JPS58213429A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58213429A JPS58213429A JP9721382A JP9721382A JPS58213429A JP S58213429 A JPS58213429 A JP S58213429A JP 9721382 A JP9721382 A JP 9721382A JP 9721382 A JP9721382 A JP 9721382A JP S58213429 A JPS58213429 A JP S58213429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum
- chamber
- lock
- load lock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J37/185—Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広く言えば、プラズマやイオンを利用するド
ライエツチング装置に関わる。より具体的には、アルミ
ニウムのドライエツチング装置に関わシ、特にエツチン
グの加工精度、再現性、信頼性を向上させる装置に関わ
る。
ライエツチング装置に関わる。より具体的には、アルミ
ニウムのドライエツチング装置に関わシ、特にエツチン
グの加工精度、再現性、信頼性を向上させる装置に関わ
る。
アルミニウムは、半導体集積回路の配線用金属として広
く用いられている。アルミニウムの加工は、リン酸系の
薬品を用いたウェットエツチングから、配線の微細化に
伴い加工精度の秀れたドライエツチングに移行しつつあ
る。
く用いられている。アルミニウムの加工は、リン酸系の
薬品を用いたウェットエツチングから、配線の微細化に
伴い加工精度の秀れたドライエツチングに移行しつつあ
る。
アルミニウムのドライエツチングは、四塩化炭素、三塩
化ホウ素といった塩素を含む化合物、あるいは、上記化
合物を含む混合ガスにより行なわれるのが一般的である
。更に、三臭化ホウ素を始めとする、臭素を含む化合物
によるエツチングも検討されつつある。
化ホウ素といった塩素を含む化合物、あるいは、上記化
合物を含む混合ガスにより行なわれるのが一般的である
。更に、三臭化ホウ素を始めとする、臭素を含む化合物
によるエツチングも検討されつつある。
通常ドライエツチング装置は、第１図に示したように対
向する平行電極すなわち上部電極４および下部電極５を
備えており、エツチングチャンバー２を常に真空に保つ
ために、それに隣接したロードロック１、アンロードロ
ック３を備えたものが多い。尚、７は被エツチング材で
あるウェハー６はロードカセット、８はアンロードカセ
ットである。
向する平行電極すなわち上部電極４および下部電極５を
備えており、エツチングチャンバー２を常に真空に保つ
ために、それに隣接したロードロック１、アンロードロ
ック３を備えたものが多い。尚、７は被エツチング材で
あるウェハー６はロードカセット、８はアンロードカセ
ットである。
このような装置を用いたアルミニウムのドライエツチン
グでは、プラズマ反応で生ずる反応生成物が、エツチン
グチャンバー２の内壁に付着し、ゴミの発生源となった
シ、ウェハース搬送機構の劣化を引き起こすため、頻繁
に装置を洗浄する必要がある。また、反応生成物は、蒸
気圧が低く気化が容易でないために、エツチング面に残
渣が生じたり、エツチングそのものの進行が遅くなった
りするという問題がある。更に、エツチング後の残渣に
より、アルミニウムが腐食されるという問題も生じてい
る。
グでは、プラズマ反応で生ずる反応生成物が、エツチン
グチャンバー２の内壁に付着し、ゴミの発生源となった
シ、ウェハース搬送機構の劣化を引き起こすため、頻繁
に装置を洗浄する必要がある。また、反応生成物は、蒸
気圧が低く気化が容易でないために、エツチング面に残
渣が生じたり、エツチングそのものの進行が遅くなった
りするという問題がある。更に、エツチング後の残渣に
より、アルミニウムが腐食されるという問題も生じてい
る。
このような問題に対して、従来の装置は、栖２図に示し
たように、エツチングチャンバー９、上部電極１０およ
び下部電極１１を加熱し、反応生成物の気化を容易にす
ることで対処している。その結果、装置の洗浄頻度は減
少し、エツチング特性の再現性、エツチング面上の残渣
、エツチング後のアルミニウムの腐食については、ある
程度、改善がなされている。
たように、エツチングチャンバー９、上部電極１０およ
び下部電極１１を加熱し、反応生成物の気化を容易にす
