JP2700198B2 - Ｌｃｄ基板の処理方法 - Google Patents
Ｌｃｄ基板の処理方法Info
- Publication number
- JP2700198B2 JP2700198B2 JP1165100A JP16510089A JP2700198B2 JP 2700198 B2 JP2700198 B2 JP 2700198B2 JP 1165100 A JP1165100 A JP 1165100A JP 16510089 A JP16510089 A JP 16510089A JP 2700198 B2 JP2700198 B2 JP 2700198B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tray
- lcd substrate
- lcd
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、LCD基板の処理方法に関する。
例えば、半導体製造工程において、フォトレジスト膜
を介して下地のエッチングが行われて微細加工の終了し
た半導体ウェーハやLCD基板等の被処理基板について
は、マスクに用いた上記レジスト膜を、この基板表面か
ら除去する必要がある。このような場合のフォトレジス
ト膜の除去処理例として、従来から、アッシング処理が
行われている。 この種のアッシング装置のうち、オゾンを含有するガ
スを用いたものとして、例えば特開昭52−20766号公報
に開示された装置が知られている。 これは、例えばLCD基板を搬送してチャンバー内の加
熱板上に載置して、真空吸引により固定しながらLCD基
板を例えば抵抗加熱ヒータによって加熱するとともに、
LCD基板の上方に複数のアッシングガス噴出口を備えた
ガス拡散板を設け、上記アッシングガス噴出口からLCD
基板表面にアッシングガスを噴射して、このガスを基板
表面に被着された有機高分子のフォトレジストに作用さ
せ、灰化して除去するものである。
を介して下地のエッチングが行われて微細加工の終了し
た半導体ウェーハやLCD基板等の被処理基板について
は、マスクに用いた上記レジスト膜を、この基板表面か
ら除去する必要がある。このような場合のフォトレジス
ト膜の除去処理例として、従来から、アッシング処理が
行われている。 この種のアッシング装置のうち、オゾンを含有するガ
スを用いたものとして、例えば特開昭52−20766号公報
に開示された装置が知られている。 これは、例えばLCD基板を搬送してチャンバー内の加
熱板上に載置して、真空吸引により固定しながらLCD基
板を例えば抵抗加熱ヒータによって加熱するとともに、
LCD基板の上方に複数のアッシングガス噴出口を備えた
ガス拡散板を設け、上記アッシングガス噴出口からLCD
基板表面にアッシングガスを噴射して、このガスを基板
表面に被着された有機高分子のフォトレジストに作用さ
せ、灰化して除去するものである。
ところで、通常、真空チャックパターン（真空吸引の
ための溝パターン）は、処理対象基板の形状（例えばLC
D基板の場合には正方形又は長方形）や基板サイズに対
応して、加熱板に１種類固定して形成されて用いられ
る。 このため、被処理基板の種類が変わった場合、被処理
基板の大きさが上記処理対象基板の大きさよりも大きけ
れば真空吸引に問題はないが、被処理基板の大きさが小
さくなったり、その形状が上記真空チャックパターンに
適合しなくなった場合には、その加熱板では、その被処
理基板を真空吸引して固定できなくなり、別個の異なる
真空チャックパターンを形成した加熱板を用いる必要が
あり、非常に不便であった。 この発明は以上の点に鑑み、同一の処理装置で、形状
やサイズの異なる被処理体を処理できるLCD基板を処理
できる処理方法を提供しようとするものである。
ための溝パターン）は、処理対象基板の形状（例えばLC
D基板の場合には正方形又は長方形）や基板サイズに対
応して、加熱板に１種類固定して形成されて用いられ
る。 このため、被処理基板の種類が変わった場合、被処理
基板の大きさが上記処理対象基板の大きさよりも大きけ
れば真空吸引に問題はないが、被処理基板の大きさが小
さくなったり、その形状が上記真空チャックパターンに
適合しなくなった場合には、その加熱板では、その被処
理基板を真空吸引して固定できなくなり、別個の異なる
真空チャックパターンを形成した加熱板を用いる必要が
あり、非常に不便であった。 この発明は以上の点に鑑み、同一の処理装置で、形状
やサイズの異なる被処理体を処理できるLCD基板を処理
できる処理方法を提供しようとするものである。
この発明によるLCD基板の処理方法は、 反応チャンバー内に、LCD基板を１枚ごとに搬入し
て、真空吸着により載置台に固定し、前記反応チャンバ
ー内に処理ガスを導入して前記LCD基板の処理を行う方
法において、 前記LCD基板よりも大きいサイズであって、前記LCD基
板をセットするための前記LCD基板のサイズや形状に応
じた嵌合部を備え、真空吸着により前記載置台に前記LC
D基板と一体に吸着可能に構成したトレイを、前記LCD基
板のサイズや形状の違いに応じて用意し、 前記トレイに前記LCD基板をセットして、前記反応チ
ャンバー内に搬入し、処理終了まで、このトレイを前記
LCD基板と一体として扱うようにしたことを特徴とす
る。
て、真空吸着により載置台に固定し、前記反応チャンバ
ー内に処理ガスを導入して前記LCD基板の処理を行う方
法において、 前記LCD基板よりも大きいサイズであって、前記LCD基
板をセットするための前記LCD基板のサイズや形状に応
じた嵌合部を備え、真空吸着により前記載置台に前記LC
