＤＢ特性）を測定し結果を図７に
示した。
ン酸化被膜形成ウェハとについて、被膜性能を調べるた
めに酸化膜耐圧（ＴＺＤＢ特性）を測定し結果を図７に
示した。
【００４０】以上の結果から次のことが明らかである。
【００４１】即ち、エピタキシャル成長炉から一旦ウェ
ハを取り出すと微小パーティクルが付着し、この微小パ
ーティクルは容易に洗浄除去することができない。この
ように微小パーティクルが付着したウェハにシリコン酸
化被膜を形成しても高性能シリコン酸化被膜を形成する
ことはできない。
ハを取り出すと微小パーティクルが付着し、この微小パ
ーティクルは容易に洗浄除去することができない。この
ように微小パーティクルが付着したウェハにシリコン酸
化被膜を形成しても高性能シリコン酸化被膜を形成する
ことはできない。
【００４２】一方、エピタキシャル成長後、外気に曝す
ことなく、引き続き酸化熱処理してシリコン酸化被膜の
形成を行うと、高性能シリコン酸化被膜を形成すること
ができ、これにより、微小パーティクルの付着を防止す
ることができ、また、付着した微小パーティクルは容易
に洗浄除去できるものとなる。
ことなく、引き続き酸化熱処理してシリコン酸化被膜の
形成を行うと、高性能シリコン酸化被膜を形成すること
ができ、これにより、微小パーティクルの付着を防止す
ることができ、また、付着した微小パーティクルは容易
に洗浄除去できるものとなる。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の半導体シリ
コンウェハの処理方法によれば、半導体シリコンエピタ
キシャルウェハの表面に、容易かつ効率的に、安価に高
性能シリコン酸化被膜を形成することができ、このシリ
コン酸化被膜によりウェハ表面への微小パーティクルの
付着を効果的に防止すると共に、付着した微小パーティ
クルを容易に洗浄除去可能とすることができる。
コンウェハの処理方法によれば、半導体シリコンエピタ
キシャルウェハの表面に、容易かつ効率的に、安価に高
性能シリコン酸化被膜を形成することができ、このシリ
コン酸化被膜によりウェハ表面への微小パーティクルの
付着を効果的に防止すると共に、付着した微小パーティ
クルを容易に洗浄除去可能とすることができる。
【図１】実施例１で採用したプロセスシーケンス図であ
る。
る。
【図２】実施例２で採用したプロセスシーケンス図であ
る。
る。
【図３】比較例１で採用したプロセスシーケンス図であ
る。
る。
【図４】比較例２で採用したプロセスシーケンス図であ
る。
る。
【図５】実施例２における微小パーティクル付着レベル
の測定結果を示すグラフである。
の測定結果を示すグラフである。
【図６】比較例２における微小パーティクル付着レベル
の測定結果を示すグラフである。
の測定結果を示すグラフである。
【図７】酸化膜耐圧（ＴＺＤＢ特性）の測定結果を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 エピタキシャル成長炉内で半導体シリコ
ン基板上にシリコン単結晶層をエピタキシャル成長させ
て得られたウェハを外気に曝すことなく該エピタキシャ
ル成長炉内で引き続き酸化熱処理して、該ウェハ表面に
シリコン酸化被膜を形成することを特徴とする半導体シ
リコンウェハの処理方法。 - 【請求項２】 請求項１において、水素ガス気流中で前
記シリコン単結晶層をエピタキシャル成長させた後、炉
内雰囲気ガスを不活性ガスに置換し、次いで炉内雰囲気
を酸化性ガス雰囲気にして前記酸化熱処理を行なうよう
にしたことを特徴とする半導体シリコンウェハの処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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