JP2021012985A - 処理方法、載置台、プラズマ処理装置、およびプログラム - Google Patents

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Abstract

【課題】静電チャックの残留吸着力を低減する。【解決手段】処理方法は、測定工程と、算出工程と、第１のプラズマ処理工程とを含む。測定工程では、基板を保持する静電チャックから処理後の基板をリフトピンにより持ち上げる際にリフトピンにかかる荷重値が測定される。算出工程では、測定された荷重値と、静電チャックと基板との間に残留吸着力がない状態において基板をリフトピンにより持ち上げる際にリフトピンにかかる初期荷重値とに基づいて荷重値の変化量が算出される。第１のプラズマ処理工程では、荷重値の変化量が予め定められた第１の閾値以上である場合、静電チャックの表面が第１のプラズマに晒される。【選択図】図４

Description

本開示の種々の側面および実施形態は、処理方法、載置台、プラズマ処理装置、およびプログラムに関する。
半導体ウエハの処理では、例えば静電気力を用いて静電チャック上に保持された半導体ウエハが処理される。半導体ウエハに対する処理が終了した場合、静電チャックに供給される直流電圧が解除されることにより、静電チャックによる静電気力が減少し、リフトピン等により半導体ウエハを静電チャックから持ち上げることができる。
ところで、複数の半導体ウエハに対する処理が行われる過程で、静電チャックに絶縁体の反応副生成物（いわゆるデポ）が堆積する。静電チャックに堆積したデポは、静電チャックに供給された電荷によって帯電し、静電チャックに供給される直流電圧が解除されても、デポに帯電した電荷が残存する場合がある。デポが帯電していると、半導体ウエハとの間に静電気力に応じた吸着力が残存する。
静電チャックと半導体ウエハとの間に吸着力が残存していると、リフトピンにより半導体ウエハを持ち上げる際に、半導体ウエハと静電チャックとの間で擦れが起こる場合がある。半導体ウエハと静電チャックとが擦れると、静電チャックに付着しているデポがパーティクルとなって飛散し、半導体ウエハを汚染する。また、残留吸着力が大きい場合には、半導体ウエハが跳ね上がったり、割れたりする場合もある。
これを防止するために、例えば、プラズマ処理後に静電チャックへの供給電圧をオフにし、その後に静電チャックの電極から流れる電流とリフトピンに加わるトルクとの相関関係から、静電チャックの電極に供給するカウンタ電圧を算出する技術が知られている。この技術では、処理室内にガスを導入してプラズマを生成させながら、カウンタ電圧を静電チャックに供給することで、静電チャックの残留電荷を低減することができる。
特開２０１３−１６１８９９号公報
本開示は、静電チャックの残留吸着力を低減することができる処理方法、載置台、プラズマ処理装置、およびプログラムを提供する。
本開示の一側面は、処理方法であって、測定工程と、算出工程と、第１のプラズマ処理工程とを含む。測定工程では、基板を保持する静電チャックから処理後の基板をリフトピンにより持ち上げる際にリフトピンにかかる荷重値が測定される。算出工程では、測定された荷重値と、静電チャックと基板との間に残留吸着力がない状態において基板をリフトピンにより持ち上げる際にリフトピンにかかる初期荷重値とに基づいて荷重値の変化量が算出される。第１のプラズマ処理工程では、荷重値の変化量が予め定められた第１の閾値以上である場合、静電チャックの表面が第１のプラズマに晒される。
本開示の種々の側面および実施形態によれば、静電チャックの残留吸着力を低減することができる。
図１は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す縦断面図である。 図２は、リフトピンの先端付近の構成の一例を示す拡大断面図である。 図３は、制御装置の機能構成の一例を示すブロック図である。 図４は、残留吸着力低減方法の一例を示すフローチャートである。 図５は、制御装置の機能を実現する計算機のハードウェアの一例を示す図である。
以下に、開示される処理方法、載置台、プラズマ処理装置、およびプログラムの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される処理方法、載置台、プラズマ処理装置、およびプログラムが限定されるものではない。
ところで、プラズマ処理が行われた後に静電チャックに残留する吸着力は、静電気力に起因する吸着力だけではない。例えば、特定の元素を含むデポが静電チャックに堆積した場合、デポに含まれる元素と静電チャック上に配置された半導体ウエハに含まれる元素とが分子間力により結合する場合がある。例えば、静電チャックに堆積したデポにフッ素が含まれている場合、フッ素の未結合手と、半導体ウエハに含まれているシリコンの未結合手とが結合する場合がある。
静電チャックに堆積したデポと半導体ウエハとが分子間力により結合した場合、デポの電荷が低減されたとしても、分子間力に基づく静電チャックと半導体ウエハとの間の吸着力は低減されない。複数の半導体ウエハに対する処理が行われると、静電チャックに堆積するデポの量が多くなり、デポに含まれるフッ素の未結合手が多くなる。そのため、静電チャックと半導体ウエハとの間で分子間力に基づく吸着力が増加する。
静電チャックと半導体ウエハとの間の吸着力が大きくなると半導体ウエハの跳ね上がりや割れ等が発生する。半導体ウエハの割れ等が観測された場合に、静電チャックのクリーニングを行うことにより、静電チャックと半導体ウエハとの間の残留吸着力を低減することも考えられる。しかし、割れ等が観測された半導体ウエハは不良品となってしまい、半導体ウエハを無駄に消費してしまうことになる。そのため、半導体ウエハの割れ等が観測される前に、静電チャックの残留吸着力を低減する方法が求められている。
そこで、本開示は、静電チャックの残留吸着力を低減することができる技術を提供する。
［プラズマ処理装置１の構成］
図１は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置１の一例を示す縦断面図である。本実施形態におけるプラズマ処理装置１は、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型のプラズマ処理装置として構成されている。プラズマ処理装置１は、本体１００および制御装置２００を備える。
