JPH0461331A - 化学的気相成長方法 - Google Patents
化学的気相成長方法Info
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- JPH0461331A JPH0461331A JP17341890A JP17341890A JPH0461331A JP H0461331 A JPH0461331 A JP H0461331A JP 17341890 A JP17341890 A JP 17341890A JP 17341890 A JP17341890 A JP 17341890A JP H0461331 A JPH0461331 A JP H0461331A
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- dummy wafer
- wafer
- semiconductor wafer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体もしくは電子部品製造工程において、化
学的気相成長装置（以下、ＣＶＤ装置と記す）で半導体
ウェハ間の膜厚分布を均一にするためのダミーウェハに
関するものである。
学的気相成長装置（以下、ＣＶＤ装置と記す）で半導体
ウェハ間の膜厚分布を均一にするためのダミーウェハに
関するものである。
従来の技術
例えば、半導体製造工程においては、デバイスの高集積
化や微細化への取り組みと相まって、ウェハの大口径化
も５インチから６インチ、８インチと並行して進められ
ている。近年、スルーブツトの高い拡散炉を用いたバッ
チ式気相成長装置においては、ウェハの大口径化及び無
人化に対応するため、ウェハ搬送の自動化が進みつつあ
る。
化や微細化への取り組みと相まって、ウェハの大口径化
も５インチから６インチ、８インチと並行して進められ
ている。近年、スルーブツトの高い拡散炉を用いたバッ
チ式気相成長装置においては、ウェハの大口径化及び無
人化に対応するため、ウェハ搬送の自動化が進みつつあ
る。
また、生産性の向上、クリーニング時間の短縮を目標に
、例えば三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニング
も採用されつつある。
、例えば三フッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニング
も採用されつつある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のダミーウエノ＼は半導体ウェハと
同材質・同寸法であり、熱変化及び形成膜厚によって生
じる歪に対する強度にウエノ＼毎のばらつきがある。
同材質・同寸法であり、熱変化及び形成膜厚によって生
じる歪に対する強度にウエノ＼毎のばらつきがある。
そのためＣＶＤ装置を自動化した時、ダミーウェハの破
損による搬送トラブルが発生し易く、かつ、形式膜厚管
理によるダミーウエノ・の交換時期の見極めが難しいと
いう課題と、ダミーウエノ＼に形成された膜を除去する
ためにＣＶＤ装置から取り出し湿式洗浄しなければなら
ないという課題を有していた。
損による搬送トラブルが発生し易く、かつ、形式膜厚管
理によるダミーウエノ・の交換時期の見極めが難しいと
いう課題と、ダミーウエノ＼に形成された膜を除去する
ためにＣＶＤ装置から取り出し湿式洗浄しなければなら
ないという課題を有していた。
そこで本発明は、この課題を解決するため、熱変化及び
形成膜厚によって生じる歪に対し、破損しにくいダミー
ウェハを提供するものである。
形成膜厚によって生じる歪に対し、破損しにくいダミー
ウェハを提供するものである。
また、本発明の他の目的は形成膜の除去において、三フ
ッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが可能なダミ
ーウェハを提供するものである。
ッ化塩素ガスを用いたセルフクリーニングが可能なダミ
ーウェハを提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明の第１の発明は、半導体ウェハと同材質で、かつ
、肉厚が厚いダミーウェハである。
、肉厚が厚いダミーウェハである。
また、本発明の第２の発明は、半導体ウェハと同材質で
肉厚が厚く、かつ、三フッ化塩素ガスにエツチングされ
にくいシリコン酸化膜を熱酸化もしくはＣＶＤ法により
表面に形成したダミーウェハである。
肉厚が厚く、かつ、三フッ化塩素ガスにエツチングされ
にくいシリコン酸化膜を熱酸化もしくはＣＶＤ法により
表面に形成したダミーウェハである。
作 用
本発明の第１の発明によれば、肉厚が厚いため、熱変化
及び形成膜厚によって生しる歪による破損を減少できる
。
及び形成膜厚によって生しる歪による破損を減少できる
。
また、本発明の第２の発明によれば、肉厚が厚く、かつ
、表面にシリコン酸化膜が形成されているため、三フッ
化塩素ガスを用いたセルフクリニングが可能である。
、表面にシリコン酸化膜が形成されているため、三フッ
化塩素ガスを用いたセルフクリニングが可能である。
実 施 例
本発明の実施例について以下に説明する。
実施例１
本実施例によれば、ＣＶＤ装置でシリコン窒化膜を形成
した場合、半導体ウェハと同寸法のダミーウェハ（φ６
インチ厚さｔ＝０．６）の時、６００人処理で１０〜１
５サイクルで破損が生しるのに対し、厚さｔ＝１．１の
場合肉厚が厚いため、熱変化及び形成膜厚によって生じ
る歪に対する強度が向上し、６００人処理で６０〜７０
サイクル可能となった。
した場合、半導体ウェハと同寸法のダミーウェハ（φ６
インチ厚さｔ＝０．６）の時、６００人処理で１０〜１
５サイクルで破損が生しるのに対し、厚さｔ＝１．１の
場合肉厚が厚いため、熱変化及び形成膜厚によって生じ
る歪に対する強度が向上し、６００人処理で６０〜７０
サイクル可能となった。
実施例２
