JPH1074814A - ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 - Google Patents
ウェーハ移載方法及び半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH1074814A JPH1074814A JP24700196A JP24700196A JPH1074814A JP H1074814 A JPH1074814 A JP H1074814A JP 24700196 A JP24700196 A JP 24700196A JP 24700196 A JP24700196 A JP 24700196A JP H1074814 A JPH1074814 A JP H1074814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer holder
- holder
- processing chamber
- chamber
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】処理室の構造を複雑にすることなく膜厚分布の
均一化を図る。 【解決手段】ウェーハ31をリング状のウェーハホルダ
29に保持した状態でウェーハの移載を行い、半導体製
造装置24はウェーハ保持用のリング状のウェーハホル
ダを受載可能且昇降可能なプレート28と前記受載され
たウェーハホルダを上方に貫通可能な突上げピン30と
を具備するウェーハ中継機構26をウェーハの搬送経路
途中に配設し、ウェーハを処理する処理室5は前記ウェ
ーハホルダに保持された状態でウェーハを処理する機構
である為、ウェーハホルダが完全対称なので処理室の反
応ガスの流れを均一にでき、ウェーハの搬送をウェーハ
ホルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、コストの低減、メンテナンス性の向上が可能とな
る。
均一化を図る。 【解決手段】ウェーハ31をリング状のウェーハホルダ
29に保持した状態でウェーハの移載を行い、半導体製
造装置24はウェーハ保持用のリング状のウェーハホル
ダを受載可能且昇降可能なプレート28と前記受載され
たウェーハホルダを上方に貫通可能な突上げピン30と
を具備するウェーハ中継機構26をウェーハの搬送経路
途中に配設し、ウェーハを処理する処理室5は前記ウェ
ーハホルダに保持された状態でウェーハを処理する機構
である為、ウェーハホルダが完全対称なので処理室の反
応ガスの流れを均一にでき、ウェーハの搬送をウェーハ
ホルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、コストの低減、メンテナンス性の向上が可能とな
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等被処理基板に薄膜生成等の処理を行う半導体製造装
置、特に枚葉式半導体製造装置に関するものである。
等被処理基板に薄膜生成等の処理を行う半導体製造装
置、特に枚葉式半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置は、複数の気密な処理室
とロード、アンロード室、更に処理室とロード、アンロ
ード室間及び処理室と処理室との間で前記被処理基板の
搬送を行う移載室とで構成されている。
とロード、アンロード室、更に処理室とロード、アンロ
ード室間及び処理室と処理室との間で前記被処理基板の
搬送を行う移載室とで構成されている。
【0003】図5、図6に於いて従来の半導体製造装置
について説明する。
について説明する。
【0004】半導体製造装置1は移載室2を中心として
放射状にロード用カセット室3、第1冷却室4、第1処
理室5、第2処理室6、第2冷却室7、アンロード用カ
セット室8が気密に連設されている。
放射状にロード用カセット室3、第1冷却室4、第1処
理室5、第2処理室6、第2冷却室7、アンロード用カ
セット室8が気密に連設されている。
【0005】前記ロード用カセット室3にはウェーハ1
6が装填されたウエーハカセット(図示せず)が図示し
ない外部搬送装置により搬送され、前記ウェーハ16は
前記移載室2に設けられた移載機9により前記ロード用
カセット室3のウェーハカセットから取出され前記第1
処理室5へ移載される。
6が装填されたウエーハカセット(図示せず)が図示し
ない外部搬送装置により搬送され、前記ウェーハ16は
前記移載室2に設けられた移載機9により前記ロード用
カセット室3のウェーハカセットから取出され前記第1
処理室5へ移載される。
【0006】前記移載機9は昇降可能であり、該移載機
9は伸縮回転可能なアーム部10を有し、該アーム部1
0にウェーハ16等被処理基板が保持可能となってい
る。
9は伸縮回転可能なアーム部10を有し、該アーム部1
0にウェーハ16等被処理基板が保持可能となってい
る。