本体１００は、例えばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属により略円筒形状に形成された処理容器１０を有する。処理容器１０は接地されている。処理容器１０内では、基板の一例である半導体ウエハＷに対してエッチング処理等のプラズマ処理が施される。
処理容器１０内には、半導体ウエハＷを載置する載置台１１が設けられている。載置台１１は、基台１２、静電チャック４０、複数のリフトピン８１、荷重センサ８４、および駆動部８５を有する。基台１２は、例えばアルミニウム等によって構成され、絶縁性の筒状保持部１４を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１６によって支持されている。基台１２の上面には、静電チャック４０が配置されている。筒状保持部１４の上面には、静電チャック４０の周囲を囲むように、例えばシリコンからなるエッジリング１８が配置されている。エッジリング１８は、フォーカスリングと呼ばれることもある。
処理容器１０の内側壁と筒状支持部１６の外側壁との間には排気路２０が形成されている。排気路２０には、環状のバッフル板２２が取り付けられている。排気路２０の底部には、排気口２４が形成されている。排気口２４には、排気管２６を介して排気装置２８が接続されている。排気装置２８は、図示しない真空ポンプを有しており、処理容器１０内を所望の真空度まで減圧することができる。処理容器１０の側壁には、半導体ウエハＷの搬入および搬出時に開閉するゲートバルブ３０が設けられている。
基台１２には、給電棒３６および整合器３４を介して、プラズマ生成用の高周波電源３２が電気的に接続されている。高周波電源３２は、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を基台１２に供給する。基台１２は下部電極としても機能する。処理容器１０の天井部には、シャワーヘッド３８が設けられている。シャワーヘッド３８は、基台１２に対向する上部電極としても機能する。
基台１２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック４０が設けられている。静電チャック４０は、導電膜からなる電極４０ａが一対の絶縁層または絶縁シートの間に挟み込まれた構造である。電極４０ａには、スイッチ４３を介して直流電源４２が接続されている。スイッチ４３は、電極４０ａと、直流電源４２または接地電位との接続を切り替える。電極４０ａに直流電源４２が接続された場合、直流電源４２からの電圧が電極４０ａに供給され、電極４０ａの表面に静電気力が発生する。そして、静電気力により、静電チャック４０上に配置された半導体ウエハＷが静電チャック４０の上面に吸着保持される。
また、半導体ウエハＷに対するプラズマ処理が終了した場合、電極４０ａは、スイッチ４３によって接地電位に接続され、電極４０ａに残留している電荷が逃がされる。しかし、半導体ウエハＷには、プラズマ処理の過程で電荷が残留し、電極４０ａが接地電位に接続されても、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの吸着力が減少しない場合がある。
また、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に特定の元素を含むデポが堆積した場合、デポに含まれる元素と半導体ウエハＷに含まれる元素とが分子間力により結合する場合がある。例えば、静電チャック４０に堆積したデポにフッ素が含まれている場合、フッ素の未結合手と、半導体ウエハＷに含まれているシリコンの未結合手とが結合する場合がある。デポに含まれる元素の未結合手と半導体ウエハＷに含まれる元素の未結合手とが結合した場合、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に分子間力に基づく吸着力が発生する。半導体ウエハＷに対するプラズマ処理が繰り返されると、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に堆積するデポが増加し、分子間力に基づく静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の吸着力が増加する。
静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留している吸着力が大きくなると、後述するリフトピン８１によって処理後の半導体ウエハＷを持ち上げる際、半導体ウエハＷが跳ね上がったり、破損したりする場合がある。半導体ウエハＷが跳ね上がると、半導体ウエハＷの位置が予め定められた位置からずれたり、反応副生成物が処理容器１０内で舞い上がり、半導体ウエハＷに付着する場合がある。そこで、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の残留吸着力が大きい場合には、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の残留吸着力を低減する処理が実行される。静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の残留吸着力を低減する処理については、後述する。
基台１２および静電チャック４０には、ＨｅガスやＡｒガス等の伝熱ガスを半導体ウエハＷと静電チャック４０との間に供給するための配管５４が設けられている。半導体ウエハＷと静電チャック４０との間に供給される伝熱ガスの圧力を制御することにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の熱の伝達率を制御することができる。
シャワーヘッド３８は、電極板５６および電極支持体５８を有する。電極板５６には、電極板５６の厚さ方向に貫通する複数のガス穴５６ａが形成されている。電極支持体５８は、電極板５６を着脱可能に支持する。電極支持体５８の内部にはバッファ室６５が設けられている。電極支持体５８の上部には、バッファ室６５に連通するガス導入口６５ａが設けられている。ガス導入口６５ａには、配管６４を介してガス供給機構６０が接続されている。
ガス供給機構６０は、ガス供給源６１ａ〜６１ｄ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６２ａ〜６２ｄ、およびバルブ６３ａ〜６３ｄを有する。ガス供給源６１ａは、例えばエッチング用の処理ガスの供給源である。ガス供給源６１ｂは、例えば窒素ガスの供給源である。ガス供給源６１ｃは、例えば酸素ガスの供給源である。ガス供給源６１ｄは、例えばＣＦ４ガスの供給源である。
