JPH0368770A - 減圧化学気相成長装置 - Google Patents
減圧化学気相成長装置Info
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- JPH0368770A JPH0368770A JP20620389A JP20620389A JPH0368770A JP H0368770 A JPH0368770 A JP H0368770A JP 20620389 A JP20620389 A JP 20620389A JP 20620389 A JP20620389 A JP 20620389A JP H0368770 A JPH0368770 A JP H0368770A
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 45
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、炉内を減圧し、化学反応により半導体ウェー
ハ（以下単にウェーハと呼ぶ）に薄膜を成長させる減圧
化学気相成長装置に関する。
ハ（以下単にウェーハと呼ぶ）に薄膜を成長させる減圧
化学気相成長装置に関する。
第２図は従来の一例を示す減圧化学気相成長装置の断面
図である。従来の減圧化学気相成長装置は、同図に示す
ように、複数枚のウェーハ３が積載されたウェーハ装填
治具７と、このウェーハ装填治具７を挿入し、反応ガス
導入口９より反応ガスを導入し、ウェーハ３をヒータ２
で加熱し、薄膜を成長させる円筒状の炉芯管１とで構成
されている。
図である。従来の減圧化学気相成長装置は、同図に示す
ように、複数枚のウェーハ３が積載されたウェーハ装填
治具７と、このウェーハ装填治具７を挿入し、反応ガス
導入口９より反応ガスを導入し、ウェーハ３をヒータ２
で加熱し、薄膜を成長させる円筒状の炉芯管１とで構成
されている。
この減圧化学気相成長装置において、例えば、ウェーハ
３を炉芯管１内に入れる際に、炉芯管１内に大気が進入
し、ウェーハ３が酸化しないように、炉芯管のキャップ
（図示せず）を開くとき、炉芯管１の一端の供給口１０
よりアルゴンや窒素等の不活性ガスを炉芯管１のウェー
ハ出入り口に向けて吹きつけていた。
３を炉芯管１内に入れる際に、炉芯管１内に大気が進入
し、ウェーハ３が酸化しないように、炉芯管のキャップ
（図示せず）を開くとき、炉芯管１の一端の供給口１０
よりアルゴンや窒素等の不活性ガスを炉芯管１のウェー
ハ出入り口に向けて吹きつけていた。
しかしながら、上述した従来の減圧化学気相成長装置で
は、炉芯管内に挿入されたウェーハが、その面が炉芯管
の軸方向に垂直であるため、不活性ガスの流れをさえぎ
ることになり、各ウェーハ間に不活性ガスが十分いきわ
たらず、ウェーハ出入り口より侵入する空気に晒すこと
なり、ウェーハ面を酸化させるという問題がある。特に
、最近、ウェーハの大口径化に伴い、この問題が多く起
きることとなった。
は、炉芯管内に挿入されたウェーハが、その面が炉芯管
の軸方向に垂直であるため、不活性ガスの流れをさえぎ
ることになり、各ウェーハ間に不活性ガスが十分いきわ
たらず、ウェーハ出入り口より侵入する空気に晒すこと
なり、ウェーハ面を酸化させるという問題がある。特に
、最近、ウェーハの大口径化に伴い、この問題が多く起
きることとなった。
本発明の目的は、かかる問題を解消する減圧化学気相成
長装置を提供することにある。
長装置を提供することにある。
本発明の減圧化学気相成長装置は、一端より開口部に向
けて不活性ガスを吹きつけるガス供給口を備える円筒状
の炉芯管と、この炉芯管の軸方向に複数の半導体ウェー
ハがその面が平行あるいは平行に近い方向に並べて積載
されるとともに前記炉芯管内に挿入されるウェーハ装填
治具とを有している。
けて不活性ガスを吹きつけるガス供給口を備える円筒状
の炉芯管と、この炉芯管の軸方向に複数の半導体ウェー
ハがその面が平行あるいは平行に近い方向に並べて積載
されるとともに前記炉芯管内に挿入されるウェーハ装填
治具とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例を示す減圧
化学気相成長装置の横断面図及び縦断面図である。この
減圧化学気相成長装置は、第１図（ａ）及び（ｂ）に示
すように、複数のウェーハ３が、その面が炉芯管１の軸
方向に平行あるいは平行に近い方向に並べて積載される
ように、ウェーハ装填治具７を製作したことである。そ
れ以外は従来と同じである。
化学気相成長装置の横断面図及び縦断面図である。この
減圧化学気相成長装置は、第１図（ａ）及び（ｂ）に示
すように、複数のウェーハ３が、その面が炉芯管１の軸
方向に平行あるいは平行に近い方向に並べて積載される
ように、ウェーハ装填治具７を製作したことである。そ
れ以外は従来と同じである。
ここで、図中、排気口８は不活性ガスの排出する出口１
．キャップ４は炉芯管１の出入り口を閉じる蓋、反応ガ
ス供給口９は化学反応をもたらすガスを供給する供給口
、供給口１０は不活性ガス導入バルブ５により不活性ガ
スを供給するとともに炉芯管１内を減圧するために炉芯
管内のガスを排気するための穴でもある。また、圧力制
御バルブは炉芯管内の圧力を調節するための弁である。
．キャップ４は炉芯管１の出入り口を閉じる蓋、反応ガ
ス供給口９は化学反応をもたらすガスを供給する供給口
、供給口１０は不活性ガス導入バルブ５により不活性ガ
