JPH07249672A - 基板搬送方法 - Google Patents
基板搬送方法Info
- Publication number
- JPH07249672A JPH07249672A JP6913694A JP6913694A JPH07249672A JP H07249672 A JPH07249672 A JP H07249672A JP 6913694 A JP6913694 A JP 6913694A JP 6913694 A JP6913694 A JP 6913694A JP H07249672 A JPH07249672 A JP H07249672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- wafers
- carry
- substrate
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】複数枚処理の枚葉式半導体製造装置に於いて基
板間の成膜品質を均一にする。 【構成】複数の基板を同時に処理する枚葉式の半導体製
造装置に於いて、複数の基板を同時に搬入、搬出し、基
板に対する処理時間を同一とし、複数の均質な処理基板
を製造する。
板間の成膜品質を均一にする。 【構成】複数の基板を同時に処理する枚葉式の半導体製
造装置に於いて、複数の基板を同時に搬入、搬出し、基
板に対する処理時間を同一とし、複数の均質な処理基板
を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特に枚
葉式半導体製造装置に於ける基板搬送方法に関するもの
である。
葉式半導体製造装置に於ける基板搬送方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、製品品質の向上、歩留まりの向
上、多種少量生産の要請から、基板１枚ずつについて半
導体素子の製造を行う枚葉式の半導体製造装置が主流を
占めている。
上、多種少量生産の要請から、基板１枚ずつについて半
導体素子の製造を行う枚葉式の半導体製造装置が主流を
占めている。
【０００３】更に、枚葉式半導体製造装置の長所を生か
しつつ、更に生産性を向上させる半導体製造装置とし
て、複数枚、例えば２枚の基板について同時に薄膜生成
等の処理が可能な枚葉式半導体製造装置が提案されてい
る。
しつつ、更に生産性を向上させる半導体製造装置とし
て、複数枚、例えば２枚の基板について同時に薄膜生成
等の処理が可能な枚葉式半導体製造装置が提案されてい
る。
【０００４】従来の枚葉式の基板搬送方法では、搬送装
置により１枚ずつ基板を把持し、処理室内に装入、更に
処理後払出しをしている。
置により１枚ずつ基板を把持し、処理室内に装入、更に
処理後払出しをしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この為、従来の基板搬
送方法では、最初に処理室に装入した基板と、後で処理
室に装入した基板とでは、装入に時間差を生じ、基板の
処理時間が異なってくるという問題があった。この為、
最初に装入した基板と後で装入した基板間で均質な薄膜
を生成することが困難であった。
送方法では、最初に処理室に装入した基板と、後で処理
室に装入した基板とでは、装入に時間差を生じ、基板の
処理時間が異なってくるという問題があった。この為、
最初に装入した基板と後で装入した基板間で均質な薄膜
を生成することが困難であった。
【０００６】本発明は斯かる実情に鑑み、複数処理の枚
葉式半導体製造装置に於いて基板間に成膜品質の差異を
生じない基板搬送方法を提供しようとするものである。
葉式半導体製造装置に於いて基板間に成膜品質の差異を
生じない基板搬送方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の基板を
同時に処理する枚葉式の半導体製造装置に於いて、複数
の基板を同時に搬入、搬出することを特徴とするもので
ある。
同時に処理する枚葉式の半導体製造装置に於いて、複数
の基板を同時に搬入、搬出することを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】処理すべき基板を処理室内に同時に搬入搬出す
るので、基板に対する処理時間が同一となり、複数の均
質な処理基板を製造することができる。
るので、基板に対する処理時間が同一となり、複数の均
質な処理基板を製造することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図に於いて、１は基板搬送装置、２は基板
表面に薄膜を生成する基板処理室を示しており、基板搬
送装置１、基板処理室２はゲートバルブ３により気密に
連設されている。
表面に薄膜を生成する基板処理室を示しており、基板搬
送装置１、基板処理室２はゲートバルブ３により気密に
連設されている。
【００１１】先ず、基板搬送装置１について説明する。
【００１２】基板搬送装置１の底面に搬送モータ４が気
密に設けられ、該搬送モータ４には左右一対の第１搬送
アーム５、第２搬送アーム６が設けられている。該第１
搬送アーム５、第２搬送アーム６は共に２節アームであ
り、略左右対称な構成を有しており、前記搬送モータ４
の駆動により同期して伸縮する様になっていると共に所
要量昇降可能となっている。
密に設けられ、該搬送モータ４には左右一対の第１搬送
