JPH01274428A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01274428A JPH01274428A JP10250188A JP10250188A JPH01274428A JP H01274428 A JPH01274428 A JP H01274428A JP 10250188 A JP10250188 A JP 10250188A JP 10250188 A JP10250188 A JP 10250188A JP H01274428 A JPH01274428 A JP H01274428A
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- Japan
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- etching
- vacuum
- chamber
- temperature
- etched
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- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体等を製造するときの設備に係り、特に
真空予備室を持ったドライエツチング装置に関する。
真空予備室を持ったドライエツチング装置に関する。
一般に半導体装置の製造工程の一つではドライエツチン
グ装置が利用される。この種の装置としては、種々の方
式のものがあるが、はとんどのものが、エツチング室に
被エツチング材を搬送する場合にエツチング室の真空を
保持できるように、真空予備室を持つ構成となっている
。
グ装置が利用される。この種の装置としては、種々の方
式のものがあるが、はとんどのものが、エツチング室に
被エツチング材を搬送する場合にエツチング室の真空を
保持できるように、真空予備室を持つ構成となっている
。
従来、この種のドライエツチング装置として、特開昭６
２−１３２３２１号に記載のものがある。
２−１３２３２１号に記載のものがある。
このような従来のドライエツチング装置では、エツチン
グ室と真空予備室の間で被エツチング材の搬送を行う場
合に、エツチング室の活性なガスやエツチング生成物を
含んだ残留ガスが真空予備室に流入し、真空予備室内に
付着する。更に、真空予備室が、パージされ大気圧にな
り、大気圧側と被エツチング材の搬送を行う場合には、
真空予備室内に大気が入るため、大気中の水分と残留ガ
スが反応し、結晶等を生じ、これらが付着する。
グ室と真空予備室の間で被エツチング材の搬送を行う場
合に、エツチング室の活性なガスやエツチング生成物を
含んだ残留ガスが真空予備室に流入し、真空予備室内に
付着する。更に、真空予備室が、パージされ大気圧にな
り、大気圧側と被エツチング材の搬送を行う場合には、
真空予備室内に大気が入るため、大気中の水分と残留ガ
スが反応し、結晶等を生じ、これらが付着する。
従来の装置は、以上述べた真空予備室内への付着に対し
配慮がされておらず、この付着物が真空予備室内で被エ
ツチング材への異物となって歩留が下がるという問題が
あった。
配慮がされておらず、この付着物が真空予備室内で被エ
ツチング材への異物となって歩留が下がるという問題が
あった。
また、前記のように真空予備室には、必ず、水分を含ん
だ大気が入るため、これは、エッチング室にも取り込ま
れてしまい、エツチング特性を劣化させる原因となって
しまう問題があった。
だ大気が入るため、これは、エッチング室にも取り込ま
れてしまい、エツチング特性を劣化させる原因となって
しまう問題があった。
本発明の目的は、ドライエツチング装置において、真空
予備室内における被エツチング材への異物付着を防止す
ること及び、高いエツチング特性を得られることを可能
とするドライエツチング装置を提供することにある。
予備室内における被エツチング材への異物付着を防止す
ること及び、高いエツチング特性を得られることを可能
とするドライエツチング装置を提供することにある。
上記目的は、真空予備室にヒータや温度調節液等による
温度調節機構を設けることにより達成される。
温度調節機構を設けることにより達成される。
真空予備室に設けられた温度調節機構により、真空予備
室を温度調節すれば、活性なガスやエツチング生成物は
、真空予備室内に付着することなく排気されてしまうの
で、異物の発生源とならない、温度は使用するガス、形
成されるエツチング生成物（の蒸気圧）による。
室を温度調節すれば、活性なガスやエツチング生成物は
、真空予備室内に付着することなく排気されてしまうの
で、異物の発生源とならない、温度は使用するガス、形
成されるエツチング生成物（の蒸気圧）による。
また、付着防止は、常温以上に加熱する方向なので、真
空予備室内の脱ガスが促進され、水分等がより効果的に
排気される。従って、活性なガスやエツチング生成物が
真空予備室内の水分等と反応し、結晶が生じることを防
止できるので、異物発生を防ぐことができる。
空予備室内の脱ガスが促進され、水分等がより効果的に
排気される。従って、活性なガスやエツチング生成物が
真空予備室内の水分等と反応し、結晶が生じることを防
止できるので、異物発生を防ぐことができる。
更に、水分等を効果的に排気できるので、真空予備室か
らエツチング室への水分等の持ち込みを防ぐことができ
るので、水分と反応し易い活性ガスを使用するエツチン
グの特性を劣化させることが無い。
らエツチング室への水分等の持ち込みを防ぐことができ
