JP2760331B2 - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
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- JP2760331B2 JP2760331B2 JP7320530A JP32053095A JP2760331B2 JP 2760331 B2 JP2760331 B2 JP 2760331B2 JP 7320530 A JP7320530 A JP 7320530A JP 32053095 A JP32053095 A JP 32053095A JP 2760331 B2 JP2760331 B2 JP 2760331B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器内に例え
ば窒素、酸素、水素、空気等のガスを導入して、真空容
器内の圧力を１０-2Ｐａ〜１０-5Ｐａの高真空領域〜超
高真空領域の広範囲に亘って導入ガスの所定分圧を維持
し、且つ一定の圧力に制御する装置に関する。
ば窒素、酸素、水素、空気等のガスを導入して、真空容
器内の圧力を１０-2Ｐａ〜１０-5Ｐａの高真空領域〜超
高真空領域の広範囲に亘って導入ガスの所定分圧を維持
し、且つ一定の圧力に制御する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空容器内に窒素、酸素等のガスを導入
し、真空容器内の圧力を一定に維持する装置としては、
スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエ
ッチング装置、プラズマ灰化装置等があり、これらは何
れも真空容器内を１０-2Ｐａ〜数Ｐａ程度の高真空領域
〜中真空領域の圧力で一定に維持し、放電を利用して試
料表面の処理を行っている。これらの装置の一般的な真
空排気系及びガス導入系は、図７の如く真空ポンプ５及
び仕切弁１０を備えた真空容器１と、内部の圧力を測定
する真空計８と、その真空容器１に窒素、酸素、水素等
のガスを供給するガス導入系とから構成されており、更
にそのガス導入系は、ガス供給源７からのガスを遮断す
る仕切弁１２と導入ガス流量を制御する質量流量制御器
４とから構成されている。
し、真空容器内の圧力を一定に維持する装置としては、
スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエ
ッチング装置、プラズマ灰化装置等があり、これらは何
れも真空容器内を１０-2Ｐａ〜数Ｐａ程度の高真空領域
〜中真空領域の圧力で一定に維持し、放電を利用して試
料表面の処理を行っている。これらの装置の一般的な真
空排気系及びガス導入系は、図７の如く真空ポンプ５及
び仕切弁１０を備えた真空容器１と、内部の圧力を測定
する真空計８と、その真空容器１に窒素、酸素、水素等
のガスを供給するガス導入系とから構成されており、更
にそのガス導入系は、ガス供給源７からのガスを遮断す
る仕切弁１２と導入ガス流量を制御する質量流量制御器
４とから構成されている。
【０００３】この構成の真空排気装置に於ける真空容器
１内の圧力の制御方法は、まず仕切弁１０を開いて真空
ポンプ５で真空容器１内を真空排気すると共に、必要に
よりベーキングヒーター（図示せず）によって真空容器
１内を加熱し、真空容器１内部からの放出ガスを充分少
なくして１０-6〜１０-4Ｐａの圧力まで真空排気する。
その後、仕切弁１２を開いてガス供給源７からの気体を
真空容器１内に導入し、真空計８で計測される圧力が所
望の値になるように質量流量制御器４にガス流量を設定
する。その後は、質量流量制御器４でガス流量を一定に
制御することで真空容器１内の圧力を一定にしている。
１内の圧力の制御方法は、まず仕切弁１０を開いて真空
ポンプ５で真空容器１内を真空排気すると共に、必要に
よりベーキングヒーター（図示せず）によって真空容器
１内を加熱し、真空容器１内部からの放出ガスを充分少
なくして１０-6〜１０-4Ｐａの圧力まで真空排気する。
その後、仕切弁１２を開いてガス供給源７からの気体を
真空容器１内に導入し、真空計８で計測される圧力が所
望の値になるように質量流量制御器４にガス流量を設定
する。その後は、質量流量制御器４でガス流量を一定に
制御することで真空容器１内の圧力を一定にしている。
