JPH02119223A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体製造装置に関する。

（従来の技術） 一般に、被処理基板に所定の処理ガスを作用させて処理
を行う従来の半導体製造装置、例えばＣＶＤ装置、アッ
シング装置等は、常圧雰囲気あるいは減圧雰囲気で所定
の処理ガスを作用させ、ＣＶＤ膜の形成あるいはアッシ
ング等の処理を行うよう構成されている。

（発明が解決しようとする課題） 上述のように例えばＣＶＤ装置、アッシング装置等、被
処理基板に所定の処理ガスを作用させて処理を行う従来
の半導体製造装置では、半導体ウェハ等の被処理基板に
常圧雰囲気あるいは減圧雰囲気で所定の処理ガスを作用
させて処理を行っている。しかしながら、このような半
導体製造装置においても、さらに処理速度の高速化を図
り、スルーブツトを向上させることが望まれている。

また、特に減圧雰囲気で処理を行う場合であって、例え
ば低沸点下地膜材料等を用いた場合、多量の低沸点下地
膜材料が蒸発してしまうという問題もあった。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて処理速度の高速化を図ることができると
とも；こ、低沸点下地膜材料等の蒸発し易い物質の蒸発
を抑制することのできる半導体製造装置を提供しようと
するものである。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板に所定の処理ガスを作用
させて処理を行う半導体製造装置において、前記処理ガ
スを加圧して供給する手段を備えたことを特徴とする。

（作　用） 上記構成の本発明の半導体製造装置では、処理ガスを加
圧して供給する手段を備えており、加圧された高圧の処
理ガス雰囲気下で処理を行うので、従来に較べて高密度
の処理ガスで、高速な処理を行うことができる。また、
高圧の処理ガス雰囲気により、低沸点下地膜材料等の蒸
発し易い物質の蒸発を抑制することができる。

（実施例） 以下、例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板上に被着された
フォトレジストの除去、インクの除去、各種溶剤の除去
等に利用されるアッシング装置に本発明を適用した実施
例を図面を参照して説明する。

アッシング装置１のチャンバ２内には、被処理基板とし
て例えば半導体ウニ八３が載置され、この半導体ウェハ
３を加熱する加熱板４と、この加熱板４に対向する如く
ガス拡散板５が設けられている。

上記ガス拡散板５には、半導体ウェア１３との間隔を所
望の距離に設定可能とする如く拡散板昇降装置６が接続
されている。また、このガス拡散板５には、処理ガス（
オゾンを含むガス）を噴出させるための開口および排気
ガスを排出させるための開口として、例えば噴出用スリ
ット７と排気用スリット８が交互に多数設けられている
。

また、上記噴出用スリット７には、流量調節装置９を介
して、例えばプランジャーポンプ、ベローズポンプ、ダ
イヤフラムポンプ等の昇圧装置１０が接続されている。

そして、この昇圧装置１０には、酸素供給装置１１から
供給される酸素からオゾンを発生させるオゾン発生装置
１２と、２次ガス供給装置１３から供給される２次ガス
を励起する２次ガス励起装置１４が接続されている。な
お、オゾン発生装置１２としては、例えば無声放電、コ
ロナ放電、グロー放電等によってオゾンを発生させるオ
ゾン発生装置等を用いることができる。

一方、排気用スリット８は、圧力調節装置１５および排
ガス除害装置１６を介して例えば工場排気系等に接続さ
れている。

また、加熱板４には、基板昇降装置１７に接続された複
数例えば３本のピン１８が加熱板４を貫通する如く設け
られており、半導体ウェハ３のロード・アンロード時に
、これらのピン１８上に半導体ウェハ３を保持するよう
構成されている。

さらに、チャンバ２の側部には、ロード・アンロード用
の開閉機構１９が設けられており、この開閉機構１９の
側方には、半導体ウニ／１３をチャンバ２内にロード・
アンロードするための基板搬送装置２０が設けられてい
る。

