JPH05144709A - 減圧装置 - Google Patents
減圧装置Info
- Publication number
- JPH05144709A JPH05144709A JP33418391A JP33418391A JPH05144709A JP H05144709 A JPH05144709 A JP H05144709A JP 33418391 A JP33418391 A JP 33418391A JP 33418391 A JP33418391 A JP 33418391A JP H05144709 A JPH05144709 A JP H05144709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- suction
- decompression
- chamber
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧チャンバー内において、吸着手段に保持
されたウエハが落下するのを防止し、加えて減圧チャン
バーの減圧時間の短縮を可能にする。 【構成】 減圧チャンバー１は第１の真空ポンプ３をも
つ雰囲気排気ライン２によって減圧され、給気ライン４
を経て供給されるヘリウムガスによって１５０Ｔｏｒｒ
の減圧雰囲気に維持される。吸着ハンド１２およびウエ
ハチャック１３は、第２の真空ポンプ２０をもつ吸着排
気ライン１９によって真空吸引力を附与され、ウエハ１
１を吸着保持する。雰囲気排気ライン２と吸着排気ライ
ン１９は逆止弁２１ａをもつ第１分岐ライン２１、およ
び開閉弁２２ｂをもつ第２分岐ライン２２によって互に
接続され、真空吸引力の不足を補うとともに減圧チャン
バー１の減圧を迅速に行うことを可能にする。
されたウエハが落下するのを防止し、加えて減圧チャン
バーの減圧時間の短縮を可能にする。 【構成】 減圧チャンバー１は第１の真空ポンプ３をも
つ雰囲気排気ライン２によって減圧され、給気ライン４
を経て供給されるヘリウムガスによって１５０Ｔｏｒｒ
の減圧雰囲気に維持される。吸着ハンド１２およびウエ
ハチャック１３は、第２の真空ポンプ２０をもつ吸着排
気ライン１９によって真空吸引力を附与され、ウエハ１
１を吸着保持する。雰囲気排気ライン２と吸着排気ライ
ン１９は逆止弁２１ａをもつ第１分岐ライン２１、およ
び開閉弁２２ｂをもつ第２分岐ライン２２によって互に
接続され、真空吸引力の不足を補うとともに減圧チャン
バー１の減圧を迅速に行うことを可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光装置のＸ線露
光室等の減圧チャンバーを減圧するとともに、該減圧チ
ャンバー内において操作される基板保持装置等の吸着手
段に真空吸引力を発生させる減圧装置に関するものであ
る。
光室等の減圧チャンバーを減圧するとともに、該減圧チ
ャンバー内において操作される基板保持装置等の吸着手
段に真空吸引力を発生させる減圧装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ等の基板にマスクの微細パターン
を転写、焼付けするＸ線露光装置のＸ線露光室は、真空
ポンプによって減圧されるとともに、高純度のヘリウム
ガスを供給されて、ほぼ１５０Ｔｏｒｒの減圧雰囲気に
維持される減圧チャンバーである。該減圧チャンバーに
おいては、露光される基板を保持する保持装置、および
該保持装置に対して基板の搬送および受渡しを行う搬送
装置が、真空吸引力によって基板を保持する吸着手段を
備えており、該吸着手段は、前記の減圧チャンバーを減
圧する真空ポンプとは別の真空ポンプによって減圧され
る。
を転写、焼付けするＸ線露光装置のＸ線露光室は、真空
ポンプによって減圧されるとともに、高純度のヘリウム
ガスを供給されて、ほぼ１５０Ｔｏｒｒの減圧雰囲気に
維持される減圧チャンバーである。該減圧チャンバーに
おいては、露光される基板を保持する保持装置、および
該保持装置に対して基板の搬送および受渡しを行う搬送
装置が、真空吸引力によって基板を保持する吸着手段を
備えており、該吸着手段は、前記の減圧チャンバーを減
圧する真空ポンプとは別の真空ポンプによって減圧され
る。
【０００３】従来例を図４を参照して説明する。減圧チ
ャンバーであるＸ線露光室１０１は、流量調整弁１０２
ａおよび開閉弁１０２ｂをもつ雰囲気排気ライン１０２
を経て、第１の真空ポンプ１０３によって排気される。
上記Ｘ線露光室１０１は、さらに制御弁１０４ａを備え
た給気ライン１０４をもち、該給気ライン１０４はヘリ
ウムガス供給源（図示せず）に接続される。上記第１の
真空ポンプ１０３によってＸ線露光室１０１内が１０-3