【0007】前記第1処理室5、前記第2処理室6には
ウェーハホルダ11が設けられており、該ウェーハホル
ダ11はリング形状をしており、前記アーム部10と干
渉しない様に少なくとも該アーム部10の幅だけ欠切さ
れ、前記ウェーハホルダ11の内面には前記ウェーハ1
6受載用の爪12が所要の間隔で3箇所に突設されてい
る。
ウェーハホルダ11が設けられており、該ウェーハホル
ダ11はリング形状をしており、前記アーム部10と干
渉しない様に少なくとも該アーム部10の幅だけ欠切さ
れ、前記ウェーハホルダ11の内面には前記ウェーハ1
6受載用の爪12が所要の間隔で3箇所に突設されてい
る。
【0008】前記移載機9のアーム部10は、前記ロー
ド用カセット室3のウェーハカセットに向かって伸長
し、図示しないウェーハカセットより前記ウェーハ16
を取出し、該ウェーハ16を前記アーム部10で保持さ
せる。該アーム部10が縮短し、回転し、更に図5中の
矢印13で示す様に、前記第1処理室5内のウェーハホ
ルダ11に向かって伸長し、前記ウェーハ16が前記ウ
ェーハホルダ11上迄伸長したところで前記移載機9が
下降し、前記ウェーハ16は前記ウェーハホルダ11の
爪12に支持され、前記アーム部10が縮短する。
ド用カセット室3のウェーハカセットに向かって伸長
し、図示しないウェーハカセットより前記ウェーハ16
を取出し、該ウェーハ16を前記アーム部10で保持さ
せる。該アーム部10が縮短し、回転し、更に図5中の
矢印13で示す様に、前記第1処理室5内のウェーハホ
ルダ11に向かって伸長し、前記ウェーハ16が前記ウ
ェーハホルダ11上迄伸長したところで前記移載機9が
下降し、前記ウェーハ16は前記ウェーハホルダ11の
爪12に支持され、前記アーム部10が縮短する。
【0009】図5中の矢印14,15で示す様に、処理
後の前記ウェーハ16は前記移載機9により前記第1冷
却室4へ移載され、所要温度迄冷却された後前記ロード
用カセット室3へ移載される。
後の前記ウェーハ16は前記移載機9により前記第1冷
却室4へ移載され、所要温度迄冷却された後前記ロード
用カセット室3へ移載される。
【0010】図7は他の従来例を示しており、移載機1
7は移載室2内に設けられ、前記移載機17は前述した
移載機9と同様に伸縮回転が可能なアーム部18を有し
ている。
7は移載室2内に設けられ、前記移載機17は前述した
移載機9と同様に伸縮回転が可能なアーム部18を有し
ている。
【0011】前記第1処理室5には完全リング状のウェ
ーハホルダ19が設けられ、該ウェーハホルダ19の内
面にはウェーハを支持する爪20が形成され、前記ウェ
ーハ16が保持可能となっている。
ーハホルダ19が設けられ、該ウェーハホルダ19の内
面にはウェーハを支持する爪20が形成され、前記ウェ
ーハ16が保持可能となっている。
【0012】前記ウェーハホルダ19の下方には昇降可
能な突上げピン21が設けられ、該突上げピン21は棒
状の部材が4本対称に突設しており、該突上げピン21
は前記ウェーハホルダ19の内部を貫通し、上方に突出
可能となっている。
能な突上げピン21が設けられ、該突上げピン21は棒
状の部材が4本対称に突設しており、該突上げピン21
は前記ウェーハホルダ19の内部を貫通し、上方に突出
可能となっている。
【0013】前記移載機17のアーム部18は前記ロー
ド用カセット室3に向かって伸長し、図示しないウェー
ハカセットより前記ウェーハ16を取出し、該ウェーハ
16を前記アーム部18で保持させる。前記アーム部1
8は縮短回転し前記第1処理室5に向かって伸長し、前
記ウェーハ16が前記ウェーハホルダ19上迄伸長した
ところで前記突上げピン21を上昇させて該突上げピン
21に前記ウェーハ16を一時的に載置する。前記アー
ム部18が縮短し、前記突上げピン21が下降して前記
ウェーハ16は前記爪20に支持され、前記ウェーハホ
ルダ19に保持される。
ド用カセット室3に向かって伸長し、図示しないウェー
ハカセットより前記ウェーハ16を取出し、該ウェーハ
16を前記アーム部18で保持させる。前記アーム部1
8は縮短回転し前記第1処理室5に向かって伸長し、前
記ウェーハ16が前記ウェーハホルダ19上迄伸長した
ところで前記突上げピン21を上昇させて該突上げピン
21に前記ウェーハ16を一時的に載置する。前記アー
ム部18が縮短し、前記突上げピン21が下降して前記
ウェーハ16は前記爪20に支持され、前記ウェーハホ
ルダ19に保持される。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の第1の半導体製造装置では、ウェーハホルダ11は一
部欠切して非対称な形状である為、反応ガスの流れが乱
され、均一な流れが実現されにくく、膜厚分布が不均一
となる。又、第2の半導体製造装置では昇降機構である
突上げピン21を処理室に設けており、該処理室内の構
造が複雑となり、クリーニング等メンテナンスが煩雑と
なると共にコストが蒿む等の不具合があった。
