JPH1064919A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH1064919A JPH1064919A JP22253296A JP22253296A JPH1064919A JP H1064919 A JPH1064919 A JP H1064919A JP 22253296 A JP22253296 A JP 22253296A JP 22253296 A JP22253296 A JP 22253296A JP H1064919 A JPH1064919 A JP H1064919A
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- Japan
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- flange
- opening
- reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ゲートバルブの内面に堆積物が付着し、この堆
積物によりダストが発生し、歩留まりの低下を招いてい
た。 【解決手段】フランジ１３は導入口１７、通路１８、第
１の透孔１９を有し、ゲートバルブ１６は第２、第３の
透孔２０、２２、空所２１を有している。ゲートバルブ
１６がフランジ１３に圧接された場合、第１の透孔１９
と第２の透孔２０は連通され、導入口１７から導入され
たガスは、通路１８、第１の透孔１９、第２の透孔２
０、空所２１、第３の透孔２２、開口部１２を通って反
応室１０内に導かれる。このため、ゲートバルブ１６の
表面から反応室１０内に向かってガスが流出され、この
ガスの流れによってゲートバルブ１６の表面にエアカー
テンが形成される。
積物によりダストが発生し、歩留まりの低下を招いてい
た。 【解決手段】フランジ１３は導入口１７、通路１８、第
１の透孔１９を有し、ゲートバルブ１６は第２、第３の
透孔２０、２２、空所２１を有している。ゲートバルブ
１６がフランジ１３に圧接された場合、第１の透孔１９
と第２の透孔２０は連通され、導入口１７から導入され
たガスは、通路１８、第１の透孔１９、第２の透孔２
０、空所２１、第３の透孔２２、開口部１２を通って反
応室１０内に導かれる。このため、ゲートバルブ１６の
表面から反応室１０内に向かってガスが流出され、この
ガスの流れによってゲートバルブ１６の表面にエアカー
テンが形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体装
置の製造装置に係わり、特に、反応室（プロセスチャン
バー）とロードロックチャンバーの相互間に設けられた
ゲートバルブに関する。
置の製造装置に係わり、特に、反応室（プロセスチャン
バー）とロードロックチャンバーの相互間に設けられた
ゲートバルブに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４、図５は、従来の半導体装置の製造
装置を示すものであり、半導体ウエハを処理する反応室
とゲートバルブの構成を示している。図４において、ロ
ードロックチャンバーは省略されている。反応室４１は
例えば石英によって構成されている。この反応室４１の
開口部４１ａの周囲にはフランジ４２が設けられ、この
フランジ４２にはＯリング４３を介してゲートバルブ４
４が開閉自在に設けられる。反応室４１に対して半導体
ウエハを出し入れする場合、ゲートバルブ４４は反応室
４１のフランジ４２から離間される。また、半導体ウエ
ハを処理する場合、ゲートバルブ４４はフランジ４２に
圧接され、開口部４１ａが閉塞される。前記フランジ４
２には反応室４１内にガスを導入するための導入口４５
が設けられている。反応室４１の周囲には反応室４１の
内部を加熱するヒータ４６が設けられている。
装置を示すものであり、半導体ウエハを処理する反応室
とゲートバルブの構成を示している。図４において、ロ
ードロックチャンバーは省略されている。反応室４１は
例えば石英によって構成されている。この反応室４１の
開口部４１ａの周囲にはフランジ４２が設けられ、この
フランジ４２にはＯリング４３を介してゲートバルブ４
４が開閉自在に設けられる。反応室４１に対して半導体
ウエハを出し入れする場合、ゲートバルブ４４は反応室
４１のフランジ４２から離間される。また、半導体ウエ
ハを処理する場合、ゲートバルブ４４はフランジ４２に
