JPH1041368A - 基板搬送装置 - Google Patents

基板搬送装置

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JPH1041368A
JPH1041368A JP21425296A JP21425296A JPH1041368A JP H1041368 A JPH1041368 A JP H1041368A JP 21425296 A JP21425296 A JP 21425296A JP 21425296 A JP21425296 A JP 21425296A JP H1041368 A JPH1041368 A JP H1041368A
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JP
Japan
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substrate
substrate holding
processed
substrates
plates
Prior art date
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Pending
Application number
JP21425296A
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English (en)
Inventor
Yukinori Yuya
幸則 油谷
Kazumasa Makiguchi
一誠 巻口
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】枚葉式半導体製造装置の反応室内に設けられる
基板支持台の高さを高くすることなく複数枚の被処理基
板の一括搬送、枚葉移載を可能とする基板搬送装置を提
供する。 【解決手段】被処理基板を受載する基板保持プレート9
a,9bが鉛直方向に所定の間隔で複数組配設され、前
記複数の基板保持プレートが昇降可能に支持されると共
に進退可能に支持され、前記複数の基板保持プレートの
内少なくとも最下位置の基板保持プレートを残し上側の
基板保持プレートを独立して進退可能とし、半導体製造
装置迄の被処理基板の搬送を複数枚一括で行い、半導体
製造装置の基板支持台に対する被処理基板の移載は下側
に位置する基板保持プレートから先に行い、上側の基板
保持プレートによる移載を行う場合は上側の基板保持プ
レートのみを前進させた状態で行い、下側の基板保持プ
レートと半導体製造装置との緩衝を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に於
いて被処理基板を収納するウェーハカセット等の基板保
持具と反応室との間で被処理基板を搬送する基板搬送装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】被処理基板、即ちシリコンウェーハ、或
は液晶表示装置に用いられるガラス基板等に半導体素子
を生成し、或は電子回路を生成する場合に、多数の被処
理基板をボート等の被処理基板保持具に支持して一括し
て処理を行うバッチ式の半導体製造装置と、1枚或は複
数枚ずつ処理を行う枚葉式の半導体製造装置がある。
【0003】バッチ処理式のものは縦方向、或は水平方
向に所定の間隔で被処理基板を保持して処理を行ってい
るが、重なり合った多数の被処理基板を一度に処理する
場合は、反応室内での温度の均一性、或は全被処理基板
に対する反応ガス流れの均一性を同一とすることは極め
て困難であり、この為、全被処理基板の成膜条件等の処
理条件が微妙に異なり、均質な成膜、被処理基板間での
膜厚の同一を確保することが困難であるという問題があ
る。更に、近年では顧客要求の多様化が進み、多種少量
生産が進んでいる。従って、近年では枚葉式の半導体製
造装置による半導体デバイスの製造が進んでいる。
【0004】枚葉式の半導体製造装置に於いてスループ
ットの向上、均質な成膜、被処理基板間での膜厚の同一
性確保の為、図6、図7に示す様に複数枚の被処理基板
1を並置する形式の枚葉式の半導体製造装置がある。
【0005】該半導体製造装置について略述する。偏平
な空間である反応室2を形成する反応管3の上下にはヒ
ータ4が設けられ、該ヒータ4により内部が反応温度迄
加熱されると共に、前記反応管3に真空排気装置(図示
せず)、反応ガス供給装置(図示せず)が連通され、内
部が真空排気された後反応ガスが供給され、被処理基板
1の表面に成膜等の処理がなされる様になっている。
【0006】前記反応管3内には基板支持台5a,5b
が2組設けられており、該基板支持台5a,5bにそれ