の第1の半導体製造装置では、ウェーハホルダ11は一
部欠切して非対称な形状である為、反応ガスの流れが乱
され、均一な流れが実現されにくく、膜厚分布が不均一
となる。又、第2の半導体製造装置では昇降機構である
突上げピン21を処理室に設けており、該処理室内の構
造が複雑となり、クリーニング等メンテナンスが煩雑と
なると共にコストが蒿む等の不具合があった。
【0015】本発明は上記実情に鑑みなしたものであっ
て、処理室の構造を複雑にすることなく膜厚分布の均一
化を向上しようとするものである。
て、処理室の構造を複雑にすることなく膜厚分布の均一
化を向上しようとするものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハをリ
ング状のウェーハホルダに保持した状態でウェーハの移
載を行うウェーハ移載方法に係り、ウェーハ保持用のリ
ング状のウェーハホルダを受載可能且昇降可能なプレー
トと前記受載されたウェーハホルダを上方に貫通可能な
突上げピンとを具備するウェーハ中継機構をウェーハの
搬送経路途中に配設し、ウェーハを処理する処理室は前
記ウェーハホルダに保持された状態でウェーハを処理す
る機構である半導体製造装置に係り、処理室に昇降機構
等を設けない為該処理室の構造を簡素化でき、ウェーハ
ホルダは完全なリング状であり左右対称であるので反応
ガスの流れが均一化される。
ング状のウェーハホルダに保持した状態でウェーハの移
載を行うウェーハ移載方法に係り、ウェーハ保持用のリ
ング状のウェーハホルダを受載可能且昇降可能なプレー
トと前記受載されたウェーハホルダを上方に貫通可能な
突上げピンとを具備するウェーハ中継機構をウェーハの
搬送経路途中に配設し、ウェーハを処理する処理室は前
記ウェーハホルダに保持された状態でウェーハを処理す
る機構である半導体製造装置に係り、処理室に昇降機構
等を設けない為該処理室の構造を簡素化でき、ウェーハ
ホルダは完全なリング状であり左右対称であるので反応
ガスの流れが均一化される。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0018】図1〜図4中、24は半導体製造装置を示
し、該半導体製造装置24には前述した半導体製造装置
1と同様に、移載室2を中心として放射状にロード用カ
セット室3、第1冷却室4、第1処理室5、第2処理室
6、第2冷却室7、アンロード用カセット室8が気密に
連設されている。
し、該半導体製造装置24には前述した半導体製造装置
1と同様に、移載室2を中心として放射状にロード用カ
セット室3、第1冷却室4、第1処理室5、第2処理室
6、第2冷却室7、アンロード用カセット室8が気密に
連設されている。
【0019】移載機25は前記移載室2に設けられ、伸
縮回転可能なアーム部27を有し、前記移載機25全体
で昇降可能となっている。
縮回転可能なアーム部27を有し、前記移載機25全体
で昇降可能となっている。
【0020】ウェーハ中継機構26は前記第1冷却室4
内に設けられ、該ウェーハ中継機構26は昇降可能なプ
レート28を有し、該プレート28は平面コの字形状に
形成され、後述するウェーハホルダ29を載置可能とな
っている。前記プレート28の下方より4本の棒状の部
材から成る突上げピン30が立設され、該突上げピン3
0は前記プレート28が昇降した場合に該プレート28
及び前記ウェーハホルダ29と干渉しない様に前記プレ
ート28の凹部に位置している。
内に設けられ、該ウェーハ中継機構26は昇降可能なプ
レート28を有し、該プレート28は平面コの字形状に
形成され、後述するウェーハホルダ29を載置可能とな
っている。前記プレート28の下方より4本の棒状の部
材から成る突上げピン30が立設され、該突上げピン3
0は前記プレート28が昇降した場合に該プレート28
及び前記ウェーハホルダ29と干渉しない様に前記プレ
ート28の凹部に位置している。
【0021】前記ウェーハホルダ29は完全リング形状
であり、内側にはウェーハ31を支持する爪32が所要
の間隔で3箇所に突設されている。
であり、内側にはウェーハ31を支持する爪32が所要
の間隔で3箇所に突設されている。
【0022】前記ウェーハ31の移載は、前記移載機2
5のアーム部27が前記ロード用カセット室3に向かっ
て伸長し、該ロード用カセット室3より前記ウェーハ3
1を取出して、該ウェーハ31を前記アーム部27が一
時的に保持する。該アーム部27は縮短し、図4中の矢
印33で示す様に前記第1冷却室4に向かって回転す
る。
5のアーム部27が前記ロード用カセット室3に向かっ
て伸長し、該ロード用カセット室3より前記ウェーハ3
1を取出して、該ウェーハ31を前記アーム部27が一
時的に保持する。該アーム部27は縮短し、図4中の矢
印33で示す様に前記第1冷却室4に向かって回転す
る。
【0023】前記第1冷却室4内の前記ウェーハ中継機
構26の前記プレート28には予め前記ウェーハホルダ