圧接され、開口部４１ａが閉塞される。前記フランジ４
２には反応室４１内にガスを導入するための導入口４５
が設けられている。反応室４１の周囲には反応室４１の
内部を加熱するヒータ４６が設けられている。
【０００３】上記装置により、例えば化合物半導体をＡ
ｓＨ3 によりアニールする場合、反応室４１内に化合物
半導体のウエハを搬入し、図示するようにゲートバルブ
４４を閉じる。この状態において、導入口４５より反応
室４１内にＡｓＨ3 が導入され、反応室４１内はヒータ
４６によって約８００℃に加熱される。
ｓＨ3 によりアニールする場合、反応室４１内に化合物
半導体のウエハを搬入し、図示するようにゲートバルブ
４４を閉じる。この状態において、導入口４５より反応
室４１内にＡｓＨ3 が導入され、反応室４１内はヒータ
４６によって約８００℃に加熱される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反応室４１
内に導入されたＡｓＨ3 ガスは約３００℃で水素とＡｓ
（金属）に分解され、このＡｓは反応室４１内に浮遊す
る。上記従来の装置は、導入口４５がフランジの一部に
設けられているため、導入口４５から導入されたガスは
反応室４１の内部方向に向かう流れと、ゲートバルブ４
４方向に向かう流れを形成する。このゲートバルブ４４
方向に向かう流れにより、前記反応室４１内で発生した
Ａｓがゲートバルブ４４の内面に付着する。この付着し
たＡｓはゲートバルブ４４を開閉する際、その振動によ
り剥離されダストとなる。このダストはウエハ上に付着
し、歩留まりの低下を招く虞を有していた。
内に導入されたＡｓＨ3 ガスは約３００℃で水素とＡｓ
（金属）に分解され、このＡｓは反応室４１内に浮遊す
る。上記従来の装置は、導入口４５がフランジの一部に
設けられているため、導入口４５から導入されたガスは
反応室４１の内部方向に向かう流れと、ゲートバルブ４
４方向に向かう流れを形成する。このゲートバルブ４４
方向に向かう流れにより、前記反応室４１内で発生した
Ａｓがゲートバルブ４４の内面に付着する。この付着し
たＡｓはゲートバルブ４４を開閉する際、その振動によ
り剥離されダストとなる。このダストはウエハ上に付着
し、歩留まりの低下を招く虞を有していた。
【０００５】この発明は、上記課題を解決するものであ
り、その目的とするところは、ゲートバルブの内面に堆
積物が付着することを防止し、この堆積物によるダスト
の発生を防止することが可能な半導体装置の製造装置を
提供しようとするものである。
り、その目的とするところは、ゲートバルブの内面に堆
積物が付着することを防止し、この堆積物によるダスト
の発生を防止することが可能な半導体装置の製造装置を
提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、処理対象としての半導体ウエハを出入す
るための開口部と、この開口部の周囲に設けられたフラ
ンジとを有する反応室と、表面が前記フランジの表面に
圧接され、前記開口部を閉塞可能なゲートバルブと、前
記ゲートバルブの前記表面に前記開口部に対向して設け
られた複数の吹出し口と、前記フランジ及び前記ゲート
バルブ内に設けられ、前記ゲートバルブが前記フランジ
に圧接された状態において互いに連通され、前記フラン
ジ側から導入されたガスを前記ゲートバルブの前記複数
の吹出し口に導き、これら吹出し口から前記開口部を通
して前記反応室内にガスを導入させる通路とを設けてい
る。
解決するため、処理対象としての半導体ウエハを出入す
るための開口部と、この開口部の周囲に設けられたフラ
ンジとを有する反応室と、表面が前記フランジの表面に
圧接され、前記開口部を閉塞可能なゲートバルブと、前
記ゲートバルブの前記表面に前記開口部に対向して設け
られた複数の吹出し口と、前記フランジ及び前記ゲート
バルブ内に設けられ、前記ゲートバルブが前記フランジ
に圧接された状態において互いに連通され、前記フラン
ジ側から導入されたガスを前記ゲートバルブの前記複数
の吹出し口に導き、これら吹出し口から前記開口部を通
して前記反応室内にガスを導入させる通路とを設けてい
る。
【０００７】また、この発明は、処理対象としての半導
体ウエハを出入するための開口部と、この開口部の周囲
に設けられたフランジとを有する反応室と、表面が前記
フランジの表面に圧接され、前記開口部を閉塞可能なゲ
ートバルブと、前記フランジの内部に前記開口部に沿っ