ぞれ被処理基板1が載置される様になっている。
【0007】反応管3に対向して図示しない基板収納器
(例えばウェーハカセット)が配設され、前記反応管3
と図示しない基板収納器間の被処理基板の搬送は図8、
図9で示す基板搬送装置6により行われている。
【0008】図示しない昇降テーブルに回転テーブル7
が回転可能に設けられ、該回転テーブル7にプレート支
持ブロック8が進退可能に設けられ、該プレート支持ブ
ロック8には被処理基板1を受載可能な基板保持プレー
ト9が水平に設けられている。
【0009】斯かる基板搬送装置6により被処理基板1
(図ではウェーハを示している)を搬送する場合、特に
前記基板支持台5a,5bに載置した被処理基板1を搬
送する場合を説明すると、前記基板保持プレート9が前
記被処理基板1の下方に位置する状態でプレート支持ブ
ロック8を前進させ、基板保持プレート9を被処理基板
1の下方に位置させ、回転テーブル7を若干上昇させ、
前記基板保持プレート9で被処理基板1を受載し、前記
被処理基板1を基板支持台5aより上昇させ、前記プレ
ート支持ブロック8を後退させた後180°回転し、そ
の後基板収納器(図示せず)に向かって前記プレート支
持ブロック8を前進させ、前記回転テーブル7を若干降
下させ、被処理基板1を基板収納器に移載する。基板支
持台5bに対しても同様な動作を繰返すことで搬出が行
われる。
【0010】被処理基板1の反応管3への搬入について
は上記作動の逆の手順で行われる。
【0011】前記反応管3に対する搬入搬出は、反応管
3が具備している基板支持台5の数だけ(図では2組)
行われる。従って、枚葉式半導体製造装置に於いて複数
の被処理基板1を同時に処理するものにあっては、搬入
搬出作動を頻繁に行わなければならず、スループットの
向上の弊害となっていた。
【0012】基板搬送装置6による被処理基板1の搬送
時間を短縮するものとして、図10に示す様に基板保持
プレート9を基板支持台5の数だけ具備しているものが
ある。図10に示すものは図7に対応し、2枚の基板保
持プレート9a,9bを有している。
【0013】斯かる基板搬送装置6により被処理基板1
を反応管3に搬入、搬出する作動を図11、図12を参
照して説明する。
【0014】前記基板収納器から2枚の基板保持プレー
ト9a,9bにより2枚の被処理基板1を一括で取出
し、前記反応管3に搬入する。
【0015】前記基板保持プレート9a,9bから基板
支持台5a,5bへの移載は、先ず前記基板保持プレー
ト9a,9bの内下側の基板保持プレート9bから行わ
れる。
【0016】前記プレート支持ブロック8を前進させ、
図11に示される様に基板保持プレート9a,9bを基
板保持プレート9bが基板支持台5bの上方に位置する
様に反応管3内に挿入し、基板保持プレート9bの被処
理基板1を基板支持台5bに移載する。移載後、一旦プ
レート支持ブロック8を後退させ、前記回転テーブル7
を基板保持プレート9aと基板保持プレート9bの上下
方向の間隔分だけ降下させ、再び前進させ、基板保持プ
レート9aを基板支持台5aの上方に位置させた後、前
記回転テーブル7を降下させ、基板保持プレート9aの
被処理基板1を前記基板支持台5aに移載する。
【0017】基板支持台5a,5bから基板収納器への
移載は上記搬入の逆の手順により行われる。
【0018】上記搬送作動では基板搬送装置6の一度の
搬送動作で基板収納器に対しては複数枚を一括して移載
ができるので搬送動作が少なくなり、搬送時間も短縮さ
れる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記基板搬
送装置6による反応管3に対する搬送作動に於いて、基
板保持プレート9aの基板支持台5aに対する移載動作
では図12に示される様に基板保持プレート9bが基板
支持台5aの被処理基板1受載面より下側となる為、基
板支持台5aは基板保持プレート9bと干渉しない様に
しなければならず、基板支持台5の脚10の高さHが高
くなってしまう。基板搬送装置6が有する基板保持プレ
ート9の枚数が多くなればなる程、増々基板支持台5の
脚10の高さHは高くなる。
【0020】この為、反応管3全体の高さも高くなり、
装置の小型化の弊害となる。更に、前記脚10の高さが
高くなることで基板支持台5の安定度が低下し、被処理
基板1が不安定となり、処理品質に影響を及ぼす。
【0021】本発明は斯かる実情に鑑み、基板支持台の
高さを高くすることなく複数枚の被処理基板の搬送移載
を可能とする基板搬送装置を提供しようとするものであ
る。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の被処理
