JPS6025232A - 半導体製造装置の圧力調整方法 - Google Patents
半導体製造装置の圧力調整方法Info
- Publication number
- JPS6025232A JPS6025232A JP13273583A JP13273583A JPS6025232A JP S6025232 A JPS6025232 A JP S6025232A JP 13273583 A JP13273583 A JP 13273583A JP 13273583 A JP13273583 A JP 13273583A JP S6025232 A JPS6025232 A JP S6025232A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- pressure
- gas
- valve
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置の圧力調整方法に係り、特に
ドライエツチング装置、ＯＶＤ装置、スパッタリング装
置等のドライプロセスにてウェハに所定の加工処理を施
こす半導体製造装置の圧力調整方法に関するものである
。
ドライエツチング装置、ＯＶＤ装置、スパッタリング装
置等のドライプロセスにてウェハに所定の加工処理を施
こす半導体製造装置の圧力調整方法に関するものである
。
第１図に従来のドライプロセスにてウェハに所定の加工
処理を施こす半導体製造装置の一例を示排気した後、ガ
ス供給装置４よりウェハの加工、処理に必要なガスを真
空室１内に導入し、プロセス排気装置６に設けられた可
変コンダクタンス弁７によって排気系のコンダクタンス
を変えて真空室１の圧力調整を行なっていた。かかる圧
力調整方法によると、真空室１内の圧力を真空計９で検
知し、制御装置にフィードベックして、所謂、自動圧力
調整を行なう場合、可変コンダクタンスバルブ７の開閉
動作に時間が掛るため、所望の圧力に真空室１内が安定
するまでに長い待時間（以下圧力調整待時間と略）を生
じ、その結果、スループットが低下するといった欠点が
あった。
処理を施こす半導体製造装置の一例を示排気した後、ガ
ス供給装置４よりウェハの加工、処理に必要なガスを真
空室１内に導入し、プロセス排気装置６に設けられた可
変コンダクタンス弁７によって排気系のコンダクタンス
を変えて真空室１の圧力調整を行なっていた。かかる圧
力調整方法によると、真空室１内の圧力を真空計９で検
知し、制御装置にフィードベックして、所謂、自動圧力
調整を行なう場合、可変コンダクタンスバルブ７の開閉
動作に時間が掛るため、所望の圧力に真空室１内が安定
するまでに長い待時間（以下圧力調整待時間と略）を生
じ、その結果、スループットが低下するといった欠点が
あった。
本発明の目的は、可変コンダクタンスバルブの開閉動作
によらず真空室内の圧力を調整することで、圧力ａ！！
整待特待時間縮でき、スループットを向上できる半導体
製造装置の圧力調整方法を提供することにある。
によらず真空室内の圧力を調整することで、圧力ａ！！
整待特待時間縮でき、スループットを向上できる半導体
製造装置の圧力調整方法を提供することにある。
本発明は、排気手段により真空室の真空排気を定常的に
行いつつ、ガス供給手段から真空室に供給されるガス量
を制御して真空室内の圧力を調整することを特徴とする
もので、真空室内の圧力調整を可変コンダクタンスバル
ブの開閉動作によらず−行えるようにするものである。
行いつつ、ガス供給手段から真空室に供給されるガス量
を制御して真空室内の圧力を調整することを特徴とする
もので、真空室内の圧力調整を可変コンダクタンスバル
ブの開閉動作によらず−行えるようにするものである。
以下１本発明の一実施例を、第２図によって説明する。
第２図で、真空室１はバルブ３．を介して排気手段であ
る高真空排気袋Ｗ２に接続されている。また、真空室ｌ
にはバルブ５を介してガス供給手段であるガス制御ユニ
ット４が接続されている。真空室１は、バルブ３を通じ
高真空排気装置２により高真空に排気された後、高真空
排気を定常的に継続したままバルブ５を開放してガスが
供給される。ガス制御ユニット４により、供給するガス
の質量流量を一定に保つと、−室排気速度で排気されて
いる真空室１内の圧力はある一定の平衡圧力に達して安
定する。従って、ウェハの処理プロセスにより、所望の
圧力を得るには、真空室１の圧力を圧力計９によって監
視し、ガス制御ユニット４によって供給するガス流量を
調節すれば良い。
る高真空排気袋Ｗ２に接続されている。また、真空室ｌ
にはバルブ５を介してガス供給手段であるガス制御ユニ
ット４が接続されている。真空室１は、バルブ３を通じ
高真空排気装置２により高真空に排気された後、高真空
排気を定常的に継続したままバルブ５を開放してガスが
供給される。ガス制御ユニット４により、供給するガス
の質量流量を一定に保つと、−室排気速度で排気されて
いる真空室１内の圧力はある一定の平衡圧力に達して安
定する。従って、ウェハの処理プロセスにより、所望の
圧力を得るには、真空室１の圧力を圧力計９によって監
視し、ガス制御ユニット４によって供給するガス流量を
調節すれば良い。
本実施例のような圧力調整方法によれば、従来の如（、
モータ等の機械駆動系を有する大型の可変コンダクタン
スバルブを必要としないため、圧力調整待時間を短縮で
きスループットを向上できる。例えば、従来は、可変コ
・ンダクタンスパルブの開閉動作の調整のために数十秒
の圧力調整待時間を要していたが、本実施例のような圧
力調整方法−ｒ：−ハｉス制御ユニットにマスフローコ
ントローラを用いた場合、数秒以内に調整が可能となる
。
モータ等の機械駆動系を有する大型の可変コンダクタン
スバルブを必要としないため、圧力調整待時間を短縮で
きスループットを向上できる。例えば、従来は、可変コ