【０００４】上記真空排気装置の他に、自動制御が進ん
だ装置は図８の如く、上記の構成に加えて真空計８で測
定された真空容器１内の圧力と設定圧力とを比較して、
制御すべきガス流量を質量流量制御器４に出力する圧力
制御器１３を備え、真空容器１内の圧力を自動制御方式
するものがあり、この方式を用いた例としての半導体製
造装置の圧力調整方法は特開昭６０−２５２３２で開示
されている。
だ装置は図８の如く、上記の構成に加えて真空計８で測
定された真空容器１内の圧力と設定圧力とを比較して、
制御すべきガス流量を質量流量制御器４に出力する圧力
制御器１３を備え、真空容器１内の圧力を自動制御方式
するものがあり、この方式を用いた例としての半導体製
造装置の圧力調整方法は特開昭６０−２５２３２で開示
されている。
【０００５】更に他の制御方法を用いた装置として、図
９に示す如く、真空容器１と真空ポンプ５との間に可変
コンダクタンスバルブ１５を設け、ガス供給源７からの
導入ガスを質量流量制御器４で一定に制御すると共に、
真空計８で測定された真空容器内の圧力と設定圧力とを
比較してコンダクタンスバルブ１５の開度を自動的に調
節するコンダクタンスバルブ制御器１６を設けた真空排
気装置等がある。
９に示す如く、真空容器１と真空ポンプ５との間に可変
コンダクタンスバルブ１５を設け、ガス供給源７からの
導入ガスを質量流量制御器４で一定に制御すると共に、
真空計８で測定された真空容器内の圧力と設定圧力とを
比較してコンダクタンスバルブ１５の開度を自動的に調
節するコンダクタンスバルブ制御器１６を設けた真空排
気装置等がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した真空
排気装置はガスを導入した際の真空容器内圧力が１０-3
Ｐａ程度の圧力であれば容易に制御可能であるが、１０
-4Ｐａ以下の圧力で制御する場合には毎分０．０１ＣＣ
以下の極微少のガス導入量を高精度に制御できる質量流
量制御器か、または毎秒数万〜数十万リットルという膨
大な排気速度を有した真空ポンプのいずれかが必要とな
る。しかしながら前述の極微少流量を制御できる質量流
量制御器及び毎秒数十万リットルという膨大な真空ポン
プは現存せず、従来の真空排気装置では１０-4Ｐａ以下
の圧力を精度良く制御することは不可能であった。ま
た、仮に製造できたとしても非常に高額なものになり、
実用的でないという問題がある。
排気装置はガスを導入した際の真空容器内圧力が１０-3
Ｐａ程度の圧力であれば容易に制御可能であるが、１０
-4Ｐａ以下の圧力で制御する場合には毎分０．０１ＣＣ
以下の極微少のガス導入量を高精度に制御できる質量流
量制御器か、または毎秒数万〜数十万リットルという膨
大な排気速度を有した真空ポンプのいずれかが必要とな
る。しかしながら前述の極微少流量を制御できる質量流
量制御器及び毎秒数十万リットルという膨大な真空ポン
プは現存せず、従来の真空排気装置では１０-4Ｐａ以下
の圧力を精度良く制御することは不可能であった。ま
た、仮に製造できたとしても非常に高額なものになり、
実用的でないという問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の真空排気装置
は、上述した課題を解決するために、真空容器内に導入
するガス流量を制御する質量流量制御器と真空容器との
間に、真空容器内を真空排気する真空ポンプとは独立し
た真空ポンプで内部が真空排気される中間室と、真空容
器と中間室との間に位置し、コンダクタンスが調整可能
な可変コンダクタンスバルブとを備えたことを特徴とす
る。
は、上述した課題を解決するために、真空容器内に導入
するガス流量を制御する質量流量制御器と真空容器との
間に、真空容器内を真空排気する真空ポンプとは独立し
た真空ポンプで内部が真空排気される中間室と、真空容
器と中間室との間に位置し、コンダクタンスが調整可能
な可変コンダクタンスバルブとを備えたことを特徴とす
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施形態例の真空排気装
置の構成図である。試料を内部に装着する真空容器１に
は、真空容器１内を真空排気する真空ポンプ５が仕切弁
１０を介して接続されている。一方、ガス供給源７から
真空容器内１にガスを導入する系には、ガス供給源７か
らのガスを遮断する仕切弁１２、導入するガス流量を一
定に制御する質量流量制御器４、内部が真空ポンプ６に