て配置された通路と、前記フランジの周面に設けられ、
前記通路にガスを導入するための導入部と、前記フラン
ジの前記表面に設けられ、前記通路に導入されガスを導
出する複数の第１の透孔と、前記ゲートバルブの内部に
設けられた空所と、前記ゲートバルブの前記表面に設け
られ、ゲートバルブが前記フランジに圧接された状態に
おいて、前記第１の透孔から導出されるガスを前記空所
に導入する複数の第２の透孔と、前記ゲートバルブの前
記表面に前記開口部に対向して設けられ、ゲートバルブ
が前記フランジに圧接された状態において、前記空所に
導入されたガスを前記開口部を通して前記反応室内に導
入する複数の第３透孔とを設けている。
体ウエハを出入するための開口部と、この開口部の周囲
に設けられたフランジとを有する反応室と、表面が前記
フランジの表面に圧接され、前記開口部を閉塞可能なゲ
ートバルブと、前記フランジの内部に前記開口部に沿っ
て配置された通路と、前記フランジの周面に設けられ、
前記通路にガスを導入するための導入部と、前記フラン
ジの前記表面に設けられ、前記通路に導入されガスを導
出する複数の第１の透孔と、前記ゲートバルブの内部に
設けられた空所と、前記ゲートバルブの前記表面に設け
られ、ゲートバルブが前記フランジに圧接された状態に
おいて、前記第１の透孔から導出されるガスを前記空所
に導入する複数の第２の透孔と、前記ゲートバルブの前
記表面に前記開口部に対向して設けられ、ゲートバルブ
が前記フランジに圧接された状態において、前記空所に
導入されたガスを前記開口部を通して前記反応室内に導
入する複数の第３透孔とを設けている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１、図２（ａ）（ｂ）
は、この発明の実施の形態に係わる半導体装置の製造装
置を示すものであり、半導体ウエハを処理する反応室と
ゲートバルブの構成を示している。図１において、ロー
ドロックチャンバーは省略されている。反応室１０は例
えば石英によって構成されている。この反応室１０の周
囲には反応室内を加熱するヒータ１１が設けられてい
る。反応室１０の一端部には開口部１２が設けられ、こ
の開口部１２の周囲にはフランジ１３が設けられてい
る。このフランジ１３にはゲートバルブ１６が開閉自在
に設けられる。反応室１０に対して半導体ウエハを出し
入れする場合、ゲートバルブ１６は反応室１０のフラン
ジ１３から離間され、開口部１２が開放される。また、
半導体ウエハを処理する場合、ゲートバルブ１６はフラ
ンジ１３に圧接され、開口部１２が閉塞される。ゲート
バルブ１６の表面には、同心状に第１、第２のＯリング
１４、１５が配置され、これら第１、第２のＯリング１
４、１５により、ゲートバルブ１６をフランジ１３に圧
接した際、反応室１０の気密性が保持される。
いて図面を参照して説明する。図１、図２（ａ）（ｂ）
は、この発明の実施の形態に係わる半導体装置の製造装
置を示すものであり、半導体ウエハを処理する反応室と
ゲートバルブの構成を示している。図１において、ロー
ドロックチャンバーは省略されている。反応室１０は例
えば石英によって構成されている。この反応室１０の周
囲には反応室内を加熱するヒータ１１が設けられてい
る。反応室１０の一端部には開口部１２が設けられ、こ
の開口部１２の周囲にはフランジ１３が設けられてい
る。このフランジ１３にはゲートバルブ１６が開閉自在
に設けられる。反応室１０に対して半導体ウエハを出し
入れする場合、ゲートバルブ１６は反応室１０のフラン
ジ１３から離間され、開口部１２が開放される。また、
半導体ウエハを処理する場合、ゲートバルブ１６はフラ
ンジ１３に圧接され、開口部１２が閉塞される。ゲート
バルブ１６の表面には、同心状に第１、第２のＯリング
１４、１５が配置され、これら第１、第２のＯリング１
４、１５により、ゲートバルブ１６をフランジ１３に圧
接した際、反応室１０の気密性が保持される。
【０００９】図２（ａ）は、前記フランジ１３を示して
いる。このフランジ１３の周面には反応室１０内にガス
を導入するための導入口１７が設けられている。このフ
ランジ１３の内部には、前記開口部１２の周囲に位置し
て前記導入口１７と連通した通路１８が設けられ、フラ
ンジ１３の表面には前記通路１８と連通した複数の第１
の透孔１９が設けられている。
いる。このフランジ１３の周面には反応室１０内にガス
を導入するための導入口１７が設けられている。このフ
