JPH1074814A - ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 - Google Patents
ウェーハ移載方法及び半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH1074814A JPH1074814A JP24700196A JP24700196A JPH1074814A JP H1074814 A JPH1074814 A JP H1074814A JP 24700196 A JP24700196 A JP 24700196A JP 24700196 A JP24700196 A JP 24700196A JP H1074814 A JPH1074814 A JP H1074814A
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- JP
- Japan
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- wafer
- wafer holder
- holder
- processing chamber
- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】処理室の構造を複雑にすることなく膜厚分布の
均一化を図る。 【解決手段】ウェーハ３１をリング状のウェーハホルダ
２９に保持した状態でウェーハの移載を行い、半導体製
造装置２４はウェーハ保持用のリング状のウェーハホル
ダを受載可能且昇降可能なプレート２８と前記受載され
たウェーハホルダを上方に貫通可能な突上げピン３０と
を具備するウェーハ中継機構２６をウェーハの搬送経路
途中に配設し、ウェーハを処理する処理室５は前記ウェ
ーハホルダに保持された状態でウェーハを処理する機構
である為、ウェーハホルダが完全対称なので処理室の反
応ガスの流れを均一にでき、ウェーハの搬送をウェーハ
ホルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、コストの低減、メンテナンス性の向上が可能とな
る。
均一化を図る。 【解決手段】ウェーハ３１をリング状のウェーハホルダ
２９に保持した状態でウェーハの移載を行い、半導体製
造装置２４はウェーハ保持用のリング状のウェーハホル
ダを受載可能且昇降可能なプレート２８と前記受載され
たウェーハホルダを上方に貫通可能な突上げピン３０と
を具備するウェーハ中継機構２６をウェーハの搬送経路
途中に配設し、ウェーハを処理する処理室５は前記ウェ
ーハホルダに保持された状態でウェーハを処理する機構
である為、ウェーハホルダが完全対称なので処理室の反
応ガスの流れを均一にでき、ウェーハの搬送をウェーハ
ホルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、コストの低減、メンテナンス性の向上が可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等被処理基板に薄膜生成等の処理を行う半導体製造装
置、特に枚葉式半導体製造装置に関するものである。
等被処理基板に薄膜生成等の処理を行う半導体製造装
置、特に枚葉式半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は、複数の気密な処理室
とロード、アンロード室、更に処理室とロード、アンロ
ード室間及び処理室と処理室との間で前記被処理基板の
搬送を行う移載室とで構成されている。
とロード、アンロード室、更に処理室とロード、アンロ
ード室間及び処理室と処理室との間で前記被処理基板の
搬送を行う移載室とで構成されている。
【０００３】図５、図６に於いて従来の半導体製造装置
について説明する。
について説明する。
【０００４】半導体製造装置１は移載室２を中心として
放射状にロード用カセット室３、第１冷却室４、第１処
理室５、第２処理室６、第２冷却室７、アンロード用カ
セット室８が気密に連設されている。
放射状にロード用カセット室３、第１冷却室４、第１処
理室５、第２処理室６、第２冷却室７、アンロード用カ
セット室８が気密に連設されている。
【０００５】前記ロード用カセット室３にはウェーハ１
６が装填されたウエーハカセット（図示せず）が図示し
ない外部搬送装置により搬送され、前記ウェーハ１６は
前記移載室２に設けられた移載機９により前記ロード用
カセット室３のウェーハカセットから取出され前記第１
処理室５へ移載される。
６が装填されたウエーハカセット（図示せず）が図示し
ない外部搬送装置により搬送され、前記ウェーハ１６は
前記移載室２に設けられた移載機９により前記ロード用
カセット室３のウェーハカセットから取出され前記第１
処理室５へ移載される。
【０００６】前記移載機９は昇降可能であり、該移載機
９は伸縮回転可能なアーム部１０を有し、該アーム部１
０にウェーハ１６等被処理基板が保持可能となってい
る。