29が乗置されており、又前記プレート28は下降状態
で前記突上げピン30が前記ウェーハホルダ29を貫通
して上方に突出している。前記アーム部27は前記突上
げピン30の上方迄伸長する。前記移載機25を下降さ
せ、前記突上げピン30上に前記ウェーハ31を載せ
る。
構26の前記プレート28には予め前記ウェーハホルダ
29が乗置されており、又前記プレート28は下降状態
で前記突上げピン30が前記ウェーハホルダ29を貫通
して上方に突出している。前記アーム部27は前記突上
げピン30の上方迄伸長する。前記移載機25を下降さ
せ、前記突上げピン30上に前記ウェーハ31を載せ
る。
【0024】前記アーム部27を後退させ、前記プレー
ト28を上昇させ、前記ウェーハホルダ29に前記ウェ
ーハ31を受載する。前記プレート28を更に上昇さ
せ、前記ウェーハホルダ29を前記突上げピン30の上
端より更に上方で保持した後、前記アーム部27を伸長
させ、前記突上げピン30の下方に挿入し、該プレート
28を下降させて前記アーム部27上に前記ウェーハ3
1を受載しているウェーハホルダ29を載せる。前記ウ
ェーハホルダ29を保持した状態で、前記アーム部27
が縮短し、図4の矢印34で示す様に前記第1処理室5
に向かって回転し、前記アーム部27が伸長して、前記
ウェーハホルダ29が前記第1処理室5内に搬入され
る。前記アーム部27が下降し、前記第1処理室5の図
示しない受載台に前記ウェーハホルダ29と共に前記ウ
ェーハ31が載置される。更に、前記アーム部27が縮
短し、前記ウェーハホルダ29を受載台に残して前記第
1処理室5より前記アーム部27が退去し、一連の移載
動作が完了する。
ト28を上昇させ、前記ウェーハホルダ29に前記ウェ
ーハ31を受載する。前記プレート28を更に上昇さ
せ、前記ウェーハホルダ29を前記突上げピン30の上
端より更に上方で保持した後、前記アーム部27を伸長
させ、前記突上げピン30の下方に挿入し、該プレート
28を下降させて前記アーム部27上に前記ウェーハ3
1を受載しているウェーハホルダ29を載せる。前記ウ
ェーハホルダ29を保持した状態で、前記アーム部27
が縮短し、図4の矢印34で示す様に前記第1処理室5
に向かって回転し、前記アーム部27が伸長して、前記
ウェーハホルダ29が前記第1処理室5内に搬入され
る。前記アーム部27が下降し、前記第1処理室5の図
示しない受載台に前記ウェーハホルダ29と共に前記ウ
ェーハ31が載置される。更に、前記アーム部27が縮
短し、前記ウェーハホルダ29を受載台に残して前記第
1処理室5より前記アーム部27が退去し、一連の移載
動作が完了する。
【0025】前記第1処理室からカセット室へのウェー
ハ31の移載は上述した作動と逆になり、図4中の矢印
35,36で示す様に前記冷却室を経由して行われ、前
記第1処理室5から前記ウェーハホルダ29と一体に取
出された前記ウェーハ31は、前記第1冷却室4で所要
温度迄冷却された後前記移載機25により前記ウェーハ
31のみ取出され、前記ロード用カセット室3へ移載さ
れる。
ハ31の移載は上述した作動と逆になり、図4中の矢印
35,36で示す様に前記冷却室を経由して行われ、前
記第1処理室5から前記ウェーハホルダ29と一体に取
出された前記ウェーハ31は、前記第1冷却室4で所要
温度迄冷却された後前記移載機25により前記ウェーハ
31のみ取出され、前記ロード用カセット室3へ移載さ
れる。
【0026】前記第1処理室5内では前記ウェーハ31
は完全なリング状の前記ウェーハホルダ29に載置され
ているので、反応ガスの流れが乱れることはなく、反応
ガスの流れが均一化され、前記ウェーハ31の成膜品質
が安定する。又、前記ウェーハ31は完全なリング状の
ウェーハホルダ29で保持されるのでウェーハ31全周
で支持することも可能であり、前記ウェーハ31自身に
よる撓みも抑制することができ、撓みによるスリップ現
象も抑制することが可能となる。
は完全なリング状の前記ウェーハホルダ29に載置され
ているので、反応ガスの流れが乱れることはなく、反応
ガスの流れが均一化され、前記ウェーハ31の成膜品質
が安定する。又、前記ウェーハ31は完全なリング状の
ウェーハホルダ29で保持されるのでウェーハ31全周
で支持することも可能であり、前記ウェーハ31自身に
よる撓みも抑制することができ、撓みによるスリップ現
象も抑制することが可能となる。
【0027】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、処理室
に於けるウェーハ支持部が完全対称であり、反応ガスの
流れを均一にできると共にウェーハの搬送をウェーハホ
ルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、従ってコストが低減し且メンテナンス性も向上する
等の優れた効果を発揮する。
に於けるウェーハ支持部が完全対称であり、反応ガスの
流れを均一にできると共にウェーハの搬送をウェーハホ
