KR100653707B1 - 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리방법에 관한 것으로, 본 발명의 플라즈마 처리방법은 RF전력을 인가하여 플라즈마 처리장치의 챔버 내부의 정전척 상에 정전기력으로 안착된 기판에 소정 공정을 수행하는 공정 수행단계와, 소정 크기의 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키고, 소정 크기의 바이어스 전력을 공급하여 상기 기판 상에서의 이온 에너지를 증가시켜 상기 기판 상의 전하들이 챔버 내부로 방전되도록 하여 상기 기판이 상기 정전척 상에서 디척킹 되도록 하는 디척킹 단계와, 상기 디척킹 단계를 거친 상기 기판을 상기 정전척에 설치된 리프트 핀을 사용하여 부양시킨 후 이송로봇으로 언로딩 하는 언로딩 단계로 구성되어 기판의 디척킹 효율을 향상시키도록 한다.

Description

플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법{Plasma processing method of plasma processing apparatus}
도 1은 본 발명의 플라즈마 처리방법이 적용된 플라즈마 처리장치를 도시한 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 식각 처리장치의 처리방법의 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 처리방법의 순서도이다.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디척킹 방법의 순서도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10...챔버
20...커버
21...유도코일
22...RF 소오스 전력
30...정전척
31...바이어스 전력
40...리프트 핀
50...고압모듈
본 발명은 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전척 상에 존재하는 잔류 전하의 제거시 바이어스 전력을 제공하여 기판의 디척킹 효율을 보다 높일 수 있도록 한 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정중의 하나인 식각공정은 감광막 패턴을 마스크로 사용하여 감광막 패턴 아래의 막질을 선택적으로 제거하는 공정이다. 이러한 식각공정은 습식식각과 건식식각으로 대별된다.
습식식각은 집적회로 소자에 범용으로 사용되어 왔으나 근래에는 소자의 집적도가 점점 더 고집적화 함에 따른 습식식각의 등방성식각이 보이는 집적도의 한계로 인하여 거의 사용하지 않는다.
따라서 근래의 반도체 제조공정에서는 주로 건식식각이 사용된다. 건식식각은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 플라즈마 상태의 래티칼과의 화학반응 및 이온의 가속 충돌에 의한 물리적 방법으로 막질을 선택적으로 제거하는 방법이다.
건식식각 공정을 수행하는 플라즈마 건식식각장치는 내부에 웨이퍼가 안착되는 정전척(ESC: electrostatic chuck)이 설치된다. 이 정전척은 웨이퍼를 정전기력으로 척킹(chucking)하는 것이다. 그리고 웨이퍼가 보다 안정적으로 이 정전척에 척킹 되도록 하기 위하여 별도의 클램프가 사용되기도 한다.
그러나 클램프는 이물질을 발생시키는 문제점이 있다. 또한 정전척에는 고온 의 플라즈마와 접촉하는 웨이퍼를 냉각시키기 위하여 헬륨 가스를 정전척으로 공급하도록 되어 있다. 따라서 헬륨 가스의 분사로 인하여 웨이퍼가 정전척 상에서 부양할 수 있는 문제점이 있다.
이에 따라 근래에는 대략 400V의 전압을 제공하는 고압모듈을 정전척에 연결하여 강화된 정전기력으로 웨이퍼가 정전척에 안정적으로 척킹 되도록 하고 있다.
한편, 식각공정이 완료된 후에는 웨이퍼와 정전척에 축전된 정전기를 방전시키는 디척킹 작업이 필요하다. 만약 이 디척킹 작업이 제대로 이루어지지 않고, 웨이퍼가 리프트 핀에 의하여 언로딩 되게 되면 퍼핑(Popping)이나 스틱킹(sticking)으로 웨이퍼가 파손되거나 위치 이탈할 우려가 있다.
종래의 디척킹 작업은 막질에 대한 식각이 완료되면 챔버를 방전스위치로 사용하여 고압모듈로 공급되던 전압을 차단하고, RF 소오스 전력으로 대략 400W의 전력을 제공하여 디척킹용 플라즈마를 제공한다. 이 디척킹용 플라즈마를 생성되면 웨이퍼 표면상의 전하들이 챔버로 방전된다.
