JP2828429B2 - 化学気相蒸着設備のウェーハローディング室の空気流案内装置 - Google Patents
化学気相蒸着設備のウェーハローディング室の空気流案内装置Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相蒸着設備
のウェーハローディング室の空気流案内装置に関し、特
に、低圧化学気相蒸着工程の前後において、ウェーハを
載せたボート側に高清浄の空気を送風するため改良を加
えた空気流入ユニットを有する、化学気相蒸着設備のウ
ェーハローディング室の空気流案内装置に関する。
のウェーハローディング室の空気流案内装置に関し、特
に、低圧化学気相蒸着工程の前後において、ウェーハを
載せたボート側に高清浄の空気を送風するため改良を加
えた空気流入ユニットを有する、化学気相蒸着設備のウ
ェーハローディング室の空気流案内装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＲＯＭ、ＲＡＭ及び集積回路ＩＣ
等を半導体チップとして実現するためにウェーハ(wafer
)が用いられる。ウェーハは、酸化、拡散、蒸着、エッ
チング及びパッゲージング(packaging )などの工程を経
た後、所望の容量を有するＲＯＭ、ＲＡＭ、特定回路を
内蔵した集積回路などの半導体チップとして完成する。
等を半導体チップとして実現するためにウェーハ(wafer
)が用いられる。ウェーハは、酸化、拡散、蒸着、エッ
チング及びパッゲージング(packaging )などの工程を経
た後、所望の容量を有するＲＯＭ、ＲＡＭ、特定回路を
内蔵した集積回路などの半導体チップとして完成する。
【０００３】前述した工程においてウェーハ上に微細薄
膜を蒸着するためによく用いられる技術として、化学気
相蒸着(Chemical Vapor Deposition: 以下、ＣＶＤとい
う )法がある。ＣＶＤは、常圧ＣＶＤ(APCVD )、低圧Ｃ
ＶＤ(LPCVD )及びプラズマＣＶＤ(PECVD )に大別するこ
とができる。低圧ＣＶＤは、ＭＯＳ集積回路や各種のト
ランジスタや電荷結合素子(CCD:Charge Coupled Device
)等を製造するためによく用いられている。特に低圧Ｃ
ＶＤは、同一ウェーハ内、及びウェーハ間における薄膜
の厚さ及び抵抗の均一性において優れており、低温低圧
プロセスのため反応炉とウェーハからのオートドーピン
グを抑えることができ、多量のウェーハを同時に処理す
ることができて経済的であり、また、低温プロセスのた
めウェーハ中に予め形成された不純物分布を維持するこ
とができる。
膜を蒸着するためによく用いられる技術として、化学気
相蒸着(Chemical Vapor Deposition: 以下、ＣＶＤとい
う )法がある。ＣＶＤは、常圧ＣＶＤ(APCVD )、低圧Ｃ
ＶＤ(LPCVD )及びプラズマＣＶＤ(PECVD )に大別するこ
とができる。低圧ＣＶＤは、ＭＯＳ集積回路や各種のト
ランジスタや電荷結合素子(CCD:Charge Coupled Device
)等を製造するためによく用いられている。特に低圧Ｃ
ＶＤは、同一ウェーハ内、及びウェーハ間における薄膜
の厚さ及び抵抗の均一性において優れており、低温低圧
プロセスのため反応炉とウェーハからのオートドーピン
グを抑えることができ、多量のウェーハを同時に処理す
ることができて経済的であり、また、低温プロセスのた
めウェーハ中に予め形成された不純物分布を維持するこ
とができる。
【０００４】このような理由から、ウェーハ上に窒化膜
や酸化膜などを形成するために低圧ＣＶＤが用いられて
おり、低圧ＣＶＤを行う設備は大きく反応室とウェーハ
ローディング室に分けられる。
や酸化膜などを形成するために低圧ＣＶＤが用いられて
おり、低圧ＣＶＤを行う設備は大きく反応室とウェーハ
ローディング室に分けられる。
【０００５】反応室は、内部が特定温度及び条件の雰囲
気に設定されていて、ボート(Boat)に載せられローディ
ング(loading )されたウェーハに薄膜を形成する装置で
ある。ウェーハローディング室は、ウェーハをボートに
載せて待機させた後、薄膜蒸着を行うために反応室にロ
ーディングしたり、工程を終えて薄膜を蒸着したウェー
ハをボートに載せてアンローディングする装置である。
気に設定されていて、ボート(Boat)に載せられローディ
ング(loading )されたウェーハに薄膜を形成する装置で
ある。ウェーハローディング室は、ウェーハをボートに
載せて待機させた後、薄膜蒸着を行うために反応室にロ
ーディングしたり、工程を終えて薄膜を蒸着したウェー
ハをボートに載せてアンローディングする装置である。
【０００６】さらにこれらに付随して、この工程で使用
するＳｉＨ4 、Ｎ2 Ｏ、ＰＨ3 及びＮ2 等のガスを反応
室に供給するためのガス供給設備と、ボートに載せた工
程前後のウェーハが、パーティクル(particle)として周
囲に存在する不純物から汚染を受けないよう、清浄な空
気をウェーハローディング室へ送風させ、排気させるた
めの空調設備が設けられている。
するＳｉＨ4 、Ｎ2 Ｏ、ＰＨ3 及びＮ2 等のガスを反応
室に供給するためのガス供給設備と、ボートに載せた工
程前後のウェーハが、パーティクル(particle)として周
囲に存在する不純物から汚染を受けないよう、清浄な空
気をウェーハローディング室へ送風させ、排気させるた
めの空調設備が設けられている。
【０００７】垂直型低圧ＣＶＤ設備の場合には、通常、
反応室の下部にウェーハローディング室が設けられてい
る。反応室へは蒸着に用いるガスを注入できるようにな
っており、ウェーハローディング室へは、パーティクル
等の不純物によるウェーハの汚染を防ぐため、エアシャ
ワーのための清浄な空気を供給及び排気できるようにな
っている。
反応室の下部にウェーハローディング室が設けられてい
る。反応室へは蒸着に用いるガスを注入できるようにな
っており、ウェーハローディング室へは、パーティクル
等の不純物によるウェーハの汚染を防ぐため、エアシャ
ワーのための清浄な空気を供給及び排気できるようにな
っている。
【０００８】図６（Ａ）は、このような垂直型低圧ＣＶ
Ｄ設備のウェーハローディング室の平面図であり、図６
（Ｂ）はその側面図である。
Ｄ設備のウェーハローディング室の平面図であり、図６
（Ｂ）はその側面図である。
【０００９】ウェーハローディング室１０の内部には、
ロット(lot )単位別にキャリヤ(carrier )に載せて搬送
されたウェーハをボート１２へ移したり、ボート１２に
載せたウェーハを後続設備に移送するためにキャリヤへ
移すためのロボット（図示せず）が配置されている。ま
た、多数のウェーハを一度に反応室内部にローディング
して蒸着させるように昇降動作を行うボート１２が配置
されている。さらに、室内の一壁には、外部に設置した
空気送風空調装置（図示せず）の送風用ファン（図示せ
ず）の回転によって取り込まれる空気を濾過するため、
フィルター１４が設けられており、その反対側の壁に
は、内部の空気を外部に設置した空気排出空調装置（図
示せず）へ排出するため、複数個の排出口１６が設けら
れている。
ロット(lot )単位別にキャリヤ(carrier )に載せて搬送
されたウェーハをボート１２へ移したり、ボート１２に
載せたウェーハを後続設備に移送するためにキャリヤへ
移すためのロボット（図示せず）が配置されている。ま
た、多数のウェーハを一度に反応室内部にローディング
して蒸着させるように昇降動作を行うボート１２が配置
されている。さらに、室内の一壁には、外部に設置した
空気送風空調装置（図示せず）の送風用ファン（図示せ
ず）の回転によって取り込まれる空気を濾過するため、
フィルター１４が設けられており、その反対側の壁に
は、内部の空気を外部に設置した空気排出空調装置（図
示せず）へ排出するため、複数個の排出口１６が設けら
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図６（Ａ）及び図６
（Ｂ）のように構成された従来の垂直型低圧ＣＶＤ設備
において、ウェーハ上の不純物除去を効果的に行うため
には、ウェーハローディング室１０の内部へファンの回
転によって、０．２〜０．４ｍ／ｓ程の速度で高清浄の
