JPH05295551A - インライン式プラズマcvd装置 - Google Patents
インライン式プラズマcvd装置Info
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- JPH05295551A JPH05295551A JP4101504A JP10150492A JPH05295551A JP H05295551 A JPH05295551 A JP H05295551A JP 4101504 A JP4101504 A JP 4101504A JP 10150492 A JP10150492 A JP 10150492A JP H05295551 A JPH05295551 A JP H05295551A
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Abstract
基板を所定の温度とするまでの昇温時間が短く、また、
小型、軽量で装置コストの少ないものとする。 【構成】 インライン式プラズマCVD装置において、
基板に予備加熱を行う大気加熱炉と、前記大気加熱炉か
らの予備加熱された前記基板を搬送する連結ダクトと、
前記連結ダクトから搬送された基板を真空中で所定の温
度まで加熱を行うロード室と、基板表面に膜形成を行う
反応室と、基板の冷却を行うアンロード室とを連続して
配置する。
Description
て基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置に関するもので
ある。
置おいては、ロード室において真空状態で基板を所定温
度まで加熱した後、反応室において薄膜材料を構成する
元素からなる一種または数種の化合物ガスを基板上に供
給し、気相または基板表面での化学反応によって所望の
薄膜を形成させている。
装置のブロック図である。図において、従来のインライ
ン式プラズマCVD装置は、ロード室3と反応室4とア
ンロード室5とから構成され、基板カート1に乗せられ
た基板24をロード室3、反応室4及びアンロード室5
に順に移動させながら処理を施して薄膜を形成する。こ
こで、ロード室3は上方及び下方に設置されたランプヒ
ータ19、20を有し、基板24を基板カート1に乗せ
て移動させながら加熱する。また、このロード室3には
真空バルブ15を介して排気装置によって減圧されてお
り、大気と連結している仕切弁6を開放することによっ
て基板24の搬入を行っている。また、ロード室3はチ
ェンバーリークバルブ12を介して大気と連結される。
る。この反応室4には高周波電極30とシースヒータ2
1が設けられ、該シースヒータ21で加熱しながらガス
バルブ23を介して薄膜材料を構成する元素からなる一
種または数種の化合物ガスを導入すると共に、高周波電
源22によって前記高周波電極30を駆動してグロー放
電を起こさせてプラズマを発生させ基板24に薄膜を形
成する。
ト1と共に次のアンロード室5に搬送されて冷却され
る。反応室4及びアンロード室5には、アード室3と同
様に真空バルブ16、17を介して排気装置が接続さ
れ、またチェンバーリークバルブ13、14を介して大
気と連結される。
のまま搬送装置によってロード室3、反応室4及びアン
ロード室5を順に移動する。基板1はロード室3を移動
する間にランプヒータ19とランプヒータ20とによっ
て予備加熱され、反応室4においてシースヒータ21に
よって加熱されながら薄膜形成の処理が施される。
薄膜形成装置においては、以下のような問題点がある。 (1)反応室において基板が必要とする温度が例えば摂
氏500度程度の高温であり、またロード室を基板が通
過する通過時間が5分程度の短時間の場合には、従来の
1室だけのロード室では基板の温度を所定の温度まで上
げることができない。 (2)ロード室を増設して所定の温度に基板を加熱して
昇温するには、所定の温度に達するまでの昇温時間が増
し、また装置の大型化や重量化を招くと共にコストも増
大する。
定の温度とするまでの昇温時間が短く、また、小型、軽
量で装置コストも少ないインライン式プラズマCVD装
置を提供することを目的とする。
克服するために、インライン式プラズマCVD装置にお
いて、基板に予備加熱を行う大気加熱炉と、前記大気加
熱炉からの予備加熱された前記基板を搬送する連結ダク
トと、前記連結ダクトから搬送された基板を真空中で所
定の温度まで加熱を行うロード室と、基板表面に膜形成
を行う反応室と、基板の冷却を行うアンロード室とを連
続して配置したものである。
ード室で加熱される前に予備加熱され、さらにロード室
で加熱された後反応室で薄膜形成されアンロード室にお
いて冷却が行われる。そして、以上のような構成によっ
て、基板をロード室に導入する前にある程度まで予備的
に加熱することができ、基板の加熱温度が高く、またロ
ード室での基板の加熱時間が短時間の場合であっても基
板を所定の温度まで十分に加熱することができる。
伝導率が減圧下のロード室での加熱と比較して良いので
昇温時間を短縮することができる。
がら詳細に説明する。図1は本発明のインライン式プラ
ズマCVD装置のブロック図である。図において、ロー
ド室3と反応室4とアンロード室5の装置部分の構成は
従来のインライン式プラズマCVD装置と同じであり、
本発明のインライン式プラズマCVD装置は該装置部分
のロード室3の入口側に大気加熱炉2と連結ダクト18
を設け、大気加熱炉2によって基板24を予備加熱する
ものである。
気加熱炉2は、ヒータ31、32などからなる加熱装置
とステンレスチェーンコンベア25の搬送装置とを有
し、ガス導入バルブ10とガス排気バルブ11が接続さ
れている。ガス導入バルブ10からは通常N2 やHe等
の基板の薄膜形成に影響を与えないような希ガスが導入
され、大気加熱炉2内を基板面が汚染されない状態で内
部圧を大気圧と同レベルとしている。また、大気加熱炉
2の端部には、基板24を乗せた基板カート1を搬入及
び搬出するための入口とびら26と出口とびら27が設
けられている。基板24は基板カート1に乗せられた状
態のままステンレスチェーンコンベア25によって入口
とびら26から大気加熱炉2内に搬入され、大気加熱炉
2内を搬送中にヒータ31、32などからなる加熱装置
によって加熱される。この加熱によって基板24はある
程度まで昇温され、出口とびら27から連結ダクト18
に搬出される。
ダクト18は前記大気加熱炉2とロード室3との間に設
置され、ガス導入バルブ28とガス排気バルブ29が接
続されている。ガス導入バルブ28からは大気加熱炉2
に導入されるガスと同様に通常N2 やHe等の希ガスが
導入され、大気加熱炉2内を基板面が汚染されない状態
で内部圧を大気圧と同レベルとしている。大気加熱炉2
において予備加熱された基板24は、その基板面が汚染
されない状態で反応室3に搬送される。連結ダクト18
とロード室3との間には仕切弁6が設けられ、大気圧の
連結ダクト18と、減圧状態のロード室3とを区切って
いる。
24は連結ダクト18から仕切弁6を介してロード室3
に搬入される。ロード室3に搬入された基板24は、従
来のインライン式プラズマCVD装置と同様にして薄膜
形成処理が行われる。基板24はロード室3に搬入され
たとき予備加熱された状態にあるので、ロード室3での
基板24の所定温度への昇温は従来のインライン式プラ
ズマCVD装置と比較して容易となる。したがって、ロ
ード室3での加熱の時間を短縮することができる。
数個用いた場合との比較を行う。図3はロード室3を複
数個用いた場合のインライン式プラズマCVD装置のブ
ロック図である。図の構成は、基板24の予備加熱の手
段として複数個のロード室3を連結したものであり、基
板カート1に乗せられて搬送される基板24は複数個の
ロード室3を通過する間に加熱される。この構成によっ
て、ロード室3を通過する通過の速度が速い場合におい
ても、基板24を所定の温度まで加熱することができ
る。しかしながら、このロード室3を複数個用いた場合
には、ロード室3を減圧状態に維持するための構造が必
要であり、またロード室3を減圧するための排気装置を
増設する必要であるため、ロード室は大型となり重量も
増大することになる。
ズマCVD装置の大気加熱炉2及び連結ダクト18から
なる予熱手段は、減圧状態を維持するための構造が不要
であり、また室を減圧するための排気装置が不要であ
る。したがって、大気加熱炉2は、ロード室3と比較し
て小型で軽量とすることができる。さらに、大気加熱炉
2内での加熱は、減圧下での加熱と比較して熱伝導率が
よいので基板24を昇温させるために要する時間を短縮
することができる。
する。図4は本発明のインライン式プラズマCVD装置
の第2の実施例のブロック図である。予備加熱の段階に
おいて、第1の実施例の様なあるガス雰囲気中で予備加
熱を行う必要が無い場合には、大気加熱炉2内へのガス
の導入、排出のためのガス導入バルブやガス排出バルブ
等の設備や、大気加熱炉2とロード室3とを連結する連
結ダクト18及びその連結ダクト18へのガスの導入、
排出のためのガス導入バルブやガス排出バルブ等の設備
を省略することができる。
ト1に乗せられた状態で搬送され、大気加熱炉2内にお
いてはステンレスチェーンコンベア25で搬送中に大気
雰囲気中で予備加熱が行われる。予備加熱された基板2
4は、基板カート1と共に仕切弁6を通過してロード室
3内に挿入され、以後は通常の薄膜形成が行われる。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを
本発明の範囲から排除するものではない。
的に加熱することができ、基板の加熱温度が高く、また
ロード室での基板の加熱時間が短時間の場合であっても
基板を所定の温度まで十分に加熱することができる。 (2)大気加熱炉における加熱は、その熱伝導率が減圧
下のロード室での加熱と比較して良いので昇温時間を短
縮することができる。 (3)大気加熱炉及び連結ダクトからなる予熱手段は、
減圧状態を維持するための構造が不要であり、また室内
を減圧するための排気装置が不要である。したがって、
装置を小型で軽量とすることができる。
ロック図である。
ック図である。
プラズマCVD装置のブロック図である。
2の実施例のブロック図である。
反応室、5…アンロード室、6,7,8,9…仕切弁、
10,28…ガス導入バルブ、11,29…ガス排出バ
ルブ、12,13,14…チェンバーリークバルブ、1
5,16,17…真空バルブ、18…連結ダクト、1
9,20…ランプヒータ、24…基板、25…ステンレ
スチェーンコンベア、26…入口とびら、27…出口と
びら、31,32…ヒータ
Claims (1)
- 【請求項1】 インライン式プラズマCVD装置におい
て、(a)基板に予備加熱を行う大気加熱炉と、(b)
前記大気加熱炉からの予備加熱された前記基板を搬送す
る連結ダクトと、(c)前記連結ダクトから搬送された
基板を真空中で所定の温度まで加熱を行うロード室と、