本実施例と実施例１の異なる点はダミーウェハ表面にシ
リコン酸化膜が形成されていることである。従って、本
実施例によれば、実施例１で得られる効果に加えて三フ
ッ化墳素ガスを用いたセルフクリーニングが可能となる
効果も有する。
リコン酸化膜が形成されていることである。従って、本
実施例によれば、実施例１で得られる効果に加えて三フ
ッ化墳素ガスを用いたセルフクリーニングが可能となる
効果も有する。
発明の効果
以上のように第１の発明によればダミーウェハは半導体
ウェハと比較して肉厚が厚いため、熱変化及び形成膜厚
によって生しる歪に対する強度が向上する。そのため破
損しにくくなりＣＶＤ装置で使用した場合、早期交換に
より搬送ミスの低減・ダミーウェハの長寿命化が期待で
きる。
ウェハと比較して肉厚が厚いため、熱変化及び形成膜厚
によって生しる歪に対する強度が向上する。そのため破
損しにくくなりＣＶＤ装置で使用した場合、早期交換に
より搬送ミスの低減・ダミーウェハの長寿命化が期待で
きる。
また、第２の発明によれば半導体ウェハと比較して肉厚
が厚く、表面にシリコン酸化膜が形成されているので、
第１の発明で得られる効果に加えて、ダミーウェハをＣ
ＶＤ装置から取り出すことなく形成された膜を三フッ化
塩素ガスを用いたセルフクリーニングで除去することが
可能になる。
が厚く、表面にシリコン酸化膜が形成されているので、
第１の発明で得られる効果に加えて、ダミーウェハをＣ
ＶＤ装置から取り出すことなく形成された膜を三フッ化
塩素ガスを用いたセルフクリーニングで除去することが
可能になる。
そのため、湿式洗浄槽が不要・クリーニングに費やすマ
ンパワーの削減等が期待できる。
ンパワーの削減等が期待できる。
Claims (2)
- （１）化学的気相成長装置で基板間の膜厚分布を均一に
するためのダミーウェハにおいて、半導体ウェハと同材
質であり、半導体ウェハに対し肉厚を厚くしたことを特
徴とするダミーウェハ。 - （２）ダミーウェハ表面に熱配化もしくは化学的気相成
長法によりシリコン酸化膜を形成したことを特徴とする
請求項１記載のダミーウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173418A JP3063116B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 化学的気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173418A JP3063116B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 化学的気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461331A true JPH0461331A (ja) | 1992-02-27 |
| JP3063116B2 JP3063116B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=15960080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173418A Expired - Fee Related JP3063116B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 化学的気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063116B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658833A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-19 | United Microelectronics Corporation | Method and dummy disc for uniformly depositing silicon nitride |
| EP1251553A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Method of recycling a dummy silicon wafer |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2173418A patent/JP3063116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658833A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-19 | United Microelectronics Corporation | Method and dummy disc for uniformly depositing silicon nitride |
| EP1251553A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Method of recycling a dummy silicon wafer |
| US6663674B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-12-16 | Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co. Kg | Method of handling a silicon wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3063116B2 (ja) | 2000-07-12 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |