JP3841848B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は半導体製造装置、特に枚葉式半導体製造装置のウェーハ台装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図3、図4に於いて、枚葉式半導体製造装置の概略を説明する。
【0003】
石英製又は炭化硅素、アルミナ製の反応管1は水平方向に偏平な空間を有する筒状であり、反応管1の内部にウェーハ台装置2が設けられ、前記反応管1の両端には気密にガス導入フランジ3,ガス導入フランジ4が設けられ、一方のガス導入フランジ3には更にゲート弁5を介して搬送室(図示せず)が連設されている。前記ガス導入フランジ3、ガス導入フランジ4にはそれぞれガス導入ライン7,8、排気ライン9,10が連通され、又前記反応管1の周囲にはヒータ6が設けられ、反応管1内部を均一に加熱する様になっている。
【0004】
図5〜図7に於いて、従来のウェーハ台装置2を説明する。
【0005】
石英、或は炭化硅素、アルミナ等の材質から成る矩形のプレート12の中央にはウェーハ11の直径よりも若干大きい直径を有する抜き孔13を穿設し、該抜き孔13の円周4等分した位置のプレート12下面に爪14を中心方向に突設する。又、前記プレート12の前記ゲート弁5側には2箇所に平行な溝部15を設け、該溝部15の対峙箇所にはそれぞれ逃げ部16を欠切する。又前記溝部15の下面には断面凹状のブリッジ17を掛渡す。前記溝部15、逃げ部16は前記図示しないウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アームが進入し、ウェーハ11の授受を行う場合に干渉しない様になっている。
【0006】
本例ではウェーハ台装置2は前記したプレート12を上下2段に具備しており、ウェーハ台装置2には2枚のウェーハ11が載置される。図7は前記プレート12にウェーハ11を載置した状態を示している。
【0007】
ゲート弁5が開かれ図示しないウェーハ搬送ロボットが図中左方より進入し、ウェーハ11が搬入される。
【0008】
ウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アームはウェーハ11の下面が前記プレート12の上方に位置する状態で前記溝部15内に進入し、前記抜き孔13の中心とウェーハ11の中心とが一致した位置で停止し、更に降下してウェーハ11を前記爪14に移載する。ウェーハ載置アームが後退してウェーハ11のプレート12への移載が完了する。
【0009】
前記ウェーハ搬送ロボットが後退してゲート弁5が閉じられ、反応管1内に前記ガス導入ライン7,8より反応ガスが導入され、前記排気ライン9,10より排気される。尚、処理の均一性を確保する為、反応ガスは対角に向って、例えばガス導入ライン7から排気ライン10に向かって流れ、或はガス導入ライン8から排気ライン9に向かって流れ、更に所要時間毎に流れの向きが変更される様になっている。
【0010】
ウェーハ11の処理が完了すると、前記ゲート弁5が開かれ、ウェーハ搬送ロボットにより搬出される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来のウェーハ台装置では図7で示される様に、ウェーハ11が前記プレート12の表面より突出した状態となっている。その為、図7の部分拡大図である図8に見られる様に、反応ガスの流れ19が前記ウェーハ11の端面に衝突して乱れ層流になりにくい。この為ウェーハ表面への成膜が場所により異なってしまい、ウェーハ面内での均一性が損なわれるという問題があった。
【0012】
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハ台装置に沿って流れる反応ガスの流れの乱流の発生を防止しようとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、枚葉式半導体製造装置のウェーハ台装置に於いて、ウェーハを保持する抜き孔が形成されたプレートの前記抜き孔の周縁上縁の位置を保持するウェーハ上面と等しくし、又はウェーハを保持する複数枚のプレートを具備し、ウェーハの下側に位置するプレートの抜き孔上面周縁部にテーパ状の盛上がりを形成し、抜き孔の上周縁の高さを保持するウェーハの上面と等しくし、又はウェーハを保持する複数枚のプレートを具備し、ウェーハの上側に位置するプレートの抜き孔下面周縁部にテーパ状に凹みを形成し、前記抜き孔の下周縁の位置を保持するウェーハの下面と等しくしたことを特徴とするものである。
【0014】
【作用】
ウェーハを保持するプレートとウェーハとの境界に段差がなくるので、反応ガスは層流を乱されることがなく、ウェーハ面内での膜付きの均一性が向上する。
【0015】
【実施例】
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
【0016】
図1、図2は本発明の一実施例を示し、図中図7、図8で示したものと同様のものには同符号を付してある。