ることで対処している。その結果、装置の洗浄頻度は減
少し、エツチング特性の再現性、エツチング面上の残渣
、エツチング後のアルミニウムの腐食については、ある
程度、改善がなされている。
しかしながら、エツチングチャンバー、特にウェハーを
乗させる放電用下部電極が加熱されているため、エツチ
ングマスクとしての７オトレジストが、膨潤したり、変
形することがあシ、エツチングの加工精度に問題が残っ
ている。このようなフォトレジストの変質は、ボストベ
ーク後、エツチングまでの放置状況に依存している。
乗させる放電用下部電極が加熱されているため、エツチ
ングマスクとしての７オトレジストが、膨潤したり、変
形することがあシ、エツチングの加工精度に問題が残っ
ている。このようなフォトレジストの変質は、ボストベ
ーク後、エツチングまでの放置状況に依存している。
エツチング後のアルミニウムの腐食については、第２図
に示した装置によ勺、ある程度の改善はみられるが、ア
ンロードロック３から出たウエノ１−は、大気中に放置
しておくと腐食が進行するため、アンロードロックから
出た後、ただちに、水洗などの彼処環が必要である。こ
ういつ次後処理に替わって、フレオンプラズマ、または
酸素プラズマを、アルミニウムエツチング後、エツチン
グチャンバーにおいて行う方法もある。しかしながら、
プラズマによる処理は、エツチングチャンバー内の奮囲
気を変化させるために、エツチング特性の再現性に悪影
響を与えたシする。
に示した装置によ勺、ある程度の改善はみられるが、ア
ンロードロック３から出たウエノ１−は、大気中に放置
しておくと腐食が進行するため、アンロードロックから
出た後、ただちに、水洗などの彼処環が必要である。こ
ういつ次後処理に替わって、フレオンプラズマ、または
酸素プラズマを、アルミニウムエツチング後、エツチン
グチャンバーにおいて行う方法もある。しかしながら、
プラズマによる処理は、エツチングチャンバー内の奮囲
気を変化させるために、エツチング特性の再現性に悪影
響を与えたシする。
本発明は、以上の問題点に対してなされたものでちゃ、
加工精度再現性、および信頼性の秀れたアルミニウムの
ドライエツチング装置を提供することにある。
加工精度再現性、および信頼性の秀れたアルミニウムの
ドライエツチング装置を提供することにある。
すなわち本発明の要旨は、エツチングチャンバーおよび
、それに隣接するロードロック、アンロードロックを備
えたドライエツチング装置において、エツチングチャン
バー、放電用電極に加えて、ロードロック、アンロード
ロックも加熱することにある。
、それに隣接するロードロック、アンロードロックを備
えたドライエツチング装置において、エツチングチャン
バー、放電用電極に加えて、ロードロック、アンロード
ロックも加熱することにある。
本発明の装置は、ロードロックを加熱することにより、
フォトレジスタがベークされた状態になり、フォトレジ
スト現像稜の形状が保持され、アルミニウムとの密着性
の良い状態でエツチングチャンバーに送られることにな
る。したがって加工精度の秀れたエツチングが可能とな
る。また、ロードロックの加熱は、ウェハー表面に付着
した水分の除去も可能にする。その結果、一般的に言わ
れているように、エツチング初期における、アルミニウ
ム表面の自然酸化膜の除去時間が短くなシ、アルミニウ
ムのエツチングがすみやかに行なわれる。このため、ア
ルミニウム表面の自然酸化膜の除去時間の差による、エ
ツチング速度の均一性。
フォトレジスタがベークされた状態になり、フォトレジ
スト現像稜の形状が保持され、アルミニウムとの密着性
の良い状態でエツチングチャンバーに送られることにな
る。したがって加工精度の秀れたエツチングが可能とな
る。また、ロードロックの加熱は、ウェハー表面に付着
した水分の除去も可能にする。その結果、一般的に言わ
れているように、エツチング初期における、アルミニウ
ム表面の自然酸化膜の除去時間が短くなシ、アルミニウ
ムのエツチングがすみやかに行なわれる。このため、ア
ルミニウム表面の自然酸化膜の除去時間の差による、エ
ツチング速度の均一性。
選択性といったエツチング特性の変化が抑制され、再現
性の良いエツチングが可能となる。
性の良いエツチングが可能となる。
本発明の装置は、アンロードロックも加熱することによ
り、アルミニウムエツチング後の腐食の原因と考えられ
る水分および反応生成物の気化が容易になる。このため
腐食の進行が遅くなシ信頼性に対しても効果がある。
り、アルミニウムエツチング後の腐食の原因と考えられ
る水分および反応生成物の気化が容易になる。このため
腐食の進行が遅くなシ信頼性に対しても効果がある。
以下本発明の装置の具体例を図面に基づいて説明する。
