JPH05109626A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05109626A JPH05109626A JP26463091A JP26463091A JPH05109626A JP H05109626 A JPH05109626 A JP H05109626A JP 26463091 A JP26463091 A JP 26463091A JP 26463091 A JP26463091 A JP 26463091A JP H05109626 A JPH05109626 A JP H05109626A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- exhaust
- adjusting
- uniformity
- introduction nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガス導入ノズル１０の先端をインナー炉芯管
４の長さ方向中央内壁付近に設け、排気能力を調整する
機能を有する複数の排気口６，７を設けた減圧ＣＶＤ装
置。 【効果】 インナー炉芯管長さ方向中央部にガスが導入
され、双方に分かれて排気されるので、同一方向のガス
流の受け持つ成膜距離が低減でき、それぞれのガス流の
排気能力を調整することができ、ガスの流れのバランス
を調整できるので、均一な成膜ができる。
４の長さ方向中央内壁付近に設け、排気能力を調整する
機能を有する複数の排気口６，７を設けた減圧ＣＶＤ装
置。 【効果】 インナー炉芯管長さ方向中央部にガスが導入
され、双方に分かれて排気されるので、同一方向のガス
流の受け持つ成膜距離が低減でき、それぞれのガス流の
排気能力を調整することができ、ガスの流れのバランス
を調整できるので、均一な成膜ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の薄膜成
長工程に多く用いられている減圧ＣＶＤ装置（以下ＬＰ
ＣＶＤと呼ぶ）の構造に関する。
長工程に多く用いられている減圧ＣＶＤ装置（以下ＬＰ
ＣＶＤと呼ぶ）の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＰＣＶＤはインナー炉芯管の一
方よりガスを導入し、他方よりガスの排気を行う構造で
あった。
方よりガスを導入し、他方よりガスの排気を行う構造で
あった。
【０００３】図２に従来の縦型ＬＰＣＶＤの断面構造を
示す。図において、１はヒータであり、アウター炉芯管
３内の温度を高温状態に保持している。ハッチ２，アウ
ター炉芯管３，マニホールド１１ａにより大気と遮断
し、排気口６より真空ポンプにて内部を低圧状態にす
る。このとき、排気調整弁８により圧力を一定状態にす
る。ガス導入口１０ａよりインナー炉芯管４ａの下部よ
りガスを導入し、ボート５に保持されたウェーハに膜成
長を行う構造であった。
示す。図において、１はヒータであり、アウター炉芯管
３内の温度を高温状態に保持している。ハッチ２，アウ
ター炉芯管３，マニホールド１１ａにより大気と遮断
し、排気口６より真空ポンプにて内部を低圧状態にす
る。このとき、排気調整弁８により圧力を一定状態にす
る。ガス導入口１０ａよりインナー炉芯管４ａの下部よ
りガスを導入し、ボート５に保持されたウェーハに膜成
長を行う構造であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記の従来の
ＬＰＣＶＤは、ガス導入口１０ａがインナー炉芯管４ａ
の下部にあり、また排気口６がインナー炉芯管４ａとア
ウター炉芯管３の間にしかないため、ガスの流れは一方
向しか生じない。このため、インナー炉芯管４ａの上部
と下部でガス濃度に大きな差が生じ、薄膜の膜厚の均一
性および薄膜中の不純物濃度の均一性が損なわれるとい
う欠点があった。
ＬＰＣＶＤは、ガス導入口１０ａがインナー炉芯管４ａ
の下部にあり、また排気口６がインナー炉芯管４ａとア
ウター炉芯管３の間にしかないため、ガスの流れは一方
向しか生じない。このため、インナー炉芯管４ａの上部
と下部でガス濃度に大きな差が生じ、薄膜の膜厚の均一
性および薄膜中の不純物濃度の均一性が損なわれるとい
う欠点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するためにガス導入ノズル先端をインナー炉芯管
長さ方向中央内壁付近に設け、排気能力を調整する機能
を有する排気口を複数設けることを特徴とするものであ
る。
を解決するためにガス導入ノズル先端をインナー炉芯管
長さ方向中央内壁付近に設け、排気能力を調整する機能
を有する排気口を複数設けることを特徴とするものであ
る。
【０００６】
【作用】上記の構成によると、まずガス導入ノズル先端
をインナー炉芯管長さ方向中央内壁付近に設けることに
より、同一方向のガス流の成膜距離が低減できる。排気
能力を調整する機能を有する排気口を複数設けることに
より、ガスの流れのバランスを調整できる。これらによ
りインナー炉芯管内のガス濃度の差を小さくすることが
でき、薄膜の膜厚，薄膜中の不純物濃度の均一性の向上
ができる。
をインナー炉芯管長さ方向中央内壁付近に設けることに
より、同一方向のガス流の成膜距離が低減できる。排気
能力を調整する機能を有する排気口を複数設けることに
より、ガスの流れのバランスを調整できる。これらによ
りインナー炉芯管内のガス濃度の差を小さくすることが
でき、薄膜の膜厚，薄膜中の不純物濃度の均一性の向上
ができる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【０００８】図１はこの発明の一実施例のＬＰＣＶＤの
断面図である。図において、ガス導入ノズル１０の先端
をインナー炉芯管４の長さ方向中央内壁付近に設けたこ
と，インナー炉芯管４下部に排気口（Ｂ）７を有し、排
気調整弁（Ｂ）９を有するほかは、図２と同様であるの
で、同一部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。
断面図である。図において、ガス導入ノズル１０の先端
をインナー炉芯管４の長さ方向中央内壁付近に設けたこ
と，インナー炉芯管４下部に排気口（Ｂ）７を有し、排
気調整弁（Ｂ）９を有するほかは、図２と同様であるの