【0017】
前記爪14の形状等を考慮して、ウェーハ11の表面が前記上段のプレート12の表面と面一となる様に設定する。又、前記抜き孔13の下面周縁部にテーパ状に凹み20を形成し、抜き孔13の周縁端面の厚みを前記ウェーハ11の厚みと等しくする。更に、下段のプレート12については前記抜き孔13の周縁部上面にテーパ状の盛上がり21を形成し、抜き孔13周端面の上縁の高さがウェーハ11の上面と同一となる様にする。而して、上下のプレート12、上下のウェーハ11間で流れ方向で僅かな変更があるが、形成される流れ方向に沿った流路断面は同一断面が維持される。
【0018】
上記ウェーハ台装置に於ける反応ガスの流れ19に於いては、上段のプレート12の上面に沿って流れる反応ガスの流れ19は流れ方向が変更されることなく、又乱されることなく層流が維持され、又下段のプレート12については上段のプレート12の下面に沿った流れは前記凹み20により、及び下段のプレート12上面に沿った流れは前記盛上がり21により、共になだからに流れ方向が変更され、流れが乱されることがない。而して、上段にウェーハ11の上面を流れる反応ガスの流れ19も、下段のウェーハ11の上面を流れる反応ガスの流れ19も共に層流が維持され、ウェーハ表面に膜付きがよく、ウェーハ面内での成膜の均一性が改善される。
【0019】
尚、下段のプレート12については、前記盛上がり21を省略し、ウェーハ11とプレート12とを面一としてもよい。更に、プレート12が1段の場合は、図2中の下段のプレート12が省略されると共に凹み20が省略され、3段以上の場合は図2中の下段のプレート12が更に段数の増加に応じて加えられると共に最下段を除くプレート12に前記凹み20が形成される。
【0020】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、ウェーハ表面に沿って流れる反応ガスの流れを層流に維持できるので、ウェーハへの膜付性が向上し、成膜の均一性を向上することができ、製品の歩留まり、製品品質を著しく向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1のA部拡大図である。
【図3】半導体製造の側断面図である。
【図4】同前半導体製造装置の平断面図である。
【図5】従来例を示す平面図である。
【図6】同前従来例の正面図である。
【図7】同前従来例を示す断面図である。
【図8】図7のC部拡大図である。
【符号の説明】
11 ウェーハ
12 プレート
19 反応ガスの流れ
20 凹み
21 プレート
Claims (2)
- 反応管の内部にウェーハを保持するウェーハ台装置が設けられ、該ウェーハ台装置に沿って反応ガスの流れが形成される半導体製造装置に於いて、前記ウェーハ台装置はウェーハを保持するプレートを複数段具備し、前記プレートは抜き孔が形成され、前記プレートの前記抜き孔の周縁上縁の位置を、保持するそれぞれのウェーハ上面と等しくし、前記プレートの内、少なくともその下側にウェーハが保持されているプレートの抜き孔の下面周縁部にテーパ状に凹みを形成し、前記抜き孔の下周縁の位置を前記プレートに保持されているウェーハの下面と等しくしたことを特徴とする半導体製造装置。
- 前記プレートの内、最上段のプレート以外は、プレートの抜き孔上面周縁部にテーパ状の盛上がりを形成し、抜き孔の上周縁の高さを前記最上段のプレート以外のプレートに保持されるウェーハの上面と等しくした請求項1の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17274395A JP3841848B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17274395A JP3841848B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH098110A JPH098110A (ja) | 1997-01-10 |
JP3841848B2 true JP3841848B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=15947502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17274395A Expired - Lifetime JP3841848B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3841848B2 (ja) |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP17274395A patent/JP3841848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH098110A (ja) | 1997-01-10 |
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