第１図は、通常使用されているロードロック、アンロー
ドロックを備えた平行平板型ドライエツチング装置であ
る。第２図は、第１図に改良を加えて、エツチングチャ
ンバー９、上部電極ｌＯ，下部電極１１を加熱できるよ
うにした装置である。
ドロックを備えた平行平板型ドライエツチング装置であ
る。第２図は、第１図に改良を加えて、エツチングチャ
ンバー９、上部電極ｌＯ，下部電極１１を加熱できるよ
うにした装置である。
第３図は、本発明の実施例の装置であシ、エツチングチ
ャンバー９、上部電極１０．下部電極１１に加えて、ロ
ードロック１２、アンロードロック１３も加熱する。加
熱は温水または、エチレングリコールによってもよく、
電熱線によってもよい。
ャンバー９、上部電極１０．下部電極１１に加えて、ロ
ードロック１２、アンロードロック１３も加熱する。加
熱は温水または、エチレングリコールによってもよく、
電熱線によってもよい。
プラズマ発生用の高周波電源は図示されていないが、高
周波電力は、陽極結合、陰極結合のどちらであっても適
用可能である。
周波電力は、陽極結合、陰極結合のどちらであっても適
用可能である。
ロードカセット６は、ロードロック１２に入ると、真空
ポンプにょ９、排気されるとともに加熱される。このた
め、ウェハーの水分は除去され、レジストは、ポストベ
ークされた状態が保たれる。
ポンプにょ９、排気されるとともに加熱される。このた
め、ウェハーの水分は除去され、レジストは、ポストベ
ークされた状態が保たれる。
その後、ロードロックからエツチングチャンバー９に送
られ′た後、エツチングガスが導入され、高周波電力が
印加されてエツチングが行なわれる。
られ′た後、エツチングガスが導入され、高周波電力が
印加されてエツチングが行なわれる。
この場合、エツチングチャンバー及び、上部電極１０、
下部電極１１は、常に加熱された状坤にある。エツチン
グ終了後、エツチングチャンバーは、真空に排気され、
ウェハーは、加熱されたアンロードロック１３に送られ
、再び水分の除去、反応生成物の除去が行なわれる。所
定の枚数ウェハーがアンロードカセット８に収納される
と、アンロードロックの加熱を停止し、ウェハーが冷え
た後、大気圧に戻して７ンロードカセツトを取シ出す。
下部電極１１は、常に加熱された状坤にある。エツチン
グ終了後、エツチングチャンバーは、真空に排気され、
ウェハーは、加熱されたアンロードロック１３に送られ
、再び水分の除去、反応生成物の除去が行なわれる。所
定の枚数ウェハーがアンロードカセット８に収納される
と、アンロードロックの加熱を停止し、ウェハーが冷え
た後、大気圧に戻して７ンロードカセツトを取シ出す。
以上の説明から、本発明によると、エツチング前に７オ
トレジストがベークされた状態に保たれ、アルミニウム
からも水分が除去される。また、エツチング移は、水分
および反応生成物の除去が行なわれる。
トレジストがベークされた状態に保たれ、アルミニウム
からも水分が除去される。また、エツチング移は、水分
および反応生成物の除去が行なわれる。
したがって、アルミニウムのドライエツチングにおける
前記した問題に対して大きな効果があシ、加工精度、再
現性、信頼性の秀れたエツチングが可能となる。
前記した問題に対して大きな効果があシ、加工精度、再
現性、信頼性の秀れたエツチングが可能となる。
第１図は一般的に用いられている平行平板型ドライエツ
チング装置を示す図、第２図は、エッチ ・ングチャ
ンバー、上部電極、下部電極を加熱できるようにした従
来の改良装置の図、第３図は本発明の実施例に係わシ、
エツチングチャンバー、上部電極、下部電極に加えて、
ロードロック、アンロードロックも加熱できるようにし
た装置を示す図である。第２図、第３図の斜線の部分が
加熱箇所である。 尚、図において、１・・・・・・四−ドロック、２・・
・・・・エラチンチャンバー、３・・・・・・アンロー
ドロック、４・・・・・・上部電極、５・・・・・・下
部電極、６・・・・・・ロードカセット、７・・・・・
・ウェハー、８・・・・・・アンロードカセット、９・
・・・・・加熱可能なエツチングチャンバー、１０・・
・・・・加熱可能な上部電極、１１・・・・・・加熱可
能な下部電極、１２・・・・・・加熱可能なロードロッ
ク、１３・・・・・・加熱可能なアンロードロックであ
る。 １
チング装置を示す図、第２図は、エッチ ・ングチャ
ンバー、上部電極、下部電極を加熱できるようにした従
来の改良装置の図、第３図は本発明の実施例に係わシ、
エツチングチャンバー、上部電極、下部電極に加えて、
ロードロック、アンロードロックも加熱できるようにし
た装置を示す図である。第２図、第３図の斜線の部分が