るので、水分と反応し易い活性ガスを使用するエツチン
グの特性を劣化させることが無い。
では、ウェハを収納するカセットは大気中にあり、カセ
ットとエツチング室の間に真空予備室を持つドライエツ
チング装置に適用した例を示している。
ットとエツチング室の間に真空予備室を持つドライエツ
チング装置に適用した例を示している。
エツチング室１は、内部に上部電極２及び下部電極３を
内装し、上部電極２には、高周波電源４を接続、下部電
極３上には被エツチング材Ｗを置き、グラウンドに接続
している。また、エツチング室１の上部にはガス導入口
５を開口し、ガス導入管６を通してマスフローコン１〜
ローラ（ＭＦＣ）７で流量制御されたガスがエツチング
室１内に供給される。また、エツチング室１の下部に開
１１シた排気口８には、排気管９、真空ポンプ１０を接
続し、圧力制御機構１１により、エツチング室１内を所
望の圧力に制御する。また、上、下部電極２．３は温度
調節液１２によりＷ１１度調節されており、エツチング
室１は、ヒータ１３により温度調節されている。
内装し、上部電極２には、高周波電源４を接続、下部電
極３上には被エツチング材Ｗを置き、グラウンドに接続
している。また、エツチング室１の上部にはガス導入口
５を開口し、ガス導入管６を通してマスフローコン１〜
ローラ（ＭＦＣ）７で流量制御されたガスがエツチング
室１内に供給される。また、エツチング室１の下部に開
１１シた排気口８には、排気管９、真空ポンプ１０を接
続し、圧力制御機構１１により、エツチング室１内を所
望の圧力に制御する。また、上、下部電極２．３は温度
調節液１２によりＷ１１度調節されており、エツチング
室１は、ヒータ１３により温度調節されている。
エツチング室１の両側に位］ｄする真空、予備室１４．
１５は、被エツチング材Ｗを支持し搬送する搬送機構１
６．火気とエツチング室から真空予備室を遮断するゲー
トバルブ１７．１８及びそれぞれに、ヒータ１９．温度
センサー２０．温度コントローラ（ＴＣ）２１から成る
温度調節機構を備え、一定温度に温度調節されている。
１５は、被エツチング材Ｗを支持し搬送する搬送機構１
６．火気とエツチング室から真空予備室を遮断するゲー
トバルブ１７．１８及びそれぞれに、ヒータ１９．温度
センサー２０．温度コントローラ（ＴＣ）２１から成る
温度調節機構を備え、一定温度に温度調節されている。
また、真空を大気にするパーシロ２２とパージ管２３、
真空排気する排気口２４と排気管２５、真空ポンプ２６
を接続している。
真空排気する排気口２４と排気管２５、真空ポンプ２６
を接続している。
被エツチング材Ｗは、カセット２７８から、図外または
搬送機構１６により、真空予備室１４の中に搬送され、
真空ポンプ２６により、真空予備室１４内が真空にひか
れた後、ゲートバルブ１８が開き、搬送機構１６により
、下記電極３の上に置かれる。ここで、真空予備室１４
は、パーシロ２２からパージされ大気圧になった後、ゲ
ートバルブ１７が開き、次の被エツチング材を取り込み
、再び真空排気される。エツチング室１では、ガスが導
入され、所望の圧力になった後、高周波電源４により、
上部電極２に高周波電力が印加され、プラズマ放電が起
こり、化学反応と物理反応により、被エツチング材Ｗ上
に被着された薄膜のエツチングが行なわれる。エツチン
グ終了後、エツチング室１を真空排気し、被エツチング
材Ｗを真空予備室１５に搬送し、その後、真空予備室１
４内にある次の被エツチング材Ｗが下部電極３上に置か
れる。真空予備室１５は、パージされ大気圧になった後
、被エツチング材Ｗをカセット２７ｂに搬送し、収納す
る。
搬送機構１６により、真空予備室１４の中に搬送され、
真空ポンプ２６により、真空予備室１４内が真空にひか
れた後、ゲートバルブ１８が開き、搬送機構１６により
、下記電極３の上に置かれる。ここで、真空予備室１４
は、パーシロ２２からパージされ大気圧になった後、ゲ
ートバルブ１７が開き、次の被エツチング材を取り込み
、再び真空排気される。エツチング室１では、ガスが導
入され、所望の圧力になった後、高周波電源４により、
上部電極２に高周波電力が印加され、プラズマ放電が起
こり、化学反応と物理反応により、被エツチング材Ｗ上
に被着された薄膜のエツチングが行なわれる。エツチン
グ終了後、エツチング室１を真空排気し、被エツチング
材Ｗを真空予備室１５に搬送し、その後、真空予備室１
４内にある次の被エツチング材Ｗが下部電極３上に置か
れる。真空予備室１５は、パージされ大気圧になった後
、被エツチング材Ｗをカセット２７ｂに搬送し、収納す
る。
真空予備室１４．１５の温度は、エツチング室１の温度
以上に制御する。Ａ１のエツチング装置では、６０℃以
上が一般的である。
以上に制御する。Ａ１のエツチング装置では、６０℃以
上が一般的である。
エツチング後には、前述の通り、エツチング室１の真空
引きが行なわれるが、スループッ１−を落とさないため
に時間に制限があること及びクライオポンプ等の高性能
な真空ポンプはコスト、取付に問題があり困難なことに
より、ガスやエツチング生成物を含む残留ガスを完全に
排気することは不可能である。なお１図において、２８
はバルブである。
引きが行なわれるが、スループッ１−を落とさないため
に時間に制限があること及びクライオポンプ等の高性能
な真空ポンプはコスト、取付に問題があり困難なことに
より、ガスやエツチング生成物を含む残留ガスを完全に
排気することは不可能である。なお１図において、２８
はバルブである。
従って、この構成によれば、エツチングが終了した後、
エツチング室１と真空予備室１４．．１５が通じた状態
となり、エツチング室１内にあった残留ガスが真空予備
室１４．１５に入っても、真空予備室１４．１５は温度
調節されているので残留ガスは付着することなく、排気
される。従って残留ガスが異物の発生源となることを防
止できる。
エツチング室１と真空予備室１４．．１５が通じた状態
となり、エツチング室１内にあった残留ガスが真空予備
室１４．１５に入っても、真空予備室１４．１５は温度
調節されているので残留ガスは付着することなく、排気
される。従って残留ガスが異物の発生源となることを防
止できる。
真空予備室１４．１５は一度大気側と被エツチング材Ｗ
の出入を行い、水分を含んだ大気を真空予備室１４．１
５内に取り込んでいるが、ｔ１ｉ度調節していることに
より、真空排気の時にそれらを効果的に排除できる。従
って、エツチング室１と通じた場合でも、エツチング特
性を劣化させる要因となる水分等をエツチング室１に持
ち込むことがない。
の出入を行い、水分を含んだ大気を真空予備室１４．１
５内に取り込んでいるが、ｔ１ｉ度調節していることに
より、真空排気の時にそれらを効果的に排除できる。従
って、エツチング室１と通じた場合でも、エツチング特
性を劣化させる要因となる水分等をエツチング室１に持
ち込むことがない。
更に、エツチング室１の残留ガスと水分との反応による
結晶の生成も、温度調節して、残留ガスの付着を防ぎ、
同時に脱ガスを行っているので、抑制でき、残留ガスが
異物発生源となることを防止できる。
結晶の生成も、温度調節して、残留ガスの付着を防ぎ、
同時に脱ガスを行っているので、抑制でき、残留ガスが
異物発生源となることを防止できる。
以上説明したように本発明は、ドライエツチング装置の
真空予備室に温度調節機構を設けているので、活性なガ
スやエツチング生成物は、真空予備室内に付着すること
なく排気されるので、被エツチング材への異物の発生源
とならない。
真空予備室に温度調節機構を設けているので、活性なガ
スやエツチング生成物は、真空予備室内に付着すること
なく排気されるので、被エツチング材への異物の発生源
とならない。
また、温度調節は、常温以上に加熱する方向なので真空
予備室内の脱ガスが促進され、活性なガスやエツチング
生成物と反応し結晶等を生じたりエツチング特性劣化の
要因となる水分等をより効果的に排除できる。これによ
り、活性なガスやエツチング生成物が水分と反応し生成
される結晶による異物付着を防止できる。
予備室内の脱ガスが促進され、活性なガスやエツチング
生成物と反応し結晶等を生じたりエツチング特性劣化の
要因となる水分等をより効果的に排除できる。これによ
り、活性なガスやエツチング生成物が水分と反応し生成
される結晶による異物付着を防止できる。
また、同時に水分等を排除できるので、真空予備室から
エツチング室への水分持ち込みを防ぐことができ、水分
の影響を受は易い活性ガスを使用するエツチングの特性
を劣化させることがない。
エツチング室への水分持ち込みを防ぐことができ、水分
の影響を受は易い活性ガスを使用するエツチングの特性
を劣化させることがない。
る。
Claims (1)
- １、エッチングを行うエッチング室と、このエッチング
室を被エッチング材の搬送時に大気にさらさないことが
できる真空予備室を持つドライエッチング装置であって
、前記真空予備室の温度調節手段を設けたことを特徴と
するドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10250188A JPH01274428A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10250188A JPH01274428A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274428A true JPH01274428A (ja) | 1989-11-02 |
Family
ID=14329155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10250188A Pending JPH01274428A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01274428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135022A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213429A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS59208836A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10250188A patent/JPH01274428A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213429A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS59208836A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135022A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理装置 |
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