JPS5898916A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS5898916A
JPS5898916A JP19679881A JP19679881A JPS5898916A JP S5898916 A JPS5898916 A JP S5898916A JP 19679881 A JP19679881 A JP 19679881A JP 19679881 A JP19679881 A JP 19679881A JP S5898916 A JPS5898916 A JP S5898916A
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JP
Japan
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valve
gas
discharge chamber
pipe
valve body
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JP19679881A
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JPS6258528B2 (ja
Inventor
Norio Kanai
金井 謙雄
Katsuaki Nagatomo
長友 克明
Fumio Shibata
柴田 史雄
Kunio Harada
邦男 原田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

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  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体製造装置に係り、特に、放電室内の急
速排気並びに反応ガスの一定流量下で放電室内のガス圧
力微調整が要求される半導体製造装置に好適な半導体製
造装置に関するものである。
従来、半導体製造装置における放電室内の急速排気並び
に反応ガスの一定流量下での放電室内のガス圧力微調節
は、バタフライバルブ、ストップパルプ等の弁の開度な
制御することによシ行われているが、次のような欠点が
あっ友。
(1)わずかな弁開度の変化により、排気抵抗が大きく
変化するため、放電室内の急速排気は行えても反応ガス
の一定流量下での放電室内のガス圧力微調節が極めて困
難である。
(2)弁開度の変化と排気抵抗の変化との間には直線関
係が成立たず、したがって、放電室内のガス圧力の自動
調節が困難である。
本発明は、上記欠点の除去を目的としたもので、真9計
が設けられ、ウェーハを加工する放電室と排気装置のパ
ルプとを連結する配管の途中に、該配管に気密に連結さ
れた弁箱と、骸弁箱に着脱可能に内設され、開口面積が
1ItI#e配管の断面積と同等で、かつ、直線的に排
気抵抗可変可能な形状の穴が穿設された弁座と、骸弁座
に摺動可能に設けられた弁体と、該弁体と駆動軸で連結
された弁体駆動装置とで構成された排気抵抗可変弁を設
けると共に、弁体駆動装置を真空針と接続したガス圧力
制御装置に接続したことを特徴とし、放電室内の急速排
気並びに反応ガスの一定流量下での放電室内のガス圧力
微調節が容易に、かつ、自動的に行える半導体製造装置
を提供するものである。
本発明の一実施例を第1図〜第3図によシ説明する。
41図は、本発明による半導体製造装置の系統図で、ウ
ェーI・を加工する放11filOには、反応ガス源田
と、反応ガス源加から放電室10に供給される反応ガス
の流量を調節するガス流量調節装置4とが配管区を介し
て連結され、また、真空ポンプIと、バルブ31 aと
、)クップ冨と、バルブ31 bと、排気抵抗可変弁管
とが配管&を介して連結されている。ここで、排気抵抗
可変可能は、第2図に示すように、配管(に、例えば、
0リングな介して気密に連結された弁箱41と、弁箱4
1に着脱可能に内設され、開口面積が配管あの断面積と
同勢で、かつ、直線的に排気抵抗可変可能な形状、例え
ば、#I3図に示すような、開口面積が配管(の断面積
と同等の丁字形状の穴Cが穿設された弁座葛と、弁座口
に摺動可能に設けられた弁体Iと、弁体材と駆動軸心で
連結され九弁体駆動装W46とで構成されている。また
、弁体駆動装W146は放電室10に設けられた真9計
11と!I絖したガス圧力制御製置47に接続されてい
る。
排気抵抗可変弁φの弁一度を全開とし真空ポンプ(資)