D基板と一体に吸着可能に構成したトレイを、前記LCD基
板のサイズや形状の違いに応じて用意し、 前記トレイに前記LCD基板をセットして、前記反応チ
ャンバー内に搬入し、処理終了まで、このトレイを前記
LCD基板と一体として扱うようにしたことを特徴とす
る。
この発明による方法を用いれば、トレイに被処理基板
がセットされたものを、一体として処理終了まで扱うの
で、トレイの形状及びサイズのみを処理装置は考慮すれ
ば良い。したがって、種類が異なり、形状及びサイズが
異なるLCD基板を同一の処理装置で処理することが可能
になる。
がセットされたものを、一体として処理終了まで扱うの
で、トレイの形状及びサイズのみを処理装置は考慮すれ
ば良い。したがって、種類が異なり、形状及びサイズが
異なるLCD基板を同一の処理装置で処理することが可能
になる。
以下、この発明によるLCD基板の処理方法をアッシン
グ処理装置に適用した場合の一実施例を図を参照しなが
ら説明する。 第４図は、この実施例のアッシング装置を示し、アッ
シング用反応チャンバー１内には、処理対象物（LCD基
板）２が載置される加熱板３と、この加熱板３に対向す
るようにガス拡散板４が設けられている。 加熱板３は、例えばSUSやアルミニウムからなる金属
板からなり、図示しないが加熱手段として例えば抵抗発
熱ヒータが内蔵されており、その上面に載置された処理
対象物２を加熱可能に構成されている。 そして、この加熱板３には、基板昇降装置14に接続さ
れた複数本例えば３本のピン15が加熱板３を貫通する如
く設けられており、処理対象物２のロード・アンロード
時には、これらのピン15上に処理対象物２を保持するよ
う構成されている。 また、この加熱板３には処理対象物２を真空吸引する
ための真空チャックパターンとしての空気抜き用溝が形
成されている。 また、ガス拡散板４には、加熱板３上に載置された処
理対象物２との間隔を所望の距離に設定可能とするよう
に拡散板昇降装置５が接続されている。 また、ガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（オ
ゾンを含むガス）を噴出させるための開口の例としての
噴出用スリットと、排気ガスを排出させるための開口の
例として、排気用スリットとが交互に多数設けられてい
る。 そして、その噴出用スリットには、流量調節装置６を
介して、昇圧装置７が接続されている。この昇圧装置７
としては、例えばプランジャー・ポンプ、ベローズポン
プ、ダイヤフラムポンプ等の昇圧ポンプが使用できる。
そして、この昇圧装置７には、酸素供給装置８から供給
される酸素からオゾンを発生させるオゾン発生装置９
と、２次ガス供給装置10から供給される２次ガスを励起
する２次ガス励起装置11が接続されている。 オゾン発生装置９としては、例えば無声放電、コロナ
放電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等
を用いることができる。 一方、ガス拡散板４の排気用スリットは、圧力調節装
置12及び排ガス除害装置13を介して例えば工場排気系等
に接続されている。 そして、アッシング用チャンバー１の側方の両側に
は、ロード用開閉機構16及びアンロード用開閉機構17が
設けられている。ロード用開閉機構16の側方には、この
ロード用開閉機構17から処理対象物２をチャンバー１内
にロードするための基板搬送装置18が設けられており、
この基板搬送装置18の側方には、プリヒート用チャンバ
ー20が設けられている。また、アッシング用チャンバー
１のアンロード用開閉機構17の側方には、このアンロー
ド用開閉機構17から処理対象物２をアンロードするため
の、図示しない基板搬送装置及びクーリニングプレート
が設けられている。 そして、プリヒート用チャンバー20内には、前述の加
熱板３と同様に構成された加熱板23が設けられる。そし
て、アッシング用チャンバー１内と同様に、基板昇降装
置24に接続された複数本、例えば３本のピン25が、この
加熱板23を貫通するように設けられ、処理対象物のロー
ド・アンロード時には、これらのピン25上に被処理基板
を保持するよう構成されている。また、このプリヒート
用チャンバー20は、減圧力装置26を介して工場排気系な
どに接続されている。 また、プリヒート用チャンバー20の側部には、ロード
用開閉機構21及びアンロード用開閉機構22が設けられ
る。そして、ロード用開閉機構21の側方には図示しない
基板搬送装置及びセンダーが設けられている。 そして、センダーには、この例では多数枚のLCD基板
が、それぞれ例えば正方形のトレイにセットされた状態
で収納されている。 第１図は、このトレイの一例の平面図、第２図はその
側面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図である。 この例のトレイ30は、例えば１辺が200mmの正方形を
しており、厚さが例えば4mmのアルミニューム製板から
なっている。このトレイ30の中央部には、被処理基板と
してのLCD基板の形状及びサイズに応じて、例えば１辺
が130mmの正方形状で、深さが例えば1mmの凹部31が形成
されている。この場合、この正方形凹部31の中心位置と
トレイ30の中心位置とは一致している。また、この凹部
31の底部は研磨されて鏡面仕上げされている。そして、
この凹部31には、この凹部31と中心位置が一致し１辺の
長さが例えば100mmの正方形の各辺の位置において、例
えば幅1mm、深さ1mmの溝32が、形成されている。そし
て、溝32の各辺位置の中央には、トレイ30の裏面に向か
う直径1mmの貫通孔33,34,35,36が設けられている。 一方、このトレイ30の裏面には、トレイ30と中心位置
