JPH087625Y2 - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH087625Y2 JPH087625Y2 JP3208386U JP3208386U JPH087625Y2 JP H087625 Y2 JPH087625 Y2 JP H087625Y2 JP 3208386 U JP3208386 U JP 3208386U JP 3208386 U JP3208386 U JP 3208386U JP H087625 Y2 JPH087625 Y2 JP H087625Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- reaction chamber
- exhaust
- inner tube
- connection flange
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は反応室内にウェーハを載置したボートを入
れ、反応室内を真空排気しヒータにより加熱する一方、
反応ガスを導入してウェーハ上に生成膜を生成するため
の減圧CVD装置に係り、特に反応室の構造に関する。
れ、反応室内を真空排気しヒータにより加熱する一方、
反応ガスを導入してウェーハ上に生成膜を生成するため
の減圧CVD装置に係り、特に反応室の構造に関する。
〔従来の技術〕 第３図は従来の減圧CVD装置の一例を示す簡略断面図
である。
である。
第３図において２は石英アウターチューブ、３は石英
インナーチューブ、4,5はＯリング（真空シール）、６
は反応ガス導入フランジ、7,9は真空シール用フラン
ジ、８は開閉ドア、10は排気接続フランジで、これらは
反応室を構成する。排気接続フランジ10のパイプ10aは
排気装置に接続されている。１は反応室内を加熱するた
めのヒータ、13は反応室内に反応ガスを導入するめため
のガスノズルである。
インナーチューブ、4,5はＯリング（真空シール）、６
は反応ガス導入フランジ、7,9は真空シール用フラン
ジ、８は開閉ドア、10は排気接続フランジで、これらは
反応室を構成する。排気接続フランジ10のパイプ10aは
排気装置に接続されている。１は反応室内を加熱するた
めのヒータ、13は反応室内に反応ガスを導入するめため
のガスノズルである。
このような減圧CVD装置は、開閉ドア８を開いて多数
のシリコンウェーハ11を立てて載置した石英ボート12を
石英インナーチューブ３内に入れ、開閉ドア８を閉じて
反応室内を排気装置により真空排気しヒータ１により加
熱する一方、ガスノズル13より反応室内に反応ガスを導
入してシリコンウェーハ11上に反応生成膜を生成するも
のである。
のシリコンウェーハ11を立てて載置した石英ボート12を
石英インナーチューブ３内に入れ、開閉ドア８を閉じて
反応室内を排気装置により真空排気しヒータ１により加
熱する一方、ガスノズル13より反応室内に反応ガスを導
入してシリコンウェーハ11上に反応生成膜を生成するも
のである。
この減圧CVD装置における従来の反応室は、石英イン
ナーチューブ３の排気側端部3Aは同一径のままの開放で
あるため、第４図示のようにインナーチューブ３の排気
側端部3Aの内面のみならず、排気接続フランジ10の内面
に反応生成物14が付着する。インナーチューブ３の排気
側端部3Aと排気接続フランジ10はヒータ１により加熱さ
れる反応室部の内部に比べ、低温であるため、付着する
反応生成物14はフレーク状であり、このためシリコンウ
ェーハ11を載置した石英ボート12を反応室内部に入れた
り、第４図示のように反応室内部を減圧状態に真空排気
する時に、ガス流15が排気接続フランジ10に突き当たる
ことにより生じる乱流16によってフレーク状の反応生成
物14が反応室内で舞い上がり、シリコンウェーハ11上に
付着する。そのまま反応ガスを導入し、シリコンウェー
ハ11上に生成膜を生成させると、付着したフレーク状の
生成物が結晶欠陥となり、微細加工を要求される半導体
デバイスの不良原因となる。
ナーチューブ３の排気側端部3Aは同一径のままの開放で
あるため、第４図示のようにインナーチューブ３の排気
側端部3Aの内面のみならず、排気接続フランジ10の内面
に反応生成物14が付着する。インナーチューブ３の排気
側端部3Aと排気接続フランジ10はヒータ１により加熱さ
れる反応室部の内部に比べ、低温であるため、付着する
反応生成物14はフレーク状であり、このためシリコンウ
ェーハ11を載置した石英ボート12を反応室内部に入れた
り、第４図示のように反応室内部を減圧状態に真空排気
する時に、ガス流15が排気接続フランジ10に突き当たる