ＭＦＣ６２ａは、ガス供給源６１ａから供給された処理ガスの流量を制御し、流量が制御された処理ガスを、バルブ６３ａおよび配管６４を介してシャワーヘッド３８に供給する。ＭＦＣ６２ｂは、ガス供給源６１ｂから供給された窒素ガスの流量を制御し、流量が制御された窒素ガスを、バルブ６３ｂおよび配管６４を介してシャワーヘッド３８に供給する。ＭＦＣ６２ｃは、ガス供給源６１ｃから供給された酸素ガスの流量を制御し、流量が制御された酸素ガスを、バルブ６３ｃおよび配管６４を介してシャワーヘッド３８に供給する。ＭＦＣ６２ｄは、ガス供給源６１ｄから供給されたＣＦ４ガスの流量を制御し、流量が制御されたＣＦ４ガスを、バルブ６３ｄおよび配管６４を介してシャワーヘッド３８に供給する。
配管６４を介してシャワーヘッド３８に供給されたガスは、バッファ室６５内を拡散し、電極板５６に形成されたガス穴５６ａを介して、シャワーヘッド３８と載置台１１との間の処理空間内にシャワー状に供給される。
基台１２の内部には、外部の図示しない搬送アームとの間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うために半導体ウエハＷを昇降させるリフトピン８１が複数（例えば３本）設けられている。複数のリフトピン８１は、連結部材８２を介して伝えられるモータ等の駆動部８５の動力により、静電チャック４０を貫通して昇降する。連結部材８２と駆動部８５の間には、リフトピン８１により半導体ウエハＷを押し上げる際にそれぞれのリフトピン８１にかかる荷重値を測定する荷重センサ８４が設けられている。荷重センサ８４は、第１のセンサの一例である。荷重センサ８４は、例えばロードセルである。それぞれのリフトピン８１の下部には、ベローズ８３が設けられている。これにより、処理容器１０内の真空側と大気側との間の気密が維持される。
図２は、リフトピン８１の先端付近の構成の一例を示す拡大断面図である。リフトピン８１の先端には、半導体ウエハＷの帯電量を測定するための帯電量センサ８１０が設けられている。帯電量センサ８１０は、処理後の半導体ウエハＷがリフトピン８１によって押し上げられる際に、半導体ウエハＷの帯電量を測定し、測定結果を制御装置２００へ出力する。帯電量センサ８１０は、第２のセンサの一例である。
本実施形態において、帯電量センサ８１０は、複数のリフトピン８１のいずれかの先端に設けられている。なお、帯電量センサ８１０は、それぞれのリフトピン８１の先端に設けられてもよい。帯電量センサ８１０がそれぞれのリフトピン８１の先端に設けられる場合、制御装置２００は、それぞれの帯電量センサ８１０によって測定された帯電量の最大値または平均値を帯電量として採用する。また、静電チャック４０が複数のゾーンに分割されており、それぞれのゾーンに電極４０ａが１つずつ配置されている場合、帯電量センサ８１０は、それぞれのゾーンに少なくとも１つ配置されることが好ましい。この場合も、制御装置２００は、それぞれの帯電量センサ８１０によって測定された帯電量の最大値または平均値を帯電量として採用する。
処理容器１０の周囲には、環状または同心状に延在する磁石６６が配置されている。処理容器１０内において、シャワーヘッド３８と載置台１１との間の処理空間には、高周波電源３２により鉛直方向のＲＦ電界が形成され、半導体ウエハＷの表面近傍に所望のガスによる高密度のプラズマが生成される。
基台１２の内部には、冷媒が流れる流路７０が形成されている。流路７０には、配管７２および配管７３を介して図示しないチラーユニットから温度制御された冷媒が循環供給される。また、静電チャック４０の内部にはヒータ７５が埋設されている。ヒータ７５には図示しない交流電源から所望の交流電圧が印加される。流路７０内を循環する冷媒による冷却とヒータ７５による加熱とによって静電チャック４０上の半導体ウエハＷの温度が所望の温度に調整される。なお、ヒータ７５は設けられていなくてもよい。また、ヒータ７５は、静電チャック４０と基台１２との間に設けられてもよい。
制御装置２００は、本体１００の各部を制御する。制御装置２００は、例えばガス供給機構６０、排気装置２８、ヒータ７５、直流電源４２、スイッチ４３、整合器３４、高周波電源３２、駆動部８５、およびチラーユニット等を制御する。
このようなプラズマ処理装置１において、半導体ウエハＷに対してエッチング等のプラズマ処理が行われる際には、まずゲートバルブ３０が開けられ、図示しない搬送アーム上に保持された半導体ウエハＷが処理容器１０内に搬入される。そして、静電チャック４０の表面から突出したリフトピン８１により搬送アームから半導体ウエハＷが持ち上げられ、半導体ウエハＷが搬送アームからリフトピン８１に受け渡される。そして、搬送アームが処理容器１０の外へ退避した後に、リフトピン８１が下降することにより、半導体ウエハＷが静電チャック４０上に載置される。そして、ゲートバルブ３０が閉じられる。
次に、直流電源４２から電極４０ａに直流電圧が供給され、半導体ウエハＷが静電チャック４０の上面に吸着保持される。そして、排気装置２８により処理容器１０内のガスが排気され、ガス供給機構６０からエッチング用の処理ガスが所定の流量で処理容器１０内に供給され、処理容器１０内の圧力が調整される。そして、半導体ウエハＷと静電チャック４０との間に伝熱ガスが供給される。そして、高周波電源３２から所定の高周波電力が基台１２に供給される。シャワーヘッド３８からシャワー状に導入されたエッチング用の処理ガスは、高周波電源３２から供給された高周波電力によりプラズマ化される。これにより、シャワーヘッド３８と基台１２との間の処理空間においてプラズマが生成され、生成されたプラズマに含まれるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷがエッチングされる。
プラズマ処理が終了した後、静電チャック４０から半導体ウエハＷを離脱させる際には、伝熱ガスの供給が停止され、静電チャック４０の電極４０ａへの電圧の供給が停止される。そして、リフトピン８１が上昇することにより、半導体ウエハＷが静電チャック４０から持ち上げられる。そして、ゲートバルブ３０が開かれ、図示しない搬送アームに半導体ウエハＷが受け渡され、半導体ウエハＷが処理容器１０内から搬出される。