が一致し１辺の長さが例えば52mmの正方形の各辺の位置
において、例えば幅3mm、深さ1mmの溝37が設けられてい
る。この溝37は、加熱板３に形成された真空チャックパ
ターンの真空吸引用の溝パターンに対応したものとされ
ている。もっとも、溝37は、加熱板３の真空吸引用の溝
パターンと全く一致している必要はない。そして、溝37
の各辺位置の中央部が貫通孔33〜36と、連通溝38,39,4
0,41を介して連通されている。 以上のような構成のトレイ30の凹部31に、１辺が130m
mの正方形LCD基板を嵌合してセットして一体とし、この
一体としたトレイを処理対象物２として後述のような処
理に供する。 また、例えば１辺の長さが130mmの正方形LCD基板より
も小さい、例えば１辺の長さが100mmの正方形LCD基板を
処理対象とする場合には、第５図及び第６図に示すよう
なトレイ50が用いられる。すなわち、このトレイ50は、
その外形寸法及びその裏面の溝57のパターンは、前記ト
レイ30と同一であるが、その表面に形成された凹部51
は、これにセットされるLCD基板に応じて、１辺の長さ
が100mmの正方形状とされる。そして、この凹部51に
は、トレイ30と同様に、例えば１辺の長さが80mmの正方
形の各辺位置において、例えば幅1mm、深さ1mmの溝52が
形成される。そして、この溝52は、この溝52の各辺位置
の中央に設けられた貫通孔53,54,55,56及びトレイ50の
裏面に設けられた連通溝58,59,60,61を介してこの裏面
の溝57に連通されている。そして、１辺の長さが100mm
の正方形LCD基板を、このトレイ50の凹部51に嵌合して
セットし、これを一体として処理対象物２として処理に
供する。 以上のように、トレイ30,50の凹部31,51及びその凹部
内に形成される溝32,52は、トレイ30,50にセットする被
処理体の形状及び大きさによって変えられるが、トレイ
30,50の大きさ、その裏面の溝パターン37,57は同一であ
る。 以上のような構成の装置において、この実施例では次
のようにしてLCD基板のアッシング処理が行われる。 この場合、図示しないセンダーには、上述したよう
に、トレイ30,50に処理対象であるLCD基板がセットされ
たものが多数枚収納されている。そして、LCD基板は、
前述したように、このトレイにセットされた状態で一体
として、以下に述べるアッシング処理の終了まで扱われ
る。 すなわち、先ず、センダーから図示しない搬送装置に
より、例えば１辺の長さが130mmの正方形LCD基板がセッ
トされたトレイ30をプリヒート用チャンバー20のロード
用開閉機構21の側方へ搬送する。 そして、予め、プリヒート用チャンバー20内の加熱板
23を所定温度例えば50〜150℃に加熱し、プリヒート条
件を整えておき、プリヒート条件が整うと、ロード用開
閉機構21を開として、プリヒート用チャンバー20内へLC
D基板がセットされたトレイ30を搬入し、加熱板23上に
載置する。このとき、基板昇降装置24により、予めピン
25を加熱板23上に突出させておく。そして、搬送装置の
搬送アームを挿入してLCD基板がセットされたトレイ30
をこのピン25上に載置し、搬送アームを後退させた後、
ピン25を下降させて加熱板23上にこのトレイ30を載置す
る。そして、加熱板23を介して真空吸引する。すると、
このとき、トレイ30の裏面の溝37−連通溝38,39,40,41
−貫通孔33,34,35,36−トレイ30の表面の凹部31内の溝3
2と、連通されているので、この真空吸引により、LCD基
板がトレイ30に吸着されると共に、トレイ30が加熱板23
上に吸着されて固定される。 しかる後、減圧装置26によりプリヒートチャンバー20
内を所定の圧力、例えば0.1〜10Torr程度に減圧し、ト
レイ30にセットされたLCD基板のプリヒート処理を行な
う。このプリヒート処理により、例えばLCD基板表面に
被着されたフォトレジスト中の溶剤を効率良く、短時間
で除去することができるとともに、基板を予め加熱して
おくことで、後述するアッシング処理における基板加熱
時間を短縮することができる。このプリヒート処理は、
例えば数分間行う。 プリヒート処理が終了すると、アンロード用開閉機構
22を開として、基板搬送装置18によりプリヒートチャン
バー20からLCD基板がセットされたトレイ30を搬出す
る。 プリヒート処理の間、アッシング用チャンバー１にお
いては、例えば加熱板３を予め所定温度、例えば150〜2
50℃に加熱しておく。また、連続処理の場合には、アッ
シング処理のスループットに合わせてプリヒート処理を
終えた被処理体を直ちにアッシング用チャンバー１内に
搬入できるように準備しておく。 そして、アッシング用チャンバー１で次の被処理体の
受入準備が完了している場合には、ロード用開閉機構16
を開として、基板搬送装置18によりプリヒート処理を終
えたLCD基板がセットされたトレイ30をこのアッシング
用チャンバー１内に搬入する。 この搬入時、アッシング用チャンバー１では、予め拡
散板昇降装置５によりガス拡散板４を上昇させておき、
加熱板３とガス拡散板４との間に十分な間隙を設けてお
く。そして、基板昇降装置14によりピン15を加熱板３上
に突出させておき、基板搬送装置18からピン15上にトレ
イ30を受け渡す。この後、基板搬送装置18の搬送アーム
を後退させ、基板昇降装置14によりピン15を下降させて
加熱板３上にトレイ30を載置し、前述と同様にしてトレ
イ30及びこのトレイ30にセットされたLCD基板を真空吸
引して加熱板３上に固定する。また、拡散板昇降装置５