よって真空排気される中間室２、ハンドルを手動で回転
させて弁座と弁との間隙を調整することによって中間室
２から真空容器１に流入するガス流量を調整する可変コ
ンダクタンスバルブ３、そのガスを遮断する仕切弁９と
から構成されている。
て説明する。図１は本発明の一実施形態例の真空排気装
置の構成図である。試料を内部に装着する真空容器１に
は、真空容器１内を真空排気する真空ポンプ５が仕切弁
１０を介して接続されている。一方、ガス供給源７から
真空容器内１にガスを導入する系には、ガス供給源７か
らのガスを遮断する仕切弁１２、導入するガス流量を一
定に制御する質量流量制御器４、内部が真空ポンプ６に
よって真空排気される中間室２、ハンドルを手動で回転
させて弁座と弁との間隙を調整することによって中間室
２から真空容器１に流入するガス流量を調整する可変コ
ンダクタンスバルブ３、そのガスを遮断する仕切弁９と
から構成されている。
【０００９】本構成の真空排気装置での圧力制御方法
は、先ず、仕切弁９，１０，１１，１２を閉じた状態で
真空ポンプ５，６を起動し、動作可能状態にする。次に
仕切弁１０及び１１を開き、真空容器１内及び中間室２
内を１０-3Ｐａ程度まで真空排気した後、ベーキングヒ
ーター（図示せず）で加熱して真空容器１内及び中間室
２内を充分に脱ガスして真空容器１内圧力及び中間室２
内圧力をガス導入時の制御圧力より１〜２桁程度低い圧
力まで真空排気する。
は、先ず、仕切弁９，１０，１１，１２を閉じた状態で
真空ポンプ５，６を起動し、動作可能状態にする。次に
仕切弁１０及び１１を開き、真空容器１内及び中間室２
内を１０-3Ｐａ程度まで真空排気した後、ベーキングヒ
ーター（図示せず）で加熱して真空容器１内及び中間室
２内を充分に脱ガスして真空容器１内圧力及び中間室２
内圧力をガス導入時の制御圧力より１〜２桁程度低い圧
力まで真空排気する。
【００１０】次に仕切弁１２を開けてガス供給源７から
の導入ガスを質量流量制御器４を通して中間室２に導入
し、質量流量制御器４の設定流量を変化させて中間室２
内圧力を０．１〜数Ｐａ程度に調整する。
の導入ガスを質量流量制御器４を通して中間室２に導入
し、質量流量制御器４の設定流量を変化させて中間室２
内圧力を０．１〜数Ｐａ程度に調整する。
【００１１】その後、仕切弁９を開け、可変コンダクタ
ンスバルブ３の開度を調整して真空容器１内の圧力を真
空計８で計測しながら所望の圧力に調整する。この際質
量流量制御器４で導入するガス流量は可能な限り少なく
することで真空ポンプ５，６の所要排気量を低減するこ
とができる。
ンスバルブ３の開度を調整して真空容器１内の圧力を真
空計８で計測しながら所望の圧力に調整する。この際質
量流量制御器４で導入するガス流量は可能な限り少なく
することで真空ポンプ５，６の所要排気量を低減するこ
とができる。
【００１２】しかしながら現有する質量流量制御器は毎
分１ＣＣの物が最小であり、この質量流量制御器を用い
ても制御精度を配慮すると制御ガス流量は毎分０．５Ｃ
Ｃ程度が実用可能な最小値となる。
分１ＣＣの物が最小であり、この質量流量制御器を用い
ても制御精度を配慮すると制御ガス流量は毎分０．５Ｃ
Ｃ程度が実用可能な最小値となる。
【００１３】本実施形態例に於いて質量流量制御器４か
らガスを毎分数ＣＣ導入し、真空容器１内の圧力を１０
-5Ｐａに制御する場合の各部の諸元の一例を示すと、真
空ポンプ５の排気能力が毎秒数百リットル、真空ポンプ
６の排気能力が毎秒数十リットルという小型の真空ポン
プでよいことになる。尚、その際可変コンダクタンスバ
ルブ３を通して真空容器１内に流入するガス量と、真空
ポンプ６で排気されるガス量の比率は大凡１：１０００
であり、導入したガスの極微量を真空容器１内に導入す
ることで１０-5Ｐａという高真空領域での圧力調整が可
能となる。
らガスを毎分数ＣＣ導入し、真空容器１内の圧力を１０
-5Ｐａに制御する場合の各部の諸元の一例を示すと、真
空ポンプ５の排気能力が毎秒数百リットル、真空ポンプ
６の排気能力が毎秒数十リットルという小型の真空ポン
プでよいことになる。尚、その際可変コンダクタンスバ
ルブ３を通して真空容器１内に流入するガス量と、真空
ポンプ６で排気されるガス量の比率は大凡１：１０００
であり、導入したガスの極微量を真空容器１内に導入す
ることで１０-5Ｐａという高真空領域での圧力調整が可
能となる。
【００１４】図２は上記実施形態例の圧力制御方法を、
更に高精度且つ自動的な制御を可能にした第２の実施形
態例を示す構成図である。図１の構成に加え、中間室２
とその中間室を排気する真空ポンプ６との間に真空ポン
プ６への排気量を調整する可変コンダクタンスバルブ１
４と、真空容器１の設定圧力と真空計８で測定された真
空容器１内の圧力とを比較して質量流量制御器４に制御
すべきガス流量を出力する圧力制御器１３とを備えてい
る。
更に高精度且つ自動的な制御を可能にした第２の実施形
態例を示す構成図である。図１の構成に加え、中間室２
とその中間室を排気する真空ポンプ６との間に真空ポン
プ６への排気量を調整する可変コンダクタンスバルブ１
４と、真空容器１の設定圧力と真空計８で測定された真
空容器１内の圧力とを比較して質量流量制御器４に制御
すべきガス流量を出力する圧力制御器１３とを備えてい
る。
【００１５】本構成の真空排気装置での圧力制御方法
は、中間室２内圧力を可変コンダクタンスバルブ１４で
最適値に調整した後、圧力制御器１３で真空容器１内を
設定圧力に維持すべく質量流量制御器４の設定流量を常
に制御する方式を採用している。従って、本実施形態例
の構成の真空排気装置は、中間室の真空排気系に可変コ
ンダクタンスバルブ１４を設けたことで中間室２内の圧
力が広範囲に調整可能であり、換言すれば真空容器内の
制御可能圧力範囲を広げる効果がある。更に真空容器１
内の圧力変動を質量流量制御器４に帰還させることで、
真空容器内の圧力を長時間安定させて制御することが可
能である。
は、中間室２内圧力を可変コンダクタンスバルブ１４で
最適値に調整した後、圧力制御器１３で真空容器１内を
設定圧力に維持すべく質量流量制御器４の設定流量を常
に制御する方式を採用している。従って、本実施形態例
の構成の真空排気装置は、中間室の真空排気系に可変コ
ンダクタンスバルブ１４を設けたことで中間室２内の圧
力が広範囲に調整可能であり、換言すれば真空容器内の
制御可能圧力範囲を広げる効果がある。更に真空容器１
内の圧力変動を質量流量制御器４に帰還させることで、
真空容器内の圧力を長時間安定させて制御することが可
能である。
【００１６】図３は図２の可変コンダクタンスバルブ１
４に代えて、真空容器１とその真空容器１を排気する真
空ポンプとの間に可変コンダクタンス１５を設けた第３
の実施形態例を示す構成図である。本実施形態例の真空
排気装置は、真空容器１内の圧力を可変コンダクタンス
バルブ１５で予め調整し、その後は図２と同様に真空容
器１内の圧力変動を質量流量制御器４に帰還させること
で真空容器１内の圧力を一定に制御する方式であり、第
２の実施形態例とほぼ同等の効果が得られる。
４に代えて、真空容器１とその真空容器１を排気する真
空ポンプとの間に可変コンダクタンス１５を設けた第３
の実施形態例を示す構成図である。本実施形態例の真空
排気装置は、真空容器１内の圧力を可変コンダクタンス
バルブ１５で予め調整し、その後は図２と同様に真空容
器１内の圧力変動を質量流量制御器４に帰還させること
で真空容器１内の圧力を一定に制御する方式であり、第
２の実施形態例とほぼ同等の効果が得られる。
【００１７】図４は図２及び図３の圧力制御器１３に代
えて、真空容器１と中間室２との間に設けられた可変コ
ンダクタンスバルブ３を制御するコンダクタンスバルブ
制御器１６を設けたことを特徴とする第４の実施形態例
を示す真空排気装置の構成図である。本実施形態例では
真空容器１内の圧力変動をコンダクタンスバルブ制御器
１６で可変コンダクタンスバルブ３の開度を制御するこ
とで真空容器１内圧力を一定に制御している。本方法で
は、真空容器１内に導入するガス流量を直接制御するた
め応答性に優れ、制御精度も向上する。
えて、真空容器１と中間室２との間に設けられた可変コ
ンダクタンスバルブ３を制御するコンダクタンスバルブ
制御器１６を設けたことを特徴とする第４の実施形態例
を示す真空排気装置の構成図である。本実施形態例では
真空容器１内の圧力変動をコンダクタンスバルブ制御器
１６で可変コンダクタンスバルブ３の開度を制御するこ
とで真空容器１内圧力を一定に制御している。本方法で
は、真空容器１内に導入するガス流量を直接制御するた
め応答性に優れ、制御精度も向上する。
【００１８】図５は第５の実施形態例を示す真空排気装
置の構成図である。第４の実施形態例がコンダクタンス
バルブ制御器１６で真空容器１と中間室２との間に設け