基板を同時に処理する枚葉式半導体製造装置に対して被
処理基板の搬送を行う基板搬送装置に於いて、前記複数
の基板保持プレートが昇降可能に支持されると共に進退
可能に支持され、前記複数の基板保持プレートの内少な
くとも1組の基板保持プレートを独立して進退可能とし
た基板搬送装置に係り、又反応室に複数の基板支持台が
並設され、該基板支持台に載置された複数の被処理基板
を同時に処理する枚葉式半導体製造装置に対して被処理
基板の搬送を行う基板搬送装置に於いて、被処理基板を
受載する基板保持プレートが鉛直方向に所定の間隔で複
数組配設され、前記複数の基板保持プレートが昇降可能
に支持されると共に進退可能に支持され、前記複数の基
板保持プレートの内少なくとも最下位置の基板保持プレ
ートを残し上側の基板保持プレートを独立して進退可能
とした基板搬送装置に係り、又更に基板保持プレートを
2組有し、該2組の基板保持プレート9を一体に進退可
能とする共に上側の1組の基板保持プレートを独立して
進退可能とした基板搬送装置に係るものである。
【0023】半導体製造装置迄の被処理基板の搬送を複
数枚一括で行い、半導体製造装置の基板支持台に対する
被処理基板の移載は下側に位置する基板保持プレートか
ら先に行い、上側の基板保持プレートによる移載を行う
場合は上側の基板保持プレートのみを前進させた状態で
行い、下側の基板保持プレートと半導体製造装置との緩
衝を防止する。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
【0025】図1〜図6に於いて、図7〜図12中で示
したものと同様なものには同符号を付してある。
【0026】図示しない昇降テーブルに回転テーブル7
が回転可能に設けられ、該回転テーブル7にプレート支
持ブロック8が進退可能に設けられている。該プレート
支持ブロック8は更に2分割構造をしており、分割され
た一方のブロック分体8aはプレート支持ブロック8の
一部として一体に進退可能であると共に、単独でも進退
可能となっている。前記プレート支持ブロック8の本体
側には基板保持プレート9bが水平に設けられ、又前記
ブロック分体8aに基板保持プレート9aが前記基板保
持プレート9bの直上に位置する様に設けられ、本基板
搬送装置6は2組の基板支持台5a,5bに対応する様
に2枚の基板保持プレート9a,9bを有している。
【0027】本実施の形態の作動を説明する。
【0028】前記プレート支持ブロック8を前進させ、
図3に示される様に基板保持プレート9a,9bを一体
に反応管3内に挿入し、前記基板保持プレート9bを基
板支持台5bの上方に位置させる。前記回転テーブル7
を若干下降させ、前記基板保持プレート9bの被処理基
板1を前記基板支持台5bに移載する。
【0029】移載後、一旦プレート支持ブロック8を後
退させ、前記ブロック分体8aを前進させ、更に回転テ
ーブル7を基板保持プレート9aと基板保持プレート9
bの上下方向の間隔分だけ降下させ、再び前進させる。
図5に示される様に前記基板保持プレート9aのみが反
応管3内に挿入される。前記基板保持プレート9aを基
板支持台5aの上方に位置させた後、回転テーブル7を
降下させ、基板保持プレート9aの被処理基板1を前記
基板支持台5aに移載する。移載後前記ブロック分体8
aを後退させ、被処理基板1の搬入作動が完了する。
【0030】上記基板支持台5aに対する被処理基板1
の移載動作では基板保持プレート9bが後退したままで
あり、基板保持プレート9aの移載作動で基板保持プレ
ート9bが反応管3に干渉することはないので、基板支
持台5a,5bは基板保持プレート9bの干渉を避ける
為高くする必要はなく、脚10の高さHは前記基板保持
プレート9aの移載作動に必要な高さだけがあればよ
い。
【0031】而して、脚10の高さHを低くでき、反応
管3が小型にでき、更に脚10の高さHが低くなるので
基板支持台5a,5bの安定性が向上する。
【0032】基板支持台5a,5bから基板収納器への
移載は、上記搬入の逆の手順により行われる。
【0033】上記搬送作動では基板搬送装置6の一度の
搬送動作で基板収納器に対しては複数枚を一括して移載
ができるので搬送動作が少なくなり、搬送時間も短縮さ
れる。
【0034】尚、上記実施の形態では、基板保持プレー
トは2枚としたが、反応管3内に設けられる基板支持台
の数に対応した数だけ設けられることは言う迄もない。
【0035】又、基板保持プレートが3枚以上の場合
は、最下位置の基板保持プレートを残して上側の基板保
持プレートを独立して進退可能としてもよく。4枚以上
の基板保持プレート9を有する場合は、2枚の基板保持
プレート9を有する基板搬送装置6により数回に分けて
移載動作を行ってもよく、或は4枚以上の基板保持プレ