ここで、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが持ち上げられる際に、荷重センサ８４によってリフトピン８１にかかる荷重値Ｌが測定され、帯電量センサ８１０によって半導体ウエハＷの帯電量Ｑが測定される。そして、測定された荷重値Ｌおよび帯電量Ｑが制御装置２００へ出力される。
［制御装置２００の構成］
図３は、制御装置２００の機能構成の一例を示すブロック図である。制御装置２００は、取得部２０１、判定部２０２、ＤＢ（Data Base）２０３、およびプロセス制御部２０４を有する。
ＤＢ２０３には、初期荷重値Ｌ0、初期帯電量Ｑ0、荷重閾値Ｌth、および帯電閾値Ｑthが格納される。初期荷重値Ｌ0は、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留吸着力がない状態において半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる荷重値である。初期荷重値Ｌ0は、例えば、プロセスが実行される前に、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが押し上げられた際に荷重センサ８４によって測定される。
初期帯電量Ｑ0は、半導体ウエハＷが帯電していない状態において帯電量センサ８１０により測定された半導体ウエハＷの帯電量である。初期帯電量Ｑ0は、例えば、プロセスが実行される前に、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが押し上げられた際に帯電量センサ８１０によって測定される。
荷重閾値Ｌthは、初期荷重値Ｌ0から、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが押し上げられた際に半導体ウエハＷが跳ね上がったり割れたりする荷重値までの荷重値の変化量よりも小さい値である。荷重閾値Ｌthは、第１の閾値の一例である。帯電閾値Ｑthは、初期帯電量Ｑ0から、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが押し上げられた際に半導体ウエハＷが跳ね上がったり割れたりする帯電量までの帯電量の変化量よりも小さい値である。
荷重閾値Ｌthは、例えば０．５［ｋｇｆ］のような値に設定される。また、帯電閾値Ｑthは、例えば０．５μ［Ｃ］のような値に設定される。なお、ＤＢ２０３内には、各レシピのデータも予め格納されている。
取得部２０１は、プロセスが実行される前に、荷重センサ８４によって測定された荷重値Ｌを取得し、取得した荷重値Ｌを、初期荷重値Ｌ0としてＤＢ２０３に格納する。また、取得部２０１は、プロセスが実行される前に、帯電量センサ８１０によって測定された帯電量Ｑを取得し、取得した帯電量Ｑを、初期帯電量Ｑ0としてＤＢ２０３に格納する。また、取得部２０１は、プラズマ処理の実行後に荷重センサ８４によって測定された荷重値Ｌを取得し、取得した荷重値Ｌを判定部２０２へ出力する。また、取得部２０１は、プラズマ処理に実行後に帯電量センサ８１０によって測定された帯電量Ｑを取得し、取得した帯電量Ｑを判定部２０２へ出力する。
判定部２０２は、取得部２０１から荷重値Ｌおよび帯電量Ｑが出力された場合、初期荷重値Ｌ0、荷重閾値Ｌth、初期帯電量Ｑ0、および帯電閾値ＱthをＤＢ２０３から取得する。そして、判定部２０２は、帯電量Ｑから初期帯電量Ｑ0を引いた値である帯電量Ｑの変化量ΔＱの値が、帯電閾値Ｑthより大きいか否かを判定する。変化量ΔＱの値が帯電閾値Ｑth以下である場合、判定部２０２は、荷重値Ｌから初期荷重値Ｌ0を引いた値である荷重値Ｌの変化量ΔＬの値が、荷重閾値Ｌthより大きいか否かを判定する。変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きい場合、即ち、帯電量Ｑがそれほど大きくないにもかかわらず荷重値Ｌが大きい場合、判定部２０２は、プラズマ処理Ａの実行をプロセス制御部２０４に指示する。
プラズマ処理Ａとは、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に堆積したデポに含まれる特定の元素の未結合手と半導体ウエハＷの元素の未結合手との結合に基づく吸着力を低減するための処理である。プラズマ処理Ａでは、半導体ウエハＷが搬出された後に、処理容器１０内にプラズマが生成され、プラズマに含まれる元素によって、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に堆積したデポに含まれる元素の未結合手が終端される。例えば、プラズマに含まれる窒素原子によってデポに含まれるフッ素の未結合手が終端される。これにより、分子間力に基づく静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の吸着力が低減される。
プラズマ処理Ａは、窒素含有ガスをプラズマ化することにより生成された第１のプラズマを用いるプラズマ処理であり、例えば下記の条件で行われる。
ガス種：窒素ガス
流量：３００ｓｃｃｍ
時間：１０秒
一方、変化量ΔＱの値が帯電閾値Ｑthより大きい場合、判定部２０２は、変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きいか否かを判定する。変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌth以下である場合、即ち、帯電量Ｑは大きいが荷重値Ｌがそれほど大きくない場合、判定部２０２は、プラズマ処理Ｂの実行をプロセス制御部２０４に指示する。
プラズマ処理Ｂとは、プラズマ処理の過程で静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に堆積したデポに帯電する電荷に基づく吸着力を低減するための処理である。プラズマ処理Ｂでは、半導体ウエハＷが搬出された後に、処理容器１０内にプラズマが生成され、プラズマに含まれるイオンや電子によって、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に堆積したデポに帯電した電荷が除去される。これにより、デポの帯電による静電気力に基づく静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間の吸着力が低減される。
プラズマ処理Ｂは、酸素またはアルゴンを含むガスをプラズマ化することにより生成される第２のプラズマを用いたプラズマ処理であり、例えば下記の条件で行われる。