られた可変コンダクタンスバルブ３を制御する方式に比
し、本実施形態例では真空容器１内を真空排気する真空
ポンプ５の真空容器１側に設けられた可変コンダクタン
スバルブ１５を制御する方式である。本方式も真空容器
１内の圧力変動を真空容器から真空ポンプ５に排気され
る実効排気速度を直接制御する方法であり、第４の実施
形態例とほぼ同等の性能が得られる。
置の構成図である。第４の実施形態例がコンダクタンス
バルブ制御器１６で真空容器１と中間室２との間に設け
られた可変コンダクタンスバルブ３を制御する方式に比
し、本実施形態例では真空容器１内を真空排気する真空
ポンプ５の真空容器１側に設けられた可変コンダクタン
スバルブ１５を制御する方式である。本方式も真空容器
１内の圧力変動を真空容器から真空ポンプ５に排気され
る実効排気速度を直接制御する方法であり、第４の実施
形態例とほぼ同等の性能が得られる。
【００１９】図６は第６の実施形態例を示す本発明の真
空排気装置の構成図である。本実施形態例は中間室２と
その中間室を排気する真空ポンプ６との間に設けられた
可変コンダクタンスバルブ１４をコンダクタンスバルブ
制御器１６で制御することで、真空容器１内の圧力を一
定に制御する方式である。本実施形態例は真空容器１内
を排気する真空ポンプ５より排気能力が小さくて済む中
間室の真空ポンプ６の実効排気速度を制御するものであ
り、第５の実施形態例より制御精度が若干劣るが、小型
のコンダクタンスバルブで良いという利点がある。
空排気装置の構成図である。本実施形態例は中間室２と
その中間室を排気する真空ポンプ６との間に設けられた
可変コンダクタンスバルブ１４をコンダクタンスバルブ
制御器１６で制御することで、真空容器１内の圧力を一
定に制御する方式である。本実施形態例は真空容器１内
を排気する真空ポンプ５より排気能力が小さくて済む中
間室の真空ポンプ６の実効排気速度を制御するものであ
り、第５の実施形態例より制御精度が若干劣るが、小型
のコンダクタンスバルブで良いという利点がある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による真空
排気装置は、試料を内部に装着し処理または特性評価を
行う真空容器へのガス導入系に、真空容器を真空排気す
る真空ポンプとは独立した真空排気系を有する中間室を
設け、更に真空容器と中間室との間にコンダクタンスが
調整できる可変コンダクタンスバルブを設けることで、
従来技術では実現できなかった１０-4Ｐａ以上という真
空容器内圧力を形成でき、それに加え１０-5Ｐａ〜１０
-2Ｐａという広範囲の圧力にも調整ができ、更に真空容
器内の圧力を測定し、この測定圧力を基にコンダクタン
スバルブ制御器または圧力制御器で質量流量制御器また
はコンダクタンスバルブを制御することで、高精度に制
御することが可能である。
排気装置は、試料を内部に装着し処理または特性評価を
行う真空容器へのガス導入系に、真空容器を真空排気す
る真空ポンプとは独立した真空排気系を有する中間室を
設け、更に真空容器と中間室との間にコンダクタンスが
調整できる可変コンダクタンスバルブを設けることで、
従来技術では実現できなかった１０-4Ｐａ以上という真
空容器内圧力を形成でき、それに加え１０-5Ｐａ〜１０
-2Ｐａという広範囲の圧力にも調整ができ、更に真空容
器内の圧力を測定し、この測定圧力を基にコンダクタン
スバルブ制御器または圧力制御器で質量流量制御器また
はコンダクタンスバルブを制御することで、高精度に制
御することが可能である。
【図１】本発明による真空排気装置の第１の実施形態例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】本発明による真空排気装置の第２の実施形態例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図３】本発明による真空排気装置の第３の実施形態例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図４】本発明による真空排気装置の第４の実施形態例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図５】本発明による真空排気装置の第５の実施形態例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図６】本発明による真空排気装置の第６の実施形態例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図７】従来技術による真空排気装置を示す基本構成