ことにより生じる乱流16によってフレーク状の反応生成
物14が反応室内で舞い上がり、シリコンウェーハ11上に
付着する。そのまま反応ガスを導入し、シリコンウェー
ハ11上に生成膜を生成させると、付着したフレーク状の
生成物が結晶欠陥となり、微細加工を要求される半導体
デバイスの不良原因となる。
本考案装置は上記の問題点に鑑みてなされたもので、
不良の一因となるフレーク状反応生成物の反応室内での
舞い上がりを極端に少なくするため、第１図示のように
反応室を構成するインナーチューブ３の排気側端部3Aを
滑らかに細くし、当該排気側端部3Aの先端3aを反応室の
排気接続フランジ10のパイプ10a内に挿入し、反応室内
に反応ガスを導入するガスノズル13から導入した反応ガ
スのインナーチューブ３内のガス流が、前記排気接続フ
ランジ10に直接突き当たらないようにしたものである。
不良の一因となるフレーク状反応生成物の反応室内での
舞い上がりを極端に少なくするため、第１図示のように
反応室を構成するインナーチューブ３の排気側端部3Aを
滑らかに細くし、当該排気側端部3Aの先端3aを反応室の
排気接続フランジ10のパイプ10a内に挿入し、反応室内
に反応ガスを導入するガスノズル13から導入した反応ガ
スのインナーチューブ３内のガス流が、前記排気接続フ
ランジ10に直接突き当たらないようにしたものである。
インナーチューブ３の排気側先端3aをアウターチュー
ブ２の排気接続フランジ10のパイプ10a内に挿入せしめ
たので、インナーチューブ３内のガス流がアウターチュ
ーブ２の排気接続フランジ10に直接、突き当たり、反応
生成物がフレーク状に付着することがなく、またガス流
はインナーチューブ３の排気側端部3Aの滑らかに細くな
る部分の内面に沿ってスムーズなガス流となり乱流を生
じることがなくなる。
ブ２の排気接続フランジ10のパイプ10a内に挿入せしめ
たので、インナーチューブ３内のガス流がアウターチュ
ーブ２の排気接続フランジ10に直接、突き当たり、反応
生成物がフレーク状に付着することがなく、またガス流
はインナーチューブ３の排気側端部3Aの滑らかに細くな
る部分の内面に沿ってスムーズなガス流となり乱流を生
じることがなくなる。
そのためインナーチューブ３の排気側端部3Aの内面に
付着したフレーク状反応生成物はスムーズなガス流に乗
ってアウターチューブ２の排気接続フランジ10のパイプ
10aより排出されることになり、乱流によるフレーク状
反応生成物の舞い上がりを殆ど防止できることになる。
付着したフレーク状反応生成物はスムーズなガス流に乗
ってアウターチューブ２の排気接続フランジ10のパイプ
10aより排出されることになり、乱流によるフレーク状
反応生成物の舞い上がりを殆ど防止できることになる。
以下図面によって本考案装置の実施例を説明する。
第１図は本考案装置の一実施例を示す簡略断面図、第
２図はその要部の作用説明用断面図である。
２図はその要部の作用説明用断面図である。
本実施例は、開閉ドア８を開いて多数のシリコンウェ
ーハ11を立てて載置した石英ボート12を反応室を構成す
る石英インナーチューブ３内に入れ、開閉ドア８を閉じ
て反応室内を排気装置により真空排気しヒータ１により
加熱する一方、ガスノズル13より反応室内に反応ガスを
導入してシリコンウェーハ11上に反応生成膜を生成する
減圧CVD装置において、 インナーチューブ３の排気側端部3Aを滑らかに細く
し、当該排気側端部3Aの先端3aを反応室を構成するアウ
ターチューブ２のアウターチューブ２の排気接続フラン
ジ10のパイプ10a内に30mm〜50mm程度挿入せしめる。
ーハ11を立てて載置した石英ボート12を反応室を構成す
る石英インナーチューブ３内に入れ、開閉ドア８を閉じ
て反応室内を排気装置により真空排気しヒータ１により
加熱する一方、ガスノズル13より反応室内に反応ガスを
導入してシリコンウェーハ11上に反応生成膜を生成する
減圧CVD装置において、 インナーチューブ３の排気側端部3Aを滑らかに細く
し、当該排気側端部3Aの先端3aを反応室を構成するアウ
ターチューブ２のアウターチューブ２の排気接続フラン
ジ10のパイプ10a内に30mm〜50mm程度挿入せしめる。
このようにインナーチューブ３の排気側先端3aを排気
接続フランジ10のパイプ10a内に挿入せしめたので、イ
ンナーチューブ３内のガス流が排気接続フランジ10に直
接、突き当たり、反応生成物がフレーク状に付着するこ
とがなく、またガス流はインナーチューブ３の排気側端
部3Aの滑らかに細くなる部分の内面に沿ってスムーズな
ガス流となり乱流を生じることがなくなる。