그러나 웨이퍼의 유전율이 높아지게 되면 이러한 방전작업을 수행하더라도 웨이퍼의 효과적인 방전이 제대로 이루어지지 않는다.
더욱이 질화막의 경우는 산화막에 비하여 그 유전율이 약 4.6배 정도 높기 때문에 이러한 문제점이 발생할 우려가 더욱 높다. 특히 기억소자의 전하보유능력을 향상시키고, 소자를 스케일 다운(scale down)하기 위하여 도입된 게이트 절연막중의 하나인 ONO(oxide-nitride-oxide: SiO2/Si3N4/SiO2) 구조의 다층 절연막의 경우는 그 자체가 강한 커패시터 성질을 가지고 있기 때문에 이러한 문제점이 더욱 빈발하게 발생한다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 정전척의 방전시 RF 소오스 전력과 함께 바이어스 전력을 함께 제공하여 방전 효율을 보다 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리방법은 디척킹 시에 RF 소오스 전력과 함께 웨이퍼 상의 이온 에너지를 증가시킬 수 있는 바이어스 전력을 함께 제공하여 정전척 상의 웨이퍼 상에서의 이온 에너지를 증가시킴으로써 웨이퍼 상의 전하들이 챔버 측으로 방전되는 효율이 향상되도록 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 플라즈마 처리장치의 처리방법, 플라즈마 처리장치의 디척킹 방법 그리고 플라즈마 식각 처리장치의 처리방법으로 각각 구분될 수 있다. 이러한 구분은 본 발명의 방법이 플라즈마를 사용한 다양한 종류의 처리장치에 적용될 수 있음을 의미한다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리방법은 RF전력을 인가하여 플라즈마 처리장치의 챔버 내부의 정전척 상에 정전기력으로 안착된 웨이퍼에 소정 공정을 수행하는 공정 수행단계와, 소정 크기의 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키고, 소정 크기의 바이어스 전력을 공급하여 상기 웨이퍼 상에서의 이온 에너지를 증가시켜 상기 웨이퍼 상의 전하들이 챔버 내부로 방전되도록 하여 상기 웨이 퍼가 상기 정전척 상에서 디척킹 되도록 하는 디척킹 단계와, 상기 디척킹 단계를 거친 상기 웨이퍼를 상기 정전척에 설치된 리프트 핀을 사용하여 부양시킨 후 이송로봇으로 언로딩 하는 언로딩 단계로 구비된다.
그리고 상기 디척킹 단계에서의 상기 RF 소오스 전력의 소정 크기는 400W로 할 수 있고, 상기 디척킹 단계에서의 상기 바이어스 전력의 소정 크기는 20 - 100W로 할 수 있다. 또한 상기 식각 단계에서 상기 정전척에는 400V의 전압이 인가될 수 있고, 상기 디척킹 단계에서의 반응가스는 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나가 채용될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 디척킹 방법은 웨이퍼에 대한 소정 공정이 수행된 처리장치의 챔버 내부로 소정의 반응가스를 공급하는 단계와, 소정 크기의 RF 소오스 전력을 공급하여 상기 웨이퍼 상의 전하들이 상기 처리장치의 상기 챔버로 방전되도록 하는 디척킹용 플라즈마를 발생시키는 소오스 전력 공급 단계와, 소정 크기의 바이어스 전력을 공급하여 상기 웨이퍼 상에서의 이온 에너지를 증가시키는 바이어스 전력 공급 단계로 구비된다.
그리고 상기 디척킹 단계에서의 상기 RF 소오스 전력의 소정 크기는 400W로 제공될 수 있고, 상기 디척킹 단계에서의 상기 바이어스 전력의 소정 크기는 20 - 100W로 제공될 수 있다. 또한 상기 디척킹 단계에서의 상기 반응가스는 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나일 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 식각장치의 처리방법은 웨이퍼를 챔버 내부로 이송로봇으로 로딩하여 처리장치의 챔버 내부에 위치한 정전척 상에 안착시키는 로딩 단계와, 상기 로딩단계를 거쳐 상기 정전척 상에 안착된 상기 웨이퍼를 정전기력으로 척킹 하는 척킹단계와, RF 소오스 전력과 바이어스 전력을 인가하여 상기 정전척에 척킹된 상기 웨이퍼의 소정 막질을 플라즈마로 식각하는 식각 단계와, 소정 크기의 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키고, 소정 크기의 바이어스 전력을 공급하여 상기 웨이퍼 상에서의 이온 에너지를 증가시켜 상기 웨이퍼 상의 전하들이 상기 챔버로 방전되도록 하여 상기 웨이퍼가 상기 정전척 상에서 디척킹 되도록 하는 디척킹 단계와, 상기 디척킹 단계를 거친 상기 웨이퍼를 상기 정전척에 설치된 리프트 핀을 사용하여 부양시킨 후 이송장치로 언로딩 하는 언로딩 단계로 구비된다.