ガス種：酸素ガスおよびＣＦ４ガス
流量：酸素ガス＝１３５０ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガス＝１５０ｓｃｃｍ
時間：２５秒
なお、荷重値Ｌがそれほど大きくない場合には、吸着力の低減という観点では、必ずしもプラズマ処理Ｂが実行される必要はない。しかし、デポの帯電量Ｑが大きい場合には、静電チャック４０から半導体ウエハＷが持ち上げられる際に、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間で放電が発生し、静電チャック４０や半導体ウエハＷ等にダメージが生じる場合がある。また、デポの帯電量Ｑが大きい場合には、半導体ウエハＷもデポと逆の極性で帯電する。そのため、処理容器１０内のパーティクルが半導体ウエハＷに引き寄せられ、パーティクルにより半導体ウエハＷが汚染される場合がる。そこで、荷重値Ｌがそれほど大きくない場合であっても、帯電量Ｑは大きい場合には、プラズマ処理Ｂが実行されることで、デポの帯電量Ｑが低減される。
なお、プラズマ処理Ｂは、ＣＦ４ガスを用いず、６５０ｓｃｃｍの酸素ガスをプラズマ化する処理であってもよい。また、プラズマ処理Ｂは、ＣＦ４ガスおよび酸素ガスを用いず、１０００ｓｃｃｍのアルゴンガスをプラズマ化する処理であってもよい。アルゴンガスを用いる場合の処理時間は、例えば１０秒である。
一方、変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きい場合、即ち、帯電量Ｑも荷重値Ｌも大きい場合、判定部２０２は、プラズマ処理Ｃの実行をプロセス制御部２０４に指示する。プラズマ処理Ｃとは、デポによる分子間力に基づく吸着力と、デポの帯電による静電気力に基づく吸着力とを低減する処理である。本実施形態におけるプラズマ処理Ｃは、例えば、前述のプラズマ処理Ａとプラズマ処理Ｂとをそれぞれ実行する処理である。プラズマ処理Ｃでは、プラズマ処理Ａが実行された後にプラズマ処理Ｂが実行される。なお、プラズマ処理Ｃでは、プラズマ処理Ｂが実行された後にプラズマ処理Ａが実行されてもよい。これにより、デポに含まれる元素の未結合手の終端およびデポに帯電した電荷の除去を両立することができる。
プロセス制御部２０４は、ＤＢ２０３に格納されたレシピに基づいて、本体１００の各部を制御することにより、本体１００にレシピに規定されたプラズマ処理を実行させる。また、プロセス制御部２０４は、判定部２０２からプラス間処理Ａ、Ｂ、またはＣの実行を指示された場合、対応するレシピをＤＢ２０３から読み出し、読み出されたレシピに従って本体１００の各部を制御する。
［残留吸着力低減方法］
図４は、残留吸着力低減方法の一例を示すフローチャートである。図４に例示される残留吸着力低減方法は、制御装置２００の制御に従って本体１００が動作することにより実現される。残留吸着力低減方法は、処理方法の一例である。なお、図４に例示された処理が実行される前に、ダミーウエハ等を用いて、荷重センサ８４によってリフトピン８１にかかる初期荷重値Ｌ0が測定され、帯電量センサ８１０によって半導体ウエハＷの初期帯電量Ｑ0が測定される。そして、制御装置２００の取得部２０１は、測定された初期荷重値Ｌ0および初期帯電量Ｑ0を取得し、ＤＢ２０３内に格納する。
まず、半導体ウエハＷが処理容器１０内に搬入される（Ｓ１０）。ステップＳ１０では、ゲートバルブ３０が開けられ、図示しない搬送アーム上に保持された半導体ウエハＷが処理容器１０内に搬入される。そして、静電チャック４０の表面から突出したリフトピン８１により搬送アームから半導体ウエハＷが持ち上げられ、半導体ウエハＷが搬送アームからリフトピン８１に受け渡される。そして、搬送アームが処理容器１０の外へ退避した後に、リフトピン８１が下降することにより、半導体ウエハＷが静電チャック４０上に載置される。そして、ゲートバルブ３０が閉じられる。そして、直流電源４２から電極４０ａに直流電圧が供給され、半導体ウエハＷが静電チャック４０の上面に吸着保持される。
次に、処理容器１０内に搬入された半導体ウエハＷに対してエッチング等のプラズマ処理が施される（Ｓ１１）。ステップＳ１１では、排気装置２８により処理容器１０内のガスが排気され、ガス供給機構６０からエッチング用の処理ガスが所定の流量で処理容器１０内に供給され、処理容器１０内の圧力が調整される。そして、半導体ウエハＷと静電チャック４０との間に伝熱ガスが供給される。そして、高周波電源３２から所定の高周波電力が基台１２に供給される。シャワーヘッド３８からシャワー状に導入されたエッチング用の処理ガスは、高周波電源３２から供給された高周波電力によりプラズマ化される。これにより、シャワーヘッド３８と基台１２との間の処理空間においてプラズマが生成され、生成されたプラズマに含まれるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷがエッチング等のプラズマ処理が施される。
次に、プラズマ処理が施された半導体ウエハＷが処理容器１０内から搬出される（Ｓ１２）。ステップＳ１２では、伝熱ガスの供給が停止され、静電チャック４０の電極４０ａへの電圧の供給が停止される。そして、リフトピン８１が上昇することにより、半導体ウエハＷが静電チャック４０から持ち上げられる。この時、荷重センサ８４によってリフトピン８１にかかる荷重値Ｌが測定され、帯電量センサ８１０によって半導体ウエハＷの帯電量Ｑが測定される。そして、ゲートバルブ３０が開かれ、処理容器１０内に進入した図示しない搬送アームに半導体ウエハＷが受け渡され、半導体ウエハＷが処理容器１０内から搬出される。ステップＳ１２は、第１の測定工程および第２の測定工程の一例である。
次に、荷重センサ８４によって測定された荷重値Ｌ、および、帯電量センサ８１０によって測定された帯電量Ｑが制御装置２００へ出力される。制御装置２００の取得部２０１は、測定された荷重値Ｌおよび帯電量Ｑを取得する（Ｓ１３）。そして、取得部２０１は、取得された荷重値Ｌおよび帯電量Ｑを判定部２０２へ出力する。
次に、判定部２０２は、変化量ΔＱおよびΔＬを算出する（Ｓ１４）。例えば、判定部２０２は、取得部２０１から荷重値Ｌおよび帯電量Ｑが出力された場合、初期荷重値Ｌ0、荷重閾値Ｌth、初期帯電量Ｑ0、および帯電閾値ＱthをＤＢ２０３から取得する。そして、判定部２０２は、帯電量Ｑから初期帯電量Ｑ0を引いた値を帯電量Ｑの変化量ΔＱとして算出し、荷重値Ｌから初期荷重値Ｌ0を引いた値を荷重値Ｌの変化量ΔＬとして算出する。ステップＳ１４は、第１の算出工程および第２の算出工程の一例である。