によりガス拡散板４とLCD基板がセットされたトレイ30
との間隔を所定間隔に設定する。 しかる後、アッシング用チャンバー１では、加熱板３
によりトレイ30にセットされたLCD基板を加熱するとと
もに、オゾン発生装置９から供給されるオゾンを含むガ
スと、２次ガス励起装置11から供給される励起された２
次ガスとを、昇圧装置７によって例えば２〜20ata程度
に昇圧し、流量調節装置６により例えば３〜30l/minの
流量に調節しながらガス拡散板４の噴出用スリットから
LCD基板に向けて噴出させるとともに、排気用スリット
から排気し、高圧アッシング処理を行なう。 なお、排ガス内に残存するオゾンは、排ガス除害装置
13によって分解された後、工場排気系等に送られる。ま
た、排気は、圧力調節装置12によってアッシング用チャ
ンバー１内の圧力を上記所定圧力（例えば２〜20ata）
に保持するように制御しながら行なう。 そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の
成分を検出することにより、処理終了を検知する等して
高圧アッシング処理の終了を検知すると、高圧アッシン
グ終了処理を行なう。 この後、アッシング用チャンバー１内に不活性ガス例
えば窒素ガスをパージして、前述のロード時の逆の手順
でアンロード用開閉機構17からLCD基板がセットされた
トレイ30を搬出する。 そして、例えば図示しないクーリングプレート上にLC
D基板がセットされたトレイ30を載置してクーリング処
理を行う。クーリング処理が終了すると、図示しない搬
送装置によりLCD基板がセットされたトレイ30を図示し
ないレシーバへ搬送し、１枚のLCD基板についての処理
を終了する。 そして、トレイ30にセットされたLCD基板より小さ
い、例えば１辺の長さが100mmの正方形LCD基板に対し、
アッシング処理を行うときは、トレイ50にその小さいLC
D基板をセットし、それをセンダーに収納し、前述と全
く同様にして、プリヒートチャンバー20及びアッシング
用チャンバー１に順次搬送してアッシング処理を行う。 なお、このようにサイズの異なるLCD基板をアッシン
グ処理するとき、アッシング処理ガスをその基板サイズ
に応じて効率良く基板表面に供給するため、ガス拡散板
４を次のように構成しても良い。 すなわち、この場合、ガス拡散板４は、第７図に示す
ように、拡散板本体4Aと、アダプター4Bとから構成し、
本体4Aとアダプター4Bとは、例えばねじ止めする。そし
て、被処理体の大きさに応じてアダプター4Bを交換し
て、効率の良い処理ガス噴射を行えるようにするため、
反応チャンバー１の、例えば上面板は、第７図に示すよ
うに開閉可能に支持されており、アダプター4Bを交換す
ることができるようにしている。 第８図は、拡散板本体4Aをアダプター4Bとの接続面70
側から見た図で、処理ガス（オゾンを含むガス）を噴出
させるための開口の例としての噴出用スリット71と、排
気ガスを排出させるための開口の例としての排気用スリ
ット72とが交互に多数設けられている。 一方、アダプター4Bには、拡散板本体4Aにねじ止めし
たとき、噴出用スリット71及び排気用スリット72の位置
と一致するようにガス拡散スリット73を設け、ガスの給
排流路が拡散板本体4Aと連結するようにしている。そし
て、この場合、アダプター4Bとしては、そのガス拡散ス
リット73の本数及び長さが、処理対象であるLCD基板の
大きさに応じて異なるものを用意する。 すなわち、大きなLCD基板に対しては、例えば第９図
に示すように、その大きさに応じて、本数が多く、しか
も長さの長い複数のガス拡散スリット431が形成された
アダプター4B1が、拡散板本体4Aに対してねじ止めされ
て用いられる。 また、小さなLCD基板に対しては、例えば第10図に示
すように、その大きさに応じて、本数が少なく、しかも
長さが短い複数の拡散スリット432が形成されたアダプ
ター4B2が、拡散板本体4Aに対してねじ止めされて用い
られる。 以上のようにして、アダプター4Bを被処理体の大きさ
に応じて交換することにより、被処理体の大きさに応じ
てガス拡散領域を規定することができるので、無駄無
く、効率の良い処理ガス供給を、被処理体に対して行う
ことができる。 また、この発明はアッシング装置に限らず、成膜装
置、エッチング装置、露光装置等、被処理体であるLCD
基板を搬送し、チャックに真空吸引して固定するような
全ての装置に適用可能である。
グ処理装置に適用した場合の一実施例を図を参照しなが
ら説明する。 第４図は、この実施例のアッシング装置を示し、アッ
シング用反応チャンバー１内には、処理対象物（LCD基
板）２が載置される加熱板３と、この加熱板３に対向す
るようにガス拡散板４が設けられている。 加熱板３は、例えばSUSやアルミニウムからなる金属
板からなり、図示しないが加熱手段として例えば抵抗発
熱ヒータが内蔵されており、その上面に載置された処理
対象物２を加熱可能に構成されている。 そして、この加熱板３には、基板昇降装置14に接続さ
れた複数本例えば３本のピン15が加熱板３を貫通する如
く設けられており、処理対象物２のロード・アンロード
時には、これらのピン15上に処理対象物２を保持するよ
う構成されている。 また、この加熱板３には処理対象物２を真空吸引する
ための真空チャックパターンとしての空気抜き用溝が形
成されている。 また、ガス拡散板４には、加熱板３上に載置された処
理対象物２との間隔を所望の距離に設定可能とするよう
に拡散板昇降装置５が接続されている。 また、ガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（オ