〜１０-4Ｔｏｒｒに減圧されると、圧力センサー１０５
がこれを感知して制御弁１０４ａを開き、給気ライン１
０４からヘリウムガスが導入され、Ｘ線露光室１０１の
雰囲気圧力を１５０Ｔｏｒｒに維持する。
ャンバーであるＸ線露光室１０１は、流量調整弁１０２
ａおよび開閉弁１０２ｂをもつ雰囲気排気ライン１０２
を経て、第１の真空ポンプ１０３によって排気される。
上記Ｘ線露光室１０１は、さらに制御弁１０４ａを備え
た給気ライン１０４をもち、該給気ライン１０４はヘリ
ウムガス供給源（図示せず）に接続される。上記第１の
真空ポンプ１０３によってＸ線露光室１０１内が１０-3
〜１０-4Ｔｏｒｒに減圧されると、圧力センサー１０５
がこれを感知して制御弁１０４ａを開き、給気ライン１
０４からヘリウムガスが導入され、Ｘ線露光室１０１の
雰囲気圧力を１５０Ｔｏｒｒに維持する。
【０００４】基板であるウエハ１１１は、吸着ハンド１
１２によってウエハチャック１１３の近傍へ搬送され、
受渡しが行われる。吸着ハンド１１２は、ウエハチャッ
ク１１３へ向う方向（Ｘ方向という）へ移動するＸステ
ージ１１４、およびこれに垂直な方向（Ｚ方向という）
へ移動するＺステージ１１５からなる駆動手段によっ
て、ＸおよびＺ方向へそれぞれ往復移動される。吸着ハ
ンド１１２およびウエハチャック１１３にそれぞれ真空
吸引力を発生させるための吸着ライン１１６，１１７
は、それぞれ弁１１６ａ，１１７ａを介してディストリ
ビューター１１８に接続され、開閉弁１１９ａをもつ吸
着排気ライン１１９を経て、第２の真空ポンプ１２０に
よって排気される。
１２によってウエハチャック１１３の近傍へ搬送され、
受渡しが行われる。吸着ハンド１１２は、ウエハチャッ
ク１１３へ向う方向（Ｘ方向という）へ移動するＸステ
ージ１１４、およびこれに垂直な方向（Ｚ方向という）
へ移動するＺステージ１１５からなる駆動手段によっ
て、ＸおよびＺ方向へそれぞれ往復移動される。吸着ハ
ンド１１２およびウエハチャック１１３にそれぞれ真空
吸引力を発生させるための吸着ライン１１６，１１７
は、それぞれ弁１１６ａ，１１７ａを介してディストリ
ビューター１１８に接続され、開閉弁１１９ａをもつ吸
着排気ライン１１９を経て、第２の真空ポンプ１２０に
よって排気される。
【０００５】前記吸着ライン１１６，１１７は、それぞ
れの弁１１６ａ、１１７ａの切換えによって、ほぼ交互
に第２の真空ポンプ１２０に接続されるが、前記吸着ハ
ンド１１２とウエハチャック１１３の間でウエハ１１１
の受渡しを行う過程において、短時間ではあるが同時に
吸引状態になるときがある。
れの弁１１６ａ、１１７ａの切換えによって、ほぼ交互
に第２の真空ポンプ１２０に接続されるが、前記吸着ハ
ンド１１２とウエハチャック１１３の間でウエハ１１１
の受渡しを行う過程において、短時間ではあるが同時に
吸引状態になるときがある。
【０００６】例えば、ウエハ１１１を保持する吸着ハン
ド１１２がウエハチャック１１３に近づいてウエハ１１
１を引渡す直前に、吸着ライン１１７の弁１１７ａが開
いて、ウエハチャック１１３が吸引状態になるため、こ
のとき吸着ハンド１１２とウエハチャック１１３の両者
が同時に吸引状態となる。
ド１１２がウエハチャック１１３に近づいてウエハ１１
１を引渡す直前に、吸着ライン１１７の弁１１７ａが開
いて、ウエハチャック１１３が吸引状態になるため、こ
のとき吸着ハンド１１２とウエハチャック１１３の両者
が同時に吸引状態となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術においては、前述のように、互に接近した２つの
吸着手段が同時に吸引状態になる場合に、真空吸引力が
不足して、吸着手段が保持している基板を落下させるお
それがあった。また吸着手段の真空ポンプが故障した場
合にも、直ちに真空吸引力が不足して、吸着している基
板が落下するという問題もあった。
の技術においては、前述のように、互に接近した２つの
吸着手段が同時に吸引状態になる場合に、真空吸引力が
不足して、吸着手段が保持している基板を落下させるお
それがあった。また吸着手段の真空ポンプが故障した場
合にも、直ちに真空吸引力が不足して、吸着している基
板が落下するという問題もあった。
【０００８】本発明は、上記従来の技術の有する解決す
べき課題に鑑みてなされたものであり、減圧チャンバー
内において、吸着手段に保持されている基板を落下させ
るおそれがなく、加えて減圧チャンバーの減圧時間の短
縮を可能にする減圧装置を提供することを目的とするも
のである。
べき課題に鑑みてなされたものであり、減圧チャンバー
内において、吸着手段に保持されている基板を落下させ
るおそれがなく、加えて減圧チャンバーの減圧時間の短