(d)基板表面に膜形成を行う反応室と、(e)基板の
冷却を行うアンロード室とを連続して配置してなること
を特徴とするインライン式プラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10150492A JP3211356B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | インライン式プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10150492A JP3211356B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | インライン式プラズマcvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05295551A true JPH05295551A (ja) | 1993-11-09 |
JP3211356B2 JP3211356B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=14302447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10150492A Expired - Fee Related JP3211356B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | インライン式プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3211356B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6933009B2 (en) * | 1999-12-28 | 2005-08-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industies Co., Ltd. | Thin-film deposition method |
WO2011139472A3 (en) * | 2010-04-26 | 2012-01-19 | Aventa Systems, Llc | Inline chemical vapor deposition system |
WO2011136525A3 (ko) * | 2010-04-26 | 2012-01-26 | 주식회사 테라세미콘 | 인라인 기판 처리 장치 |
CN102534554A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-07-04 | 霞浦吉阳新能源有限公司 | 石墨舟冷却卸片推车 |
WO2014103228A1 (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社神戸製鋼所 | インライン式プラズマcvd装置 |
CN104060240A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-09-24 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种生产二维纳米材料的水平式卷对卷装置 |
US8865259B2 (en) | 2010-04-26 | 2014-10-21 | Singulus Mocvd Gmbh I.Gr. | Method and system for inline chemical vapor deposition |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10150492A patent/JP3211356B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6933009B2 (en) * | 1999-12-28 | 2005-08-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industies Co., Ltd. | Thin-film deposition method |
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US8865259B2 (en) | 2010-04-26 | 2014-10-21 | Singulus Mocvd Gmbh I.Gr. | Method and system for inline chemical vapor deposition |
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WO2014103228A1 (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社神戸製鋼所 | インライン式プラズマcvd装置 |
CN104060240A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-09-24 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种生产二维纳米材料的水平式卷对卷装置 |
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