空気を供給しなければならない。
（Ｂ）のように構成された従来の垂直型低圧ＣＶＤ設備
において、ウェーハ上の不純物除去を効果的に行うため
には、ウェーハローディング室１０の内部へファンの回
転によって、０．２〜０．４ｍ／ｓ程の速度で高清浄の
空気を供給しなければならない。
【００１１】しかし、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）のよう
に構成された従来の垂直型低圧ＣＶＤ設備では、ウェー
ハローディング室１０の内部容量に比べてフィルター１
４の面積が小さく、また、流入する空気がボート１２に
直接送風されるようにボート１２の位置が設計されては
いない。このため、フィルター１４から取入れ、流入し
てきた空気はボート１２に載せたウェーハにすぐ進ま
ず、図６（Ａ）に示した矢印のように気流が形成され
る。従って、ロボットのような他の部分に存在するパー
ティクルが気流に乗ってウェーハを汚染する可能性があ
る。
に構成された従来の垂直型低圧ＣＶＤ設備では、ウェー
ハローディング室１０の内部容量に比べてフィルター１
４の面積が小さく、また、流入する空気がボート１２に
直接送風されるようにボート１２の位置が設計されては
いない。このため、フィルター１４から取入れ、流入し
てきた空気はボート１２に載せたウェーハにすぐ進ま
ず、図６（Ａ）に示した矢印のように気流が形成され
る。従って、ロボットのような他の部分に存在するパー
ティクルが気流に乗ってウェーハを汚染する可能性があ
る。
【００１２】特に、排気のための排出口１６の位置が適
正に設定されていないためボート１２の付近で渦流が形
成され、このような渦流によって円滑な不純物の排出が
困難となる。このため、従来においては、ウェーハロー
ディング室１０内のパーティクルを測定すると、単位面
積当たり約１００〜３００個程度のパーティクルが検出
され、これによってウェーハが汚染されるという問題点
があった。
正に設定されていないためボート１２の付近で渦流が形
成され、このような渦流によって円滑な不純物の排出が
困難となる。このため、従来においては、ウェーハロー
ディング室１０内のパーティクルを測定すると、単位面
積当たり約１００〜３００個程度のパーティクルが検出
され、これによってウェーハが汚染されるという問題点
があった。
【００１３】また、渦流はフィルター１４を介して流入
する気流の進行にも影響を及ぼす。すなわち、ウェーハ
上の不純物の除去に一番大きな影響のあるボート１２が
位置する側に、渦流に起因して気流の流速が約０〜０．
２ｍ／ｓ程度に激減する死点(dead point)１８ができ
る。死点１８を通過して流入する空気はウェーハ及びボ
ートの清浄に全く寄与しないという問題点もあった。
する気流の進行にも影響を及ぼす。すなわち、ウェーハ
上の不純物の除去に一番大きな影響のあるボート１２が
位置する側に、渦流に起因して気流の流速が約０〜０．
２ｍ／ｓ程度に激減する死点(dead point)１８ができ
る。死点１８を通過して流入する空気はウェーハ及びボ
ートの清浄に全く寄与しないという問題点もあった。
【００１４】前述した問題点を解決するためには、フィ
ルター１４の面積及び位置を根本的に改善しなければな
らない。しかし、半導体製造設備は高価であって、予め
セットアップされた設備を構造変更したり、取り替えた
りすると、高額な費用負担が発生するため、構造変更や
取り替えが難しいという問題点があった。また、設備の
レイアウト変更は、各設備間の構造上の関係から難しい
という問題もあった。
ルター１４の面積及び位置を根本的に改善しなければな
らない。しかし、半導体製造設備は高価であって、予め
セットアップされた設備を構造変更したり、取り替えた
りすると、高額な費用負担が発生するため、構造変更や
取り替えが難しいという問題点があった。また、設備の
レイアウト変更は、各設備間の構造上の関係から難しい
という問題もあった。
【００１５】本発明の目的は、ＣＶＤ設備のウェーハロ
ーディング室内に配置した、ボートに載せたウェーハ
が、室内の他の部分から発生する不純物から汚染を受け