ゾンを含むガス）を噴出させるための開口の例としての
噴出用スリットと、排気ガスを排出させるための開口の
例として、排気用スリットとが交互に多数設けられてい
る。 そして、その噴出用スリットには、流量調節装置６を
介して、昇圧装置７が接続されている。この昇圧装置７
としては、例えばプランジャー・ポンプ、ベローズポン
プ、ダイヤフラムポンプ等の昇圧ポンプが使用できる。
そして、この昇圧装置７には、酸素供給装置８から供給
される酸素からオゾンを発生させるオゾン発生装置９
と、２次ガス供給装置10から供給される２次ガスを励起
する２次ガス励起装置11が接続されている。 オゾン発生装置９としては、例えば無声放電、コロナ
放電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等
を用いることができる。 一方、ガス拡散板４の排気用スリットは、圧力調節装
置12及び排ガス除害装置13を介して例えば工場排気系等
に接続されている。 そして、アッシング用チャンバー１の側方の両側に
は、ロード用開閉機構16及びアンロード用開閉機構17が
設けられている。ロード用開閉機構16の側方には、この
ロード用開閉機構17から処理対象物２をチャンバー１内
にロードするための基板搬送装置18が設けられており、
この基板搬送装置18の側方には、プリヒート用チャンバ
ー20が設けられている。また、アッシング用チャンバー
１のアンロード用開閉機構17の側方には、このアンロー
ド用開閉機構17から処理対象物２をアンロードするため
の、図示しない基板搬送装置及びクーリニングプレート
が設けられている。 そして、プリヒート用チャンバー20内には、前述の加
熱板３と同様に構成された加熱板23が設けられる。そし
て、アッシング用チャンバー１内と同様に、基板昇降装
置24に接続された複数本、例えば３本のピン25が、この
加熱板23を貫通するように設けられ、処理対象物のロー
ド・アンロード時には、これらのピン25上に被処理基板
を保持するよう構成されている。また、このプリヒート
用チャンバー20は、減圧力装置26を介して工場排気系な
どに接続されている。 また、プリヒート用チャンバー20の側部には、ロード
用開閉機構21及びアンロード用開閉機構22が設けられ
る。そして、ロード用開閉機構21の側方には図示しない
基板搬送装置及びセンダーが設けられている。 そして、センダーには、この例では多数枚のLCD基板
が、それぞれ例えば正方形のトレイにセットされた状態
で収納されている。 第１図は、このトレイの一例の平面図、第２図はその
側面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図である。 この例のトレイ30は、例えば１辺が200mmの正方形を
しており、厚さが例えば4mmのアルミニューム製板から
なっている。このトレイ30の中央部には、被処理基板と
してのLCD基板の形状及びサイズに応じて、例えば１辺
が130mmの正方形状で、深さが例えば1mmの凹部31が形成
されている。この場合、この正方形凹部31の中心位置と
トレイ30の中心位置とは一致している。また、この凹部
31の底部は研磨されて鏡面仕上げされている。そして、
この凹部31には、この凹部31と中心位置が一致し１辺の
長さが例えば100mmの正方形の各辺の位置において、例
えば幅1mm、深さ1mmの溝32が、形成されている。そし
て、溝32の各辺位置の中央には、トレイ30の裏面に向か
う直径1mmの貫通孔33,34,35,36が設けられている。 一方、このトレイ30の裏面には、トレイ30と中心位置
が一致し１辺の長さが例えば52mmの正方形の各辺の位置
において、例えば幅3mm、深さ1mmの溝37が設けられてい
る。この溝37は、加熱板３に形成された真空チャックパ
ターンの真空吸引用の溝パターンに対応したものとされ
ている。もっとも、溝37は、加熱板３の真空吸引用の溝
パターンと全く一致している必要はない。そして、溝37
の各辺位置の中央部が貫通孔33〜36と、連通溝38,39,4
0,41を介して連通されている。 以上のような構成のトレイ30の凹部31に、１辺が130m
mの正方形LCD基板を嵌合してセットして一体とし、この
一体としたトレイを処理対象物２として後述のような処
理に供する。 また、例えば１辺の長さが130mmの正方形LCD基板より
も小さい、例えば１辺の長さが100mmの正方形LCD基板を
処理対象とする場合には、第５図及び第６図に示すよう
なトレイ50が用いられる。すなわち、このトレイ50は、
その外形寸法及びその裏面の溝57のパターンは、前記ト
レイ30と同一であるが、その表面に形成された凹部51
は、これにセットされるLCD基板に応じて、１辺の長さ
が100mmの正方形状とされる。そして、この凹部51に
は、トレイ30と同様に、例えば１辺の長さが80mmの正方
形の各辺位置において、例えば幅1mm、深さ1mmの溝52が
形成される。そして、この溝52は、この溝52の各辺位置
の中央に設けられた貫通孔53,54,55,56及びトレイ50の
裏面に設けられた連通溝58,59,60,61を介してこの裏面
の溝57に連通されている。そして、１辺の長さが100mm
の正方形LCD基板を、このトレイ50の凹部51に嵌合して
セットし、これを一体として処理対象物２として処理に
供する。 以上のように、トレイ30,50の凹部31,51及びその凹部
内に形成される溝32,52は、トレイ30,50にセットする被
処理体の形状及び大きさによって変えられるが、トレイ
30,50の大きさ、その裏面の溝パターン37,57は同一であ
る。 以上のような構成の装置において、この実施例では次