９は伸縮回転可能なアーム部１０を有し、該アーム部１
０にウェーハ１６等被処理基板が保持可能となってい
る。
【０００７】前記第１処理室５、前記第２処理室６には
ウェーハホルダ１１が設けられており、該ウェーハホル
ダ１１はリング形状をしており、前記アーム部１０と干
渉しない様に少なくとも該アーム部１０の幅だけ欠切さ
れ、前記ウェーハホルダ１１の内面には前記ウェーハ１
６受載用の爪１２が所要の間隔で３箇所に突設されてい
る。
ウェーハホルダ１１が設けられており、該ウェーハホル
ダ１１はリング形状をしており、前記アーム部１０と干
渉しない様に少なくとも該アーム部１０の幅だけ欠切さ
れ、前記ウェーハホルダ１１の内面には前記ウェーハ１
６受載用の爪１２が所要の間隔で３箇所に突設されてい
る。
【０００８】前記移載機９のアーム部１０は、前記ロー
ド用カセット室３のウェーハカセットに向かって伸長
し、図示しないウェーハカセットより前記ウェーハ１６
を取出し、該ウェーハ１６を前記アーム部１０で保持さ
せる。該アーム部１０が縮短し、回転し、更に図５中の
矢印１３で示す様に、前記第１処理室５内のウェーハホ
ルダ１１に向かって伸長し、前記ウェーハ１６が前記ウ
ェーハホルダ１１上迄伸長したところで前記移載機９が
下降し、前記ウェーハ１６は前記ウェーハホルダ１１の
爪１２に支持され、前記アーム部１０が縮短する。
ド用カセット室３のウェーハカセットに向かって伸長
し、図示しないウェーハカセットより前記ウェーハ１６
を取出し、該ウェーハ１６を前記アーム部１０で保持さ
せる。該アーム部１０が縮短し、回転し、更に図５中の
矢印１３で示す様に、前記第１処理室５内のウェーハホ
ルダ１１に向かって伸長し、前記ウェーハ１６が前記ウ
ェーハホルダ１１上迄伸長したところで前記移載機９が
下降し、前記ウェーハ１６は前記ウェーハホルダ１１の
爪１２に支持され、前記アーム部１０が縮短する。
【０００９】図５中の矢印１４，１５で示す様に、処理
後の前記ウェーハ１６は前記移載機９により前記第１冷
却室４へ移載され、所要温度迄冷却された後前記ロード
用カセット室３へ移載される。
後の前記ウェーハ１６は前記移載機９により前記第１冷
却室４へ移載され、所要温度迄冷却された後前記ロード
用カセット室３へ移載される。
【００１０】図７は他の従来例を示しており、移載機１
７は移載室２内に設けられ、前記移載機１７は前述した
移載機９と同様に伸縮回転が可能なアーム部１８を有し
ている。
７は移載室２内に設けられ、前記移載機１７は前述した
移載機９と同様に伸縮回転が可能なアーム部１８を有し
ている。
【００１１】前記第１処理室５には完全リング状のウェ
ーハホルダ１９が設けられ、該ウェーハホルダ１９の内
面にはウェーハを支持する爪２０が形成され、前記ウェ
ーハ１６が保持可能となっている。
ーハホルダ１９が設けられ、該ウェーハホルダ１９の内
面にはウェーハを支持する爪２０が形成され、前記ウェ
ーハ１６が保持可能となっている。
【００１２】前記ウェーハホルダ１９の下方には昇降可
能な突上げピン２１が設けられ、該突上げピン２１は棒
状の部材が４本対称に突設しており、該突上げピン２１
は前記ウェーハホルダ１９の内部を貫通し、上方に突出
可能となっている。
能な突上げピン２１が設けられ、該突上げピン２１は棒
状の部材が４本対称に突設しており、該突上げピン２１
は前記ウェーハホルダ１９の内部を貫通し、上方に突出
可能となっている。
【００１３】前記移載機１７のアーム部１８は前記ロー
ド用カセット室３に向かって伸長し、図示しないウェー
ハカセットより前記ウェーハ１６を取出し、該ウェーハ
１６を前記アーム部１８で保持させる。前記アーム部１
８は縮短回転し前記第１処理室５に向かって伸長し、前
記ウェーハ１６が前記ウェーハホルダ１９上迄伸長した
ところで前記突上げピン２１を上昇させて該突上げピン
２１に前記ウェーハ１６を一時的に載置する。前記アー
ム部１８が縮短し、前記突上げピン２１が下降して前記
ウェーハ１６は前記爪２０に支持され、前記ウェーハホ
ルダ１９に保持される。
ド用カセット室３に向かって伸長し、図示しないウェー
ハカセットより前記ウェーハ１６を取出し、該ウェーハ
１６を前記アーム部１８で保持させる。前記アーム部１
８は縮短回転し前記第１処理室５に向かって伸長し、前
記ウェーハ１６が前記ウェーハホルダ１９上迄伸長した
ところで前記突上げピン２１を上昇させて該突上げピン
２１に前記ウェーハ１６を一時的に載置する。前記アー
ム部１８が縮短し、前記突上げピン２１が下降して前記
ウェーハ１６は前記爪２０に支持され、前記ウェーハホ
ルダ１９に保持される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の第１の半導体製造装置では、ウェーハホルダ１１は一
部欠切して非対称な形状である為、反応ガスの流れが乱
され、均一な流れが実現されにくく、膜厚分布が不均一
となる。又、第２の半導体製造装置では昇降機構である
突上げピン２１を処理室に設けており、該処理室内の構
造が複雑となり、クリーニング等メンテナンスが煩雑と