次に、判定部２０２は、変化量ΔＱの値が帯電閾値Ｑthより大きいか否かを判定する（Ｓ１５）。変化量ΔＱの値が帯電閾値Ｑth以下である場合（Ｓ１５：Ｎｏ）、判定部２０２は、変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きいか否かを判定する（Ｓ１６）。変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌth以下である場合（Ｓ１６：Ｎｏ）、即ち、帯電量Ｑも荷重値Ｌもそれほど大きくない場合、ステップＳ２１に示される処理が実行される。
一方、変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きい場合（Ｓ１６：Ｙｅｓ）、帯電量Ｑがそれほど大きくないにもかかわらず荷重値Ｌが大きい場合、判定部２０２は、プラズマ処理Ａの実行をプロセス制御部２０４に指示する。プロセス制御部２０４は、プラズマ処理Ａに対応するレシピをＤＢ２０３から読み出し、読み出されたレシピに従って本体１００の各部を制御することにより、プラズマ処理Ａを実行する（Ｓ１７）。プラズマ処理Ａは、第１のプラズマ処理工程の一例である。そして、ステップＳ２１に示される処理が実行される。
一方、変化量ΔＱの値が帯電閾値Ｑthより大きい場合（Ｓ１５：Ｙｅｓ）、判定部２０２は、変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きいか否かを判定する（Ｓ１８）。変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌth以下である場合（Ｓ１８：Ｎｏ）、即ち、帯電量Ｑは大きいが荷重値Ｌがそれほど大きくない場合、判定部２０２は、プラズマ処理Ｂの実行をプロセス制御部２０４に指示する。プロセス制御部２０４は、プラズマ処理Ｂに対応するレシピをＤＢ２０３から読み出し、読み出されたレシピに従って本体１００の各部を制御することにより、プラズマ処理Ｂを実行する（Ｓ１９）。プラズマ処理Ｂは、第２のプラズマ処理工程の一例である。そして、ステップＳ２１に示される処理が実行される。
一方、変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きい場合（Ｓ１８：Ｙｅｓ）、即ち、帯電量Ｑも荷重値Ｌも大きい場合、判定部２０２は、プラズマ処理Ｃの実行をプロセス制御部２０４に指示する。プロセス制御部２０４は、プラズマ処理Ｃに対応するレシピをＤＢ２０３から読み出し、読み出されたレシピに従って本体１００の各部を制御することにより、プラズマ処理Ｃを実行する（Ｓ２０）。
そして、プロセス制御部２０４は、プロセスを終了するか否かを判定する（Ｓ２１）。プロセスを続行する場合（Ｓ２１：Ｎｏ）、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。一方、プロセスを終了する場合（Ｓ２１：Ｙｅｓ）、本フローチャートに示された残留吸着力低減方法は終了する。
［ハードウェア］
制御装置２００は、例えば図５に示されるような構成の計算機９０により実現される。図５は、制御装置２００の機能を実現する計算機９０の一例を示す図である。計算機９０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＡＭ（Random Access Memory）９２、ＲＯＭ（Read Only Memory）９３、補助記憶装置９４、通信Ｉ／Ｆ（インターフェイス）９５、入出力Ｉ／Ｆ９６、およびメディアＩ／Ｆ９７を備える。
ＣＰＵ９１は、ＲＯＭ９３または補助記憶装置９４に格納されたプログラムに基づいて動作し、各部の制御を行う。ＲＯＭ９３は、計算機９０の起動時にＣＰＵ９１によって実行されるブートプログラムや、計算機９０のハードウェアに依存するプログラム等を格納する。
補助記憶装置９４は、例えばＨＤＤ（Hard Disk Drive）またはＳＳＤ（Solid State Drive）等であり、ＣＰＵ９１によって実行されるプログラムおよび当該プログラムによって使用されるデータ等を格納する。ＣＰＵ９１は、当該プログラムを、補助記憶装置９４から読み出してＲＡＭ９２上にロードし、ロードしたプログラムを実行する。
通信Ｉ／Ｆ９５は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介して本体１００との間で通信を行う。通信Ｉ／Ｆ９５は、通信回線を介して本体１００からデータを受信してＣＰＵ９１へ送り、ＣＰＵ９１が生成したデータを、通信回線を介して本体１００へ送信する。
ＣＰＵ９１は、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して、キーボード等の入力装置およびディスプレイ等の出力装置を制御する。ＣＰＵ９１は、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して、入力装置から入力された信号を取得してＣＰＵ９１へ送る。また、ＣＰＵ９１は、生成したデータを、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して出力装置へ出力する。
メディアＩ／Ｆ９７は、記録媒体９８に格納されたプログラムまたはデータを読み取り、補助記憶装置９４に格納する。記録媒体９８は、例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＰＤ（Phase change rewritable Disk）等の光学記録媒体、ＭＯ（Magneto-Optical disk）等の光磁気記録媒体、テープ媒体、磁気記録媒体、または半導体メモリ等である。
ＣＰＵ９１は、ＲＡＭ９２上にロードされたプログラムを実行することにより、取得部２０１、判定部２０２、およびプロセス制御部２０４の各機能を実現する。また、補助記憶装置９４には、ＤＢ２０３内のデータが格納される。
ＣＰＵ９１は、記録媒体９８から読み取って補助記憶装置９４に格納されたプログラムを実行するが、他の例として、ＣＰＵ９１は、他の装置から、通信回線を介してプログラムを取得し、取得されたプログラムを実行してもよい。