ランジ１３の内部には、前記開口部１２の周囲に位置し
て前記導入口１７と連通した通路１８が設けられ、フラ
ンジ１３の表面には前記通路１８と連通した複数の第１
の透孔１９が設けられている。
【００１０】図２（ｂ）は前記ゲートバルブ１６を示し
ている。このゲートバルブ１６の前記フランジ１３と対
向する表面には前記第１、第２のＯリング１４、１５が
設けられている。これら第１、第２のＯリング１４、１
５の相互間に位置するゲートバルブ１６の表面には、前
記フランジ１３に設けられた第１の透孔１９とそれぞれ
連通される複数の第２の透孔２０が設けられている。フ
ランジ１３の内部には前記第２の透孔２０と連通する空
所２１が設けられ、前記第２のＯリング１４の内側に位
置するフランジ１３の表面には、前記空所２１に連通
し、ガスの吹出し口としての複数の第３の透孔２２が設
けられている。
ている。このゲートバルブ１６の前記フランジ１３と対
向する表面には前記第１、第２のＯリング１４、１５が
設けられている。これら第１、第２のＯリング１４、１
５の相互間に位置するゲートバルブ１６の表面には、前
記フランジ１３に設けられた第１の透孔１９とそれぞれ
連通される複数の第２の透孔２０が設けられている。フ
ランジ１３の内部には前記第２の透孔２０と連通する空
所２１が設けられ、前記第２のＯリング１４の内側に位
置するフランジ１３の表面には、前記空所２１に連通
し、ガスの吹出し口としての複数の第３の透孔２２が設
けられている。
【００１１】上記構成において、例えば化合物半導体を
例えばＡｓＨ3 によりアニールする場合、開口部１２よ
り反応室１０内に化合物半導体のウエハが搬入される。
この後、図１に示すように、ゲートバルブ１６がフラン
ジ１３に圧接され、開口部１２が閉塞される。この状態
において、前記第１の透孔１９と第２の透孔２０は互い
に連通され、第３の透孔２２は反応室１０の開口部１２
に対向される。導入口１７から導入されたＡｓＨ3 ガス
は、通路１８、第１の透孔１９、第２の透孔２０を介し
てゲートバルブ１６内の空所２１に導かれ、この空所２
１から第３の透孔２２、開口部１２を通って反応室１０
内に導かれる。反応室１０内はヒータ１１により、例え
ば８００℃に加熱され、ウエハがアニールされる。
例えばＡｓＨ3 によりアニールする場合、開口部１２よ
り反応室１０内に化合物半導体のウエハが搬入される。
この後、図１に示すように、ゲートバルブ１６がフラン
ジ１３に圧接され、開口部１２が閉塞される。この状態
において、前記第１の透孔１９と第２の透孔２０は互い
に連通され、第３の透孔２２は反応室１０の開口部１２
に対向される。導入口１７から導入されたＡｓＨ3 ガス
は、通路１８、第１の透孔１９、第２の透孔２０を介し
てゲートバルブ１６内の空所２１に導かれ、この空所２
１から第３の透孔２２、開口部１２を通って反応室１０
内に導かれる。反応室１０内はヒータ１１により、例え
ば８００℃に加熱され、ウエハがアニールされる。
【００１２】上記構成によれば、導入口１７から導入さ
れたガスは、通路１８、第１の透孔１９、第２の透孔２
０を介してゲートバルブ１６内の空所２１に導かれ、こ
の空所２１から第３の透孔２２、開口部１２を通って反
応室１０内に導かれる。このため、ゲートバルブ１６の
表面から反応室１０の内部に向かってガスが流れ、反応
室１０内部からゲートバルブ１６の表面に向かう気流は
形成されない。したがって、前記ガスの流れによってゲ
ートバルブ１６の表面に所謂エアカーテンが形成され、
このエアカーテンにより、反応室１０内で発生した金属
Ａｓがゲートバルブ１６の表面に付着することが防止さ
れる。このため、ゲートバルブ１６の表面にダストの発
生源が付着することを防止でき、ダストによる歩留まり
の低下を防止できる。
れたガスは、通路１８、第１の透孔１９、第２の透孔２
０を介してゲートバルブ１６内の空所２１に導かれ、こ
の空所２１から第３の透孔２２、開口部１２を通って反
応室１０内に導かれる。このため、ゲートバルブ１６の
表面から反応室１０の内部に向かってガスが流れ、反応
室１０内部からゲートバルブ１６の表面に向かう気流は
形成されない。したがって、前記ガスの流れによってゲ
ートバルブ１６の表面に所謂エアカーテンが形成され、
このエアカーテンにより、反応室１０内で発生した金属
Ａｓがゲートバルブ１６の表面に付着することが防止さ
れる。このため、ゲートバルブ１６の表面にダストの発
生源が付着することを防止でき、ダストによる歩留まり