縮を可能にする減圧装置を提供することを目的とするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の減圧装置は、減圧チャンバーの減圧装置で
あって、前記減圧チャンバーを減圧するための第１の真
空発生源を備えた第１の減圧手段と、前記減圧チャンバ
ー内で、複数の吸着手段に真空吸引力を発生させるため
の、少くとも１個の第２の真空発生源を備えた第２の減
圧手段と、前記第１の減圧手段によって、前記吸着手段
に附加的な真空吸引力を発生させるための第１の分岐配
管と、前記第２の減圧手段によって前記減圧チャンバー
を補助的に減圧するための第２の分岐配管と、前記第２
の分岐配管を自在に遮断することのできる開閉弁とから
なることを特徴とする。
めに本発明の減圧装置は、減圧チャンバーの減圧装置で
あって、前記減圧チャンバーを減圧するための第１の真
空発生源を備えた第１の減圧手段と、前記減圧チャンバ
ー内で、複数の吸着手段に真空吸引力を発生させるため
の、少くとも１個の第２の真空発生源を備えた第２の減
圧手段と、前記第１の減圧手段によって、前記吸着手段
に附加的な真空吸引力を発生させるための第１の分岐配
管と、前記第２の減圧手段によって前記減圧チャンバー
を補助的に減圧するための第２の分岐配管と、前記第２
の分岐配管を自在に遮断することのできる開閉弁とから
なることを特徴とする。
【００１０】なお、第２の減圧手段が、複数の吸着手段
にそれぞれ個別に真空吸引力を発生させるための複数の
第２の真空発生源を備えていてもよい。
にそれぞれ個別に真空吸引力を発生させるための複数の
第２の真空発生源を備えていてもよい。
【００１１】
【作用】第２の減圧手段による真空吸引力が不足した場
合に、第１の分岐配管を介して第１の減圧手段による真
空吸引力が附加されて、前記の吸着手段の真空吸引力の
不足を補う。また減圧チャンバーの操業開始時あるいは
長期休止後の再開時には、第２の分岐配管の開閉弁を開
くことで、第２の減圧手段を第１の減圧手段に接続し、
両者の真空吸引力によって減圧チャンバーを迅速に減圧
することが可能である。
合に、第１の分岐配管を介して第１の減圧手段による真
空吸引力が附加されて、前記の吸着手段の真空吸引力の
不足を補う。また減圧チャンバーの操業開始時あるいは
長期休止後の再開時には、第２の分岐配管の開閉弁を開
くことで、第２の減圧手段を第１の減圧手段に接続し、
両者の真空吸引力によって減圧チャンバーを迅速に減圧
することが可能である。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１３】図１は第１実施例の説明図であって、減圧
チャンバー１は、流量調節弁２ａおよび開閉弁２ｂをも
つ雰囲気排気ライン２を経て、第１の真空発生源である
第１の真空ポンプ３によって排気される。
チャンバー１は、流量調節弁２ａおよび開閉弁２ｂをも
つ雰囲気排気ライン２を経て、第１の真空発生源である
第１の真空ポンプ３によって排気される。
【００１４】上記減圧チャンバー１は、さらに制御弁４
ａ備えた給気ライン４をもち、給気ライン４はヘリウム
ガス供給源（図示せず）に接続される。基板であるウエ
ハ１１は、吸着手段である吸着ハンド１２によって、他
の吸着手段であるウエハチャック１３の近傍へ搬送さ
れ、受渡しが行われる。吸着ハンド１２は、ウエハチャ
ック１３へ向う方向（Ｘ方向という）へ移動するＸステ
ージ１４、およびこれに垂直な方向（Ｚ方向という）へ
移動するＺステージ１５からなる駆動手段によって、Ｘ
およびＺ方向へそれぞれ往復移動される。吸着ハンド１
２およびウエハチャック１３にそれぞれ真空吸引力を発
生させるための吸着ライン１６，１７は、それぞれ弁１
６ａ．１７ａを介してディストリビューター１８に接続
され、直列に配設された２つの開閉弁１９ａ，１９ｂを
もつ吸着排気ライン１９を経て、第２の真空発生源であ
る第２の真空ポンプ２０によって排気される。
ａ備えた給気ライン４をもち、給気ライン４はヘリウム
ガス供給源（図示せず）に接続される。基板であるウエ
ハ１１は、吸着手段である吸着ハンド１２によって、他
の吸着手段であるウエハチャック１３の近傍へ搬送さ
れ、受渡しが行われる。吸着ハンド１２は、ウエハチャ
ック１３へ向う方向（Ｘ方向という）へ移動するＸステ
ージ１４、およびこれに垂直な方向（Ｚ方向という）へ
移動するＺステージ１５からなる駆動手段によって、Ｘ
およびＺ方向へそれぞれ往復移動される。吸着ハンド１
２およびウエハチャック１３にそれぞれ真空吸引力を発
生させるための吸着ライン１６，１７は、それぞれ弁１
６ａ．１７ａを介してディストリビューター１８に接続
され、直列に配設された２つの開閉弁１９ａ，１９ｂを