スを供給するとともに炉芯管１内を減圧するために炉芯
管内のガスを排気するための穴でもある。また、圧力制
御バルブは炉芯管内の圧力を調節するための弁である。
このようなウェーハ装填治具７を設けて、この減圧化学
気相成長装置を動作すれば、炉芯管１内に流れる不活性
ガスは、矢印に示す方向に流れ、ウェーハ３間を円滑に
通過し、炉内に進入しようとする空気の流入を阻止する
ことが出来る。従って、ウェーハ３の表面は酸化される
ことがなくなる。
気相成長装置を動作すれば、炉芯管１内に流れる不活性
ガスは、矢印に示す方向に流れ、ウェーハ３間を円滑に
通過し、炉内に進入しようとする空気の流入を阻止する
ことが出来る。従って、ウェーハ３の表面は酸化される
ことがなくなる。
また、この効果の例として、例えば、シリコンウェーハ
上に多結晶シリコンを成長させた場合、この炉芯管内に
ウェーハを挿入時に、酸素の侵入により、二酸化ケイ素
が多結晶シリコンとウェーハ表面との間に形式され、そ
の間の導通を妨げるといた問題を解決することも出来る
。
上に多結晶シリコンを成長させた場合、この炉芯管内に
ウェーハを挿入時に、酸素の侵入により、二酸化ケイ素
が多結晶シリコンとウェーハ表面との間に形式され、そ
の間の導通を妨げるといた問題を解決することも出来る
。
以上説明したように本発明は、炉芯管の一端よりウェー
ハの出入り口に向って不活性ガスを吹きつける不活性ガ
スの供給口を設け、炉芯管の軸方向に平行あるいはそれ
に近い方向に、ウェーハ面を並べて、複数枚のウェーハ
を積載するウェーハ装填治具を設けることによって、炉
芯管内に侵入してくる空気を阻止出来るので、ウェーハ
表面の酸化を極力防止出来る減圧化学気相成長装置が得
られるという効果がある。
ハの出入り口に向って不活性ガスを吹きつける不活性ガ
スの供給口を設け、炉芯管の軸方向に平行あるいはそれ
に近い方向に、ウェーハ面を並べて、複数枚のウェーハ
を積載するウェーハ装填治具を設けることによって、炉
芯管内に侵入してくる空気を阻止出来るので、ウェーハ
表面の酸化を極力防止出来る減圧化学気相成長装置が得
られるという効果がある。
第工図（ａ＞及び（ｂ）は本発明の一実施例を示す減圧
化学気相成長装置の横断面図及び縦断面図、第２図は従
来の一例を示す減圧化学気相成長装置の断面図である。
化学気相成長装置の横断面図及び縦断面図、第２図は従
来の一例を示す減圧化学気相成長装置の断面図である。
工・・・炉芯管、２・・・ヒータ、３・・・ウェーハ、
４・・・キャップ、５・・・不活性ガス導入バルブ、６
・・・圧力制御バルブ、７・・・ウェーハ装填治具、８
・・・排気口、９・・・反応ガス供給口、１０・・・供
給口。
４・・・キャップ、５・・・不活性ガス導入バルブ、６
・・・圧力制御バルブ、７・・・ウェーハ装填治具、８
・・・排気口、９・・・反応ガス供給口、１０・・・供
給口。
Claims (1)
- 一端より開口部に向けて不活性ガスを吹きつけるガス供
給口を備える円筒状の炉芯管と、この炉芯管の軸方向に
複数の半導体ウェーハがその面が平行あるいは平行に近
い方向に並べて積載されるとともに前記炉芯管内に挿入
されるウェーハ装填治具とを有することを特徴とする減
圧化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20620389A JPH0368770A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 減圧化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20620389A JPH0368770A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 減圧化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368770A true JPH0368770A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16519496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20620389A Pending JPH0368770A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 減圧化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014645A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Covalent Materials Corp | シリコンウエハの熱処理方法 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP20620389A patent/JPH0368770A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014645A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Covalent Materials Corp | シリコンウエハの熱処理方法 |
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