なると共にコストが蒿む等の不具合があった。
の第１の半導体製造装置では、ウェーハホルダ１１は一
部欠切して非対称な形状である為、反応ガスの流れが乱
され、均一な流れが実現されにくく、膜厚分布が不均一
となる。又、第２の半導体製造装置では昇降機構である
突上げピン２１を処理室に設けており、該処理室内の構
造が複雑となり、クリーニング等メンテナンスが煩雑と
なると共にコストが蒿む等の不具合があった。
【００１５】本発明は上記実情に鑑みなしたものであっ
て、処理室の構造を複雑にすることなく膜厚分布の均一
化を向上しようとするものである。
て、処理室の構造を複雑にすることなく膜厚分布の均一
化を向上しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハをリ
ング状のウェーハホルダに保持した状態でウェーハの移
載を行うウェーハ移載方法に係り、ウェーハ保持用のリ
ング状のウェーハホルダを受載可能且昇降可能なプレー
トと前記受載されたウェーハホルダを上方に貫通可能な
突上げピンとを具備するウェーハ中継機構をウェーハの
搬送経路途中に配設し、ウェーハを処理する処理室は前
記ウェーハホルダに保持された状態でウェーハを処理す
る機構である半導体製造装置に係り、処理室に昇降機構
等を設けない為該処理室の構造を簡素化でき、ウェーハ
ホルダは完全なリング状であり左右対称であるので反応
ガスの流れが均一化される。
ング状のウェーハホルダに保持した状態でウェーハの移
載を行うウェーハ移載方法に係り、ウェーハ保持用のリ
ング状のウェーハホルダを受載可能且昇降可能なプレー
トと前記受載されたウェーハホルダを上方に貫通可能な
突上げピンとを具備するウェーハ中継機構をウェーハの
搬送経路途中に配設し、ウェーハを処理する処理室は前
記ウェーハホルダに保持された状態でウェーハを処理す
る機構である半導体製造装置に係り、処理室に昇降機構
等を設けない為該処理室の構造を簡素化でき、ウェーハ
ホルダは完全なリング状であり左右対称であるので反応
ガスの流れが均一化される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１８】図１〜図４中、２４は半導体製造装置を示
し、該半導体製造装置２４には前述した半導体製造装置
１と同様に、移載室２を中心として放射状にロード用カ
セット室３、第１冷却室４、第１処理室５、第２処理室
６、第２冷却室７、アンロード用カセット室８が気密に
連設されている。
し、該半導体製造装置２４には前述した半導体製造装置
１と同様に、移載室２を中心として放射状にロード用カ
セット室３、第１冷却室４、第１処理室５、第２処理室
６、第２冷却室７、アンロード用カセット室８が気密に
連設されている。
【００１９】移載機２５は前記移載室２に設けられ、伸
縮回転可能なアーム部２７を有し、前記移載機２５全体
で昇降可能となっている。
縮回転可能なアーム部２７を有し、前記移載機２５全体
で昇降可能となっている。
【００２０】ウェーハ中継機構２６は前記第１冷却室４
内に設けられ、該ウェーハ中継機構２６は昇降可能なプ
レート２８を有し、該プレート２８は平面コの字形状に
形成され、後述するウェーハホルダ２９を載置可能とな
っている。前記プレート２８の下方より４本の棒状の部
材から成る突上げピン３０が立設され、該突上げピン３
０は前記プレート２８が昇降した場合に該プレート２８
及び前記ウェーハホルダ２９と干渉しない様に前記プレ
ート２８の凹部に位置している。
内に設けられ、該ウェーハ中継機構２６は昇降可能なプ
レート２８を有し、該プレート２８は平面コの字形状に
形成され、後述するウェーハホルダ２９を載置可能とな
っている。前記プレート２８の下方より４本の棒状の部
材から成る突上げピン３０が立設され、該突上げピン３
０は前記プレート２８が昇降した場合に該プレート２８
及び前記ウェーハホルダ２９と干渉しない様に前記プレ
ート２８の凹部に位置している。
【００２１】前記ウェーハホルダ２９は完全リング形状
であり、内側にはウェーハ３１を支持する爪３２が所要
の間隔で３箇所に突設されている。
であり、内側にはウェーハ３１を支持する爪３２が所要
の間隔で３箇所に突設されている。
【００２２】前記ウェーハ３１の移載は、前記移載機２
５のアーム部２７が前記ロード用カセット室３に向かっ
て伸長し、該ロード用カセット室３より前記ウェーハ３
１を取出して、該ウェーハ３１を前記アーム部２７が一
時的に保持する。該アーム部２７は縮短し、図４中の矢
印３３で示す様に前記第１冷却室４に向かって回転す
る。
５のアーム部２７が前記ロード用カセット室３に向かっ
て伸長し、該ロード用カセット室３より前記ウェーハ３
１を取出して、該ウェーハ３１を前記アーム部２７が一
時的に保持する。該アーム部２７は縮短し、図４中の矢
印３３で示す様に前記第１冷却室４に向かって回転す
る。
【００２３】前記第１冷却室４内の前記ウェーハ中継機
構２６の前記プレート２８には予め前記ウェーハホルダ