もつ吸着排気ライン１９を経て、第２の真空発生源であ
る第２の真空ポンプ２０によって排気される。
【００１５】上記雰囲気排気ライン２と吸着排気ライン
１９との間は、逆止弁２１ａを備えた第１の分岐配管で
ある第１分岐ライン２１、および流量調整弁２２ａと開
閉弁２２ｂを備えた第２の分岐配管である第２分岐ライ
ン２２によって互に接続される。前記第１分岐ライン２
１および第２分岐ライン２２は、前記開閉弁１９ｂの下
流側、かつ前記開閉弁１９ａの上流側において吸着排気
ライン１９に接続されており、逆止弁２１ａは、雰囲気
排気ライン２から吸着排気ライン１９へ向うガス流のみ
を遮断する。なお第１分岐ライン２１は雰囲気排気ライ
ン２の開閉弁２ｂの下流側で流量調整弁２ａの上流側、
第２分岐ライン２２は雰囲気排気ライン２の流量調整弁
２ａの下流側において、それぞれ雰囲気排気ライン２に
接続される。
１９との間は、逆止弁２１ａを備えた第１の分岐配管で
ある第１分岐ライン２１、および流量調整弁２２ａと開
閉弁２２ｂを備えた第２の分岐配管である第２分岐ライ
ン２２によって互に接続される。前記第１分岐ライン２
１および第２分岐ライン２２は、前記開閉弁１９ｂの下
流側、かつ前記開閉弁１９ａの上流側において吸着排気
ライン１９に接続されており、逆止弁２１ａは、雰囲気
排気ライン２から吸着排気ライン１９へ向うガス流のみ
を遮断する。なお第１分岐ライン２１は雰囲気排気ライ
ン２の開閉弁２ｂの下流側で流量調整弁２ａの上流側、
第２分岐ライン２２は雰囲気排気ライン２の流量調整弁
２ａの下流側において、それぞれ雰囲気排気ライン２に
接続される。
【００１６】図２は、減圧チャンバー１の操業開始また
は長期休止後の操業再開時の立上り手順を示すフローチ
ャートであって、スタ−ト時に開閉弁１９ａ，１９ｂ，
２２ｂおよび２ｂがそれぞれ閉じていることを確認した
上で（Ｓ１）、第１および第２の真空ポンプ３，２０の
駆動を開始し（Ｓ２）、開閉弁２ｂ，１９ｂおよび２２
ｂを開いて（Ｓ３）、第１および第２の真空ポンプによ
る減圧チャンバー１の減圧を開始する。
は長期休止後の操業再開時の立上り手順を示すフローチ
ャートであって、スタ−ト時に開閉弁１９ａ，１９ｂ，
２２ｂおよび２ｂがそれぞれ閉じていることを確認した
上で（Ｓ１）、第１および第２の真空ポンプ３，２０の
駆動を開始し（Ｓ２）、開閉弁２ｂ，１９ｂおよび２２
ｂを開いて（Ｓ３）、第１および第２の真空ポンプによ
る減圧チャンバー１の減圧を開始する。
【００１７】減圧チャンバー１が、例えば１０-3〜１０
-4Ｔｏｒｒに減圧されると、圧力センサー５がこれを感
知して（Ｓ４、Ｓ５）、制御弁４ａが開き、給気ライン
４から減圧チャンバー１に供給するヘリウムガスの流量
を制御して（Ｓ６）、減圧チャンバー１の雰囲気圧力を
ほぼ１５０Ｔｏｒｒに維持する（Ｓ７）。
-4Ｔｏｒｒに減圧されると、圧力センサー５がこれを感
知して（Ｓ４、Ｓ５）、制御弁４ａが開き、給気ライン
４から減圧チャンバー１に供給するヘリウムガスの流量
を制御して（Ｓ６）、減圧チャンバー１の雰囲気圧力を
ほぼ１５０Ｔｏｒｒに維持する（Ｓ７）。
【００１８】減圧チャンバー１が前記の雰囲気圧力に減
圧されると、第２分岐ライン２２の開閉弁２２ｂが閉じ
て（Ｓ８）、吸着排気ライン１９の開閉弁１９ａが開き
（Ｓ９）、吸着ライン１６，１７に真空吸引力が発生し
て減圧チャンバー１の操業が開始される（Ｓ１０）。
圧されると、第２分岐ライン２２の開閉弁２２ｂが閉じ
て（Ｓ８）、吸着排気ライン１９の開閉弁１９ａが開き
（Ｓ９）、吸着ライン１６，１７に真空吸引力が発生し
て減圧チャンバー１の操業が開始される（Ｓ１０）。
【００１９】吸着排気ライン１９は、第１分岐ライン２
１によって雰囲気排気ライン２と連通しており、第１の
真空ポンプ３と第２の真空ポンプ２０の両者によって吸
引される。従って、操業中に吸着ハンド１２とウエハチ
ャック１３に同時に真空吸引力を必要とするとき、すな
わち、各吸着ライン１６，１７の開閉時１６ａ，１７ａ
が同時に開いた場合にも、真空吸引力の不足によって、
吸着ハンド１２またはウエハチャック１３に吸着されて
いるウエハ１１が落下するおそれはない。
１によって雰囲気排気ライン２と連通しており、第１の
真空ポンプ３と第２の真空ポンプ２０の両者によって吸
引される。従って、操業中に吸着ハンド１２とウエハチ
ャック１３に同時に真空吸引力を必要とするとき、すな
わち、各吸着ライン１６，１７の開閉時１６ａ，１７ａ
が同時に開いた場合にも、真空吸引力の不足によって、
吸着ハンド１２またはウエハチャック１３に吸着されて
いるウエハ１１が落下するおそれはない。
【００２０】図３は第２実施例を示す説明図であって、
本実施例においては２つの吸着手段にそれぞぞ個別に真