ないようにした、ＣＶＤ設備のウェーハローディング室
の空気流案内装置を提供することにある。
ーディング室内に配置した、ボートに載せたウェーハ
が、室内の他の部分から発生する不純物から汚染を受け
ないようにした、ＣＶＤ設備のウェーハローディング室
の空気流案内装置を提供することにある。
【００１６】本発明の他の目的は、ＣＶＤ設備のウェー
ハローディング室内に配置した、ボートに載せたウェー
ハが、送り込まれた清浄な空気により直接にエアシャワ
ーを受けて、ウェーハ上の不純物を効果的に除去するこ
とのできる、ＣＶＤ設備のウェーハローディング室の空
気流案内装置を提供することにある。
ハローディング室内に配置した、ボートに載せたウェー
ハが、送り込まれた清浄な空気により直接にエアシャワ
ーを受けて、ウェーハ上の不純物を効果的に除去するこ
とのできる、ＣＶＤ設備のウェーハローディング室の空
気流案内装置を提供することにある。
【００１７】本発明のさらに他の目的は、渦流を発生さ
せず、流入する空気が各々の場所を適切な流速で流れる
ように室内における気流を案内することのできる、ＣＶ
Ｄ設備のウェーハローディング室の空気流案内装置を提
供することにある。
せず、流入する空気が各々の場所を適切な流速で流れる
ように室内における気流を案内することのできる、ＣＶ
Ｄ設備のウェーハローディング室の空気流案内装置を提
供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明による化学気相蒸
着設備のウェーハローディング室の空気流案内装置は、
化学気相蒸着のためボートを介して反応室にローディン
グされるウェーハの清浄度維持のために、ウェーハロー
ディング室の内部に清浄な空気流を供給する送風部の内
壁に、空気の流れを一定の方向に案内するための案内手
段が設けられてなる。
着設備のウェーハローディング室の空気流案内装置は、
化学気相蒸着のためボートを介して反応室にローディン
グされるウェーハの清浄度維持のために、ウェーハロー
ディング室の内部に清浄な空気流を供給する送風部の内
壁に、空気の流れを一定の方向に案内するための案内手
段が設けられてなる。
【００１９】案内手段は複数個のダンパから構成するこ
とができる。複数個のダンパは、室内へ送風する空気を
濾過して流入させるために設置されたフィルターに設
け、さらに、なるべくフィルターのボート側の一部領域
に部分的に設けるのが望ましい。この場合、気流が案内
されて空気の室内への流入が円滑に行われ、ボートに載
せた化学気相蒸着プロセス前後のウェーハは、ウェーハ
ローディング室内の他の部分に存在するパーティクルの
ような不純物に汚染されず、ウェーハの位置するボート
部分の清浄度は著しく向上する。
とができる。複数個のダンパは、室内へ送風する空気を
濾過して流入させるために設置されたフィルターに設
け、さらに、なるべくフィルターのボート側の一部領域
に部分的に設けるのが望ましい。この場合、気流が案内
されて空気の室内への流入が円滑に行われ、ボートに載
せた化学気相蒸着プロセス前後のウェーハは、ウェーハ
ローディング室内の他の部分に存在するパーティクルの
ような不純物に汚染されず、ウェーハの位置するボート
部分の清浄度は著しく向上する。
【００２０】また、フィルターからの清浄な空気流が直
接ウェーハに供給されて、ウェーハがエアシャワーを受
け、ウェーハ上の不純物が気流によって除去されるの
で、ウェーハの不純物汚染度を著しく低減することがで
き、このためウェーハの歩留まりが向上する。
接ウェーハに供給されて、ウェーハがエアシャワーを受
け、ウェーハ上の不純物が気流によって除去されるの
で、ウェーハの不純物汚染度を著しく低減することがで
き、このためウェーハの歩留まりが向上する。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、以下
に図面を参照しながら説明する。
に図面を参照しながら説明する。
【００２２】図１に示したように、本発明の空気流案内
装置は、反応室２０の下部に位置したウェーハローディ
ング室２２のフィルター２４にダンパ２６が複数個設け