図。
図。
【図８】従来技術による自動圧力制御機能を設けた第１
の真空排気装置を示す構成図。
の真空排気装置を示す構成図。
【図９】従来技術による自動圧力制御機能を設けた第２
の真空排気装置を示す構成図。
の真空排気装置を示す構成図。
１ 真空容器 ２ 中間室 ３，１４，１５ 可変コンダクタンスバルブ ４ 質量流量制御器 ５，６ 真空ポンプ ７ ガス供給源 ８ 真空計 ９，１０，１１，１２ 仕切弁 １３ 圧力調整器 １６ コンダクタンスバルブ制御器
Claims (6)
- 【請求項１】 試料を内部に装着する真空容器と、該真
空容器と仕切弁を介して接続され、該真空容器内を真空
排気する第１の真空ポンプと、ガス供給源からのガスを
該真空容器内に導入する質量流量制御器と、該質量流量
制御器と前記真空容器との間に位置し、前記第１の真空
ポンプとは独立した第２の真空ポンプで内部が真空排気
される中間室と、前記真空容器と前記中間室との間に位
置し、コンダクタンスの調整が可能な第１の可変コンダ
クタンスバルブとを備えた真空排気装置。 - 【請求項２】 前記中間室と前記第２の真空ポンプとの
間にコンダクタンスの調整が可能な第２の可変コンダク
タンスバルブを設けた請求項１記載の真空排気装置。 - 【請求項３】 前記真空容器と前記第１の真空ポンプと
の間に、コンダクタンスの調整が可能な第３の可変コン
ダクタンスバルブを設けた請求項１記載の真空排気装
置。 - 【請求項４】 前記真空容器内の圧力を測定する真空計
と、前記真空容器内の制御圧力を設定し、前記真空計で
測定された真空容器内の圧力と前記制御圧力とを比較し
て制御すべきガス流量を前記質量流量制御器に出力する
圧力制御器とを備えた請求項１記載の真空排気装置。 - 【請求項５】 前記真空容器内の圧力を測定する真空計
と、前記真空容器内の制御圧力を設定し、前記真空計で
測定された真空容器内の圧力と前記制御圧力とを比較
し、前記第２の可変コンダクタンスバルブを制御するコ
ンダクタンスバルブ制御器とを備えた請求項２記載の真
空排気装置。 - 【請求項６】 前記真空容器内の圧力を測定する真空計
と、前記真空容器内の制御圧力を設定し、前記真空計で
測定された真空容器内の圧力と前記制御圧力とを比較し
前記第３の可変コンダクタンスバルブを制御するコンダ
クタンスバルブ制御器とを備えた請求項３記載の真空排
気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320530A JP2760331B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 真空排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320530A JP2760331B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 真空排気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09158833A JPH09158833A (ja) | 1997-06-17 |
| JP2760331B2 true JP2760331B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=18122470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7320530A Expired - Lifetime JP2760331B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 真空排気装置 |
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1995
- 1995-12-08 JP JP7320530A patent/JP2760331B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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