JPH0465146B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はCVD（chemical vapor deposition）
装置に係り特に排気系の構造に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

従来の炉芯管タイプのCVD装置は第２図（注、
図の状態はウエハーを入れる前の入り口が開いた
状態）に示すように炉芯管１のまわりにヒーター
２があり炉芯管１に膜成長用反応ガス導入管３が
つながり炉芯管１の排気側はＯ−リング４で外気
とシールされ排気管５及びメイン・バルブ６がつ
ながつている構造になつていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕 したがつてヒーター２で加熱された炉芯管１内
に反応ガス導入管３より反応ガスを流しその時メ
イン・バルブ６を開けることにより炉芯管１内に
入れたウエハー上にCVD膜が成長する。この時
CVD膜はウエハー上ばかりでなく炉芯管１内面
及び排気管５内面にも成長するが、炉芯管１、排
気管５の両内面に付着したCVD膜９はウエハー
上と異なり多量の未反応ガスを含んだ形で付着し
ている。

このため第２図のようなメイン・バルブ６を閉
めてウエハーを取り出し、入り口を開けた状態で
はこの未反応ガスが大気と反応しパーテイクル１
１が炉芯管１内に漂つている。よつてこの炉芯管
１の中に次のウエハーを入れていく時ウエハー上
にパーテイクルが付着するという欠点を有してい
た。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、炉芯管と、炉芯管の一端につ
ながつている排気管と、排気管の途中に設けられ
排気管の開閉を行う第１のバルブと、炉芯管の一
端と第１のバルブとの間の排気管の途中につなが
つている不活性ガス導入管と、不活性ガス導入管
の途中に設けられ不活性ガス導入管の開閉を行う
第２のバルブとを有し、炉芯管の他端が外気に対
して開いている状態では第１のバルブが閉じかつ
第２のバルブが開いて不活性ガスが炉芯管の他端
から吹き出し、炉芯管の他端が外気に対して閉じ
ている状態では第１のバルブが開きかつ第２のバ
ルブが閉じているCVD装置を得る。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図であつて７
は不活性ガス導入管、８は不活性ガス導入の
ON／OFF用ストツプ・バルブ（第２のバルブ）
である。このような構造になつているのでウエハ
ーを炉芯管１に入れる以前より、メイン・バルブ
（第１のバルブ）６を閉じ８のストツプ・バルブ
を開け、不活性ガスを排気側より吹かせることに
より炉芯管１内に大気の侵入を防ぎ未反応ガスの
反応をおさえ、炉芯管１内に漂つているパーテイ
クルを炉芯管１外におい出すことによりウエハー
を炉芯管１に入れる時に付着するパーテイクルを
著しく減少させることが出来るものである。

〔発明の効果〕 以上説明したように本発明の不活性ガス導入管
を使用することによりウエハー上に付着するパー
テイクルを減少させウエハーの歩留を著しく向上
させると共に炉芯管の交換頻度を少なくすること
が出来、装置の稼動をも向上させることが出来る
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のCVD装置の一部
を示す断面図、第２図は従来のCVD装置の一部
を示す断面図である。 尚、図において、１……炉芯管、２……ヒータ
ー、３……反応ガス導入管、４……Ｏ−リング、
５……排気管、６……メイン・バルブ、７……不
活性ガス導入管、８……ストツプ・バルブ、９…
…多量の未反応ガスを含んだCVD膜、１０……
不活性ガス流、１１……炉芯管内に漂つているパ
ーテイクル。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 炉芯管と、前記炉芯間の一端につながつてい
   る排気管と、前記排気管の途中に設けられ前記排
   気管の開閉を行う第１のバルブと、前記炉芯管の
   一端と前記第１のバルブとの間の前記排気管の途
   中につながつている不活性ガス導入管と、前記不
   活性ガス導入管の途中に設けられ前記不活性ガス
   導入管の開閉を行う第２のバルブとを有し、前記
   炉芯管の他端が外気に対して開いている状態では
   前記第２のバルブが開いて不活性ガスが前記炉芯
   管の他端から吹き出し、前記炉芯管の他端が外気
   に対して閉じている状態では前記第２のバルブが
   閉じていることを特徴とするCVD装置。