のようにしてLCD基板のアッシング処理が行われる。 この場合、図示しないセンダーには、上述したよう
に、トレイ30,50に処理対象であるLCD基板がセットされ
たものが多数枚収納されている。そして、LCD基板は、
前述したように、このトレイにセットされた状態で一体
として、以下に述べるアッシング処理の終了まで扱われ
る。 すなわち、先ず、センダーから図示しない搬送装置に
より、例えば１辺の長さが130mmの正方形LCD基板がセッ
トされたトレイ30をプリヒート用チャンバー20のロード
用開閉機構21の側方へ搬送する。 そして、予め、プリヒート用チャンバー20内の加熱板
23を所定温度例えば50〜150℃に加熱し、プリヒート条
件を整えておき、プリヒート条件が整うと、ロード用開
閉機構21を開として、プリヒート用チャンバー20内へLC
D基板がセットされたトレイ30を搬入し、加熱板23上に
載置する。このとき、基板昇降装置24により、予めピン
25を加熱板23上に突出させておく。そして、搬送装置の
搬送アームを挿入してLCD基板がセットされたトレイ30
をこのピン25上に載置し、搬送アームを後退させた後、
ピン25を下降させて加熱板23上にこのトレイ30を載置す
る。そして、加熱板23を介して真空吸引する。すると、
このとき、トレイ30の裏面の溝37−連通溝38,39,40,41
−貫通孔33,34,35,36−トレイ30の表面の凹部31内の溝3
2と、連通されているので、この真空吸引により、LCD基
板がトレイ30に吸着されると共に、トレイ30が加熱板23
上に吸着されて固定される。 しかる後、減圧装置26によりプリヒートチャンバー20
内を所定の圧力、例えば0.1〜10Torr程度に減圧し、ト
レイ30にセットされたLCD基板のプリヒート処理を行な
う。このプリヒート処理により、例えばLCD基板表面に
被着されたフォトレジスト中の溶剤を効率良く、短時間
で除去することができるとともに、基板を予め加熱して
おくことで、後述するアッシング処理における基板加熱
時間を短縮することができる。このプリヒート処理は、
例えば数分間行う。 プリヒート処理が終了すると、アンロード用開閉機構
22を開として、基板搬送装置18によりプリヒートチャン
バー20からLCD基板がセットされたトレイ30を搬出す
る。 プリヒート処理の間、アッシング用チャンバー１にお
いては、例えば加熱板３を予め所定温度、例えば150〜2
50℃に加熱しておく。また、連続処理の場合には、アッ
シング処理のスループットに合わせてプリヒート処理を
終えた被処理体を直ちにアッシング用チャンバー１内に
搬入できるように準備しておく。 そして、アッシング用チャンバー１で次の被処理体の
受入準備が完了している場合には、ロード用開閉機構16
を開として、基板搬送装置18によりプリヒート処理を終
えたLCD基板がセットされたトレイ30をこのアッシング
用チャンバー１内に搬入する。 この搬入時、アッシング用チャンバー１では、予め拡
散板昇降装置５によりガス拡散板４を上昇させておき、
加熱板３とガス拡散板４との間に十分な間隙を設けてお
く。そして、基板昇降装置14によりピン15を加熱板３上
に突出させておき、基板搬送装置18からピン15上にトレ
イ30を受け渡す。この後、基板搬送装置18の搬送アーム
を後退させ、基板昇降装置14によりピン15を下降させて
加熱板３上にトレイ30を載置し、前述と同様にしてトレ
イ30及びこのトレイ30にセットされたLCD基板を真空吸
引して加熱板３上に固定する。また、拡散板昇降装置５
によりガス拡散板４とLCD基板がセットされたトレイ30
との間隔を所定間隔に設定する。 しかる後、アッシング用チャンバー１では、加熱板３
によりトレイ30にセットされたLCD基板を加熱するとと
もに、オゾン発生装置９から供給されるオゾンを含むガ
スと、２次ガス励起装置11から供給される励起された２
次ガスとを、昇圧装置７によって例えば２〜20ata程度
に昇圧し、流量調節装置６により例えば３〜30l/minの
流量に調節しながらガス拡散板４の噴出用スリットから
LCD基板に向けて噴出させるとともに、排気用スリット
から排気し、高圧アッシング処理を行なう。 なお、排ガス内に残存するオゾンは、排ガス除害装置
13によって分解された後、工場排気系等に送られる。ま
た、排気は、圧力調節装置12によってアッシング用チャ
ンバー１内の圧力を上記所定圧力（例えば２〜20ata）
に保持するように制御しながら行なう。 そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の
成分を検出することにより、処理終了を検知する等して
高圧アッシング処理の終了を検知すると、高圧アッシン
グ終了処理を行なう。 この後、アッシング用チャンバー１内に不活性ガス例
えば窒素ガスをパージして、前述のロード時の逆の手順
でアンロード用開閉機構17からLCD基板がセットされた
トレイ30を搬出する。 そして、例えば図示しないクーリングプレート上にLC
D基板がセットされたトレイ30を載置してクーリング処
理を行う。クーリング処理が終了すると、図示しない搬
送装置によりLCD基板がセットされたトレイ30を図示し
ないレシーバへ搬送し、１枚のLCD基板についての処理
を終了する。 そして、トレイ30にセットされたLCD基板より小さ
い、例えば１辺の長さが100mmの正方形LCD基板に対し、
アッシング処理を行うときは、トレイ50にその小さいLC
D基板をセットし、それをセンダーに収納し、前述と全
く同様にして、プリヒートチャンバー20及びアッシング
用チャンバー１に順次搬送してアッシング処理を行う。 なお、このようにサイズの異なるLCD基板をアッシン