加熱箇所である。 尚、図において、１・・・・・・四−ドロック、２・・
・・・・エラチンチャンバー、３・・・・・・アンロー
ドロック、４・・・・・・上部電極、５・・・・・・下
部電極、６・・・・・・ロードカセット、７・・・・・
・ウェハー、８・・・・・・アンロードカセット、９・
・・・・・加熱可能なエツチングチャンバー、１０・・
・・・・加熱可能な上部電極、１１・・・・・・加熱可
能な下部電極、１２・・・・・・加熱可能なロードロッ
ク、１３・・・・・・加熱可能なアンロードロックであ
る。 １
Claims (1)
- エツチング用ガスとして塩素および臭素の化合物もしく
は上記化合物を含む混合ガスを用いるアルミニウム等の
ドライエツチングにおいて、エツチングチャンバー、放
電用電極に加えて、ロードロック、アンロードロックも
加熱することを特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9721382A JPS58213429A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9721382A JPS58213429A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58213429A true JPS58213429A (ja) | 1983-12-12 |
Family
ID=14186340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9721382A Pending JPS58213429A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58213429A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274428A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH01294880A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH02137318A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| EP0555891A2 (en) * | 1985-10-24 | 1993-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum processing system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561026A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching device |
| JPS5747876A (en) * | 1980-09-03 | 1982-03-18 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and method |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP9721382A patent/JPS58213429A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561026A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching device |
| JPS5747876A (en) * | 1980-09-03 | 1982-03-18 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0555891A2 (en) * | 1985-10-24 | 1993-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum processing system |
| JPH01274428A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH01294880A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH02137318A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
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