で、同一部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。
【０００９】上記の構成によれば、ガス導入ノズル１０
を出たガスは上下に分かれ、排気されるため、ガスの移
動距離は従来の約１／２となり、ガス濃度差が低減さ
れ、薄膜の膜厚，薄膜中の不純物濃度の均一性が向上で
きる利点がある。
を出たガスは上下に分かれ、排気されるため、ガスの移
動距離は従来の約１／２となり、ガス濃度差が低減さ
れ、薄膜の膜厚，薄膜中の不純物濃度の均一性が向上で
きる利点がある。
【００１０】さらに、排気調整弁（Ａ）８，排気調整弁
（Ｂ）９を独立に調節することにより、ガス流量のバラ
ンスを最適として全体の膜厚，膜質の均一性を向上でき
る。
（Ｂ）９を独立に調節することにより、ガス流量のバラ
ンスを最適として全体の膜厚，膜質の均一性を向上でき
る。
【００１１】なお、排気調整弁（Ａ）８と、排気調整弁
（Ｂ）９とは、各独立に調節する場合のみならず、一方
が閉→開，他方が開→閉のように相反する方向に連動し
て調節するようにしてもよい。そのような場合、全排気
量は一定で、各排気調整弁の分担排気量比を簡単に調節
できる。
（Ｂ）９とは、各独立に調節する場合のみならず、一方
が閉→開，他方が開→閉のように相反する方向に連動し
て調節するようにしてもよい。そのような場合、全排気
量は一定で、各排気調整弁の分担排気量比を簡単に調節
できる。
【００１２】
【発明の効果】以上、説明したように、ガス導入ノズル
先端をインナー炉芯管長さ方向中央内壁付近に設け、排
気能力を調整する機能を有する排気口を複数設けること
により、薄膜の膜厚，薄膜中の不純物濃度の均一性を向
上させる効果がある。
先端をインナー炉芯管長さ方向中央内壁付近に設け、排
気能力を調整する機能を有する排気口を複数設けること
により、薄膜の膜厚，薄膜中の不純物濃度の均一性を向
上させる効果がある。
【図１】 この発明の一実施例の複数排気を採用した減
圧ＣＶＤ装置の断面構造図
圧ＣＶＤ装置の断面構造図
【図２】 従来の減圧ＣＶＤ装置の断面構造図
１ ヒータ ２ ハッチ ３ アウター炉芯管 ４ ボート ６ 排気口（Ａ） ７ 排気口（Ｂ） ８ 排気調整弁（Ａ） ９ 排気調整弁（Ｂ） １０ ガス導入ノズル １１ マニホールド
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜成長等に用いられる減圧ＣＶＤ装置に
おいて、ガス導入ノズル先端をインナー炉芯管長さ方向
中央内壁付近に設け、排気能力を調整する機能を有する
排気口を複数設けることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】前記複数の排気口は、それぞれ排気調整弁
を有し、各排気調整弁はその開口度が相反する方向に連
動して調整されるように構成されている請求項１記載の
減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26463091A JPH05109626A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26463091A JPH05109626A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109626A true JPH05109626A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17406015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26463091A Pending JPH05109626A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109626A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100984658B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2010-10-01 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 질화 실리콘막 제작 방법 및 질화 실리콘막 제작 장치 |
| WO2017037937A1 (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| KR20210025913A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-10 | 주식회사 바이테크 | 대용량 cvd 장치 |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP26463091A patent/JPH05109626A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100984658B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2010-10-01 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 질화 실리콘막 제작 방법 및 질화 실리콘막 제작 장치 |
| WO2017037937A1 (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US10689758B2 (en) | 2015-09-04 | 2020-06-23 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| US11155920B2 (en) | 2015-09-04 | 2021-10-26 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR20210025913A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-10 | 주식회사 바이테크 | 대용량 cvd 장치 |
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