てなり、ダンパ２６は、フィルター２４を通過する空気
流の一部をボート２８側に案内するように構成されてい
る。
装置は、反応室２０の下部に位置したウェーハローディ
ング室２２のフィルター２４にダンパ２６が複数個設け
てなり、ダンパ２６は、フィルター２４を通過する空気
流の一部をボート２８側に案内するように構成されてい
る。
【００２３】図１に示したフィルター２４に設けたダン
パ２６は、図２において、代表的な結合方法の一つであ
るボルトによって結合させたものを示したが、不純物の
発生を最小限に抑えることのできる結合方法であれば、
他の結合方法によったものでもよい。ダンパ２６は、フ
ィルター２４のボート２８が位置する側の一部に複数個
設けている。
パ２６は、図２において、代表的な結合方法の一つであ
るボルトによって結合させたものを示したが、不純物の
発生を最小限に抑えることのできる結合方法であれば、
他の結合方法によったものでもよい。ダンパ２６は、フ
ィルター２４のボート２８が位置する側の一部に複数個
設けている。
【００２４】各ダンパ２６は、気流をボート２８側に案
内するように、図３に示すように長さと案内角を調節し
て結合されている。すなわち、ボート２８に対する案内
角は、θ１＞θ２＞θ３＞θ４＞θ５となるように調節
されており、長さはこれと反対に、ボート２８に近いダ
ンパ２６ほど長く構成されている。図４に示したよう
に、案内角は、ダンパ２６がロボット３０を避けて気流
を正確にボート２８に案内しうる範囲内で、調整するこ
とができる。望ましくは、両端のダンパ２６が指向する
方向が、ボート２８の円周に外接するように案内角を設
定するのが最も適切である。
内するように、図３に示すように長さと案内角を調節し
て結合されている。すなわち、ボート２８に対する案内
角は、θ１＞θ２＞θ３＞θ４＞θ５となるように調節
されており、長さはこれと反対に、ボート２８に近いダ
ンパ２６ほど長く構成されている。図４に示したよう
に、案内角は、ダンパ２６がロボット３０を避けて気流
を正確にボート２８に案内しうる範囲内で、調整するこ
とができる。望ましくは、両端のダンパ２６が指向する
方向が、ボート２８の円周に外接するように案内角を設
定するのが最も適切である。
【００２５】前述した図１乃至図４のような構成によっ
て、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示したように、フィル
ター２４から排出口３２への気流が形成される。従っ
て、低圧ＣＶＤを行うウェーハや、低圧工程を行うウェ
ーハがボート２８に載った状態で各ウェーハ上の不純物
を除去し、空気に乗せて排出するために、空気を空気送
風空調装置からフィルター２４を介して流入させると、
ダンパ２６によって案内されていない空気は、自由気流
を形成して、ロボット３０などの部分に存在する不純物
を乗せ、排出口３２から排出される。一方、ダンパ２６
によって案内される空気は、この案内によって、ボート
２８を経て排出口３２から排出される。このように、フ
ィルター２４を介して供給された高清浄の空気が直接に
ボート２８やウェーハに案内されるので、ボートまたは
ウェーハに存在する不純物が気流に乗って、空気ととも
に除去され排出される。
て、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示したように、フィル
ター２４から排出口３２への気流が形成される。従っ
て、低圧ＣＶＤを行うウェーハや、低圧工程を行うウェ
ーハがボート２８に載った状態で各ウェーハ上の不純物
を除去し、空気に乗せて排出するために、空気を空気送
風空調装置からフィルター２４を介して流入させると、
ダンパ２６によって案内されていない空気は、自由気流
を形成して、ロボット３０などの部分に存在する不純物
を乗せ、排出口３２から排出される。一方、ダンパ２６
によって案内される空気は、この案内によって、ボート
２８を経て排出口３２から排出される。このように、フ
ィルター２４を介して供給された高清浄の空気が直接に
ボート２８やウェーハに案内されるので、ボートまたは
ウェーハに存在する不純物が気流に乗って、空気ととも