그리고 상기 디척킹 단계에서의 상기 RF 소오스 전력의 소정 크기는 400W 일 수 있고, 상기 디척킹 단계에서의 상기 바이어스 전력의 소정 크기는 20 - 100W 일 수 있고, 상기 식각 단계에서 상기 정전척에는 400V의 전압이 인가될 수 있고, 상기 디척킹 단계에서의 반응가스는 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나일 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서 이하의 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 범위 이내에서 실시예의 변형이 가능할 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치의 제어방법은 도 1에 도시된 바와 같이 반 도체 제조장치 중의 하나인 플라즈마 건식 식각 장치를 한 예로 하여 설명하기로 한다. 그러나 본 발명의 반도체 제조방법의 제어방법은 플라즈마 건식 식각 장치뿐만 아니라 정전척이 사용되는 다른 종류의 반도체 제조장치인 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition : CVD) 장치에도 적용이 가능하다. 또한 도 1의 플라즈마 식각 장치는 유도 결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 식각장치를 그 예로 하고 있다. 그러나 그 외의 다른 플라즈마 식각장치들에도 적용이 가능하다.
도 1에 도시된 바와 같이 플라즈마 식각장치는 챔버(10)와 이 챔버(10) 상부에 설치되며, 세라믹 재질의 돔 형태로 된 커버(20)를 구비한다. 그리고 커버(20) 외측으로는 다수의 유도코일(21)이 권취되어 있고, 이 유도코일(21)에는 RF 소오스 전력(22)이 연결되어 있다. 여기서 챔버(10)는 방전스위치(11)와 연결되어 있다. 그리고 챔버(10) 내부는 진공펌프(70)와 연결되어 있고, 챔버(10)의 일측으로는 반응가스가 공급되는 반응가스 공급부(80)가 연결되어 있다.
그리고 챔버(10) 내부의 하측에는 정전척(30)이 설치된다. 이 정전척(30)은 공정 수행을 위한 웨이퍼(W)가 안착되어 정전기력으로 지지되도록 하는 것이다. 정전척(30)의 하부로는 공정 수행 중 웨이퍼(W)의 냉각을 위한 헬륨가스가 공급되는 헬륨가스 공급부(60)가 연결되어 도면에 도시되지 않았지만 웨이퍼(W)의 아랫면으로 헬륨가스가 공급되게 되어 있다.
또한 웨이퍼(W)가 정전척(30)에 로딩 또는 언로딩 되도록 하는 리프트가 정전척(30)의 하부에 설치되어 있다. 리프트의 리프트 핀(40)은 통상적으로 정전척 (30)을 관통하여 웨이퍼(W)의 아랫면과 접하도록 되어 있다.
정전척(30)에는 플라즈마 식각 공정 수행을 위하여 제공되는 바이어스 전력(31)이 연결되어 있고, 또한 공정 수행 시에 웨이퍼(W)가 정전척(30) 상에 안정적으로 안착되도록 하기 위하여 고전압을 제공하는 고압모듈(50)이 연결되어 있다.
이와 같이 구성된 플라즈마 식각장치의 제어방법에 대하여 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이 플라즈마 식각장치의 동작은 웨이퍼의 로딩 단계(S200)와 웨이퍼 척킹 단계(S210)를 거쳐 식각 단계(S220)와 디척킹 단계(S230) 그리고 언로딩 단계(S240)로 이루어진다.
로딩 단계(S210)는 웨이퍼(W)가 이송로봇(미도시)에 의하여 이송되어 챔버(10) 내부의 정전척(30) 상으로 로딩 되는 단계이다. 이때 로딩 되는 웨이퍼(W)는 이미 정전척(30)의 상부로 돌출하여 위치한 리프트 핀(40)에 이송로봇에 의하여 안착되고, 이후 리프트 핀(40)이 하강하여 웨이퍼(W)를 정전척(30) 상에 안착시킨다.