以上、一実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における処理方法は、第１の測定工程と、第１の算出工程と、第１のプラズマ処理工程とを含む。第１の測定工程では、半導体ウエハＷを保持する静電チャック４０から処理後の半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる荷重値Ｌが測定される。第１の算出工程では、測定された荷重値Ｌと、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留吸着力がない状態において半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる初期荷重値Ｌ0とに基づき荷重値Ｌの変化量ΔＬが算出される。第１のプラズマ処理工程では、荷重値Ｌの変化量ΔＬが予め定められた荷重閾値Ｌth以上である場合、静電チャック４０の表面が第１のプラズマに晒される。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する分子間力に基づく吸着力を低減することができる。
また、上記した実施形態において、荷重閾値Ｌthは、初期荷重値Ｌ0から、リフトピン８１によって持ち上げられるときに半導体ウエハＷが跳ね上がる際にリフトピン８１にかかる荷重値Ｌまでの変化量より小さい値である。これにより、リフトピン８１によって持ち上げられるときに残留吸着力によって半導体ウエハＷが跳ね上がることを防止することができる。
また、上記した実施形態において、第１のプラズマは、窒素含有ガスをプラズマ化することにより生成されたプラズマである。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する分子間力に基づく吸着力を低減することができる。
また、上記した実施形態における処理方法は、第２の測定工程と、第２の算出工程と、第２のプラズマ処理工程とを含む。第２の測定工程では、静電チャック４０から処理後の半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際に、半導体ウエハＷに接触する側のリフトピン８１の先端に設けられた帯電量センサ８１０により半導体ウエハＷの帯電量Ｑが測定される。第２の算出工程では、測定された帯電量Ｑと、半導体ウエハＷが帯電していない状態において帯電量センサ８１０により測定された初期帯電量Ｑ0とに基づいて帯電量Ｑの変化量ΔＱが算出される。第２のプラズマ処理工程では、帯電量Ｑの変化量ΔＱが予め定められた帯電閾値Ｑth以上である場合に、静電チャック４０の表面が第２のプラズマに晒される。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する静電気力に基づく吸着力を低減することができる。
また、上記した実施形態において、第２のプラズマは、酸素またはアルゴンを含むガスをプラズマ化することにより生成されたプラズマである。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する静電気力に基づく吸着力を低減することができる。
また、上記した実施形態における載置台１１は、静電チャック４０と、リフトピン８１と、荷重センサ８４と、駆動部８５とを備える。静電チャック４０は、半導体ウエハＷを保持する。リフトピン８１は、静電チャック４０を貫通し、静電チャック４０に保持された半導体ウエハＷを静電チャック４０から持ち上げる。駆動部８５は、リフトピン８１を昇降させる。荷重センサ８４は、静電チャック４０から半導体ウエハＷが持ち上げられる際に、リフトピン８１にかかる荷重値を測定する。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する分子間力に基づく吸着力の増加を検出することができる。
また、上記した実施形態において、半導体ウエハＷに接触する側のリフトピン８１の先端には、半導体ウエハＷの帯電量を測定する帯電量センサ８１０が設けられている。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する静電気力に基づく吸着力の増加を検出することができる。
また、上記した実施形態におけるプラズマ処理装置１は、処理容器１０と、静電チャック４０と、リフトピン８１と、荷重センサ８４と、駆動部８５と、制御装置２００とを備える。静電チャック４０は、処理容器１０内に設けられ、半導体ウエハＷを保持する。リフトピン８１は、静電チャック４０を貫通し、静電チャック４０に保持された半導体ウエハＷを静電チャック４０から持ち上げる。駆動部８５は、リフトピンを昇降させる。荷重センサ８４は、静電チャック４０から半導体ウエハＷが持ち上げられる際に、リフトピン８１にかかる荷重値を測定する。制御装置２００は、第１の測定工程と、第１の算出工程と、第１のプラズマ処理工程とを実行する。第１の測定工程では、荷重センサ８４を用いて、半導体ウエハＷを保持する静電チャック４０から処理後の半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる荷重値Ｌが測定される。第１の算出工程では、測定された荷重値Ｌと、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留吸着力がない状態において半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる初期荷重値Ｌ0とに基づき荷重値Ｌの変化量ΔＬが算出される。第１のプラズマ処理工程では、荷重値Ｌの変化量ΔＬが予め定められた荷重閾値Ｌth以上である場合、静電チャック４０の表面が第１のプラズマに晒される。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する分子間力に基づく吸着力を低減することができる。
また、上記した実施形態におけるプログラムは、第１の測定工程と、第１の算出工程と、第１のプラズマ処理工程とをプラズマ処理装置１に実行させる。第１の測定工程では、半導体ウエハＷを保持する静電チャック４０から処理後の半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる荷重値Ｌが測定される。第１の算出工程では、測定された荷重値Ｌと、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留吸着力がない状態において半導体ウエハＷをリフトピン８１により持ち上げる際にリフトピン８１にかかる初期荷重値Ｌ0とに基づき荷重値Ｌの変化量ΔＬが算出される。第１のプラズマ処理工程では、荷重値Ｌの変化量ΔＬが予め定められた荷重閾値Ｌth以上である場合、静電チャック４０の表面が第１のプラズマに晒される。これにより、静電チャック４０と半導体ウエハＷとの間に残留する分子間力に基づく吸着力を低減することができる。