２９が乗置されており、又前記プレート２８は下降状態
で前記突上げピン３０が前記ウェーハホルダ２９を貫通
して上方に突出している。前記アーム部２７は前記突上
げピン３０の上方迄伸長する。前記移載機２５を下降さ
せ、前記突上げピン３０上に前記ウェーハ３１を載せ
る。
構２６の前記プレート２８には予め前記ウェーハホルダ
２９が乗置されており、又前記プレート２８は下降状態
で前記突上げピン３０が前記ウェーハホルダ２９を貫通
して上方に突出している。前記アーム部２７は前記突上
げピン３０の上方迄伸長する。前記移載機２５を下降さ
せ、前記突上げピン３０上に前記ウェーハ３１を載せ
る。
【００２４】前記アーム部２７を後退させ、前記プレー
ト２８を上昇させ、前記ウェーハホルダ２９に前記ウェ
ーハ３１を受載する。前記プレート２８を更に上昇さ
せ、前記ウェーハホルダ２９を前記突上げピン３０の上
端より更に上方で保持した後、前記アーム部２７を伸長
させ、前記突上げピン３０の下方に挿入し、該プレート
２８を下降させて前記アーム部２７上に前記ウェーハ３
１を受載しているウェーハホルダ２９を載せる。前記ウ
ェーハホルダ２９を保持した状態で、前記アーム部２７
が縮短し、図４の矢印３４で示す様に前記第１処理室５
に向かって回転し、前記アーム部２７が伸長して、前記
ウェーハホルダ２９が前記第１処理室５内に搬入され
る。前記アーム部２７が下降し、前記第１処理室５の図
示しない受載台に前記ウェーハホルダ２９と共に前記ウ
ェーハ３１が載置される。更に、前記アーム部２７が縮
短し、前記ウェーハホルダ２９を受載台に残して前記第
１処理室５より前記アーム部２７が退去し、一連の移載
動作が完了する。
ト２８を上昇させ、前記ウェーハホルダ２９に前記ウェ
ーハ３１を受載する。前記プレート２８を更に上昇さ
せ、前記ウェーハホルダ２９を前記突上げピン３０の上
端より更に上方で保持した後、前記アーム部２７を伸長
させ、前記突上げピン３０の下方に挿入し、該プレート
２８を下降させて前記アーム部２７上に前記ウェーハ３
１を受載しているウェーハホルダ２９を載せる。前記ウ
ェーハホルダ２９を保持した状態で、前記アーム部２７
が縮短し、図４の矢印３４で示す様に前記第１処理室５
に向かって回転し、前記アーム部２７が伸長して、前記
ウェーハホルダ２９が前記第１処理室５内に搬入され
る。前記アーム部２７が下降し、前記第１処理室５の図
示しない受載台に前記ウェーハホルダ２９と共に前記ウ
ェーハ３１が載置される。更に、前記アーム部２７が縮
短し、前記ウェーハホルダ２９を受載台に残して前記第
１処理室５より前記アーム部２７が退去し、一連の移載
動作が完了する。
【００２５】前記第１処理室からカセット室へのウェー
ハ３１の移載は上述した作動と逆になり、図４中の矢印
３５，３６で示す様に前記冷却室を経由して行われ、前
記第１処理室５から前記ウェーハホルダ２９と一体に取
出された前記ウェーハ３１は、前記第１冷却室４で所要
温度迄冷却された後前記移載機２５により前記ウェーハ
３１のみ取出され、前記ロード用カセット室３へ移載さ
れる。
ハ３１の移載は上述した作動と逆になり、図４中の矢印
３５，３６で示す様に前記冷却室を経由して行われ、前
記第１処理室５から前記ウェーハホルダ２９と一体に取
出された前記ウェーハ３１は、前記第１冷却室４で所要
温度迄冷却された後前記移載機２５により前記ウェーハ
３１のみ取出され、前記ロード用カセット室３へ移載さ
れる。
【００２６】前記第１処理室５内では前記ウェーハ３１
は完全なリング状の前記ウェーハホルダ２９に載置され
ているので、反応ガスの流れが乱れることはなく、反応
ガスの流れが均一化され、前記ウェーハ３１の成膜品質
が安定する。又、前記ウェーハ３１は完全なリング状の
ウェーハホルダ２９で保持されるのでウェーハ３１全周
で支持することも可能であり、前記ウェーハ３１自身に
よる撓みも抑制することができ、撓みによるスリップ現
象も抑制することが可能となる。
は完全なリング状の前記ウェーハホルダ２９に載置され
ているので、反応ガスの流れが乱れることはなく、反応
ガスの流れが均一化され、前記ウェーハ３１の成膜品質
が安定する。又、前記ウェーハ３１は完全なリング状の
ウェーハホルダ２９で保持されるのでウェーハ３１全周
で支持することも可能であり、前記ウェーハ３１自身に
よる撓みも抑制することができ、撓みによるスリップ現
象も抑制することが可能となる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、処理室
に於けるウェーハ支持部が完全対称であり、反応ガスの
流れを均一にできると共にウェーハの搬送をウェーハホ
ルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、従ってコストが低減し且メンテナンス性も向上する
等の優れた効果を発揮する。
に於けるウェーハ支持部が完全対称であり、反応ガスの
流れを均一にできると共にウェーハの搬送をウェーハホ
ルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、従ってコストが低減し且メンテナンス性も向上する
等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図２】同前実施の形態を示す側面図である。
【図３】（Ａ）は、同前実施の形態の作動説明図であっ
て、突上げピン上にウェーハが乗載された状態を示す。
（Ｂ）は、同前実施の形態の作動説明図であって、ウェ
ーハがプレート上のウェーハホルダに受載された状態を
示す。（Ｃ）は同前実施の形態の作動説明図であって、
ウェーハがウェーハホルダに保持され移載機のアーム部
に保持された状態を示す。
て、突上げピン上にウェーハが乗載された状態を示す。
（Ｂ）は、同前実施の形態の作動説明図であって、ウェ
ーハがプレート上のウェーハホルダに受載された状態を
示す。（Ｃ）は同前実施の形態の作動説明図であって、
ウェーハがウェーハホルダに保持され移載機のアーム部
に保持された状態を示す。
【図４】同前実施の形態に於ける半導体製造装置の概略
説明図である。
説明図である。
【図５】従来例に於ける半導体製造装置の概略説明図で
ある。
ある。
【図６】該従来例を示す平面図である。
【図７】他の従来例を示す平面図である。
２４ 半導体製造装置 ２５ 移載機 ２６ ウェーハ中継機構 ２７ アーム部 ２８ プレート ２９ ウェーハホルダ ３０ 突上げピン ３１ ウェーハ ３２ 爪
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェーハをリング状のウェーハホルダに
保持した状態でウェーハの移載を行うことを特徴とする
ウェーハ移載方法。 - 【請求項２】 ウェーハ保持用のリング状のウェーハホ
ルダを受載可能且昇降可能なプレートと前記受載された
ウェーハホルダを上方に貫通可能な突上げピンとを具備
するウェーハ中継機構をウェーハの搬送経路途中に配設
し、ウェーハを処理する処理室は前記ウェーハホルダに
保持された状態でウェーハを処理する機構であることを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24700196A JPH1074814A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 |
| US08/879,932 US6217663B1 (en) | 1996-06-21 | 1997-06-20 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR1019970026400A KR100567000B1 (ko) | 1996-06-21 | 1997-06-21 | 기판처리장치및기판처리방법 |
| TW086108741A TW401589B (en) | 1996-06-21 | 1997-06-21 | Substrate processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24700196A JPH1074814A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074814A true JPH1074814A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17156910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24700196A Pending JPH1074814A (ja) | 1996-06-21 | 1996-08-29 | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074814A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069660A2 (en) * | 2000-03-10 | 2001-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supporting a substrate |
| US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| US7128806B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
| CN118073167A (zh) * | 2024-04-19 | 2024-05-24 | 南京原磊纳米材料有限公司 | 一种多片式防饶度自动取放腔机构 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP24700196A patent/JPH1074814A/ja active Pending
Cited By (7)
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