계속해서 공정 진행을 위하여 반응가스가 공급된다. 반응가스로는 Cl2와 BCl2 가 주로 사용되고, 챔버(10) 내부는 진공펌프(70)에 의하여 18mtorr 정도의 저압상태를 이룬다.
이러한 상태에서 척킹 단계(S210)가 수행된다. 척킹 단계(S210)는 정전척(30)으로 고압모듈(50)을 통하여 400V의 고압이 인가되면 정전척(30)에서의 정전기력에 의하여 웨이퍼(W)가 정전척(30)에 척킹된다. 그리고 정전척(30)으로는 헬륨가스가 공급되어 웨이퍼(W)의 냉각을 함께 수행한다.
이후 식각 단계(S220)가 수행된다. 식각 단계(S220)는 유도코일(21)로 RF 소오스 전력(22)이 1600W의 전력을 제공되고, 정전척(30)에는 바이어스 전력(31)으로는 220W 의 전력이 공급되어 공급된 반응가스가 플라즈마로 여기 됨으로써 식각 공정이 수행된다. 식각은 플라즈마상태의 래티칼과의 화학반응 및 이온의 가속 충돌에 의한 물리적 방법으로 웨이퍼(W) 상의 소정 막질을 선택적으로 제거함으로써 이루어진다.
계속해서 식각 단계(S220)가 완료되면 웨이퍼 디척킹 단계(S230)가 수행된다. 디척킹 단계(S230)는 먼저 고압모듈(50)로부터 정전척(30)으로 제공되는 400V의 고압을 차단한 후 400W 의 RF 소오스 전력(22)을 공급하여 디척킹용 플라즈마(P)를 챔버(10) 내부에 발생시킨다. 그리고 이때 챔버(10)는 방전 스위치(11)에 의하여 방전 모드로 전환된다.
그리고 이 디척킹 단계(S230)에서의 반응가스는 아르곤이나 질소가스를 사용한다. 또한 바이어스 전력(31)을 함께 공급하는데, 이 바이어스 전력(31)은 20W 이상 100W 이하로 공급하는 것이 적절하다. 왜냐하면 20W 미만이 되면 웨이퍼(W)에서의 충분한 이온 에너지를 얻을 수 없고, 100W를 초과하게 되면 웨이퍼(W)에서의 불필요한 식각이 이루어질 수 있기 때문이다.
다시 말해서 바이어스 전력을 제공하지 않고, 소오스 전력(22)만을 제공하게 되면 웨이퍼(W) 상에 충분한 이온 에너지가 제공되지 않기 때문에 질화막과 같은 고유전체 막질을 가진 웨이퍼(W)의 경우 웨이퍼(W) 표면의 전하들이 충분한 에너지를 가지고 챔버(10) 측으로 방전되지 못한다.
반면에 위와 같이 적절한 바이어스 전력(31)을 정전척(30)으로 제공하면 웨이퍼(W) 상의 전하들이 충분한 이온 에너지를 가지게 됨으로써 보다 효율적으로 챔버(10) 측으로 방전되게 된다. 그리고 이 디척킹 단계(S230)는 진공펌프(70)에 의하여 펌핑 작업을 함께 수행한다.
마지막으로 웨이퍼에 대한 언로딩 단계(S240)가 수행된다. 언로딩 단계(S240)는 디척킹 단계(S230)를 거친 웨이퍼(W)를 정전척(30)에 설치된 리프트 핀(40)을 사용하여 부양시킨 후 챔버(10) 내부로 진입한 이송로봇이 외부, 예를 든다면 트랜스퍼 챔버로 이송시켜 다음 공정을 위한 다른 반도체 설비로 이송시키는 단계로 진행함으로써 식각공정이 전체적으로 완료된다.
한편, 본 발명은 언급한 플라즈마 식각 처리장치뿐만 아니라 다양한 종류의 플라즈마 처리장치에서의 디척킹 방법으로 적용이 가능하다. 즉 이미 언급한 건식식각장치 외에 플라즈마 강화 화학적 기상 증착장치(PECVD: Plasma Enhanced CVD)에서도 본 발명이 적용될 수 있고, 그 외의 다른 플라즈마 처리장치에서도 적용이 가능하다. 이때의 처리물인 기판은 웨이퍼뿐만 아니라 평판 표시 장치일 수 있고, 또는 마이크로 머시닝이 수행되는 기타의 다른 것일 수 있다.