ートを設け、プレート支持ブロック8本体と、ブロック
分体8aとで適宜振分けて基板保持プレート9を支持す
る様にしてもよい。更に又、プレート支持ブロック8本
体もブロック分体8aに対して独立して進退可能とし、
プレート支持ブロック8本体、ブロック分体8aとも個
々に独立して進退可能な構成としてもよい。
【0036】又、前記基板支持台5は一枚の被処理基板
1が載置される構成としたが、上下2段に被処理基板1
を載置する構成としてもよく、この場合基板搬送装置に
は基板保持プレート9を4枚設け、基板保持プレート9
を2枚単位で進退させる様にしてもよい。
【0037】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、複数の
被処理基板を同時に処理する枚葉式の半導体製造装置に
於ける基板搬送装置で、複数枚を一括して搬送作動を行
えるので、搬送効率が向上し、スループットが改善さ
れ、又無駄なスペースを省略できるので装置の小型化が
図れ、又基板支持台の高さを低くできるので被処理基板
支持の安定性が向上し、装置の信頼性、製品品質の向上
を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す側面図である。
【図2】同前本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図3】該実施の形態に係る基板搬送装置と半導体製造
装置との関係を示す断面図である。
【図4】該実施の形態の作動を示す説明図である。
【図5】該実施の形態の作動を示す説明図である。
【図6】枚葉式半導体製造装置の概略を示す立断面図で
ある。
【図7】同前枚葉式半導体製造装置の概略を示す平断面
図である。
【図8】従来の基板搬送装置を示す側面図である。
【図9】同前従来の基板搬送装置を示す平面図である。
【図10】該従来の基板搬送装置の作動説明図である。
【図11】該従来の基板搬送装置と半導体製造装置との
関係を示す作動説明図である。
【図12】該従来の基板搬送装置と半導体製造装置との
関係を示す作動説明図である。
【符号の説明】
1 被処理基板 2 反応室 3 反応管 5 基板支持台 6 基板搬送装置 7 回転テーブル 8 プレート支持ブロック 9 基板保持プレート 10 脚

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の被処理基板を同時に処理する枚葉
    式半導体製造装置に対して被処理基板の搬送を行う基板
    搬送装置に於いて、前記複数の基板保持プレートが昇降
    可能に支持されると共に進退可能に支持され、前記複数
    の基板保持プレートの内少なくとも1組の基板保持プレ
    ートを独立して進退可能としたことを特徴とする基板搬
    送装置。
  2. 【請求項2】 反応室に複数の基板支持台が並設され、
    該基板支持台に載置された複数の被処理基板を同時に処
    理する枚葉式半導体製造装置に対して被処理基板の搬送
    を行う基板搬送装置に於いて、被処理基板を受載する基
    板保持プレートが鉛直方向に所定の間隔で複数組配設さ
    れ、前記複数の基板保持プレートが昇降可能に支持され
    ると共に進退可能に支持され、前記複数の基板保持プレ
    ートの内少なくとも最下位置の基板保持プレートを残し
    上側の基板保持プレートを独立して進退可能としたこと
    を特徴とする基板搬送装置。
  3. 【請求項3】 基板保持プレートを2組有し、該2組の
    基板保持プレートを一体に進退可能とする共に上側の1
    組の基板保持プレートを独立して進退可能とした請求項
    2の基板搬送装置。
JP21425296A 1996-07-25 1996-07-25 基板搬送装置 Pending JPH1041368A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001219391A (ja) * 1999-12-01 2001-08-14 Ses Co Ltd 基板反転装置および基板洗浄システム
JP2006232468A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd 処理システム
US7720558B2 (en) 2004-09-04 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for mapping carrier contents

Cited By (4)

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