空吸引力を発生させるために、第２の真空発生源である
第２の真空ポンプが２個設けられている。すなわち、吸
着手段である吸着ハンド５２の吸着ライン５６は、第１
実施例の２つの開閉弁１９ａ，１９ｂと同様の２つの開
閉弁１９０ａ，１９０ｂを介して一方の第２の真空ポン
プ２００に接続され、吸着手段であるウエハチャック５
３の吸着ライン５７も、同様に２つの開閉弁１９１ａ、
１９１ｂを介して他方の第２の真空ポンプ２０１に接続
される。
本実施例においては２つの吸着手段にそれぞぞ個別に真
空吸引力を発生させるために、第２の真空発生源である
第２の真空ポンプが２個設けられている。すなわち、吸
着手段である吸着ハンド５２の吸着ライン５６は、第１
実施例の２つの開閉弁１９ａ，１９ｂと同様の２つの開
閉弁１９０ａ，１９０ｂを介して一方の第２の真空ポン
プ２００に接続され、吸着手段であるウエハチャック５
３の吸着ライン５７も、同様に２つの開閉弁１９１ａ、
１９１ｂを介して他方の第２の真空ポンプ２０１に接続
される。
【００２１】各第２の真空ポンプ２００、２０１のそれ
ぞれの吸着排気ライン１９０，１９１は、それぞれ第１
実施例と同様の第１分岐ライン６１および第２分岐ライ
ン６２を経て、第１の真空ポンプ４３の雰囲気排気ライ
ン４２に接続される。減圧チャンバー４１、給気ライン
４４、Ｘステージ５４、Ｚステージ５５、各開閉弁４２
ｂ，５６ａ，５７ａ，６２ｂ、制御弁４４ａ、各流量調
整弁４２ａ，６２ａ等については第１実施例と同じであ
るので説明は省略する。
ぞれの吸着排気ライン１９０，１９１は、それぞれ第１
実施例と同様の第１分岐ライン６１および第２分岐ライ
ン６２を経て、第１の真空ポンプ４３の雰囲気排気ライ
ン４２に接続される。減圧チャンバー４１、給気ライン
４４、Ｘステージ５４、Ｚステージ５５、各開閉弁４２
ｂ，５６ａ，５７ａ，６２ｂ、制御弁４４ａ、各流量調
整弁４２ａ，６２ａ等については第１実施例と同じであ
るので説明は省略する。
【００２２】本実施例においては、各吸着排気ライン１
９０，１９１がそれぞれ個別の第２の真空ポンプ２０
０，２０１によって排気されており、さらに第１分岐管
６２を介して第１の真空ポンプ４３によって真空吸引力
を補われるため、吸着ハンド５２またはウエハチャック
５３に吸着されている基板であるウエハ５１が落下する
おそれはない。加えて２つの第２の真空ポンプ２００、
２０１の一方が故障しても、第１の真空ポンプ４３から
第１分岐ライン６１を経て真空吸引力が補われるため、
吸着されているウエハ５１が直ちに落下するおそれもな
い。
９０，１９１がそれぞれ個別の第２の真空ポンプ２０
０，２０１によって排気されており、さらに第１分岐管
６２を介して第１の真空ポンプ４３によって真空吸引力
を補われるため、吸着ハンド５２またはウエハチャック
５３に吸着されている基板であるウエハ５１が落下する
おそれはない。加えて２つの第２の真空ポンプ２００、
２０１の一方が故障しても、第１の真空ポンプ４３から
第１分岐ライン６１を経て真空吸引力が補われるため、
吸着されているウエハ５１が直ちに落下するおそれもな
い。
【００２３】また雰囲気排気ライン４２による減圧チャ
ンバー４１の立上り時の減圧に当っては、第２分岐ライ
ン６２の開閉弁６２を開くことで各第２のポンプ２０
０，２０１の真空吸引力を附加することによってより迅
速に減圧することが可能である。
ンバー４１の立上り時の減圧に当っては、第２分岐ライ
ン６２の開閉弁６２を開くことで各第２のポンプ２０
０，２０１の真空吸引力を附加することによってより迅
速に減圧することが可能である。
【００２４】
【発明の効果】減圧チャンバーにおいて、吸着手段の真
空吸引力が不足することなく、従って吸着手段に吸着さ
れているウエハが落下するおそれがない。加えて、操業
開始または長期休止後の操業再開に際して、減圧チャン
バーを短時間で所望の真空レベルに減圧することができ
る。さらに前記吸着手段に真空吸引力を発生させる真空
発生源が故障しても、直ちに吸着されている基板が落下
する危険もない。
空吸引力が不足することなく、従って吸着手段に吸着さ
れているウエハが落下するおそれがない。加えて、操業
開始または長期休止後の操業再開に際して、減圧チャン
バーを短時間で所望の真空レベルに減圧することができ
る。さらに前記吸着手段に真空吸引力を発生させる真空
発生源が故障しても、直ちに吸着されている基板が落下
する危険もない。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例を示す説明図である。
【図２】第１実施例の立上り時のフローチャートであ
る。
る。
【図３】第２実施例を示す説明図である。
【図４】従来例を示す説明図である。