・ンダクタンスパルブの開閉動作の調整のために数十秒
の圧力調整待時間を要していたが、本実施例のような圧
力調整方法−ｒ：−ハｉス制御ユニットにマスフローコ
ントローラを用いた場合、数秒以内に調整が可能となる
。
また、定常排気のコンダクタンスを適当なオリフィスを
選定することで調節することにより、所望の平衡圧力に
必要なガス流量を減少させることができ、ガスの節約と
、真空ポンプの長寿命化を図ることができるようになる
という効果もある。更に、機械駆動系を有する大型の可
変コンダクンス及び従来のプロセス排気装置が不用であ
るため、装置の簡略化、小型化およびコストダウンを図
ることができる。
選定することで調節することにより、所望の平衡圧力に
必要なガス流量を減少させることができ、ガスの節約と
、真空ポンプの長寿命化を図ることができるようになる
という効果もある。更に、機械駆動系を有する大型の可
変コンダクンス及び従来のプロセス排気装置が不用であ
るため、装置の簡略化、小型化およびコストダウンを図
ることができる。
本発明は、以上説明したように、排気手段によで、可変
コンダクタンスバルブの開閉動作によらず真空室内の圧
力を調整できるので、圧力調整待時間を短縮でき、スル
ープットを向上できる効果がある。
コンダクタンスバルブの開閉動作によらず真空室内の圧
力を調整できるので、圧力調整待時間を短縮でき、スル
ープットを向上できる効果がある。
第１図は、従来の半導体製造装置ｕの圧力調整系統図、
第２図は、本発明を実施した半導体製造装置の一例を示
す圧力調整系統図である。 １・・・・・真空室、２・・・・・・高真空排気装置、
４・・・・・・才１図 才２図
第２図は、本発明を実施した半導体製造装置の一例を示
す圧力調整系統図である。 １・・・・・真空室、２・・・・・・高真空排気装置、
４・・・・・・才１図 才２図
Claims (1)
- １、 ウェハを加工処理する真空室と、該真空室を真空
排気する排気手段と、ｉｆｒ記ウェハの加工処理に必要
なガスをｎｒＩ記真空室に供給するガス供給手段とを有
する半導体製造装置において、前記排気手段により前記
真空室の真空排気を定常的に行いつつ、前記ガス供給手
段から真空室に供給されるガス量を制御して真空室内の
圧力を調整することを特徴とする半導体製造装置の圧力
、１．ＩＩ整方ン去。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13273583A JPS6025232A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体製造装置の圧力調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13273583A JPS6025232A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体製造装置の圧力調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025232A true JPS6025232A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15088366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13273583A Pending JPS6025232A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体製造装置の圧力調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152529A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JP2003071270A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| WO2009087796A1 (ja) | 2008-01-09 | 2009-07-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 常温接合装置および常温接合方法 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13273583A patent/JPS6025232A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152529A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JP2003071270A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP4490008B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2010-06-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| WO2009087796A1 (ja) | 2008-01-09 | 2009-07-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 常温接合装置および常温接合方法 |
| US8985175B2 (en) | 2008-01-09 | 2015-03-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Room temperature bonding machine and room temperature bonding method |
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