グ処理するとき、アッシング処理ガスをその基板サイズ
に応じて効率良く基板表面に供給するため、ガス拡散板
４を次のように構成しても良い。 すなわち、この場合、ガス拡散板４は、第７図に示す
ように、拡散板本体4Aと、アダプター4Bとから構成し、
本体4Aとアダプター4Bとは、例えばねじ止めする。そし
て、被処理体の大きさに応じてアダプター4Bを交換し
て、効率の良い処理ガス噴射を行えるようにするため、
反応チャンバー１の、例えば上面板は、第７図に示すよ
うに開閉可能に支持されており、アダプター4Bを交換す
ることができるようにしている。 第８図は、拡散板本体4Aをアダプター4Bとの接続面70
側から見た図で、処理ガス（オゾンを含むガス）を噴出
させるための開口の例としての噴出用スリット71と、排
気ガスを排出させるための開口の例としての排気用スリ
ット72とが交互に多数設けられている。 一方、アダプター4Bには、拡散板本体4Aにねじ止めし
たとき、噴出用スリット71及び排気用スリット72の位置
と一致するようにガス拡散スリット73を設け、ガスの給
排流路が拡散板本体4Aと連結するようにしている。そし
て、この場合、アダプター4Bとしては、そのガス拡散ス
リット73の本数及び長さが、処理対象であるLCD基板の
大きさに応じて異なるものを用意する。 すなわち、大きなLCD基板に対しては、例えば第９図
に示すように、その大きさに応じて、本数が多く、しか
も長さの長い複数のガス拡散スリット431が形成された
アダプター4B1が、拡散板本体4Aに対してねじ止めされ
て用いられる。 また、小さなLCD基板に対しては、例えば第10図に示
すように、その大きさに応じて、本数が少なく、しかも
長さが短い複数の拡散スリット432が形成されたアダプ
ター4B2が、拡散板本体4Aに対してねじ止めされて用い
られる。 以上のようにして、アダプター4Bを被処理体の大きさ
に応じて交換することにより、被処理体の大きさに応じ
てガス拡散領域を規定することができるので、無駄無
く、効率の良い処理ガス供給を、被処理体に対して行う
ことができる。 また、この発明はアッシング装置に限らず、成膜装
置、エッチング装置、露光装置等、被処理体であるLCD
基板を搬送し、チャックに真空吸引して固定するような
全ての装置に適用可能である。
以上説明したように、この発明によれば、同一形状及
び同一サイズのトレイにLCD基板をセットして、処理終
了まで、両者を一体として取り扱うようにしたので、同
一の処理装置で形状や大きさの異なるLCD基板を良好に
処理することができる。
び同一サイズのトレイにLCD基板をセットして、処理終
了まで、両者を一体として取り扱うようにしたので、同
一の処理装置で形状や大きさの異なるLCD基板を良好に
処理することができる。
第１図はこの発明による方法に使用するトレイの一例の
平面図、第２図はその側面図、第３図は第１図のＡ−Ａ
断面図、第４図はこの発明による方法が適用される処理
装置の一例を示す図、第５図及び第６図はこの発明によ
る方法に使用するトレイの他の例の平面図及び側面図、
第７図〜第10図は第４図例の一部の他の構成を説明する
ための図である。 1,20;チャンバー 2;処理対象物 3,23;加熱板 4;ガス拡散板 16,21;ロード用開閉機構 17,22;アンロード用開閉機構 30,50;トレイ 31,51;基板がセットされる凹部
平面図、第２図はその側面図、第３図は第１図のＡ−Ａ
断面図、第４図はこの発明による方法が適用される処理
装置の一例を示す図、第５図及び第６図はこの発明によ
る方法に使用するトレイの他の例の平面図及び側面図、
第７図〜第10図は第４図例の一部の他の構成を説明する
ための図である。 1,20;チャンバー 2;処理対象物 3,23;加熱板 4;ガス拡散板 16,21;ロード用開閉機構 17,22;アンロード用開閉機構 30,50;トレイ 31,51;基板がセットされる凹部
Claims (1)
- 【請求項１】反応チャンバー内に、LCD基板を１枚ごと
に搬入して、真空吸着により載置台に固定し、前記反応
チャンバー内に処理ガスを導入して前記LCD基板の処理
を行う方法において、 前記LCD基板よりも大きいサイズであって、前記LCD基板
をセットするための前記LCD基板のサイズに応じた嵌合
部を備え、真空吸着により前記載置台に前記LCD基板と
一体に吸着可能に構成されトレイを、LCD基板のサイズ
や形状の違いに応じて用意し、 前記トレイに前記LCD基板をセットして、前記反応チャ
ンバー内に搬入し、処理終了まで、このトレイを前記LC
D基板と一体として扱うようにしたことを特徴とするLCD
基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165100A JP2700198B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | Ｌｃｄ基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165100A JP2700198B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | Ｌｃｄ基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330355A JPH0330355A (ja) | 1991-02-08 |