上記構成のアッシング装置１では、例えばつぎのように
して半導体ウェハ３のアッシング処理を行う。

すなわちまず、開閉機構１９を開として、基板搬送装置
２０により、チャンバ２内の加熱板４上方に半導体ウェ
ハ３を搬送する。なお、この時予め拡散板昇降装置６に
よりガス拡散板５を上昇させておき、加熱板４とガス拡
散板５との間に充分な間隙を設けておく。

そして、基板昇降装置１７によりピン１８を上昇させ、
基板搬送装置２０からビン１８上に半導体ウェハ３を受
は渡す。

この後、基板搬送装置２０の搬送アームを後退させて開
閉機構１９を閉とするとともに、基板昇降装置１７によ
りピン１８を下降させて加熱板４上に半導体ウェハ３を
載置し、拡散板昇降装置６によりガス拡散板５と半導体
ウェハ３との間隔を所定間隔に設定する。

しかる後、加熱板４により半導体ウェハ３を所定温度に
加熱するとともに、オゾン発生装置１２から供給される
オゾンを含むガスと、２次ガス励起装置１４から供給さ
れる励起された２次ガスとを、昇圧装置１０によって例
えば２〜２Ｄａｔａ程度に昇圧し、流量調節装置９によ
って例えば３〜３０．１２／１ｎの流量に調節しながら
ガス拡散板５の噴出用スリット７から半導体ウェハ３に
向けて噴出させるとと、もに、排気用スリット８から排
気し、アッシング処理を行う。

なお、排ガス内に残存するオゾンは、排ガス除害装置１
６によって分解された後、工場排気系等に送られる。ま
た、上記排気は、圧力調節装置１５によりチャンバ２内
の圧力を上記所定圧力（例えば２〜２０ａｔａ　）に保
持するよう制御しながら行う。

このように、この実施例のアッシング装置１では、高圧
雰囲気下でアッシング処理を行うことができ、従来に比
べて高いオゾン密度で高いアッシングレートを得ること
ができる。また、高圧雰囲気により、例えばＣ「、Ｔａ
、ＩＴＯｌａ−３ｉ等あるいは特にこれらの酸化物等の
低沸点下地膜材料の蒸発を抑制することができる。

また、この実施例のアッシング装置１では、昇圧装置１
０をオゾン発生装置１２の下流側に設けであるので、オ
ゾン発生装置１２等の昇圧装置１０の上流側の装置は、
従来と同様に構成された常圧用の装置を用いることがで
き、装置の製造コストの増大を抑制することができる。

なお、上記実施例では、本発明をアッシング装置に適用
した実施例について説明したが、本発明は、かかる実施
例に限定されるものではなく、例えば成膜装置等、被処
理基板に所定の処理ガスを作用させて処理を行う半導体
製造装置であれば、どのような装置にでも適用すること
ができることはもちろんである。

［発明の効果］ 上述のように、本発明の半導体製造装置によれば、従来
に較べて処理速度の高速化を図ることができるとともに
、低沸点下地膜材料等の蒸発し易い物質の蒸発を抑制す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のアッシング装置の構成を示
す図である。 １・・・・・・アッシング装置、２・・・・・・チャン
バ、３・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・・・加熱
板、５・・・・・・ガス拡散波、６・・・・・・拡散板
昇降装置、７・・・・・・噴出用スリット、８・・・・
・・排気用スリット、９・・・・・・流量調節装置、１
０・・・・・・昇圧装置、１１・・・・・・酸素供給装
置、１２・・・・・・オゾン発生装置、１３・・・・・
・２次ガス供給装置、１４・・・・・・２次ガス励起装
置、１５・・・・・・圧力調節装置、１６・・・・・・
排ガス除害装置、１７・・・・・・基板昇降装置、１８
・・・・・・ピン、１９・・・・・・開閉機構、２０・
・・・・・基板搬送装置。 出願人　　　　　　チル九州株式会社 代理人　弁理士　　須　山　佐　− （ほか１名） 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板に所定の処理ガスを作用させて処理を
   行う半導体製造装置において、 前記処理ガスを加圧して供給する手段を備えたことを特
   徴とする半導体製造装置。