アーム５、第２搬送アーム６が設けられている。該第１
搬送アーム５、第２搬送アーム６は共に２節アームであ
り、略左右対称な構成を有しており、前記搬送モータ４
の駆動により同期して伸縮する様になっていると共に所
要量昇降可能となっている。
【００１３】前記第１搬送アーム５、第２搬送アーム６
の先端には、基板であるウェーハ７を把持するツイーザ
８，９が取付けられ、該ツイーザ８，９は前記第１搬送
アーム５、第２搬送アーム６の伸縮により直線的に進退
する様になっている。又、前記第１搬送アーム５、第２
搬送アーム６はウェーハ７の搬送に伴い相互に干渉しな
い様、図２、図３に見られる様、前記ツイーザ８、ツイ
ーザ９のレベルが異なっていると共に一方のアームがコ
の字状をしている。
の先端には、基板であるウェーハ７を把持するツイーザ
８，９が取付けられ、該ツイーザ８，９は前記第１搬送
アーム５、第２搬送アーム６の伸縮により直線的に進退
する様になっている。又、前記第１搬送アーム５、第２
搬送アーム６はウェーハ７の搬送に伴い相互に干渉しな
い様、図２、図３に見られる様、前記ツイーザ８、ツイ
ーザ９のレベルが異なっていると共に一方のアームがコ
の字状をしている。
【００１４】次に、基板処理室２は基板加熱用ヒータ、
薄膜生成用の反応ガス導入装置、更に排気装置（いずれ
も図示せず）を具備していると共に基板処理室２内には
上下２段にウェーハ載置ステージ１０，１１が設けら
れ、該ウェーハ載置ステージ１０，１１はウェーハ７を
支持可能であると共に前記ツイーザ８，９と干渉しない
様、欠切部が形成された形状をしている。
薄膜生成用の反応ガス導入装置、更に排気装置（いずれ
も図示せず）を具備していると共に基板処理室２内には
上下２段にウェーハ載置ステージ１０，１１が設けら
れ、該ウェーハ載置ステージ１０，１１はウェーハ７を
支持可能であると共に前記ツイーザ８，９と干渉しない
様、欠切部が形成された形状をしている。
【００１５】尚、基板搬送装置１には図示しない所要枚
数のウェーハを収納するウェーハストッカがゲートバル
ブを介して連設されている。
数のウェーハを収納するウェーハストッカがゲートバル
ブを介して連設されている。
【００１６】以下、作動を説明する。
【００１７】前記搬送モータ４により第１搬送アーム
５、第２搬送アーム６を共にウェーハストッカ（図示せ
ず）に対峙させ、更に搬送モータ４を駆動し、第１搬送
アーム５、第２搬送アーム６を伸縮させ、前記ツイーザ
８，９にそれぞれウェーハ７を受載し、基板搬送装置１
内に搬出する。
５、第２搬送アーム６を共にウェーハストッカ（図示せ
ず）に対峙させ、更に搬送モータ４を駆動し、第１搬送
アーム５、第２搬送アーム６を伸縮させ、前記ツイーザ
８，９にそれぞれウェーハ７を受載し、基板搬送装置１
内に搬出する。
【００１８】前記ゲートバルブ３を開放し、前記搬送モ
ータ４を駆動し、前記第１搬送アーム５、第２搬送アー
ム６を同期して伸長し、ウェーハ７を基板処理室２内に
搬入し、前記ウェーハ載置ステージ１０、１１の上方に
ウェーハ７保持する。更に、第１搬送アーム５、第２搬
送アーム６を降下させ、２枚のウェーハ７を同時に前記
ウェーハ載置ステージ１０，１１に載置する。
ータ４を駆動し、前記第１搬送アーム５、第２搬送アー
ム６を同期して伸長し、ウェーハ７を基板処理室２内に
搬入し、前記ウェーハ載置ステージ１０、１１の上方に
ウェーハ７保持する。更に、第１搬送アーム５、第２搬
送アーム６を降下させ、２枚のウェーハ７を同時に前記
ウェーハ載置ステージ１０，１１に載置する。
【００１９】前記搬送モータ４を駆動し、第１搬送アー
ム５、第２搬送アーム６を後退させ、ツイーザ８，９を
基板処理室２外に移動させ、前記ゲートバルブ３を閉塞
し、基板処理室２内に反応ガスを導入しつつウェーハ７
を加熱し、該ウェーハ７に薄膜を生成する。
ム５、第２搬送アーム６を後退させ、ツイーザ８，９を
基板処理室２外に移動させ、前記ゲートバルブ３を閉塞
し、基板処理室２内に反応ガスを導入しつつウェーハ７
を加熱し、該ウェーハ７に薄膜を生成する。
【００２０】薄膜生成処理が完了すると、基板処理室２
内を排気し、前記ゲートバルブ３を開放し、前記搬送モ
ータ４を駆動して降下した状態の前記第１搬送アーム
５、第２搬送アーム６を前記基板処理室２内に進入さ
せ、前記第１搬送アーム５、第２搬送アーム６を同期し
て上昇させ、ウェーハ７を受載し、更に同期して後退さ
せ、ウェーハ７を基板処理室２内から搬出する。搬出し
たウェーハ７は、前記した作動と逆の作動により図示し
ないウェーハストッカに搬入する。
内を排気し、前記ゲートバルブ３を開放し、前記搬送モ
ータ４を駆動して降下した状態の前記第１搬送アーム
５、第２搬送アーム６を前記基板処理室２内に進入さ
せ、前記第１搬送アーム５、第２搬送アーム６を同期し
て上昇させ、ウェーハ７を受載し、更に同期して後退さ
せ、ウェーハ７を基板処理室２内から搬出する。搬出し
たウェーハ７は、前記した作動と逆の作動により図示し
ないウェーハストッカに搬入する。
【００２１】上述した様に、基板処理室２へのウェーハ
７の搬入、搬出は２枚同時に行われるので、２枚のウェ
ーハ７の処理時間を等しくすることができ、成膜品質を
等しくでき、２枚均質な処理ウェーハを製造することが
できる。
７の搬入、搬出は２枚同時に行われるので、２枚のウェ
ーハ７の処理時間を等しくすることができ、成膜品質を
等しくでき、２枚均質な処理ウェーハを製造することが