이에 따른 실시예를 설명하면 도 3에 도시된 바와 같이 플라즈마 처리장치에 본 발명이 채용되는 경우 본 발명은 RF소오스 전력을 인가하여 플라즈마 처리장치의 챔버 내부의 정전척 상에 400V의 고압을 제공하여 정전기력으로 안착된 기판에 소정의 공정을 수행하는 공정 수행단계(S300)를 진행한다. 그리고 공정이 완료되면 질소나 아르곤과 같은 반응가스를 공급하는 단계(S310)를 거친다.
그런 다음 400W 크기의 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키고, 20 - 100W 의 바이어스 전력을 공급하여 기판 상에서의 이온 에너지를 증가시켜 기판 상의 전하들이 챔버 내부로 방전되도록 하여 기판이 정전척 상에서 디척킹 되도록 하는 디척킹 단계(S320)를 거친다.
계속해서 디척킹 단계(S320)를 거친 기판을 정전척(30)에 설치된 리프트 핀이나 기타 부양장치를 사용하여 부양시킨 후 이송로봇으로 언로딩 하는 언로딩 단계(S330)로 이루어진다.
그리고 플라즈마 처리장치에 본 발명의 방법을 적용하는 경우에도 막질에 따라 디척킹 방법을 선택적으로 채용할 수 있다.
즉 한 예로 식각장치인 도 1로 구성된 식각장치에 적용하는 경우에도 산화막에 대한 식각을 수행하는 경우에는 종래와 같이 바이어스 전력(31)을 인가하지 않은 상태로 디척킹용 플라즈마(P)를 인가하여 디척킹을 수행하고, 게이트 절연막중의 하나인 ONO 구조의 고유전체 막질에 대한 식각이 이루어진 경우에만 바이어스 전력(31)을 20 - 100W 정도를 인가하여 디척킹을 수행할 수 있다. 그리고 그 외에 고유전율을 가지는 다른 종류의 막질이 웨이퍼(W) 상에 존재하는 경우에도 마찬가지로 채용될 수 있다.
따라서 본 발명의 방법이 필요하다고 판단되는 경우에는 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)에 대한 공정이 수행된 처리장치의 챔버(10) 내부로 반응가스를 공급하는 단계(S400)를 거치고, 400W의 RF 소오스 전력(22)을 공급하여 웨이퍼(W) 상의 전하들이 처리장치의 챔버(10)로 방전되도록 하는 디척킹용 플라즈마(P)를 발생 시키는 소오스 전력(22) 공급 단계(S410)를 거친다.
그리고 20 - 100W 크기의 바이어스 전력(31)을 공급하여 웨이퍼(W) 상에서의 이온 에너지를 증가시키는 바이어스 전력(31) 공급 단계(S420)로 진행하여 디척킹 작업을 진행한다. 여기서의 반응가스는 전술한 바와 같이 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나를 사용한다.
그리고 본 발명의 플라즈마 처리방법은 점점 미세화 되고 있는 반도체 제조공정 뿐만 아니라 평판 디스플레이 장치와 그 외의 기타 마이크로 머시닝 공정에서도 적용이 가능할 것이다.