の低下を防止できる。
【００１３】図３は、この発明が適用されるアニール装
置を示すものであり、反応室１０とロードロックチャン
バー３０の相互間に前記ゲートバルブ１６が設けられ
る。ロードロックチャンバー３０内には搬送用のロボッ
ト３１が設けられている。
置を示すものであり、反応室１０とロードロックチャン
バー３０の相互間に前記ゲートバルブ１６が設けられ
る。ロードロックチャンバー３０内には搬送用のロボッ
ト３１が設けられている。
【００１４】上記構成において、ロードロックチャンバ
ー３０内に化合物半導体のウエハをセットした石英ボー
トを搬入し、ゲートバルブ１６を開放する。ロボット３
１により石英ボートを反応室１０内に搬送した後ゲート
バルブ１６を閉じ、導入口１７から例えばＡｓＨ3 ガス
を導入して昇温し、ウエハをアニールする。アニールの
条件は、例えばＡｓＨ3 ガスの流量が５ｌ／min 、アニ
ール温度が８２０℃、アニール時間が２０min である。
ー３０内に化合物半導体のウエハをセットした石英ボー
トを搬入し、ゲートバルブ１６を開放する。ロボット３
１により石英ボートを反応室１０内に搬送した後ゲート
バルブ１６を閉じ、導入口１７から例えばＡｓＨ3 ガス
を導入して昇温し、ウエハをアニールする。アニールの
条件は、例えばＡｓＨ3 ガスの流量が５ｌ／min 、アニ
ール温度が８２０℃、アニール時間が２０min である。
【００１５】上記のようにしてアニールした後、ゲート
バルブ１６の開閉に伴うダストの数を測定した結果、従
来のゲートバルブを使用した場合におけるダストの数は
３０００個であったのに対して、本発明の場合は４００
個であり、ダストを大幅に低減できた。
バルブ１６の開閉に伴うダストの数を測定した結果、従
来のゲートバルブを使用した場合におけるダストの数は
３０００個であったのに対して、本発明の場合は４００
個であり、ダストを大幅に低減できた。
【００１６】尚、上記実施の形態では、この発明をアニ
ール装置に適用する場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、処理中に装置内に堆積物が発生
する装置に適用することが可能である。その他、この発
明の要旨を変えない範囲において種々変形実施可能なこ
とは勿論である。
ール装置に適用する場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、処理中に装置内に堆積物が発生
する装置に適用することが可能である。その他、この発
明の要旨を変えない範囲において種々変形実施可能なこ
とは勿論である。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、ゲートバルブの内面に堆積物が付着することを防止
し、この堆積物によるダストの発生を防止することが可
能な半導体装置の製造装置を提供できる。
ば、ゲートバルブの内面に堆積物が付着することを防止
し、この堆積物によるダストの発生を防止することが可
能な半導体装置の製造装置を提供できる。
【図１】この発明の実施の形態を示す一部切除した側面
図。
図。
【図２】図２（ａ）は図１のフランジを示す正面図、図
２（ｂ）は図１のゲートバルブを示す正面図。
２（ｂ）は図１のゲートバルブを示す正面図。
【図３】この発明が適用されるアニール装置を示す構成
図。
図。
【図４】従来の半導体装置の製造装置を示す一部切除し
た側面図。
た側面図。
【図５】図５（ａ）は図４のゲートバルブを示す正面
図、図５（ｂ）は図４のフランジを示す正面図。
図、図５（ｂ）は図４のフランジを示す正面図。
１０…反応室、 １１…ヒータ、 １２…開口部、 １３…フランジ、 １４、１５…第１、第２のＯリング、 １６…ゲートバルブ、 １７…導入口、 １８…通路、 １９、２０、２２…第１、第２、第３の透孔、 ２１…空所。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉武 春二 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (4)
- 【請求項１】 処理対象としての半導体ウエハを出入す
るための開口部と、この開口部の周囲に設けられたフラ
ンジとを有する反応室と、 表面が前記フランジの表面に圧接され、前記開口部を閉
塞可能なゲートバルブと、 前記ゲートバルブの前記表面に前記開口部に対向して設