によ〕急速排気された放11filoには、反応ガス源
加から反応ガスがガス流量調節装置ムによ逆流量を定量
調節され供給され、それと同時に、放電室10内のガス
圧力は真空計11で計測され、計測されたガス圧力をも
とにガス圧力制御装[47によル排気抵抗可変弁鮒の弁
開度を制御することによシ放電富lO内のガス圧力は所
定圧力に自動詞節される。七の後、引続き弁開度の変化
と排気抵抗の変化とが直線関係にある排気抵抗可変可能
の弁開度が、真9計11で計測された放電室10内のガ
ス圧力をも゛とにガス圧力制御装置47によシ弁体舗を
駆動軸6を介して弁体駆動装[46で第2図に示すよう
に矢印方向に摺動させることで制御され、反応ガスの一
定流量下での放電室10内のガス圧力微調節が自動的に
行われ、放電@10内のガス圧力は常に所定圧力に保持
される。
本実施例のような半導体製造装置では、排気抵抗可変弁
の開口面積が配管の断面積と同等でh)、かつ、弁ji
tの変化と排気抵抗の変化とが直線関係にあるため、放
電室内の急速排気並びに反応ガスの一定流量下での放電
室内のガス圧力微調節を行うことができると共に、放電
室内のガス圧力の自動調節を行うことかで龜る。
第4図は、弁座に穿設される穴の形状の他の実施例で、
弁座葛′には、開口面積が配管断面積と同等で、かつ、
末広がシル状の穴aが穿設されている。
このような弁座な用いた場合は、真空ポンプの排気性能
の劣化に良好に対応することができる。
本発明は、以上説明したように、真空針が設けられ、ク
エーハを加工する放電室と排気装置のノ(ルプとを連結
する配管の途中に、骸配管に気密番こ連結され九弁箱と
、該弁箱に着脱可能に内設され、開口面積が前記配管の
断面積と同等で、かつ、直線的に排気抵抗可変可能な形
状の穴が穿設された弁座と、該弁座に摺動可能に設けら
れた弁体と、該弁体と駆動軸で連結された弁体駆動装置
とで構成され九排気抵抗可変弁を設けると共に、弁体駆
動装置を真空針と接続したガス圧力制御装置に接続した
ということで、次のような効果を得ることができる。
(1)  排気抵抗可変弁の開口面積が配管の断面積と
同等であるため放電室内の急速排気が容易に行えると共
に、排気抵抗可変弁の弁開度の変化に対応して排気抵抗
が変化す4友め、反応ガスの一定流量下での放電室内の
ガス圧力微調節を容易に行うことができる。
(2)排気抵抗可変弁の弁開度の変化と排気抵抗の変化
とが直線関係にあるため、放電室内のガス圧力の自動調
節を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図は、本発明の一実施例を説明するもの
で、第1図は、本発明による半導体製造装置の系統図、
第2図は、排気抵抗可変弁の縦断面図、第3図は、弁座
の平面図、第4図は、弁座に穿設される穴の形状の他の
実施例を説明するもので、弁座の平面図である。 10・・・・・・放電室、11・・・・・・真空針、加
・・・・・・反応ガス源、4・・・・・・ガス流量調節
装置、n、33・・・・・・配管、(資)・・・・・・
真窒ポンプ、31m、31b・・−・・バルブ、冨・・
・トラップ、−・・・・・・排気抵抗可変弁、41・・
・・・・弁箱、社・・・・・・穴、−・・・・・・弁座
、舗・・・・・・弁体、藝・・・・・・駆動軸、郁・・
−・・弁体駆動装置、47・・−・・ガス圧力制御装置 才1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、真空計が設けられ、クエーハを加工する放電室と、
    反応ガス源、ガス流量制御装置よシなる反応ガス供給装
    置と、阜空ポンプ、  ) ? y 、l:パルプよシ
    なる排気装置とから構成される半導体製造装置において
    、前記放電室と前記パルプとを連結する配管の途中に、
    該配管に気密に連結さ五た弁箱と、該弁箱に着脱可能に
    内設され、開口面積が前記配管の断面積と同等で、かつ
    、直線的に排気抵抗可変可能な形状の穴が穿設され几弁
    座と、該弁座に摺動可能に設けられた弁体と、腋弁体と
    駆動軸で連結された弁体駆動装置とで構成され几排気抵
    抗可変弁を設けると共に、弁体駆動装置を前記真空針と
    接続したガス圧力制御装置に接続したことを特徴とする
    半導体製造装置。
JP19679881A 1981-12-09 1981-12-09 半導体製造装置 Granted JPS5898916A (ja)

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