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施形態において、制御装置２００は、荷重値Ｌの変化量ΔＬの値が荷重閾値Ｌthより大きい場合に、プラズマ処理Ａを実行し、帯電量Ｑの変化量ΔＱの値が帯電閾値Ｑthより大きい場合に、プラズマ処理Ｂを実行する。しかし、開示の技術はこれに限られない。例えば、制御装置２００は、荷重値Ｌが荷重閾値Ｌth’より大きい場合に、プラズマ処理Ａを実行し、帯電量Ｑが帯電閾値Ｑth’より大きい場合に、プラズマ処理Ｂを実行してもよい。この場合、荷重閾値Ｌth’は、初期荷重値Ｌ0と、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが押し上げられた際に半導体ウエハＷが跳ね上がったり割れたりする荷重値との間の荷重値である。また、帯電閾値Ｑth’は、初期帯電量Ｑ0と、リフトピン８１によって半導体ウエハＷが押し上げられた際に半導体ウエハＷが跳ね上がったり割れたりする帯電量との間の帯電量である。
また、上記した各実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）を用いて処理を行うプラズマ処理装置１として説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ 半導体ウエハ
１ プラズマ処理装置
１００ 本体
１０ 処理容器
１１ 載置台
３８ シャワーヘッド
４０ 静電チャック
４０ａ 電極
４３ スイッチ
４２ 直流電源
６０ ガス供給機構
８１ リフトピン
８１０ 帯電量センサ
８４ 荷重センサ
８５ 駆動部
２００ 制御装置
２０１ 取得部
２０２ 判定部
２０３ ＤＢ
２０４ プロセス制御部

Claims (9)

  1. 基板を保持する静電チャックから処理後の前記基板をリフトピンにより持ち上げる際に前記リフトピンにかかる荷重値を測定する第１の測定工程と、
    測定された前記荷重値と、前記静電チャックと前記基板との間に残留吸着力がない状態において前記基板を前記リフトピンにより持ち上げる際に前記リフトピンにかかる初期荷重値とに基づいて前記荷重値の変化量を算出する第１の算出工程と、
    前記荷重値の変化量が予め定められた第１の閾値以上である場合に、前記静電チャックの表面を第１のプラズマに晒す第１のプラズマ処理工程と
    を含む処理方法。
  2. 前記第１の閾値は、
    前記初期荷重値から、前記リフトピンによって持ち上げられるときに前記基板が跳ね上がる際に前記リフトピンにかかる荷重値までの変化量より小さい値である請求項１に記載の処理方法。
  3. 前記第１のプラズマは、窒素含有ガスをプラズマ化することにより生成されたプラズマである請求項１または２に記載の処理方法。
  4. 前記静電チャックから処理後の前記基板を前記リフトピンにより持ち上げる際に、前記基板に接触する側の前記リフトピンの先端に設けられたセンサにより前記基板の帯電量を測定する第２の測定工程と、
    測定された前記帯電量と、前記基板が帯電していない状態において前記センサにより測定された初期帯電量とに基づいて前記帯電量の変化量を算出する第２の算出工程と、
    前記帯電量の変化量が予め定められた第２の閾値以上である場合に、前記静電チャックの表面を第２のプラズマに晒す第２のプラズマ処理工程と
    をさらに含む請求項１から３のいずれか一項に記載の処理方法。
  5. 前記第２のプラズマは、酸素またはアルゴンを含むガスをプラズマ化することにより生成されたプラズマである請求項４に記載の処理方法。
  6. 基板を保持する静電チャックと、
    前記静電チャックを貫通し、前記静電チャックに保持された前記基板を前記静電チャックから持ち上げるリフトピンと、
    前記リフトピンを昇降させる駆動部と、
    前記静電チャックから前記基板が持ち上げられる際に、前記リフトピンにかかる荷重値を測定する第１のセンサと
    を備える載置台。
  7. 前記基板に接触する側の前記リフトピンの先端には、前記基板の帯電量を測定する第２のセンサが設けられている請求項６に記載の載置台。
  8. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ、基板を保持する静電チャックと、
    前記静電チャックを貫通し、前記静電チャックに保持された前記基板を前記静電チャックから持ち上げるリフトピンと、
    前記リフトピンを昇降させる駆動部と、
    前記静電チャックから前記基板が持ち上げられる際に、前記リフトピンにかかる荷重値を測定する荷重センサと、
    制御装置と
    を備え、
    前記制御装置は、
    前記静電チャックから処理後の前記基板を前記リフトピンにより持ち上げる際に前記リフトピンにかかる荷重値を前記荷重センサにより測定する第１の測定工程と、
    測定された前記荷重値と、前記静電チャックと前記基板との間に残留吸着力がない状態において前記基板を前記リフトピンにより持ち上げる際に前記リフトピンにかかる初期荷重値とに基づいて前記荷重値の変化量を算出する第１の算出工程と、
    前記荷重値の変化量が予め定められた第１の閾値以上である場合に、前記静電チャックの表面を第１のプラズマに晒す第１のプラズマ処理工程と
    を実行するプラズマ処理装置。
  9. 基板を保持する静電チャックから処理後の前記基板をリフトピンにより持ち上げる際に前記リフトピンにかかる荷重値を測定する第１の測定工程と、
    測定された前記荷重値と、前記静電チャックと前記基板との間に残留吸着力がない状態において前記基板を前記リフトピンにより持ち上げる際に前記リフトピンにかかる初期荷重値とに基づいて前記荷重値の変化量を算出する第１の算出工程と、
    前記荷重値の変化量が予め定められた第１の閾値以上である場合に、前記静電チャックの表面を第１のプラズマに晒す第１のプラズマ処理工程と
    をプラズマ処理装置に実行させるプログラム。
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