接続フランジ10のパイプ10a内に挿入せしめたので、イ
ンナーチューブ３内のガス流が排気接続フランジ10に直
接、突き当たり、反応生成物がフレーク状に付着するこ
とがなく、またガス流はインナーチューブ３の排気側端
部3Aの滑らかに細くなる部分の内面に沿ってスムーズな
ガス流となり乱流を生じることがなくなる。
そのためインナーチューブ３の排気側端部3Aの内面に
付着したフレーク状反応生成物はスムーズなガス流に乗
ってアウターチューブ２の排気接続フランジ10のパイプ
10aより排出されることになり、乱流によるフレーク状
反応生成物の舞い上がりを殆ど防止できることになる。
付着したフレーク状反応生成物はスムーズなガス流に乗
ってアウターチューブ２の排気接続フランジ10のパイプ
10aより排出されることになり、乱流によるフレーク状
反応生成物の舞い上がりを殆ど防止できることになる。
上述のように本考案によれば、インナーチューブ３の
排気側端部3Aの内面に付着したフレーク状反応生成物を
スムーズなガス流に乗せて排気でき、乱流によるフレー
ク状反応生成物の舞い上がりを殆ど防止できるので、フ
レーク状反応生成物がシリコンウェーハ11上に付着し当
該付着部分が結晶欠陥となる確率を極端に減少させるこ
とができる。
排気側端部3Aの内面に付着したフレーク状反応生成物を
スムーズなガス流に乗せて排気でき、乱流によるフレー
ク状反応生成物の舞い上がりを殆ど防止できるので、フ
レーク状反応生成物がシリコンウェーハ11上に付着し当
該付着部分が結晶欠陥となる確率を極端に減少させるこ
とができる。
第１図は本考案装置の一実施例を示す簡略断面図、第２
図はその要部の作用説明用断面図、第３図は従来の減圧
CVD装置の一例を示す簡略断面図、第４図はその要部の
作用説明用断面図である。 ３……インナーチューブ、3A……排気側端部、3a……先
端、10……排気接続フランジ、10a……パイプ。
図はその要部の作用説明用断面図、第３図は従来の減圧
CVD装置の一例を示す簡略断面図、第４図はその要部の
作用説明用断面図である。 ３……インナーチューブ、3A……排気側端部、3a……先
端、10……排気接続フランジ、10a……パイプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 古門 竜彦 東京都西多摩郡羽村町神明台２−１−１ 国際電気株式会社羽村工場内 (56)参考文献 特開 昭61−294826（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−39937（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】反応室を構成するインナーチューブ３の排
気側端部3Aを滑らかに細くし、当該排気側端部3Aの先端
3aをアウターチューブ２の排気接続フランジ10のパイプ
10a内に挿入し、反応室内に反応ガスを導入するガスノ
ズル13から導入した反応ガスのインナーチューブ３内の
ガス流が、前記排気接続フランジ10に直接突き当たらな
いことを特徴とする減圧CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208386U JPH087625Y2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208386U JPH087625Y2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145325U JPS62145325U (ja) | 1987-09-12 |
| JPH087625Y2 true JPH087625Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=30838413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3208386U Expired - Lifetime JPH087625Y2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087625Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP3208386U patent/JPH087625Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145325U (ja) | 1987-09-12 |
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