전술한 바와 같은 본 발명의 실시예 외에 각각의 구성요소들을 일부 변형하여 다르게 실시할 수 있을 것이다. 그러나 이들 실시예의 기본 구성요소가 본 발명의 필수구성요소들을 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
이상과 같은 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법은 정전척의 방전시 RF 소오스 전력과 함께 소정의 바이어스 전력을 함께 제공하여 정전척 상의 웨이퍼 상에서의 이온 에너지를 증가시킴으로써 웨이퍼 상의 전하들이 챔버 측으로 방전되는 효율이 향상되도록 하여 이후 리피트 핀의 동작시 부양되는 웨이퍼에서의 웨이퍼 스틱킹 및 퍼팅과 이에 따른 웨이퍼 브로큰을 방지하여 공정 효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (17)

  1. 제1 RF 소오스 전력 및 제1 바이어스 전력을 인가하여 플라즈마 처리장치의 챔버 내부의 정전척 상에 정전기력으로 안착된 기판에 소정 공정을 수행하는 공정 수행단계;
    상기 제1 RF 소오스 전력보다 낮은 제2 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키고, 상기 제1 바이어스 전력보다 낮은 제2 바이어스 전력을 공급하여 상기 기판 상에서의 이온 에너지를 증가시켜 상기 기판 상의 전하들이 챔버 내부로 방전되도록 하여 상기 기판이 상기 정전척 상에서 디척킹 되도록 하는 디척킹 단계; 및
    상기 디척킹 단계를 거친 상기 기판을 상기 정전척에 설치된 리프트 핀을 사용하여 부양시킨 후 이송로봇으로 언로딩 하는 언로딩 단계를 포함하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제1 RF 소오스 전력은 1600W 이고, 상기 제1 바이어스 전력은 220W인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제2 RF 소오스 전력은 400W 이고, 상기 제2 바이어스 전력은 20 - 100W 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 소정 공정은 플라즈마 식각 공정이고, 상기 기판에는 질화막이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 식각 단계에서 상기 정전척에는 400V의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 디척킹 단계에서의 반응가스는 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  7. 제1 RF 소오스 전력 및 제1 바이어스 전력을 인가하여 플라즈마 처리장치의 챔버 내부의 정전척 상에 정전기력으로 안착된 기판에 소정 공정을 수행하는 공정 수행단계;
    상기 소정 공정이 수행된 처리장치의 챔버 내부로 소정의 반응가스를 공급하는 단계;
    상기 제1 RF 소오스 전력보다 낮은 제2 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키는 소오스 전력 공급 단계;
    상기 제1 바이어스 전력보다 낮은 제2 바이어스 전력을 공급하여 상기 기판 상에서의 이온 에너지를 증가시키는 바이어스 전력 공급 단계; 및
    상기 기판 상의 전하들이 상기 처리장치의 상기 챔버로 방전되도록 상기 챔버가 방전 스위치에 의해 방전 모드로 전환되는 단계를 포함하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 제1 RF 소오스 전력은 1600W 이고, 상기 제1 바이어스 전력은 220W인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 제2 RF 소오스 전력은 400W 이고, 상기 제2 바이어스 전력은 20 - 100W 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 디척킹 단계에서의 상기 반응가스는 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 소정 공정은 플라즈마 건식 식각 공정이고, 상기 기판 상에는 질화막이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법.
  12. 웨이퍼를 챔버 내부로 이송로봇으로 로딩 하여 처리장치의 챔버 내부에 위치한 정전척 상에 안착시키는 로딩 단계;
    상기 로딩단계를 거쳐 상기 정전척 상에 안착된 상기 웨이퍼를 정전기력으로 척킹 하는 척킹 단계;
    제1 RF 소오스 전력과 제1 바이어스 전력을 인가하여 상기 정전척에 척킹된 상기 웨이퍼의 소정 막질을 플라즈마로 식각하는 식각 단계;
    상기 제1 RF 소오스 전력보다 낮은 제2 RF 소오스 전력을 공급하여 디척킹용 플라즈마를 발생시키고, 상기 제1 바이어스 전력보다 낮은 제2 바이어스 전력을 공급하여 상기 웨이퍼 상에서의 이온 에너지를 증가시켜 상기 웨이퍼 상의 전하들이 상기 챔버로 방전되도록 하여 상기 웨이퍼가 상기 정전척 상에서 디척킹 되도록 하는 디척킹 단계; 및
    상기 디척킹 단계를 거친 상기 웨이퍼를 상기 정전척에 설치된 리프트 핀을 사용하여 부양시킨 후 이송장치로 언로딩 하는 언로딩 단계를 포함하는 플라즈마 식각장치의 처리방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제1 RF 소오스 전력은 1600W 이고, 상기 제1 바이어스 전력은 220W인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치의 처리방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 제2 RF 소오스 전력은 400W 이고, 상기 제2 바이어스 전력은 20 - 100W 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치의 처리방법.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 웨이퍼의 소정 막질은 질화막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치의 처리방법.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 식각 단계에서 상기 정전척에는 400V의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치의 처리방법.
  17. 제 12항에 있어서, 상기 디척킹 단계에서의 반응가스는 아르곤 또는 질소 가스 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치의 처리방법.
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