JP7480253B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
40 ロードロックチャンバー
50 工程チャンバー
60 制御器
510 ハウジング
520 支持ユニット
530 ガス供給ユニット
550 排気バッフル
560 排気ライン
570 圧力調節ユニット
572、573 開閉部材
575、576、577 昇降部材
578 弾性部材
579 位置センサー
Claims (17)
- 基板を処理する装置において、
基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間内に供給された工程ガスからプラズマを発生させるプラズマソースと、
前記ハウジングに連結され、前記処理空間の雰囲気を排気する排気ラインと、
前記支持ユニットと前記排気ラインとの間に位置し、前記排気ラインから排気される排気圧を調節する圧力調節ユニットと、を含み、
前記圧力調節ユニットは、
前記排気ラインを開閉する開閉部材と、
前記開閉部材を上下方向に移動させる昇降部材と、
前記昇降部材に復元力を提供する弾性部材と、を含み、
前記開閉部材は、
上部から見る時、前記排気ラインを覆うように形成されるベースプレートと、
前記ベースプレートの下端に延長され、前記排気ラインの直径と同一であるか、或いは小さい直径を有する栓部材と、を含み
前記弾性部材は、
前記支持ユニットの下端と前記ベースプレートの上端を連結する、
基板処理装置。 - 前記弾性部材は、複数に提供され、
前記複数の弾性部材は、前記ベースプレートの中心を基準に等間隔に配置される請求項1に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する装置において、
基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間内に供給された工程ガスからプラズマを発生させるプラズマソースと、
前記ハウジングに連結され、前記処理空間の雰囲気を排気する排気ラインと、
前記支持ユニットと前記排気ラインとの間に位置し、前記排気ラインから排気される排気圧を調節する圧力調節ユニットと、を含み、
前記圧力調節ユニットは、
前記排気ラインを開閉する開閉部材と、
前記開閉部材を上下方向に移動させる昇降部材と、
前記昇降部材に復元力を提供する弾性部材と、を含み、
前記昇降部材は、
前記支持ユニットの下端に結合されて内部空間を有し、前記内部空間に流体が貯蔵されるボディーと、
一端が前記開閉部材に結合され、前記内部空間で流体によって上下移動する昇降ロードと、
前記内部空間に前記流体を供給する流体供給部と、を含む基板処理装置。 - 前記装置は、前記昇降部材を制御する制御器をさらに含み、
前記制御器は、
前記内部空間に供給される流体の供給量を調節して前記開閉部材と前記排気ラインの上端との間の相対的高さが変更されるように前記昇降部材を制御する請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記制御器は、
前記開閉部材が下方向に移動する時、前記内部空間に流体を供給するように前記昇降部材を制御し、
前記開閉部材が上方向に移動する時、前記内部空間に流体の供給を中断して前記弾性部材が前記昇降部材に復元力を提供するように前記昇降部材を制御する請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記圧力調節ユニットは、
前記支持ユニットの下端に設置され、前記支持ユニットの下端から前記開閉部材の上端までの高さを測定して前記開閉部材の位置情報を測定する位置センサーをさらに含み、
前記制御器は、
前記位置センサーから測定された前記開閉部材の前記高さに基づいて、前記排気ラインの開放率を算出し、前記開放率に基づいて、前記開閉部材の下端と前記排気ラインの上端との間の相対的高さが変更されるように前記昇降部材を制御する請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記昇降部材は、
前記開閉部材の中央に設置される請求項1乃至請求項6のいずれかの一項に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する装置において、
基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に工程ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記工程ガスからプラズマを励起させるプラズマソースと、
前記ハウジングの下端に連結され、前記処理空間の雰囲気を排気する排気ラインと、
前記支持ユニットと前記排気ラインとの間に位置し、前記排気ラインから排気される排気圧を調節する圧力調節ユニットと、を含み、
前記圧力調節ユニットは、
前記排気ラインを開閉する開閉部材と、
前記開閉部材を上下方向に移動させる昇降部材と、
前記昇降部材に復元力を提供する弾性部材と、を含み、
前記開閉部材は、
上部から見る時、前記排気ラインを覆うように形成されるベースプレートと、
前記ベースプレートの下端に延長され、前記排気ラインの直径と同一であるか、或いは小さい直径を有する栓部材と、を含み、
前記弾性部材は、
前記支持ユニットの下端と前記ベースプレートの上端を連結する基板処理装置。 - 前記弾性部材は、
複数に提供されて前記ベースプレートの中心を基準に等間隔に配置される請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記昇降部材は、
前記支持ユニットの下端に結合されて内部空間を有し、前記内部空間に流体が貯蔵されるボディーと、
一端が前記開閉部材に結合され、前記内部空間で流体によって上下移動する昇降ロードと、
前記内部空間に前記流体を供給する流体供給部と、を含む請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記装置は、前記昇降部材を制御する制御器をさらに含み、
前記圧力調節ユニットは、
前記支持ユニットの下端に設置され、前記支持ユニットの下端から前記開閉部材の上端までの高さを測定して前記開閉部材の位置情報を測定する位置センサーをさらに含み、
前記制御器は、
前記位置センサーから測定された前記開閉部材の前記高さに基づいて、前記排気ラインの開放率を算出し、前記開放率に基づいて、前記開閉部材の下端と前記排気ラインの上端との間の相対的高さが変更されるように前記昇降部材を制御する請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記制御器は、
前記開閉部材が下方向に移動する時、前記内部空間に流体を供給するように前記昇降部材を制御し、
前記開閉部材が上方向に移動する時、前記内部空間に流体の供給を中断して前記弾性部材が前記昇降部材に復元力を提供するように前記昇降部材を制御する請求項11に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する方法において、
基板を処理空間に搬入し、前記処理空間の雰囲気を排気して前記処理空間の内部圧力を調節し、基板に対してプラズマ処理を遂行する工程段階と、
前記工程段階が完了され、基板を前記処理空間から搬出する搬出段階と、
前記処理空間の雰囲気を排気する排気段階と、を含み、
前記工程段階では、
前記処理空間の雰囲気が排気される排気ラインの開放率を調節して前記処理空間の内部圧力を調節し、
前記排気段階では、
前記排気ラインを閉鎖して前記処理空間の雰囲気を排気し、
前記処理空間の雰囲気調節は、圧力調節ユニットによって遂行され、
前記圧力調節ユニットは、
前記排気ラインの開放率を調節する開閉部材と、
流体によって前記開閉部材を上下方向に移動させる昇降部材と、
前記昇降部材に復元力を提供する弾性部材と、を含む基板処理方法。 - 前記工程段階では、
前記昇降部材に供給される流体の供給量を調節して前記開閉部材と前記排気ラインの上端との間の相対的高さを変更させる請求項13に記載の基板処理方法。 - 前記工程段階では、
前記開閉部材が現在位置された高さを測定し、前記高さに基づいて前記排気ラインの開放率を算出し、前記開放率に基づいて前記開閉部材の下端と前記排気ラインの上端との間の相対的高さを変更させる請求項13に記載の基板処理方法。 - 前記工程段階では、
前記処理空間の内部圧力を増加させる時、前記昇降部材に流体を供給して前記開閉部材を下方向に移動させ、
前記処理空間の内部圧力を減少させる時、前記昇降部材に流体の供給量を調節して前記弾性部材が前記昇降部材に復元力を提供して前記開閉部材を上方向に移動させる請求項13に記載の基板処理方法。 - 前記排気段階では、
前記昇降部材に流体の供給を中断し、前記弾性部材が前記昇降部材に復元力を提供して前記開閉部材を上方向に移動させて前記排気ラインを完全開放する請求項13に記載の基板処理方法。
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