１，４１ 減圧チャンバー ２，４２ 雰囲気排気ライン ３，４３ 第１の真空ポンプ ４，４４ 給気ライン ５，４５ 圧力センサー １１，５１ ウエハ １２，５２ 吸着ハンド １３，５３ ウエハチャック １６，５６ 吸着ライン １７，５７ 吸着ライン ２０，２００，２０１ 第２の真空ポンプ ２１，６１ 第１分岐ライン ２１ａ，６１ａ 逆止弁 ２２，６２ 第２分岐ライン ２２ｂ，６２ｂ 開閉弁
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧チャンバーの減圧装置であって、前
記減圧チャンバーを減圧するための第１の真空発生源を
備えた第１の減圧手段と、前記減圧チャンバー内で、複
数の吸着手段に真空吸引力を発生させるための、少くと
も１個の第２の真空発生源を備えた第２の減圧手段と、
前記第１の減圧手段によって、前記吸着手段に附加的な
真空吸引力を発生させるための第１の分岐配管と、前記
第２の減圧手段によって前記減圧チャンバーを補助的に
減圧するための第２の分岐配管と、前記第２の分岐配管
を自在に遮断することのできる開閉弁とからなる減圧装
置。 - 【請求項２】 第２の減圧手段が、複数の吸着手段にそ
れぞれ個別に真空吸引力を発生させるための複数の第２
の真空発生源を備えていることを特徴とする請求項１記
載の減圧装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33418391A JPH05144709A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 減圧装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33418391A JPH05144709A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 減圧装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144709A true JPH05144709A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18274470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33418391A Pending JPH05144709A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 減圧装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144709A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266503A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| JP2009003365A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Nsk Ltd | 近接スキャン露光装置及びその制御方法 |
| JP2009509335A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板背面圧力測定を用いた基板載置決定 |
| JP2009111009A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Yamaha Motor Co Ltd | 表面実装機および基板生産制御装置 |
| JP2009298007A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Meiki Co Ltd | 真空チャンバの真空度制御機構及び真空度制御方法 |
| JP2011023427A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Canon Inc | 減圧装置、加圧装置、露光装置、デバイス製造方法 |
| JP2016532282A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-13 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ウエハを吸引し保持するためのチャック |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33418391A patent/JPH05144709A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509335A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板背面圧力測定を用いた基板載置決定 |