| JP2700198B2 true JP2700198B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=15805893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1165100A Expired - Fee Related JP2700198B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | Ｌｃｄ基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700198B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19949005A1 (de) * | 1999-10-11 | 2001-05-10 | Leica Microsystems | Einrichtung und Verfahren zum Einbringen verschiedener transparenter Substrate in ein hochgenaues Messgerät |
| US20050082826A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Twin Bay Medical, Inc. | Barb clamp |
| JP4638755B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-02-23 | 大日本印刷株式会社 | 露光装置および露光方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127146A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 故障解析用治具 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP1165100A patent/JP2700198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330355A (ja) | 1991-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4833512B2 (ja) | 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法 | |
| KR101006800B1 (ko) | 기판의 처리막의 표면 거침을 개선하는 방법 및 기판 처리장치 | |
| KR100790765B1 (ko) | 프로세스 챔버에서 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 방법,및 프로세스 챔버 | |
| US8257605B2 (en) | Apparatus and method for removing coating film | |
| US8444869B1 (en) | Simultaneous front side ash and backside clean | |
| JP4328667B2 (ja) | 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置 | |
| CN101410941A (zh) | 用于去除衬底上的残留物的刻蚀后处理系统 | |
| KR101139165B1 (ko) | Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체 | |
| JP3648129B2 (ja) | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム | |
| US20080070167A1 (en) | Exposure and developing method | |
| JP2700198B2 (ja) | Ｌｃｄ基板の処理方法 | |
| JP2006245312A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3029494B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JP2756502B2 (ja) | アッシング処理装置および方法 | |
| CN110931388A (zh) | 载置单元和处理装置 | |
| JP2004134769A (ja) | フォトレジスト除去方法 | |
| KR102031304B1 (ko) | 식각과 애싱 공정이 가능한 기판 처리 챔버, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| JP4722416B2 (ja) | 半導体製造装置及び基板搬送方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| KR20010086318A (ko) | 막형성 방법 | |
| JPH02119223A (ja) | 半導体製造装置 | |
| EP0393637B1 (en) | Plasma processing method | |
| JP2756473B2 (ja) | アッシング装置 | |
| JP5001388B2 (ja) | 被処理体処理装置の圧力制御方法 | |
| KR20220099405A (ko) | 기판 처리 방법 | |
| JPH0330315A (ja) | 被処理体処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |