JP3023982B2 - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法

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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は成膜方法に関する。
（従来の技術） リンがドープされたポリシリコン膜は、例えば半導体
デバイスの配線材料として広く用いられている。このポ
リシリコン膜を半導体ウェハに成膜する方法の一つとし
て、低濃度リンドープポリシリコン膜の製法について記
述された特開平２−34917号公報の技術、有機系原料の
使用について記述された特開平２−81432号公報等に開
示された技術等があり、いずれも減圧CVD法が用いられ
ている。
減圧CVD法は、反応管内を排気して減圧しながら当該
反応管内に反応ガスを供給して成膜する方法であり、ド
ープ用ガスの流量を調整することにより膜の不純物濃
度、この場合リン濃度をコントロールできる点で上記の
ポリシリコン膜の製法に対して有効な方法である。
第４図は減圧CVD装置において、反応管内の圧力及び
成膜用ガスの流量を固定した場合におけるドープ用ガス
の流量と成膜速度との関係を示すグラフであり、横軸に
ヘリウム（He）ガスでフォスフィン（PH3）ガスを１％
に希釈した混合ガスの流量、縦軸に成膜速度を夫々とっ
たものである。また第５図は同様の場合におけるドープ
用ガスの流量と、薄膜中のリン（Ｐ）濃度との関係を示
すグラフであり、横軸には同様にドープ用ガスの流量を
とり、縦軸にはリン濃度をとったものである。なお各図
の数値は半導体ウェハ面内25点の平均値である。これら
グラフからわかるように減圧CVD法ではドープ用ガスの
流量を調整することにより成膜速度を変えずに不純物濃
度をコントロールできる。
（発明が解決しようとする課題） ところで半導体デバイスの高集積化、高信頼性の要求
に伴い、ポリシリコン膜に対してリン濃度のウェハ面内
均一性、膜厚均一性及びウェハ間均一性を高くすること
が要請されている。減圧CVD法においては、リン濃度の
均一性を改善するためには成膜時の反応管内圧力を0.1
〜0.2Torrにする必要がある。
一方リンドープポリシリコン膜を成膜する場合、例え
ば成膜用ガス及びドープ用ガスとして夫々ジシラン（Si
2H6）ガス及びフォスフィン（PH3）ガスが用いられる
が、PH3ガス濃度は安全性の面から１％程度が望ましい
とされている。このため確保しようとするリン濃度の値
によっては多量にガスを流さなければならないが、リン
濃度に見合う大きな流量でガスを供給しながら反応管内
圧力を0.1〜0.2Torrとするためには、排気性能を大幅に
向上させなければならない。
しかしながら排気性能を大きくすることについては次
の理由により限界がある。例えば縦型CVD装置の場合、
反応管やウェハのロード、アンロードのための機構等を
収容した筐体は、ウエハカセット等が配置されたクリー
ンルームと電力制御部や真空ポンプ等が配置されたメン
テナンスルームとの境界に設置されている。ここで真空
ポンプを前記筐体に近接して設けると、CVD装置のメン
テナンスが困難になる上、真空ポンプの振動が反応管内
のウェハに伝播し、この振動により塵が発生し、半導体
ウェハに付着すると半導体素子の歩留が低下してしまう
ので、真空ポンプは前記筐体から可成り離した位置に設
置せざるを得ない。従って真空ポンプと反応管との間の
排気管路のコンダクタンスは小さくなり、このため排気
性能を大幅に向上させるためには可成り大きな容量の真
空ポンプが必要になり、また排気管路の直径を大きくす
ることが必要になり、コストアップ、装置の大型化を招
いてしまう。
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであ
り、その目的は、不純物をドープした薄膜を減圧雰囲気
下で成膜するにあたって、不純物の必要な濃度均一性を
確保しながら任意の高濃度不純物濃度の薄膜を得ること
ができ、しかも大きな排気性能を必要としない成膜方法
を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、1cm3当たりのリン原子の個数が1020個オー
ダである薄膜を被処理体に形成する成膜方法において、 縦型の反応管を備えた加熱炉内に被処理体をボートに上
下に配列保持して搬入する工程と、 前記反応管内を加熱雰囲気及び減圧雰囲気にして、成
膜用ガスを被処理体に供給すると共に、垂直なガス導入
管に被処理体の並びに沿って形成された多数のガス流入
孔からフォスフィンガスを被処理体に供給し、リン濃度
の低い低濃度層を形成する工程と、この工程よりも成膜
用ガスの流量を小さくしてリン濃度の高い高濃度層を形
成する工程と、を交互に行う工程と、 この工程で得られた薄膜を熱処理して高濃度層のリン
を低濃度層に拡散させる工程と、を含むことを特徴とす
る。
（作用） 例えば成膜用ガスとフォスフィンを含むドープ用ガス
とを被処理雰囲気に供給して低濃度層を基板上に形成
し、次いで例えば成膜用ガスの供給を停止して高濃度層
である不純物層を形成し、その後成膜用ガスの供給を再
開して低濃度層を形成すると低濃度層、高濃度層、低濃
度層の順に積層された薄膜が得られる。そしてこの薄膜
を熱処理例えばアニール処理すると高濃度層内の不純物
が両側の低濃度層に拡散して例えばリンを高濃度にドー
プした薄膜が得られる。
（実施例） 本発明方法を実施するための成膜装置の一例を第１図
及び第２図を参照しながら説明する。同図に示す成膜装
置は縦型の減圧CVD装置であり、クリーンルームとメン
テナンスルームとの境界に設置された外筐１（第２図参
照）の中に収容されている。
前記外筐１内の上部においては、外筐１に支承された
ベースプレート1aの上に円筒状の加熱炉２が長手方向垂
直に配置されており、この加熱炉２は、金属板2aと、こ
の金属板2aの内面全体に積層された断熱層2bと、この断
熱層2bの内周面に後述する反応管を囲続するように設け
られた例えば抵抗発熱体からなる円筒状の加熱用ヒータ
2cとから構成されている。
前記加熱炉２内には、円筒状の反応管３が略垂立して
配設されており、この反応管３は、一端が開口していて
その開口面を下向きにして配置された有底筒状の耐熱性
材料例えば石英からなる外筒3aと、この外筒3a内に間隙
を介して同心状に配置され、両端が開口している例えば
石英からなる内筒3bとを備えた２重管構造として構成さ
れている。
前記外筒3a及び内筒3bは各々その下端にてステンレス
等からなる筒状のマニホールド４に保持されており、こ
のマニホールド４は、前記ベースプレート1aに当該プレ
ート1aの開口部に挿入された状態で固定されている。前
記マニホールド４の下端部の開口部には、ステンレス等
からなる円盤状のキャップ部５が開閉自在に設けられて
おり、このキャップ部５は閉じた状態のときに図示しな
い弾性材料のＯリングを介して当該開口部を気密封止す
る役割を有するものである。前記キャップ部５の略中心
部には、例えば磁気シールにより気密な状態で回転可能
な回転軸６が挿通されている。この回転軸６の下端は昇
降台7aに組み込まれた図示しない回転機構に接続されて
いると共に、上端は例えばステンレススチールからなる
ターンテーブル6aに固定されている。前記ターンテーブ
ル6aの上面には、反応管３の内筒3bと所定の間隙を保持
して石英からなる保温筒6bが設置されており、この保温
筒6b上には、多数枚の例えば50枚の半導体ウェハをが各
々略水平な状態でかつ互いに所定の間隔例えば13mm間隔
で積重して収容する例えば石英からなるウェハボート6c
が搭載されている。
前記昇降台7aは、これを昇降させるように当該昇降台
7aの基端部に挿通された昇降軸7b等と共に搬送機構７を
構成するものであり、この搬送機構７は、ウェハボート
6cをキャップ部５、ターンテーブル6a及び保温筒6b等と
一体となって反応管１内にロード、アンロードを行う役
割を有する。
前記ベースプレート1aの下方側に位置するマニホール
ド４の下部側面には、例えば石英からなる第１のガス導
入管８がシール部材8aにより気密に水平に挿設されてお
り、この第１のガス導入管８のマニホールド４内の内端
側は、そのガス流出口8bがウェハボート6cの下端付近に
位置するように上方に向けてＬ字状に曲折されると共
に、マニホールド４の外に位置する外端は例えばステン
レスチールからなるガス配管8cを介して図示しないガス
供給源、例えば成膜用ガスであるジシラン（Si2H6）ガ
スとキャリアガスである窒素ガス（N2）ガスとを供給す
るためのガス供給源に接続されている。
更に前記第１のガス導入管８の上方側には、例えば石
英からなる第２のガス導入管９が同様にマニホールド４
の側面にシール部材9aにより挿設され、その内端部側は
上端がウェハボート6cの上端付近に位置するようにＬ字
状に曲折されている。この第２のガス導入管9aは、例え
ばリン（Ｐ）やボロン（Ｂ）やヒ素（As）等のドープ元
素を含む有機化合物を含有するドープ用ガス、例えばフ
ォスフィン（PH3）ガスを反応管１内に導入するための
ものであり、垂立した管路部分には、各半導体ウェハＷ
に対して均一にPH3ガスを供給することができるよう
に、ウェハボート6cに対向した位置にて複数のガス流出
孔9bが上下方向に所定の間隔で形成されている。更に必
要に応じてウェハボートを回転させ、以てウェハを回転
させ、面内均一性を向上させることができる。
前記第２のガス導入管９の外端部には、例えばステン
レススチールの配管9cの一端が接続され、この配管9cの
他端には、ガス加熱部9d及びガス流量調整器9eを介し
て、PH3ガスが充填されたガス供給源9fが接続されてい
る。前記ガス加熱部9dは、PH3ガスを所定の温度に加熱
し、この熱によりガスを成膜前に予め励起状態にして反
応管３内へ供給するためのいわば予備励起機構としての
役割を果たすものである。
一方前記ベースプレート1aの上方側に位置するマニホ
ールド４の上部側面には、外筒3aと内筒3bとの間隙から
処理ガスを排出して反応管３内を所定の減圧雰囲気に設
定するための例えばステンレススチールよりなる管経２
インチの排気管10の一端が接続されており、この排気管
10の他端は、メンテナンスルームにて前記外筐１から離
れて設置された別の外筐11（第２図参照）内の真空ポン
プ等例えばドライポンプの排気部12に、メンテナンスル
ームの上部側を通って接続されている。そして前記排気
管10の管路長は、外筐１、11が互に離れており、しかも
メンテナンスの点から排気管10をメンテナンスルームの
上部側に配置しなければならない等の理由から例えば3m
もの長さに達っする。
以上のように成膜装置は構成されている。
次に上記の成膜装置を用いた本発明方法の実施例につ
いて説明する。先ずヒータ2cにより反応管３内の被処理
領域を500℃の均熱加熱状態とし、次いで反応管３内に
下方開口部から搬送機構７により、例えば各々13mmの間
隔で50枚の半導体ウェハＷを収容したウェハボート6cを
ロードする。
次に反応管１内を所定の真空状態例えば１×10-3Torr
まで排気した後に第１のガス導入管９から、薄膜の主成
分を含む成膜用ガスとして例えばSi2H6ガスとN2ガスと
を夫々流量を例えば100SCCM及び100SCCMの流量で内筒3b
内に導入すると共に、PH3がヘリウム（He）で１％に希
釈されたドープ用ガスである混合ガスをガス加熱部9dで
400℃に加熱し、この加熱された混合ガスを100SCCMの流
量で第２のガス導入管９に設けられた複数のガス流出孔
9bから各半導体ウェハＷに均等に供給する。そして反応
管３内を0.2Torrになるように圧力を制御しながら排気
を行い、100分間成膜を行った。続いてPH3ガスを含む混
合ガスはそのまま供給状態で成膜ガスであるSi2H6ガス
及びN2ガスの供給を止めてこの状態を15分間維持し、然
る後に再びSi2H6ガス及びN2ガスを同様に夫々流量を例
えば100SCCM及び100SCCMの流量で供給し、20分間成膜を
行った。なお各プロセスにおける反応管３内の圧力は例
えば0.2Torrとなるよう制御されている。
このように成膜ガスを供給する工程とその供給を停止
する工程とを交互に行ったところ、第３図に示すように
被処理体である半導体ウェハＷのSiO2膜13の表面に、リ
ンが低濃度でドープされた膜厚2500オングストロームの
リン低濃度層としてのポリシリコン膜14この例ではリン
のみからなる膜厚例えば数オングストロームの薄い厚さ
のリン高濃度層15、及び前記ポリシリコン膜（リン低濃
度層）14と、同様の膜厚500オングストロームの低濃度
層としてのポリシリコン膜16がこの順に積層された。
こうして得られた積層体をアニール炉にて900℃で20
分間熱処理を行ったところ、リン高濃度層15内のリンが
両面側のリン低濃度層14、16に拡散し、この結果膜厚30
00オングストロームの高濃度リンドープポリシリコン膜
が得られた。
本実施例の効果を確認するために、この高濃度リンド
ープポリシリコン膜についてリン濃度及びシート抵抗を
調べたところ、夫々2.4×1020個/cm3及び１シート当り2
0Ωであった。
これに対し上述の減圧CVD装置を用いて従来方法によ
りSi2H6ガス、N2ガス及び１％PH3ガスの流量を夫々100S
CCM、100SCCM及び300SCCMに設定し、かつ反応管３内の
圧力を0.2Torrに制御して膜厚3000オングストロームの
高濃度リンドープポリシリコン膜を成膜し、リン濃度を
調べたところ2.0×1020個/cm3であった。なおこの場合
加熱温度等他の条件は実施例と同じである。
この結果からわかるように本実施例によれば従来より
もリン濃度の高い高濃度リンドープポリシリコン膜が得
られた。ここで従来方法の場合１％PH3ガスの流量を300
SCCM程度にすれば望ましいリン濃度が得られるが、反応
管３内の圧力が0.4〜0.5Torrになってしまい、先述した
ようにリン濃度の面方向の均一性等が悪かった。
更に本発明では、リン低濃度層の間にリン高濃度層を
１層のみ形成する方法に限定されるものではなく、２層
以上形成するようにしてもよい。実際にリン高濃度層を
２層及び３層を形成した場合について最終的に得られた
ポリシリコン膜のリン濃度を夫々調べたところ、2.8×1
020個/cm3及び3.2×1020個cm3であった。この結果から
本発明では層構成を選択することによって所望のリン濃
度が得られることが理解される。また熱処理前の層構成
については、リン低濃度層の間にリン高濃度層を挟んだ
構成に限らず、リン低濃度層とリン高濃度層の２層のみ
からなる構成としてもよい。
ここで反応管３内の減圧雰囲気については、0.1Torr
程度がより好ましく、この場合にはなお一層均質な薄膜
が得られる。
更にリン高濃度層を形成する工程においては、ドープ
用ガスの流量を増加してもよいし、Si2H6ガス、N2ガス
の供給を完全に止めることなく、少量流すようにしても
よい。またアニール処理を行わなくとも、その後にCV
D、酸化、拡散等の熱処理が行われる場合は、この熱処
理で代用することができる。
以上において本発明では、不純物としてリンに限定さ
れるものではないし、薄膜の主成分についてもシリコン
に限定されるものではない。
なお薄膜が表面に成膜される被処理体は、半導体ウェ
ハに限らずガラス基板等他の材料であってもよいし、そ
の処理については多数枚同時に行うのではなく一枚づつ
処理してもよい。
（発明の効果） 本発明によれば、薄膜の主成分を含む成膜用ガスの流
量を調整することによってリン濃度の低い低濃度層とリ
ン濃度の高い高濃度層とを交互に積層し、続く熱処理に
より高濃度層内のリンを低濃度層内に拡散してリンをド
ープした薄膜を得るようにしているため、大きな排気性
能を必要とすることなく、リンの必要な濃度均一性を確
保しながらリンが高濃度の薄膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の実施例を説明するための成膜装置
の一部を示す説明図、第２図は第１図装置の一部を排気
部と共に示す斜視図、第３図は第１図装置を用いて本発
明方法にて成膜された薄膜の説明図、第４図はPH3ガス
の流量と成膜速度との関係を示す特性曲線図、第５図は
PH3ガスの流量とリン濃度との関係を示す特性曲線図で
ある。 ２……加熱炉、３……反応管 ４……マニホールド、８……第１のガス導入管 ９……第２の導入管、10……排気管 Ｗ……半導体ウェハ、14、16……リン低濃度層、15……
リン高濃度層

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】1cm3当たりのリン原子の個数が1020個オー
    ダである薄膜を被処理体に形成する成膜方法において、 縦型の反応管を備えた加熱炉内に被処理体をボートに上
    下に配列保持して搬入する工程と、 前記反応管内を加熱雰囲気及び減圧雰囲気にして、成膜
    用ガスを被処理体に供給すると共に、垂直なガス導入管
    に被処理体の並びに沿って形成された多数のガス流入孔
    からフォスフィンガスを被処理体に供給し、リン濃度の
    低い低濃度層を形成する工程と、この工程よりも成膜用
    ガスの流量を小さくしてリン濃度の高い高濃度層を形成
    する工程と、を交互に行う工程と、 この工程で得られた薄膜を熱処理して高濃度層のリンを
    低濃度層に拡散させる工程と、を含むことを特徴とする
    成膜方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940006667B1 (ko) * 1991-02-18 1994-07-25 삼성전자 주식회사 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치
JP2819073B2 (ja) * 1991-04-25 1998-10-30 東京エレクトロン株式会社 ドープド薄膜の成膜方法
US5536918A (en) * 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
US5387557A (en) * 1991-10-23 1995-02-07 F. T. L. Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor devices using heat-treatment vertical reactor with temperature zones
US5407350A (en) * 1992-02-13 1995-04-18 Tokyo Electron Limited Heat-treatment apparatus
JP3121122B2 (ja) * 1992-06-26 2000-12-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法
US5332689A (en) * 1993-02-17 1994-07-26 Micron Technology, Inc. Method for depositing low bulk resistivity doped films
US5380370A (en) * 1993-04-30 1995-01-10 Tokyo Electron Limited Method of cleaning reaction tube
US5441570A (en) * 1993-06-22 1995-08-15 Jein Technics Co., Ltd. Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JPH0786173A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
AU1559195A (en) * 1994-01-27 1995-08-15 Insync Systems, Inc. Methods for improving semiconductor processing
JPH0851103A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Fuji Electric Co Ltd 薄膜の生成方法
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
US6204194B1 (en) * 1998-01-16 2001-03-20 F.T.L. Co., Ltd. Method and apparatus for producing a semiconductor device
JP3468347B2 (ja) * 1998-06-22 2003-11-17 日本エー・エス・エム株式会社 半導体素子の製造方法
US7250196B1 (en) 1999-10-26 2007-07-31 Basic Resources, Inc. System and method for plasma plating
AU2006200117B2 (en) * 2000-05-22 2007-11-29 Nova Machine Products, Inc. Mobile plating system and method
US6503379B1 (en) * 2000-05-22 2003-01-07 Basic Research, Inc. Mobile plating system and method
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
US20030180450A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Kidd Jerry D. System and method for preventing breaker failure
US20050126497A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-16 Kidd Jerry D. Platform assembly and method
JP4728748B2 (ja) * 2005-09-05 2011-07-20 株式会社東芝 半導体製造装置の清浄化方法
JP5060324B2 (ja) * 2008-01-31 2012-10-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び処理容器
EP2718962A1 (en) * 2011-06-10 2014-04-16 Massachusetts Institute Of Technology High-concentration active doping in semiconductors and semiconductor devices produced by such doping
JP5921168B2 (ja) * 2011-11-29 2016-05-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2133498B1 (ja) * 1971-04-15 1977-06-03 Labo Electronique Physique
US3949119A (en) * 1972-05-04 1976-04-06 Atomic Energy Of Canada Limited Method of gas doping of vacuum evaporated epitaxial silicon films
JPS5322029B2 (ja) * 1973-12-26 1978-07-06
US4217375A (en) * 1977-08-30 1980-08-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Deposition of doped silicon oxide films
US4190470A (en) * 1978-11-06 1980-02-26 M/A Com, Inc. Production of epitaxial layers by vapor deposition utilizing dynamically adjusted flow rates and gas phase concentrations
JPS5575219A (en) * 1978-12-02 1980-06-06 Toshiba Corp Manufacturing semiconductor
JPS5696834A (en) * 1979-12-28 1981-08-05 Mitsubishi Monsanto Chem Co Compound semiconductor epitaxial wafer and manufacture thereof
JPS57132331A (en) * 1981-02-06 1982-08-16 Ricoh Co Ltd Chemical vapor deposition and device therefor
US4698104A (en) * 1984-12-06 1987-10-06 Xerox Corporation Controlled isotropic doping of semiconductor materials
US4659401A (en) * 1985-06-10 1987-04-21 Massachusetts Institute Of Technology Growth of epitaxial films by plasma enchanced chemical vapor deposition (PE-CVD)
US4773355A (en) * 1985-06-10 1988-09-27 Massachusetts Institute Of Technology Growth of epitaxial films by chemical vapor deposition
JPH06101434B2 (ja) * 1985-09-30 1994-12-12 住友化学工業株式会社 気相成長法
US4968644A (en) * 1986-06-16 1990-11-06 At&T Bell Laboratories Method for fabricating devices and devices formed thereby
US4699805A (en) * 1986-07-03 1987-10-13 Motorola Inc. Process and apparatus for the low pressure chemical vapor deposition of thin films

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Publication number Publication date
JPH04207024A (ja) 1992-07-29
US5116784A (en) 1992-05-26

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