| JP2007266503A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| JP4582715B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置、並びに、感度調整のための装置及び方法 |
| JP2009003365A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Nsk Ltd | 近接スキャン露光装置及びその制御方法 |
| JP2009111009A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Yamaha Motor Co Ltd | 表面実装機および基板生産制御装置 |
| JP2009298007A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Meiki Co Ltd | 真空チャンバの真空度制御機構及び真空度制御方法 |
| JP2011023427A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Canon Inc | 減圧装置、加圧装置、露光装置、デバイス製造方法 |
| JP2016532282A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-13 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ウエハを吸引し保持するためのチャック |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101132118B1 (ko) | 약액 공급 시스템 | |
| JP4869612B2 (ja) | 基板搬送システムおよび基板搬送方法 | |
| US5433238A (en) | Pumping system for evacuating reactor chambers | |
| JPH07122498A (ja) | チャンバーへのガス供給方法 | |
| JPH1126552A (ja) | 半導体装置製造設備及びこれの駆動方法 | |
| JPH05144709A (ja) | 減圧装置 | |
| JP2772835B2 (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
| JPH07325279A (ja) | 減圧処理装置及び方法 | |
| WO2003103904A1 (ja) | 真空システム | |
| JPH0831369A (ja) | ガス供給装置 | |
| JP4658248B2 (ja) | 薬液供給システム | |
| JPH05190427A (ja) | 減圧チャンバーの圧力制御方法およびその装置 | |
| JPH02119223A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6025232A (ja) | 半導体製造装置の圧力調整方法 | |
| JP3259160B2 (ja) | 処理液供給方法及び処理液供給装置 | |
| JP2021122860A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH04272643A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| JP3443192B2 (ja) | 基板処理装置用処理液供給装置 | |
| JPH04324925A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH0568095B2 (ja) | ||
| JPH08274029A (ja) | ガス供給装置 | |
| TWI240947B (en) | Pumping system of load lock chamber and operating method thereof | |
| JPH05121359A (ja) | ガスエツチング装置のエツチングガス置換方法およびガスエツチング装置 | |
| JP2003152046A (ja) | 真空処理装置及び被処理物の製造方法 | |
| JPH0864490A (ja) | ガス系の流量制御装置 |