けられた複数の吹出し口と、 前記フランジ及び前記ゲートバルブ内に設けられ、前記
ゲートバルブが前記フランジに圧接された状態において
互いに連通され、前記フランジ側から導入されたガスを
前記ゲートバルブの前記複数の吹出し口に導き、これら
吹出し口から前記開口部を通して前記反応室内にガスを
導入させる通路とを具備することを特徴とする半導体装
置の製造装置。 - 【請求項２】 処理対象としての半導体ウエハを出入す
るための開口部と、この開口部の周囲に設けられたフラ
ンジとを有する反応室と、 表面が前記フランジの表面に圧接され、前記開口部を閉
塞可能なゲートバルブと、 前記フランジの内部に前記開口部に沿って配置された通
路と、 前記フランジの周面に設けられ、前記通路にガスを導入
するための導入部と、 前記フランジの前記表面に設けられ、前記通路に導入さ
れガスを導出する複数の第１の透孔と、 前記ゲートバルブの内部に設けられた空所と、 前記ゲートバルブの前記表面に設けられ、ゲートバルブ
が前記フランジに圧接された状態において、前記第１の
透孔から導出されるガスを前記空所に導入する複数の第
２の透孔と、 前記ゲートバルブの前記表面に前記開口部に対向して設
けられ、ゲートバルブが前記フランジに圧接された状態
において、前記空所に導入されたガスを前記開口部を通
して前記反応室内に導入する複数の第３透孔とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 前記ゲートバルブの前記表面で前記第２
の透孔の周囲に配置された第１のＯリングと、前記ゲー
トバルブの前記表面で前記第３の透孔の周囲に配置され
た第２のＯリングとを具備することを特徴とする請求項
２記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 前記半導体ウエハは、化合物半導体であ
り前記ガスはＡｓＨ3 であることを特徴とする請求項１
又は２記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22253296A JPH1064919A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22253296A JPH1064919A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064919A true JPH1064919A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16783915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22253296A Pending JPH1064919A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077850A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR101666163B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2016-10-17 | 주식회사 케이씨텍 | 게이트 밸브를 구비하는 기판처리 장치 |
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1996
- 1996-08-23 JP JP22253296A patent/JPH1064919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077850A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP4509439B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2010-07-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR101666163B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2016-10-17 | 주식회사 케이씨텍 | 게이트 밸브를 구비하는 기판처리 장치 |
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