JPS6024017A - 処理ガス圧力調整方法 - Google Patents
処理ガス圧力調整方法Info
- Publication number
- JPS6024017A JPS6024017A JP13081183A JP13081183A JPS6024017A JP S6024017 A JPS6024017 A JP S6024017A JP 13081183 A JP13081183 A JP 13081183A JP 13081183 A JP13081183 A JP 13081183A JP S6024017 A JPS6024017 A JP S6024017A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- valve
- processing gas
- processing
- gas
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライプロセスにてウェハに所定の処理を施
こす半導体製造装置の処理室内の処理ガス圧力調整方法
に関するものである。
こす半導体製造装置の処理室内の処理ガス圧力調整方法
に関するものである。
ドライエツチング装［、ＣＶＤ装置、スバ、タリング装
置等のドライプロセスにてウェハに所定の処理を施こす
半導体製造装置を構成する処理室内には、所定の処理ガ
スが供給されると共に、所定のガス圧力に調整される。
置等のドライプロセスにてウェハに所定の処理を施こす
半導体製造装置を構成する処理室内には、所定の処理ガ
スが供給されると共に、所定のガス圧力に調整される。
従来、処理室内の処理ガスの圧力調整は、処理室内を真
空排気装置で真空排気した後に処理ガス供給装置より処
理室内に所定の処理ガスを供給すると共に、処理室内の
ガス圧力を真空計にて確認しつつ圧力調整弁を介し真空
排気装置で排気することでなされている。
空排気装置で真空排気した後に処理ガス供給装置より処
理室内に所定の処理ガスを供給すると共に、処理室内の
ガス圧力を真空計にて確認しつつ圧力調整弁を介し真空
排気装置で排気することでなされている。
このような処理ガス圧力調整方法では、処理室内のガス
圧力を真空針にて確認しつつ圧力調整弁の弁開度を調整
する必要があるため、処理室内のガス圧力を所定圧力に
調整する時間が長くなり。
圧力を真空針にて確認しつつ圧力調整弁の弁開度を調整
する必要があるため、処理室内のガス圧力を所定圧力に
調整する時間が長くなり。
スループットが低下するといりた欠点があった。
本発明の目的は、処理室内のガス圧力を所定圧力に調整
する時間を短縮する二とで、スループットを向上できる
処理ガス圧力調整方法を提供することにある。
する時間を短縮する二とで、スループットを向上できる
処理ガス圧力調整方法を提供することにある。
本発明は、予め処理ガスの圧力を所定圧力に調整した後
に、該処理ガスを真空排気された処理室内に供給するこ
とを特徴とする・もので、処理室内のガス圧力を所定圧
力に調整する時間を短縮しようとするものである。
に、該処理ガスを真空排気された処理室内に供給するこ
とを特徴とする・もので、処理室内のガス圧力を所定圧
力に調整する時間を短縮しようとするものである。
本発明の一実施例を、ドライプロセスにてウェハに所定
の処理を施こす半導体製造装置の内、ドライエツチング
装置を例にとり図面により説明する。
の処理を施こす半導体製造装置の内、ドライエツチング
装置を例にとり図面により説明する。
図面で、処理室１０には、ガスケーブル囚が導管２１で
、真空排気装置（資）が導管３１で、真空計４０が導管
４１でそれぞれ連結されている。導管２１は、マスフロ
ーコントローラｎとバルブ、例えば、ソレノイドバルブ
ｎが、導管３１には、圧力調整弁３２とバルブ、例えば
バタフライバルブ３３が、導管４１には、バルブ、例え
ば、バタフライバルブ４２がそれぞれ設けられている。
、真空排気装置（資）が導管３１で、真空計４０が導管
４１でそれぞれ連結されている。導管２１は、マスフロ
ーコントローラｎとバルブ、例えば、ソレノイドバルブ
ｎが、導管３１には、圧力調整弁３２とバルブ、例えば
バタフライバルブ３３が、導管４１には、バルブ、例え
ば、バタフライバルブ４２がそれぞれ設けられている。
導管２１のマスフローコントローラｎとソレノイドバル
ブｎとの間からバイパス管印が分岐し、このバイパス管
５０は導管３１の圧力−らバイパス管６０が分岐し、こ
のバイパス管ωは、導管３１の圧力調整弁３２とバタフ
ライバルブ羽との間に合流連結されている。また、バイ
パス管５０には、バルブ、例えば、ソレノイドバルブ５
１が、バイパス管６０には、バルブ、例えば、バタフラ
イバルブ６１がそれぞれ設けられている８ まス、ソレノイドバルブ２３，５１．バタフライバルブ
６１ヲ閉止、圧力調整弁３２．バタフライバルブ羽、４
２を開放し処理室１０内を真空排気装置ｉ！３０により
真空排気する。その後、処理室ｌＯ内が所定の真空度に
到達したことを真空計仙で確認した時点で、バタフライ
バルブオ、４２を閉止、ソレノイドバルブ５１．バタフ
ライバルブ６１を開放する。これにより、ガスケーブル
囚より導管乙に供給された処理ガスはマスフローコント
ローラｎ、ソレノイドバルブ５１．圧力調整弁諺を介し
導管２１．バイパス管（資）、導管３１を流通し真空排
気装置（資）により糸外へ排出される。この間、導管３
１を流通する。つまり、処理室１０の排気口での処理ガ
スの圧力は、圧力調整弁羽で調整され真空計栃によ２り
計測される。この真空計４０により計測される処理ガス
の圧力が所定圧力に達した時点で、ソレノイドバルブ５
１．バタフライバルブ６１を閉止、ソレノイドバルブ※
。
ブｎとの間からバイパス管印が分岐し、このバイパス管
５０は導管３１の圧力−らバイパス管６０が分岐し、こ
のバイパス管ωは、導管３１の圧力調整弁３２とバタフ
ライバルブ羽との間に合流連結されている。また、バイ
パス管５０には、バルブ、例えば、ソレノイドバルブ５
１が、バイパス管６０には、バルブ、例えば、バタフラ
イバルブ６１がそれぞれ設けられている８ まス、ソレノイドバルブ２３，５１．バタフライバルブ
６１ヲ閉止、圧力調整弁３２．バタフライバルブ羽、４
２を開放し処理室１０内を真空排気装置ｉ！３０により
真空排気する。その後、処理室ｌＯ内が所定の真空度に
到達したことを真空計仙で確認した時点で、バタフライ
バルブオ、４２を閉止、ソレノイドバルブ５１．バタフ
ライバルブ６１を開放する。これにより、ガスケーブル
囚より導管乙に供給された処理ガスはマスフローコント
ローラｎ、ソレノイドバルブ５１．圧力調整弁諺を介し
導管２１．バイパス管（資）、導管３１を流通し真空排
気装置（資）により糸外へ排出される。この間、導管３
１を流通する。つまり、処理室１０の排気口での処理ガ
スの圧力は、圧力調整弁羽で調整され真空計栃によ２り
計測される。この真空計４０により計測される処理ガス
の圧力が所定圧力に達した時点で、ソレノイドバルブ５
１．バタフライバルブ６１を閉止、ソレノイドバルブ※
。
バタフライバルブおを開放する。これにより所定圧力に
調整された処理ガスが処理室１０内に供給されると共に
真空排気装置ｊ３０により糸外へ排出される。この結果
、処理室１０内の処理ガスの圧力調整が完了し、その後
、処理室１０内では、ウェハ（図示省略）にドライエツ
チング処理が施こされる。
調整された処理ガスが処理室１０内に供給されると共に
真空排気装置ｊ３０により糸外へ排出される。この結果
、処理室１０内の処理ガスの圧力調整が完了し、その後
、処理室１０内では、ウェハ（図示省略）にドライエツ
チング処理が施こされる。
本実施例のような処理ガス圧力調整方法では、ガスケー
ブルからの処理ガスを処理室に供給することなしに処理
室の排気口にバイパスさせ、ここで所定圧力に調整した
後に、所定の圧力に真空排気された処理室に供給するこ
とで処理室内の処理ガスの圧力を所定圧力に調整できる
ので、処理室内の処理ガスの圧力を所定圧力に調整する
時間を短縮でき、スループットを向上できるという効果
が得られる。
ブルからの処理ガスを処理室に供給することなしに処理
室の排気口にバイパスさせ、ここで所定圧力に調整した
後に、所定の圧力に真空排気された処理室に供給するこ
とで処理室内の処理ガスの圧力を所定圧力に調整できる
ので、処理室内の処理ガスの圧力を所定圧力に調整する
時間を短縮でき、スループットを向上できるという効果
が得られる。
なお、本実施例では、ドライプロセスにてウェハに所定
の処理を施こす半導体製造装置としてドライエツチング
装置を例にとり説明したが、この他にＣＶＤ装置、スパ
ッタリング装置等の処理室内の処理ガスの圧力を所定圧
力に調整することが要求される他の半導体製造装置にも
容易に適用できる。
の処理を施こす半導体製造装置としてドライエツチング
装置を例にとり説明したが、この他にＣＶＤ装置、スパ
ッタリング装置等の処理室内の処理ガスの圧力を所定圧
力に調整することが要求される他の半導体製造装置にも
容易に適用できる。
本発明は、以上説明したように、予め処理ガスの圧力を
所定圧力に調整した後に、該処理ガスを真空排気された
処理室内に供給することで、処理室内の処理ガスの圧力
を所定圧力に調整する時間を短縮でき、スループットを
向上できる効果がある。
所定圧力に調整した後に、該処理ガスを真空排気された
処理室内に供給することで、処理室内の処理ガスの圧力
を所定圧力に調整する時間を短縮でき、スループットを
向上できる効果がある。
図面は本発明を実施したドライエツチング装置の一例を
示す処理ガス圧力調整系統図である。
示す処理ガス圧力調整系統図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドライプロセスにてウメハに所定の処理を施こす半
導体製造装置の処理室内の処理ガスの圧力を所定圧力に
調整する方法において、予め前記処理ガスの圧力を所定
圧力に調整した後に、該処理ガスを真空排気された前記
処理室内に供給することを特徴とする処理ガス圧力調整
方法。 ２、前記処理ガスの圧力を前記処理室の排気口で予め所
定圧力に調整する特許請求の範囲第１項記載の処理ガス
圧力調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081183A JPS6024017A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 処理ガス圧力調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081183A JPS6024017A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 処理ガス圧力調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024017A true JPS6024017A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=15043258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13081183A Pending JPS6024017A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 処理ガス圧力調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024017A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176544U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-22 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜形成装置 |
| JPS60254734A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 減圧装置 |
| JPH02216823A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH1187318A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置およびガス流量制御の検査方法 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP13081183A patent/JPS6024017A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176544U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-22 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜形成装置 |
| JPS60254734A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 減圧装置 |
| JPH02216823A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH1187318A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置およびガス流量制御の検査方法 |
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