に除去され排出される。
【００２６】また、図５（Ａ）に示すように、本発明に
よる場合には流速を減少させる渦流が発生しないので、
ファンの回転によって送り込まれる空気の流速を、０．
２〜０．４ｍ／ｓ程度に維持することができる。
よる場合には流速を減少させる渦流が発生しないので、
ファンの回転によって送り込まれる空気の流速を、０．
２〜０．４ｍ／ｓ程度に維持することができる。
【００２７】本発明による空気流案内装置を備えたウェ
ーハローディング室において、よく用いられているパー
ティクル測定装置の一つであるメト−ワン・パーティク
ルカウンタ２１００(Met-One Particle Counter 2100)
機種を用いて、直径約０．１μｍ以上のパーティクルを
対象としてパーティクル数を測定したところ、表１のよ
うな結果が得られた。
ーハローディング室において、よく用いられているパー
ティクル測定装置の一つであるメト−ワン・パーティク
ルカウンタ２１００(Met-One Particle Counter 2100)
機種を用いて、直径約０．１μｍ以上のパーティクルを
対象としてパーティクル数を測定したところ、表１のよ
うな結果が得られた。
【００２８】表１に示した数値は、１ｆｔ3 の空気中に
含まれる０．１μｍ以上のパーティクルの数を表してい
る。測定は、ウェーハローディング室の上部（１）、中
部（２）及び下部（３）において、また、ボート２８の
中央と（Ｃ）、左側（Ｌ）、及び右側（Ｒ）の合計９箇
所で行い、それぞれの場所において一定の時間をおい
て、本発明による同一条件下で４回同じ測定を行った。
含まれる０．１μｍ以上のパーティクルの数を表してい
る。測定は、ウェーハローディング室の上部（１）、中
部（２）及び下部（３）において、また、ボート２８の
中央と（Ｃ）、左側（Ｌ）、及び右側（Ｒ）の合計９箇
所で行い、それぞれの場所において一定の時間をおい
て、本発明による同一条件下で４回同じ測定を行った。
【００２９】表１からわかるように、改善前に相当な数
で存在していたパーティクルは、本発明によった場合、
全ての位置において平均して０〜２個程度の水準に激減
した。
で存在していたパーティクルは、本発明によった場合、
全ての位置において平均して０〜２個程度の水準に激減
した。
【００３０】つまり、前記の実施例において、ダンパ２
６によって空気の気流がボート２８に案内されたことの
結果として、他の部分に存在していたパーティクルはボ
ート２８に載ったウェーハを汚染せずにすぐに排出口３
２へ排出される。また、ウェーハ上に存在していた不純
物は、案内されて流入してきた空気に乗って効果的に排
出されるのである。
６によって空気の気流がボート２８に案内されたことの
結果として、他の部分に存在していたパーティクルはボ
ート２８に載ったウェーハを汚染せずにすぐに排出口３
２へ排出される。また、ウェーハ上に存在していた不純
物は、案内されて流入してきた空気に乗って効果的に排
出されるのである。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、気流の案内手段によっ
て、ＣＶＤ設備のウェーハローディング室内への空気の
流入が円滑に行われ、案内を受けて流入する空気が不純
物を乗せて効率よく室外へ排出される。導入された空気
流がウェーハに直接供給され、また、室内の他の部分に
存在していた不純物が空気流に乗ってウェーハが汚染さ
れることもなく、渦流の形成もなくて、室内各部の空気
の流速が適正水準に維持される。このため、室内のパー
ティクル数が表１に示すように激減し、ウェーハが汚染
されることなく、歩留まりも向上する。さらに、本発明
は、既存のセットアップ済みの設備に容易に適用できる
といった利点も有している。
て、ＣＶＤ設備のウェーハローディング室内への空気の
流入が円滑に行われ、案内を受けて流入する空気が不純
物を乗せて効率よく室外へ排出される。導入された空気
流がウェーハに直接供給され、また、室内の他の部分に
存在していた不純物が空気流に乗ってウェーハが汚染さ
れることもなく、渦流の形成もなくて、室内各部の空気