できる。
【００２２】尚、上記実施例は２枚のウェーハを同時に
処理する場合について説明したが、３枚以上のウェーハ
を同一の基板処理室で処理する場合にも同様に全てのウ
ェーハを同時に搬送することで同品質の薄膜を成膜する
ことができる。基板はウェーハの外、ガラス基板も対象
となる。
処理する場合について説明したが、３枚以上のウェーハ
を同一の基板処理室で処理する場合にも同様に全てのウ
ェーハを同時に搬送することで同品質の薄膜を成膜する
ことができる。基板はウェーハの外、ガラス基板も対象
となる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、複数の
基板を処理室内に同時に搬送するので、処理時間を一致
させることができ、複数の均質な処理基板を製造するこ
とができる。
基板を処理室内に同時に搬送するので、処理時間を一致
させることができ、複数の均質な処理基板を製造するこ
とができる。
【図１】本発明が実施される半導体製造装置の要部を示
す側断面図である。
す側断面図である。
【図２】同前半導体製造装置の要部を示す平断面図であ
る。
る。
【図３】図２のＡ矢視図である。
１ 基板搬送装置 ２ 基板処理室 ５ 第１搬送アーム ６ 第２搬送アーム ７ ウェーハ ８ ツイーザ ９ ツイーザ １０ ウェーハ載置ステージ １１ ウェーハ載置ステージ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の基板を同時に処理する枚葉式の半
導体製造装置に於いて、複数の基板を同時に搬入、搬出
することを特徴とする基板搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6913694A JPH07249672A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 基板搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6913694A JPH07249672A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 基板搬送方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249672A true JPH07249672A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13393936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6913694A Pending JPH07249672A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 基板搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249672A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0793262A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-03 | Applied Materials, Inc. | Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers |
| WO1998005061A1 (fr) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| KR101069385B1 (ko) * | 2009-06-08 | 2011-09-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6913694A patent/JPH07249672A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0793262A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-03 | Applied Materials, Inc. | Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers |
| EP0793262A3 (en) * | 1996-02-28 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers |
| WO1998005061A1 (fr) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| US6306183B1 (en) | 1996-07-31 | 2001-10-23 | Sony Corporation | Method of forming manufacturing semiconductor device |
| KR101069385B1 (ko) * | 2009-06-08 | 2011-09-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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