ルダと一体に行っているので処理室の構造を簡素化で
き、従ってコストが低減し且メンテナンス性も向上する
等の優れた効果を発揮する。
【図1】本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図2】同前実施の形態を示す側面図である。
【図3】(A)は、同前実施の形態の作動説明図であっ
て、突上げピン上にウェーハが乗載された状態を示す。
(B)は、同前実施の形態の作動説明図であって、ウェ
ーハがプレート上のウェーハホルダに受載された状態を
示す。(C)は同前実施の形態の作動説明図であって、
ウェーハがウェーハホルダに保持され移載機のアーム部
に保持された状態を示す。
て、突上げピン上にウェーハが乗載された状態を示す。
(B)は、同前実施の形態の作動説明図であって、ウェ
ーハがプレート上のウェーハホルダに受載された状態を
示す。(C)は同前実施の形態の作動説明図であって、
ウェーハがウェーハホルダに保持され移載機のアーム部
に保持された状態を示す。
【図4】同前実施の形態に於ける半導体製造装置の概略
説明図である。
説明図である。
【図5】従来例に於ける半導体製造装置の概略説明図で
ある。
ある。
【図6】該従来例を示す平面図である。
【図7】他の従来例を示す平面図である。
24 半導体製造装置 25 移載機 26 ウェーハ中継機構 27 アーム部 28 プレート 29 ウェーハホルダ 30 突上げピン 31 ウェーハ 32 爪
Claims (2)
- 【請求項1】 ウェーハをリング状のウェーハホルダに
保持した状態でウェーハの移載を行うことを特徴とする
ウェーハ移載方法。 - 【請求項2】 ウェーハ保持用のリング状のウェーハホ
ルダを受載可能且昇降可能なプレートと前記受載された
ウェーハホルダを上方に貫通可能な突上げピンとを具備
するウェーハ中継機構をウェーハの搬送経路途中に配設
し、ウェーハを処理する処理室は前記ウェーハホルダに
保持された状態でウェーハを処理する機構であることを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24700196A JPH1074814A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 |
US08/879,932 US6217663B1 (en) | 1996-06-21 | 1997-06-20 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1019970026400A KR100567000B1 (ko) | 1996-06-21 | 1997-06-21 | 기판처리장치및기판처리방법 |
TW086108741A TW401589B (en) | 1996-06-21 | 1997-06-21 | Substrate processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24700196A JPH1074814A (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074814A true JPH1074814A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17156910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24700196A Pending JPH1074814A (ja) | 1996-06-21 | 1996-08-29 | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1074814A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001069660A2 (en) * | 2000-03-10 | 2001-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supporting a substrate |
US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
US7128806B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
CN118073167A (zh) * | 2024-04-19 | 2024-05-24 | 南京原磊纳米材料有限公司 | 一种多片式防饶度自动取放腔机构 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP24700196A patent/JPH1074814A/ja active Pending
Cited By (7)
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