の流速が適正水準に維持される。このため、室内のパー
ティクル数が表１に示すように激減し、ウェーハが汚染
されることなく、歩留まりも向上する。さらに、本発明
は、既存のセットアップ済みの設備に容易に適用できる
といった利点も有している。
【図１】本発明による空気流案内装置を備えたウェーハ
ローディング室を示す模式図である。
ローディング室を示す模式図である。
【図２】図１の空気流案内装置を拡大して示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】図２のIII −III の部分断面図である。
【図４】ウェーハローディング室内のダンパとボートと
の位置関係を示す配置図である。
の位置関係を示す配置図である。
【図５】図５（Ａ）は、本発明による空気流案内装置を
備えたウェーハローディング室の平面図であり、図５
（Ｂ）はその側面図である。
備えたウェーハローディング室の平面図であり、図５
（Ｂ）はその側面図である。
【図６】図６（Ａ）は、従来の化学気相蒸着設備のウェ
ーハローディング室の平面図であり、図６（Ｂ）はその
側面図である。
ーハローディング室の平面図であり、図６（Ｂ）はその
側面図である。
２０ 反応室 ２２ ウェーハローディング室 ２４ フィルター ２６ ダンパ ２８ ボート ３２ 排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 鎬 旺 大韓民国ソウル特別市城北区長位１洞 231−598番地 (56)参考文献 特開 平４−154118（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−224145（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (6)
- 【請求項１】 化学気相蒸着を行う反応室にボートを介
してローディングされるウェーハの清浄維持のため、 ボートにウェーハを載せるウェーハローディング室の内
部へ清浄空気流を供給する送風部が、前記清浄空気流を
濾過して室内へ供給するフィルターと、前記フィルター
に設置され、前記清浄空気流の一部を直接ボート内のウ
ェーハに導くよう前記清浄空気流の流れを一定方向に案
内する複数個のダンパとを具備し、かつ、 室内の前記フィルターと反対側に前記清浄空気流を排出
する排出口をさらに設けてなる、化学気相蒸着設備のウ
ェーハローディング室の空気流案内装置。 - 【請求項２】 前記複数個のダンパは、前記フィルター
の前記ボート側の一部に部分的に設けられている、請求
項１に記載の空気流案内装置。 - 【請求項３】 前記ダンパによって分流され、ウェーハ
に直接導かれた前記清浄空気流の一部は、ボート又はウ
ェーハに存在する不純物を乗せてこれを除去した後、室
内の反対側に設けた前記排出口から排出され、かつ、前
記ダンパを介さずにフィルターから室内へ供給された前
記清浄空気流は、室内の他の部分に存在する不純物を乗
せた後すぐ排出口へ排出され、不純物を乗せた清浄空気
流によってウェーハを再汚染することがないようにし
た、請求項２に記載の空気流案内装置。 - 【請求項４】 前記複数個のダンパのうちの両端の各ダ
ンパは、各々が前記ボートの両側部に外接する方向に向
いているよう調整して設けられ、かつ、他のダンパは、
前記両端のダンパの前記指向方向の範囲内で、ダンパの
配列順序に従い、各々が、一定の比率で変化していく指
向方向を有するように調整して設けられている、請求項
３に記載の空気流案内装置。 - 【請求項５】 前記複数個のダンパの各々の長さは、前
記ボートに近く位置するダンパほど長くして、空気流の
一部をボートが位置する方に方向づけて、前記ウェーハ
ローディング室の内部に空気渦流が生じるのを防ぐよう
にした、請求項３又は４に記載の空気流案内装置。 - 【請求項６】 前記フィルターを介して室内へ送り込ま
れる前記清浄空気流の流速が０．２〜０．４ｍ／ｓの範
囲内にある、請求項３乃至５に記載の空気流案内装置。
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